半导体分立器件S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范_SJT11851-2022.docx

ICS31.080.30CCSL42中华人民共和国电子行业标准SJfT118512022半导体分立器件S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范2022To-20 发布SemiconductordiscretedevicesDetailspecificationforsiliconNPNlowpowerswitchingtransistorpairofS3DK57942023-01-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布-XX.-A-刖百本文件按照GB"1.1-2020标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SACrrC78)提出并归口。本文件起草单位：石家庄天林石无二电子有限公司、中国电子技术标准化研究院、北京微电子技术半导体分立器件S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范1范围本文件规定了S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管（以下简称器件）的详细要求。243.；15部分:21部分：可墀性（引线牢固度）器件的耐焊接00693201,15201987999要界定的术语和定义。电路第7部部分：分立器f气候试验方法口气候试验方2规范性引用文件下列文件中的内仅该H期对应的文件。;不注日期的引用文件,：。其中,注日期的引用文件,有的修改单）适用于本GB/TGBZTGBZrGBGBGBGBGBGB术语和本文件没要求4.1总则题候试验方法”120Ia僚体器件器件应符合本文件的所有规定。质量评定类别符合GB/T4589.12006和GB“125601999的规定。质量评定类别为Il类。4.2设计、结构和外形尺寸4.2.1器件设计、结构芯片采用硅外延平面结构，将两个独立工作的芯片封装在同一管壳，并实现电性能的独立，封装采用金属气密式封装。4. 2.2外形尺寸外形采用T0-78型的要求。外形图见图b外形尺寸见表Ie1：集电极,2：基极,3：发射极,4：发射极,5：基极，6：集电极图1外形图表1外形尺寸单位为亳米符号尺寸数值最小标称最大A3.814.70a一5.08b0.41一0.53D8.519.60Di7.758.51j0.710.86K0.741.14L12.7025.00Li一1.274.3最大额定值和电特性4. 3.1最大额定值最大额定值见表2。除非另有规定，n=25,C0表2最大额定值参数符号数值单位最小值最大值工作环境温度n-55125贮存温度65200最大集电极-基极直流电压Vcbo75V最大集电极-发射极直流电压Vceo40V最大发射极-基极直流电压>bo6V最大集电极直流电流Icm600mA最大总耗散功率PW(单芯片。/%(双芯片一-_-500600mWmW最高结温200结环境热阻350、290/W/w注：未单独标呷，左塞诩臂L-'1指双芯片澳求.4.3.2电学7/电特血L3。4非-y-11'>f称E,*'',*条件单位数值三T*最大值正向电力传班5?t¾V,q霆91-I正向电X传箍I一.-jj察If®8二正向电叫岑/黎.："B-氐问电流*输可以:：.300正向电流彳整叼m/k正向电流传*比之fecFcb=IV»b=150mA)Zo正向电流传眼i4A)加FEj1/Afe?1Pce=IOV,Zb=ImA/-¼,91.11正面电流传输t(S3BK579AfbI/fF3IFce=IOV,fc=10mVf0.91.11基极-发射极电压缰fe对值(S3DK5794A)d04IyBEl-fejFce=IO810集电极-发射极饱和电送、!LV0.3集电极-发射极饱和电压、fNB=¾a*0.9越极-发射极饱和电压V0.1.2基极-发射极饱和电压mAV1.8集电极-基极截止电流ZcBOi=0,F=75VA10集电极-基极截止电流/CBO;=0.Fcb=50VA0.01发射极基极戕止电流lFOfc=0,P=6VA10发射极-基极截止电流DOjC=O,PEB=4VA0.01高温下的集电极-基极截止电流CBO17150oC=0,K=50VA.一10正向电流传输比Afe：n=-550C%e=10V,fc=150mA40.