GB_T 14264-2024 半导体材料术语.docx

ICS29.O4SCCSIl80/二：/UXGiS中华人民共和国国家标准GB/T142642024代替GB/1142642009半导体材料术语Terminologyofsemiconductormaterials2024-04-25发布2024-11-01实施国家市场监督管理总局沿东国家标准化管理委员会发布前宫ID）范困12视苑性引用文件I3一般术语I4材料制卷与工艺335缺陷386海略语和简称47索引50本文件按照GB/T1.1-2020标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则$的规定起草,本文件代昔GBTM264-20OSH半导体材料术语，GBTM264-20O9相比，除站构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：一一增加了“宽禁带半导体”等261项术语及其定义（见第3章第5章）;一一删除了“洋形崩边”等64项术语及其定义（见2009年版的第3率）：一一更改了“化合物半导体”等62项术语及其定义（见第3章第5章，2009年版的第3章八请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任.本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAcTC2O3/SC2）共同提出并归口。本文件起草单位：有研半导体硅材料股份公F、有色金属技术经济研究院有限责任公司、北京大学东莞光电研究院、南京国盛电子有限公司、云南临沧奇掰然业股份有限公司、青海黄河上游水电开发有限员任公司新能源分公司、中国科学院上海光学精宙机械研究所、有研国晶蜉新材料有限公司、浙江中晶科技股份有限公M、江苏中能硅业科技发展有限公司、中环领先半导体材料行限公"J.新特能源股份有限公司、目吕南破硅材料有限公司、亚洲碎业（青海）股份有限公司、中国电子科技集团公司第卜三研究所、四川水祥股份有眼公司、公曲地宏国际精业有限公司、麦斯克电子材料股份有限公司、浙江海讷半导体股份有限公司、常州时创能源股份有限公司、东莞市中修半导体科技有限公司、中国科学院半导体研究所.本文件主要起草人：健、贺东江、李素青、宁永悴.TK,朱晓彤、骆红、tH.泰格、杭寅、郑安生、宫龙飞、程风佟、黄笑容、李国陈金鹏、王彬,张笛因、邱f依梅、刘文明、尹东彬弘贵枫、李辱号、崔丁方、M呼、胸仪、加偌.本文件于1993年首次发布，2009年第一次修订，木次为第：次修订。半导体材料术语1木文件界定了半导体材料的一般术语和定义，材料制谷与工艺及缺陷的术语和定义，以及缩略语。本文件适用于半导体材料的研发、生产、制备及相关领域.2 范性引用文件木文件没有规范性引用文件。3 -»*«华体Smlconductor导电性能介于导体与绝统体之向，空温下电阻率约为10-5。cn-10',ca,由带正电的空穴和带负电的电子两种敦流子参加导电,并具有负的电阻温度系数以及光电导效应、整流效陶的固体物质.&WM共结构分为科限多M11a吹12*隹岸导体intrinsicScmkonductor品格完整且不含杂侦，在热平街条件3其中参与导电的电子和空穴数目近乎相等的理想半导体.)jf常所说的本征半导体是指仅含极树ft杂质.导电性能与理想情况很相近的半导体,3.3元It半导体elementalsemiconductorIh单一元素的原子组成的半导体材料.注：崛、靖'剑麻网.3.4化Q4H1#体c<三poundiconductor由2种或2种以上不同元素按确定的原子限比形成的半导体材料。注：如脚化稼(GaAs)、磷化的：ln?j.埼化榻(CdrCb碳化的S©、氯化椽(GI0*辄化像GaD).tt蝴InGaN)和铝银胭磷(AIGahP)等.15良IWf半导体widebandgapsemiconductor通常为禁带宽度不低于2.3cV的半导体材料.注：常见宽禁带半9体材料行，碳化矽(SC)、原化诧(GlN)、缸化IMn0)、氧化位(0YQ1).