MOS管做电源开关的经验分享.docx

一般的电源开关电路，控制电源的目的是省电，控制静态电流。不过以下的电路存在着几个缺点：1 .管压降较大我们知道采用PNP管子作为开关管的饱和压降在00.3V,这在低电路上是不可接受的。3.3V的控制电源最大误差变成3V,某些1.5V的电源变成1.2V,这会导致由此供电的芯片损坏。PMoS的管子压降为VdrOP=IdXRdSOn,RdSOn可选择，实际的值在1欧以内。2 .控制电流我们知道Tb和Ic是相关的，饱和放大系数一般的设计为30,因此我们通过2001nA的电流的时候，Ib=20030=7mA,这样导致了控制电路功耗较大。3 .开关管功耗我们知道三极管的功耗计算公式为Pd=VebXTb+Vec×Ic,Vec饱和时00.3V的条件下，当通过电流较大的时候，开关管的功耗就很大。比较而言，PMoS的导通电阻RdSOn较小（也可选择），P=RdSonXler2。PMOS高压电路设计（12V）电路对比PNP电路设计低压开关（NMOS）5V,3.3V,1.5V】NMOS导通关闭条件：这里使用PNP管直接使NMoS的G和Vin导通，这样NMOS才可以完全导通，要是不能使Vin完全和NMoS的G完全接通，就使用最上面的PMOS的方案，如果接成如下的情况：结果当PhOtOControl为高定平，9014导通，640断开。当PhOtoControl为低电平,9014断开，640导通，可此时640上ds间34V的压降，本意DC=VBAT(8V),现在DC只有3点几伏电压；原因：NPN+PMOS才做电源控制，这是NPN+NM0S,R21直接换成0欧就通了，只不过没有控制什么事了。还有NMOS的衬底一般做出来的时候是和源极接在一起的,开机NMOS需控制电压(相对衬底)大于开启电压，这样接衬底完全悬空了，现在的电路无论怎么控制都达不到要求，电路本身设计就错了，NMOS一般是做低输出的，PMOS才是高输出电路，这个性质和三极管的NPN和PNP差不多的。TTL中用三极管，TTL能驱动MOS,MOS不能驱动TTL0