一小信号共发射极短路正向电流传输比幅值IEce=20V,Ic=2QmA户100MHz210导通时间<MIb15mA.L=150mAns45关断时间/offb-5mA,7c=150mAns310电特性名称符号条件单位值最小值最大值共基极输出电容CdboFcb=IOV,Ie=Q,100kHzlMHzPF8共基极输入电容GboPEB=O.5V,Ic=Q,100kHzylMIfePF33注：未单独标明时，为单个芯片指标.4.4电测试要求电测试应符合GB“45871994及本文件的规定。4.5标志器件上的标志包括以下几部分：产品型号，S3DK5794； 质量评定类别标志11,即S3DK579411; 制造厂商标； 检验批的识别代号。5质量评定程序5.1 抽样抽样方案按GB"125601999和本文件的规定，5.2 试验条件和检验要求试验条件和检验要求按表4表6的规定。表4A组逐批检验或试验符号引用标准条件除非另有规定，A=25C±5C(见GBZT4589.12006的4.1)检验要求极限值单位LTPD最小值鳌Al分组外部目检一GB/T4589.120064.3.1.1标志清晰，表面无机械损伤、破损5A2a分组不能工作器件集电极-基极截止电流正向电流传输比CBOAfeGB/T45871994IV,1,2.1GBTT45871994IV,2,7k=Q,Fcb=75VFce=IV.fc=10mA短路：ao100A开路：ra51.0检验或试验符号引用标准除非另有规定，A=25C±5C极F艮值(见GWr4589.1-2006的最小值最大值单位条件检验要求1.IPDGB“4587Ie=O,Fcb=75V1994Ib=O,Fcb=50VIV,1,2.1Jc=Q,Keb=6VGB/T4587-ArO,Keb=4VIc=Q.1mAKck=IOIV,b12GB“45871994IV,1,122b分级集电极-其极截止电流集电极基极截止电流发射极-基极截止电流发射极-基极截止电流正向电流传输比正向电流传输比正向电流传输比正向电流传输比正向电流传输比正向电流传输IV,2,735507510040<0A3分组基极-发:集电极-压.正向电“（S3DK5正向电M（S3DK5：基极-发：绝对值（S3FE2111jE3IKbe.)4分组.小信号共发射极短S正向电流传输比幅值开通时间关断时间IyHJrIV,2,7GB/T45871994M1,64587fe=15mA,Zb-50mA,b=15InA,b=50mA，IFi=IOV手注：全部试验都是非破坏性的（见GB/T4589.12006的3.6.6）.mAmAmAmAmA520检验或试验符号引用标准条件除非另有规定,7250C±50C(见GIvr4589.12006的4.1)检验要求极限值单位LTPD最小值最大值Bl分组尺寸GB/T4589.120064.3.2测彳、D,椁、pb、L,见表1见图115B3分组引线弯曲（D）GBfI,4937.142018试验条件B受试引出端数：3外加弯曲力：2.5N发现有断裂（密封弯月面处的除外）、松动或引线和器件管体之间有相对移动，均认为器件失效15B4分组可焊性GB/T4937.212018焊槽法涧湿良好15B5分组温度循环密封；细检漏b粗检漏最后测试集电极-基极截止电流正向电流传输比Icm入府GB/T49371995in、1.1GB/T2423.232013GB/T45871994IV,L2.1GB/T45871994V,2,7-65匕200C;15个循环试验Qk,方法1试验Qc,方法3长0,Fcb=5OVPbrlOV,fc=150mA201000.01300AB6分组机械冲击密封a细检漏b.粗检漏最后决!成集电极-基极截止电流正向电流传输比IatOife4GB/T4937199511s4GB/T2423.232013GB/T45871994V,L2.1GB/T45871994IV,2,71500g；5ms试验Q,方法1试验Qc,方法3e=0,P=50VFce=IOV,后150mA1000.01300A20B8分组电耐久性（168h）最后测试集电极-基极截止电流正向电流传输比集电极-发射极饱和电压JCBOt力FEMFRlH%E(MGB/T45871994V,1GB/T45871994IV,1.2.1GB/T45871994V,2,7GB/T4587-1994IV,1,4工作刃命：通过实测器件的稳态热阻，调节环境温度或功率，使器件结温至少达到150P,IU至少为75%的额定功率，=168h,Pce=IOVfe=0,F=50V"10V,fc=150mAb=15mA*fc=150mA0.0225%0.3AV10B9分组高温贮存最后测试GB/T4937199511L1.17=200oC,Z=168h同B8分组最后测试一10注：标明（D）的试验是破坏性的（见GBzT4589.12006的3.6.6）,ZFIufE4M=(ZrFEiHMIJkUi4VJ*a)hFEiM4/t检验或试验符号引用标准条件除非另有规定，725oC±5oC(JSLGBA'4589.12006的4.1)检验要求极限值单位LTPD最小值最大值Cl分组尺寸GBfT4589.120064.3.2见表1见图130C2a分组小信号共发射极短路正向电流传输比幅值共基极输出电容I辰ICoboGBZT45871994IV,1,13.2GB/T45871994IV,8.1Fce=20V»后20mA.