金刚石、翅化隹(AlN)等.16semi-insulatingGaAS电阻率大于IXK)Scm的肺化粽单品。注：用作微电子器件的林灰材料，3.7金刚石，dianondlikecarbon11ln具ft类似千金刚石正四面体陵结构的衫51,或I.K碳W.注，JWJ负电子亲和分、高硬度HH无腐蚀性.作用作光电期极材利和器件的钝化保I。朕.3.8藤土石忖sapphiresubstrate用于外延生长¥导体薄股的武宝石单晶光光片，注；常用的蜃面松面、R面、Mi.A面，19金融石terminaldium<>n<l熔帝道度为5.5eV.拥百耐高压、大射续、低成本、耐高温特性的半导体忖料.&也被称为第四代乍导体材料.3.10tMM石hydrogent11dnaldiaaood;H-diaaond表面吸附大显氨原子.小现负电干亲和势特性（一1.2eV）.I1.本身无甯棒杂即只行P型导电特性的金刚石.Ill,三代华third-terationSeaiconductor以碳化硅'氯化俅宽禁带半导体材料为代表,通常具有高击穿电场、迁移率.饱和电子速度,能承受大功率特点的半导体材料.法I第T弋"导体打科（以硅，楮为代农）,大限应用KTU,GPU、存储芯片，各种功率第'F.El前。懒是半导体戏件和朱成，也路制造的主姿忖科.第二代半导阚才科（以獐化铉，锚化W1.磷化纲为代农），主要应阳干光电子.微电子、微波功率等88件.第TC、第二代、第三代半导体4才科主要是应用场景及出现时间上的区别.在交叉.网不完全更介因此第三代半导体材料和第二代、第代之间不是咫代关系.3.12技术代technologygerat100帏征尺寸ealuresize集成电路中由特定工艺决迩的所能光刻或制作的最小尺寸.注，也被称为技术节点或线蜜.113金刖石结构dia11ondstructure由2个面心立力点阵沿立方品胞的体对角线偏移】/，1梁位设转加成的晶体站构.3.14RffTMKSphaleritestructure由2稗元素的原子各自形成IFil心立方品格,再沿对角线潜移至对角线长度的四分之一,套迭而成的网立方品系的面心立方点阵.注：闪悻结构半导体彳j（X.bP.h等，3.16舒锌矿结构I*IidMnVorest11clure由2种元素的原子按六角排列的原子而以AaBbAaBb次汴增观而成的属六方晶系的他扑六角点阵.注I：以ZnS为例,其中A、B面表示0n（if面，4b面表小Slr向，S磔子作六方密堆枳,Zn原f肮充在T数的Pq面体空IR中.注2：纤蚌矿豺构化合物半导体j5H-SiC.6H-SiC和GaN等.116受主acceptor半导体中接受从价由激发的电子出成空穴导电的一类杂质.3.17枪主donor半导体中向导带提供电子形成电子导电的类杂短或缺陷.3.18()electron(nduction)半导体导带中,作用类似带负电荷的自由电子的带电我流子.注：电子是n里半导体材料中的多数僦f如常具有不同的质改119hole半导体价带中的一个可移动空位,其作用类蚁一个具有正有效侦员带正电倚的电子.注：空穴是P型半S体材料中的多教我流子。X20XjS电two-dimensionalelectrongas:2l)EG在2个黯度上健够自由移动,而在第三个维度上被浮格约束住的电子气.&例taft半导体衣面施加IJ表面氽包内中场，花表面附近膨曲乜子势必,便公积累人/电子，这些电干在去面层f三t½,耐睡STO访问附点此厂旗限机耽评行Ui幅帆班连蝴.在Sfi表面的罐成是分立的，J识有高的迂移率以及许多峡子特性,是许多场笠应器件的工作荔俎121二维空穴气Iwo-Iliniensionalholeg«is:2DlIG在2个锥度上能够自由移动,而在第三个维度上被西格约束住的空穴气.3.22于exciton在一定的条件下由于库仑相互吸引作用带电子和空穴在空间上束缚在一起形成的电子-空穴对.123极性polarity当化合物半导体晶胞内郃沿着某一储向正、负电荷中心不重合时.存在净的电偶极矩的表现形式.X24非极性n<>np<>larity当化合物华导体晶胞内部沿着某一品向正、负电荷中心完全正台时，不存在净的电偶极矩的表现形式.1254MRttsemi-polarity化合物半导体中介于极性而和非被性面之间的马而.”极性而具有一定的夹角,因此仅只有部分极性面的极化强度的电偶极矩的非现形式.3.26Ift他SuKPuhirizationcfecl一个分子或快子中的电子云分布不均匀,导致分子或快子帝芍(W极性(极性)的现象.&3占自发极化效应和压电极化效应,自发极化物跳源JM林身对称性导致的极比.压电极化出徙眼于外部应力导浏M变ff得致的极化.3.27耗尽层depletionlayer空间电营区spacechargeregion在pn结附近，由于自由电子的犷散运动和内电场导致的浮砂运动达到动态平衡时,P区和n区交界面产生.的,很薄的电广、空穴都跟稀少的区域。&该IX域自由翩?.储度不足以中和跄M隈生的固定掺朵电荷密度，乂林势东区，Rim-.该M坳欣渡被称为用尽层宽吱，X28总园宏电普totalfixedCbergedensity;Ntf不可移动的辄化物固定电荷密度、班化物伴荻的电荷密度以及界面浮获的电荷密度之和，129复合中心reconbinationcenter半导体中对电子和空穴起复合作用的杂短或缺陷.3.30陷阱trap半导体处于整平衡态出现非平劭我流子时,能够产生显存枳累非平食我流子作用的杂旗能汲.&五融豚炕在华号体禁带中形成ft麻吸,件获M平我流逸,羟过段时间糅放出张树峥被称。糊加包.3.31补偿coinp«nsjiilon半导体内同时存在地主杂侦和受主朵场时，地主杂质脩放的电子般受主杂质件获，或受主杂侦施放的空穴彼施主杂质俘获,导致除主要搀杂剂杂质外,自由栽流子数值减少的现望.132MMPurityuntrinsic及征取短或化合物含量的参数.注1:般的计算方法是按照IO（H减去按该产品标准规定的元素或成分种类的实测猿以后得到的数值。例如，纯度为99.999%也写作5个9或5N.注2:通常说硅的纯度比H对本征硅雨育.且不包含乳、碳.仙果足搀杂单品.也不包能施褥杂的元素.3.33景于阱quantumwclkQW其Y子限制效应或其用馁和电子卷布罗意波长可比拟的半导体薄层蜻构.3.34mobility.流子在单位电场强度作用卜的平均漂移速度.注1：玳位为平方厘米每伏秒51/WS）.注2：在浓T谶子体系中，我交利港率I肃定条件下测定的靛尔迁移率成正比，X35尔效应Hall-effect当电流垂直于外横场方向通过半导体样品时.在垂出于电流和磁场方向的样处两恻产生电势差的现象.X36M尔JMkHall<oe11cicntRH册尔效应产生的霍尔电场正比于磁赂应强度<52）和电流密度0）的比例系数.&如果小系统将出小崔定、现定的（能,并且如果油个系统有叫皴的注性.则2个僦MIlM能影抉得设备制依公总3.206.24Il值thresholdSSIS中设置的段小检测信号的起始水平.3.205.25Whaze由衣面形毅（微粗粒度）及表面或近表面i浓度的不完整性引起的非定向光放射脱软.&雾是由甫不完整性的存在引起的精体效果：某I时小况下客不能用眼或没有放大的光学检测系统很客易的协别。对FsSlS俄MI起本底信弓及激光AM射现象，它和来自晶片表面的阳蜘，两者共同组成信号，雾是由光学阚攵柒你由人财通SWI"的息敢射光通时也被称为毗雾3.206partkk不连续地用看到晶片上的微小的、分别独立的外来物质，注：Kj粒也称为微粒（PartmblC卜3.207澄Ml装ClEnPiicluige用专用的运粕片盒进行拊光片、外延片、Soi等晶片的包装，使其在运输、Ir存过程中避免颗粒、金应及有机物对片盒中晶片的沾污X20片盒waferbox用于贮存和运输晶片，由盆底和盒差扭成的带有装我晶片片篮的封闭容器，3.209洎ASdenudedzone位于桂片正表面由于领浓度下降到一个比较低的水平,导致体微块端密度（氧沉淀）和金属的减少的特定区域。