户100MHZFcb=IOV,=0,100kHzylMHz2108PF15C2b分组高温下的集电极基极截止电流AcdojGB/T4587-1994IV,b2.17i:150oC7e=0,cb=50V10A15C2d分组热阻R%e)GB/T45871994IV,b11双芯片：K=30V,fc=20mA单芯片：Fcb-30V,fc=16.7mA350290/W/W20C3分组引出端强度（D）拉力GB/T4937.142018试验条件A：受试引出端数：3,外加力：5N发现有断裂（密封弯月面处的除外）、松动或引线和器件管体之间有相对移动均认为器件失效15C4分组耐焊接热（D）最后测试GB"4937.15201811,2.2方法A同B5分组最后测试15C5分组温度循环密封a.细检漏b粗检漏最后测试集电极基极低I上电流正向电流传输比Icm原4GB49371995IU.1.1GBZT2423.232013GBZT2423.232013GB/T45871994IV,1,2.1GB/T45871994IV,2,7-65oC200P:】5个循环试验Qk,方法1试验Qo方法3/e=0»Pcb=50VFce=IOV,fc=150m1000.01300A20C6分组机械冲击恒定加速度最后测试GB“49371995U、4GBfT4937199511,51500g；5ms20OOOg,在XI、YKZl的每个方向上试险至少1min同B5分组最后测试20C7分组稳态湿热（D）最后测试GB/T4937-1995DL585±2,相对湿度85%±5%,时间168h同B8分组最后测试20C8分蛆电耐久性最后测试一附录B双芯片工作，Z=100Oh,Fce=IOV同B8分组最后测试10检验或试验符号引用标准条件除非另有规定，725°C±5oC(见GBZT4589.12006的4.1)检验要求极F艮值单位LTPD最小值最大值C9分组高温贮存（D）最后测试GB/T49371995HL2A=200P,Z=IOOOh同B8分组最后测试15CRRL分组提供C2a、C2b、C3、C4、C6、C7和C9的记数检查结果及C8前后的测试数据.注1：标明（D）的试验是破坏性的（见GB/T4589.12006的3.6.6）.注2：CRRL为放行批证明记录.检睑要求限值检验或试验1.TPD单位最大值123.2320136交货准6.1包装9DI分组温度循环（D）D2分组比额定值空封Qk,方法1试脸Qc,方法305分组最后测试除非另有规定:(见GB4589.14.1)觌C2OOC：5009三a.细枪b.粗检奴后测试包装盒上的林志包括;产品型号；制造厂商标；制造厂联系方式。其他。6.2订货资料订货单上应有下列内容：产品型号，S3DK5794；质量评定类别标志IL即S3DK5794II；SOT118512022,7附加资料特性曲线见附录C。附录A（规范性）集电极电流的验证A.1目的在规定条件下，验证器件的集电极电流能力，即承受不小于最大额定值上的能力。A.2电路图集电极电流测试电路见图A.LT被测器件图A1集电极电流测试电路A.3电路说明R和昆是电路保护电阻。%b和%c是直流电源。A.4测试程序在环境温度A=25P下，基极电流调至60mA,加大电源电压（匕c）,使集电极电流达到600mA。达到热平衡后，断开电源，按照表4中A2b、A3分组规定的66、匕e«u进行测试，两个参数满足表4的规定，确认器件特性是否正常。B.1目的在规定条件下，进行电耐久性试验。B.2电路图附录B（规范性）电耐久性试验方法试验电路图见图B.1.时久性试验电B.3电R和2是电路保护电阻B.4功率。达到规定要求。试验达到规定时间后，将器件测量率至少为调节环使器件%E96h内完成终点Jlf5oC±25oC,功为20P,将器件安装在夹具中，安装点离引线根部,调节电源电压条件下移走，并在附录C（资料性）特性曲线C.1功率降额曲线单芯片工作时功率随温度降额曲线见图Cb双芯片工作时功率随温度降额曲线见图C.2.图C1功率随温度降额曲线（单芯片工作）月“(BW)图G2功率随温度降额曲线（双芯片工作）C.2结一环境最大热阻曲线结一环境最大热阻曲线见图C.3、热阻CCT)100O图C.4。g5P：t->1111-Ix4±4-II；-L|44.-LI-I/DT:C.3安全工作区曲线安全工作区曲线见图C.5。图C5安全工作区曲线（双芯片工作）