3.210标充机幢接口JKitstandardmechanicalinterface;SMIF自动物料搬运系统的3个如成部分（存储系统、报运系统和整体系统控制软件）中的自动化机械依1.l装置.X211激光刻字lasermarking利用激光将供方代码和其他信息刻于晶片某一位置的标记.3.212相adjacentcharactermisalignmentRad同一行2个相邻字符的字符基压之间的疝直踉血X213字符间距characterspacing晶片衣面激光刻字中相邻字符的字符中心线之间的水平即阳.3.214字符七口characterwindow晶片衣面激光刻字中将所疗字符都包含在内的矩形窗口.3.215行字符未对准度linespacingmisalignment*in晶片表面激光刻字中同一行最高和½H氏字符的荔钱之间的昵口即自。3.216矿RermaniUmCOnCentratC楮矿或含诂的铅锌矿经过火法或湿法提取富集恺后，楮含量一般在1.0%-60.0%的拈富集物，注J能次物P靴化W的主要期.X217水集)hyd11>lysis(gcrmanium)将高纯四St化钻置F水解反应釜内，加入7等份左右体积的去向子水，控制反应条件羟水解反应后生成二辄化错.再羟过滤烘干后得到高纯二辄化错的过程.3.218SBMftftlowpuritygeraaniuBchloride采用楮精矿为原料.经过盐酸没出，氧化蒸掖分禹后得到的,其纯度一股在95%99%的初依四级化铭产品.法理t产硒四疑化错的照九3.219离Q四热化,highpuritygermaniumtetrachloride粗四氯化镭经提纯后得到的高纯楮的氮化物，it：常被Iu于针询纯二氧化钻、制!啼M作雄产形版Ii螂怫杂利1220高我二化得highpurityRermanhlmdioxide高纯四氯化错经过水解反应后得到的产物.注：范要的楮化合物常被于化学催化w.生产金机诸、仃机镭、楮掇闪烁品等.1221还原错货reductionofingo<germanium将高纯二氧化恺通过氯气还原得到的赢纯金属钻馆。1222区熔铅锭germaniuminotmeltedInZOne以炖度为4N5N的还原楮锭为傀料,通过区培提纯后得到的在23X2：时电阻率小怪J1?cm或者20C时电阻率不低于5。cm的高纯金M错锭1223退火annealing改变晶片或晶棒特性的热过程.。注：根据需则不明皿火12如秣单品打哪匕粽幽厥翼施蚀火、消除热力退火率3.224硅退火片annealedsiliconwafer在惭性气氛或瞰压气氛下,通过高猴退火致使近表面形成一个洁净区(无COP缺陷)的昧片.注：根据退火工艺不同，常用的有式气退火硅片(aiywUHiKakilwafer卜¾'t退火硅片(hy<EgCTumnealJwufa),1225热过程监控片fumaceandther三lprocessesIrarer用于评估热过程工艺中金园沾污的晶片.3.226*H%Mblacksllko>wafer采用金片辅助刻蚀或反应离子刻蚀等技术,在光伏用硅片表面形成亚微米或纳米尺寸的绒面结构,用以增强琏片表面的陷光性能,使得表面在宏观上呈现黑色或咯黑色外观的硅片.注：制作方式上分为湿法黑硅InKtalCaUlyzCdChenIiCalctchingNCCE)和法黑¼hrcacthcionaching:RIE).3.227directsiliconwafer诩过控制焙化的硅焰体表层淞度佛度,使桂熔体在表层结晶,用模具形成特定厚度的硅多品第片后.采用激光切割等技术故切成特定尺寸而形成的光伏用硅片.3.228挡片dummywafr但片为了稔定气流和平街炉管淞度而在炉管中放电的晶片，或者在机台启动以及恢友过理中为门峨机使用的晶片.注：假片是为区别于正式正片PimWafcr)的命名.3.229空片monitoringwafer测试片testwafer应用于半导体器件生产过程中进行参数监控、评估或监控机台在定性和曳复性的晶片.&计对不卜#41i控或测试11的分为I：艺测试3机械测试片、稼始测试M、瓣逾拄、粒子计数JK5,3.230回收片reclaimedWHrer再生片为了维城利用被Ift新处理的晶片.&回收片仅花淀条件卜坡使用，！tSi处理不戈能怪经其所有性影3.231卷考片referencewafer经过定值确认的，用于测录设ift(fFI常校准或控制的样品或样片。3.232典型片representativewafer为测>晶片几何参数时利用翻转的方法进行狄力校正的代表性晶片,与被测晶片具有完全相同的标称直径、标称原度、基港结构和结品取向.3.233制绒硅片IcxUirixISilicwiWarer经过绒面加工处理的光伏用硅片.3.234TMk,nmaUl冷佥徒metallurgicalsilicon金属硅由分英石和炭在电价内冷燎而成,主成分硅元素的含奴在9施以上，主要用作硅多品、冶炼及有机硅生产的原料.3.235致密Sl多晶denselysilicon晶粒f合均匀、致密、Ai孔洞的硅多品。注：金属行机物化学气相沉枳是化合物匕称体生itt普遍的外建制备触4.17噎化硅陶生长漆SiCliquidphasegxxwth在一定温度和Jk力下,C溶解在Si熔液中.形成C-SiC-Si饱和熔液.通过降低温度使SiC在熔液中过饱和，在SiC同质籽品上按照籽晶的原子堆垛顺序成核并生长出新的SiC单晶的方法.4.18哂珀*RHSM*ft±长诔SiCstep-florcontrolledepitaxy果用儡用向4H-SiC衬底.通过控制表曲上的原子台阶波动实现4H-SiC品型控制及外延层生长的方法.4.19liquidphaseepitaxy:1.pE格半导体材料溶解在溶剂中,使其形成饱和溶液.然后将此饱和溶液网Si在村底匕,降低温慢,使溶液过饱和.在村底上沿时底结晶轴方向生长出新的单晶薄层的方法.4.20vaporphaseepitaxy;VpE在气相状态下,将半导体材料沉积在衬底上.使其沿着衬底的结IK轴方向生长出单品薄层的方法.4.21氧化物气相外延hydridevaporphaseepitaxy：HVPE利用辄化物作为我体检运反应物质的气相外延生长方法.4.22分子JlE外延nkcuhrl>eimep"uxy;MBE在用高Xl空背景下，衬底保持在适当阻I熨，将束成多束分子连续沉枳到衬底表面而得到超薄单晶层的方法.4.23化学集外砥Chemiailbeamepitaxy;CBE将金r机源气体和非金规氧化物等气体形成的分子束流直接喷向加热的衬底龙面.发生反陶并有序地排列起来形成外延层的生长方法.&媒台了MBM【MOCVD的优点，特别适合生长具有高茂汽品的璘化物材料，4.24亶拉法verticalpullingm<thod切克劳斯暮於CMKhraIskigrowth;CZ沿着不宜方向从焙体中拉断单品体的方法.4.25遍场送拉法magneticfieldCzochralskigrowth;MCZ磁场拉品法晶体生长时外加盛场，以抑制熔体的热对流，减小结体温度波动的单晶生长方法。注：按帆酬网网MM方向行横向谶场法f斜向磁场法等.4.26用螭亶Ifi诔re<hargedCz。ChnllSkigrowth;RCz通过H拉(CZ)硅用品生长技术，在每次技制完一根硅棒后，使用烟保持高温状态，通过加料装置进行二次加料.焙化后收史拉制单品,如此往发,实现一个用堀拉制多根单品的方法.&通常称为多次片法.Si进行往发磨削的1.艺.由：卜完成多个片的切刖过程,称为多线切割.注2：根据切#幽陋,构可分为州慨切割HH浆线”用.4.37倒角edgerunding晶片边缘通过研磨或腐蚀整形加工成定角度，以消除晶片边缘尖锐状态,避免在后序加工中造成边缘损伤的工艺。4.38ff*>pin一晶片置于JS盘上.加研溶液并对晶片双面施压.达到育效改善晶片几何参数.去除切割片表面线痕及损伤的工艺。4.39三Mgrinding为实现几何尺寸的加I：和去除衣而损伤层.利用高速旋转的砂轮等腐具去除1：件表面材料的机械加工工艺。注例如.晶片IWf确、光伏翎颊海面、欢寸晶片痛腑轮骊IJ阳S城而WDlH怎4.40chem-me<hankalPOUShinr;CMP对平置于弛光布上的晶片施压,利用抛光液的化学反应和机械研磨作用,去除的片的微损伤及我陷，为后续工艺提供潴面状平坦衣面的工艺.&该方法不产生任何可枕洒到的机械换伤，也被称为无损伤时光(U叱fepdMl)4.41边缘抛光edgepolishing为降低晶片表血附着做粒的可能性和改派晶片机械强度而将品片倒角边加工成镜面的工艺.4.42开方SqUaring采用线切割或帝锯将光伏用睢晶锭切割成硅块的I：艺.4.43小施brkk光伏用W锭多品多类单晶被切割成25(5X5).36(6X6),49(7X7),64(8X8)或更多种尺寸的小块晶锭.&在这些小方棍中，单个傀面般近那W的小方锭，族为边锭(0eEck煌个侧面锹近坨堀的小方锭，称为角锭(a»Wrb<kM个傀面与用，馆都不接触的小方馅你为中心t(cemerbrid).444吸除genering吸杂通过引入块陷或杂历.在珪片内形成局部应力场,与有诲区的杂质城缺陷相互作用弁使之脱离,达到净化有源区.城终狭得表而洁冷区的I：艺.注：吸除分为内双辣呻哪第4.46硅多晶吸除PolyCrySWUinCsiliconcoaling在硅单晶片背表面沉积层硅多品，从而墙强衬底吸杂能力的工艺.s?4.46背封backseal为抑制硅片中主要掺杂剂向外扩散，在硅片背衣面/Si层二缸化硅或其他绝缘体薄脱的工艺.5MftS.1ffiHvoidTUHCedtyhole空位聚集形成的缺陷,晶片中的空隙,或Sol材料中局部没外摄合界面或理层氧化或宏观上的晶体缺失.&例如花珅化镇'1将体中通常是由沉淀物和嫁夫做暗粗珅离解用T来的或过高,豺U舒K生的：/蹶化同中而中独立千电品区域旦旦现特征为六边形，f助长角度不定相等的空洞，称为六方空MiggEaIwil）用制K域温度过您和发热体熔化所致，在多品K桥架被面的F半制分K%但H.产生期1.M称为您多晶横断面上的孔洞（holein，1OnSiIiounpolycrjslallinecrosssecliiHi）,5.2孥晶带twinband在由挛品平面限定的晶体内部的区域.5.3率传昇twinnedhouhr）一个晶体内2部分取向不同但具行一个共同僦曲的双晶体结构，注：一个晶体内晶格是2陆分,在晶向上成优瞰寸根交叉干一个连贡的平煜界而也称为相性长平面或李晶边界.5.4位，dislocation由晶体中已滑移区与未滑移区之间边界构成的,或是以伯格斯回路闭合性破坏我钝的映陷.&位错的类型主要有：刃（型）位格一位锚饯与滑移矢版相互率直的位情：b）蝶（三位5½错践，滑移失fit相互平行的位错：C）混合位错一（网歌叮滑移失员既不垂直也不平行,而是相交成“标碳化徒中的穿透位错也快于合位错.5.5蜃平面位错basalplanediWocalion:BPDSiC晶体中位锚戏痂直于CoOU,位惜战的伯格斯矢修碓位于。00U的位错.5.6threadingdislocation:TI）在半导体异质外建过程中，由于晶格失前和热失配等产生的可延伸学透整个异项外延层的位甘1.5.7位错HEdislocationarray位错蚀坑的某边排列在一条直找上的位错组态.5.8位IKfldislocationcluster位IB地dislocationpile晶体生长过程中.由于位的的增殖和滑移导致诸多条位播线相比交织成团状，或在单描横断血某一5.29色心CoiOrcenter品体中由总缺陷、由缺陷对或点缺陷群捕获电子或空穴而构成的一种可导致光吸收的峡陷.注r剑蛔濯!体中常灿艳氟空位色心、碎空位色心、将空位色心乐S.30椭圆缺陷ellipticdefect由俅源中的微小该液滴喷射到外延层中引起外延层表面的椭圆状的认陷.5.31氧化层铅oxidationinducedstackingfault;OISF:OSF粒化诱生堆垛层错晶片非而存在机械损伤、杂切沾污和微缺陷等时在热狗化过程中其近我面层长大或转化的层错.6.32震化hazeofoxidation化学她光或化学机械抛光后的珪片经热氧化处理和化学腐蚀后，其表面上出现高率度的微缺陷,由于光践的槿反射，在微映陷密集区域呈现的宏观寓状缺陷，注：辄化雾也称为雾跳片或仪化雾缺陷.软化客跳脱不属于硅晶体的微4娴牝a33波涡SWirl砂优腐蚀后肉眼可见、在放大倍数10。倍下显现不连续媲旋状或同心状的特征缺陷,S.34IMJHtstaekinj>faultJMfdt由干晶体内原子（排列）倒廉了正常的地垛次序所致的二维缺陷，注：也称为面跳格.5.35环状氧化诱生层储ringoxidationinducedStaCkinRfaultzR<SF硅单晶抛光片表面经高温处理和,腐蚀后可以观察到的环状分布的辄化诱生层忸.&36ktshallowetchpit跳块saucerpit平JKjytflatbasepit冷品乱片经化学液腐蚀后，在大于2Q。倍的放大倍数下观察B观为小而浅的没有特征形态的腐Wft.5.37凹坑dimple坑pit在适当的光照条件下目视可见的,晶片表面的一种具盯一个凹而.类似球状的外形和倾斜的（W而的浅凹陷.£38小丘InOUnd半导体晶片上的凸起物.带有一个或多个不规则显懈的小平面.&39“Wml具有娘旋状图样的“橘皮”类里表面织构.主参考面1120方向平行,胡师卜缺陷长度(1.)趋于相同，井涌足1.YiO关系,箕中d为UHSiC外延层厚度，>>>#雌我面的怪就!度(>F">.&S2梯形修陷trapezoiddefert碳化硅外延片上呈现悌肠形状的表面缺陷.&上游短飒线和懒长巨观台阶6之间的亚加JRfi拧外螃理度增加而烟加，满足1.iifl关系,其中d为IHSiC外延层即度,。为W底表面的偏转角度(Dnr).5.53ftMWfttriangulardefect狱化硅外延片上外观呈现三角形形状的表面缺陷.注1:通形规格由变形的Il1.S(C晶边界和含有3C晶型松的：角形区域构成，是外延生长过程中，台阶流动因衬底表面存在外相以幽、品体缺防i!微椒而受？H优所致注2:洲J饵端在光5烛光通道呈现：角形Jf继，而在表面通道的i条或音2条或者3条边，第：条边与主参利用几平成KT.角形头寓有时仃明显的小胸形凹痕,内铝C0C晶型层.即寸为Mf缴监.5.54K石Hdiaaonddefect外延后晶片边缘Hl现的类似钻石状的缺陷。&由于衬底晶片衣面残留“水雾外延后晶片刚得现的门雾”,显搬卜现蔡为由淞熠i.5.55WKMMt碳化硅、睥化库成软化稠外延片上外观呈现4星形状的表面缺陷，&通常却曲陷有独的“脑袋”和“J胆”。H星城南平行排列.与I：.参考血平行，其长图D随外狂层”度的变化与三角形缺陷相同.满也WsinO关系,典M为外延层原如。为衬底表面的喇角度(0r).&S6台阶聚触Uestepbunchingdefect4H-SiC外延层表面出现的平行IYllO0方向的有多个原子台阶汇聚在一起而形成的践条状巨观台阶或平行峻族形故跳陷。注：台阶聚集会增大外延层次面粗懒S.氏57W*三ttttttKdownfalldefect外延生长前或生长过程中，反应生长空蹙上的熟色无定形碳或微凝粒物掉落在衬底或者外延层表面上，姓过外延生长后局部或全部深陷于外延层中所形成的点状缺陷,6.58平台platform外衽表面上沉积的、与类似桢推的映陷和表面品向M关的等高线网络a59取向平台orientationoftheplatform发生在<H1>取向外毡片边缘的平台状突起.&60BMtrrcin与外if沉枳表向上的角推状缺陷及衣面方向有关的一种轮廓网络.S.61埋层筑化针孔BOXpin-hole通过理层/化形成的导电路径.5.73Sttcrack炎痕fracture延伸到晶片表面的解理或断裂，可能穿过晶片的整个印度，5.749t裳蚊mi<3uvk在晶片体内形成延伸到晶片表面的,宽度为微米星级,无法直接目视识别,只能依箓红外设备测状探测到的itt小解理或微小断裂裂纹.&该缺牝E无学懒H像中，类似黑点状.又称为黑点.5.75*爪GOSfoot相交的裂放，在UlD晶面上呈类似乌衿爪的“Y”形图样，或在(100)衣面上呈J"形的图样。5.76缺口indent晶片上下贯穿边缘的缺损.注I包括MI周缺IMperiPheGJin<knl),5.77麻炕pockmark未经化学液施蚀的抛光片或外延层表面的小凹坑.5.78*边chip晶片表面或边缘至少含有2个清晰的内界面，形成一条或多条清晰交叉线的小块材料脱落区域.注t包括源It旗边gechip)、周边崩边(PCT汕IglC即)、衣面崩边(7Irfaeaip)、杆形l边(UPcKChiP)、氾阳崩边(SMCTildip).大部分则边是在晶片加工、ASM或检蛤时，因传送或放蹄样品等操作引起的.第边的尺寸由样品外形的正投彰图上所测量的G大径向深度和网陶弦长询定，在光伏领域中，硅片很小的崩边也被称为硅落.5.79周边锯齿状凹痕peripheralindent来自平滑的周边轮睨，不衣示贝壳状断裂征兆的局部偏移.5.90边CdgCSUhSide抽光工艺中晶片边绿区域形成的加工映陷，注1塌边通常由JW光布太软、拊光圉我!悔、撮21悯过长以及粕光前的化学病蚀边的或薄h碗多等因棚沸在酸卿独1：艺中，迦家腐蚀过快也容易造成塌边，&81«3央尔chuckmark由机械手、£1空吸盆、Xl空吸电或不清洁的镶子等中国的晶片表面或边续的卬选，S.82馅残智物waxresidue从几种可能的蜡源转移到晶片上的难以去除的蜡薄lift.&83玩化物跳失OXidedefect背对硅片背衣面目视可辨的跳少软化物的区域.i!iilW.雄塌中杂而扩散导致底部及侧边杂防浓度较高，在品锭做少子后命检测时,顶部、底部及品锭周边区域少用命低.在行幅图中呈现的红色区城5.95晶花grainlcr铸锭多品硅片在制绒后由于择优腐蚀的特性，在不同晶粒上产生不同的微结构，导致不同晶粒的陷光特性不同，宏观上去现为明显的色泽不致.6-HK和!*&1AAS:原子吸收光港(AlolIiCAbsorptionSpectrun)»6.2AFN，：猊子力显微镜(AlomiCForceMicroscope).&3ANSI：先国国家标准研学会(AmeriCanNationalScaixiafds).注；ISof限国成员。6.4ARAMS:自动化的可弁性、实用性和可维护性的标准(AUtoniatedReliabilityAvailabilityandMa-inUinabililyStandard)<6.5ASCI:美国信息交换标准代码(AmCriCanStandardCodeforInformationInterchange).6.6ASTM:英国材料试验协会(Rn记ricanSocietyofTestingMaterials)6.7BMD:体微块陷(BulkMicixxicfcctj.6.8BRDF:双向反射分布函数(Bidicio<ulReflectionDisiributionFUMIk>n)-6.9CCW:时针方向(CdUmerCIOCkWiseDireetion)。6.10CDF:累枳分布函数(CUmUIaIiVeDisiributionFunciions).6.HCMOS:互补金必衩化物半导体(CQmPlCmCnkiryMctalOxideSemiconductor).6.12CRM:有证的标准物短(CeEfkdReferenceMaterial).&13CW：JBI时针方向(CIOCkWiSCdi11xtio11).6.14DAPCVD:史滋电版等肉子喷射化学气相沉积(DircCtCurrvntArcPlasmajetChcmkalVaporDqxisilion).&15DDS:数据设置差界3SeiDifferefKing).&分号数据图Kj件片数据设齐的差异.&361.S1.:规格下限(1.oWerSpecification1.imit)-6.37InfraredSpectrometer)«1.TFT-IR:低温傅里叶红外(IqwTcmpcraiuaFourierTransform6.38MAE:混酸腐蚀(MiXCdAcidElchant).6. 39MOS:金桃t化物半导体(MetnlOxideSemiconductor)6.40PTFE:聚四就乙烯(Polyietranuoroethylene).6.41RDS:参考数据设置(ReferCnCCDataSelling>16.12RF:无线电波频率(radiofreque