半导体专业用语.docx

金属前介质层(PMD)金属间介质层(IMD)W塞(WPLUG)钝化层(PaSSiVaIion)acceptor受主，如B,掺入Si中需要接受电子Acid：酸actuator激励ADIAfterdevelopinspection显影后检视AEIAfteretchinginspection蚀科后检查AFMatomicforcemicroscopy原子力显微ALDatomiclayerdeposition原子层淀积Alignmark(key):对位标记Alignment排成一直线，对平Alloy：合金Aluminum：铝Ammonia：氨水Ammoniumfluoride：NHFAmmoniumhydroxide：NHOHAmorphoussilicon：-Si,非晶硅(不是多晶硅)amplifier放大器AMU原子质量数Anak>g：模拟的analyzermagnet磁分析器Angstrom：A(E-m)埃AniSOtrOPiC:各向异性(如PoLYETCH)Antimony(Sb)Warcchamber起弧室ARC：anti-reflectcoating防反射层Argon(Ar)MArsenicEoxide(AsO)三氧化二珅Arsenic(As)WArsine(AsH)Cassette装晶片的晶舟CD：criticaldimension关键性尺寸,临界尺寸Chamber反应室Chart图表Childlot子批chiller制冷机Chip(die)晶粒Chip：碎片或芯片。clamp夹子CMP化学机械研磨Coater光阻覆盖(机台)Coating涂布，光阻覆盖Computer-aideddesign(CAD)：计算机辅助设计。ContactHole接触窗ControlWafer控片Correlation：相关性。Cp：工艺能力，iJQ1processcapability«Criticallayer重要层CVD化学气相淀积Cycletime生产周期Defectdensity：缺陷密度。单位面枳内的缺陷数。Defect缺陷DEPdcposit淀积Depthoffocus(DOF)：焦深。Descum预处理Developer显影液；显影(机台)developer：I)显影设备；II)显影液Development显影DGdualgate双门DIfilter离子交换器DIwater去离子水Diffusion扩散disk靶盘disk/flagfaraday束流测量器Doping掺杂Dose剂量Downgrade降级DRCdesignrulecheck设计规则检查DryClean干洗Duedate交期Dummywafer挡片E/Retchrate蚀刻速率EE设备工程师ELSextendedlifesource高寿命离子源enclosure夕卜克ASHER一种干法刻蚀方式Asher：去胶机ASl光阻去除后检查ASIC特定用途集成电路Aspectration：形貌比(ETCH中的深度、宽度比)ATE自动检测设备Backend：后段(CoNTACT以后、PCM测试前)BacksideEtch背面蚀刻Backside晶片背面Baseline：标准流程Bcam-Currcnt电子束电流Benchmark：基准BGAballgridarray高脚封装Bipolar：双极Boat：扩散用(石英)舟BPSG含有硼磷的硅玻璃ICPinductivecouple plasma 感应等离子体ID辨认，鉴定IGBT绝缘门双极晶体管 images：去掉图形区域的版 implant 注入Implant 植入 impurity n 掺杂 impurity：杂质 inductive coupled PlaSma(ICP)：感应等离子体 inert gas：惰性气体 initial oxide： 一氧 insulator：绝缘 isolated line：隔离线 junction 结 junction spiking n 铝穿刺 kerf划片槽 landing pad n PAD Layer层次LDD lightly doped drain轻掺杂漏liner drive直线往复运动 lithography n 制版 loadlock valve靶盘腔装片阀 Local defocus局部失焦因机 台或晶片造成之脏污Break中断，stepper机台内中途停止键cassette晶片盒EndPoint蚀刻终点e-shower中性化电子子发生器ETetch蚀刻EXhaUSl排气(将管路中的空气排除)Exposure曝光extrantionelectrode高压吸极FAB工厂fab：常指半导体生产的制造工厂。FIBfocusedionbeam聚焦离子束FieldOxide场氧化层filament灯丝film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。flataligener平边检测器metaln金属MetaIVia金属接触窗MFG制造部Mid-Currcnt中电流Module部门nanometer(nm)n：纳米nanosecond(ns)n：纳秒NITSiN氮化硅nitrideetchn：氮化物刻蚀nitrogen(N)n：氮气，一种双原子气体Non-Critical非重要NPn-dopedplus(N+)N型重掺杂n-typeadj：n型NWn-dopedwellN阱ODoxidedefinition定义氧化层ohmspersquaren：欧姆每平方方块电阻OMopticmicroscope光学显微镜OOC超出控制界线OOS超出规格界线orientationn：晶向，一组晶列所指的方向OverEtch过蚀刻Overflow溢出overlapn：交迭区Overlay测量前层与本层之间曝光AAt什Tifr:flat：平边flatbandCapacitanse：平带电容flatbandvoltage：平带电压Flatness平坦度flowcoefficicent：流动系数flowvelocity：流速计flowvolume：流量计flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数Focus焦距forbiddenenergygap：禁带Foundry代工four-pointprobe：四点探针台FSG含有氟的硅玻璃functionalarea：功能区Furnace炉管gateoxide：栅氧glasstransitiontemperature：玻璃态转换温度GOIgateoxideintegrity门氧化层完整性gowning：净化服grayarea：灰区gyrodrive两方向偏转hardbake：后烘，坚烘,sofbake（软烘）HCIhotcarrierinjection热载流子注入HDP：highdensityplasma高密度等离子体heatexchange热交换机High-Voltage高压host：主机Hotbake烘烤hotcarriers：热载流子hydrophilic：亲水性hydrophobic：疏水性pnjunctionn： Pn 结Pod装晶舟与晶片的盒子Polymer聚合物POR Process of recordpost accel 后加速器 PlasmaBIST,Built-inSelfTest内建的自测试Bus Route总线布线Carbide 碳circuit diagram 电路图Circuit电路基准Clementine专用共形开线设计水 Cluster Placement 簇布局PMDpremetaldielectric 电容 PP p-doped plus(P+) P 型重掺杂PR Photo resisit 光阻PR photo resist 光阻 pure water n 纯水。 半导体生产中所用之水。 PVD物理气相淀积PW p-doped well P 阱 quad rupole lens磁聚焦透镜 quartz carrier n 石英舟。Queue time等待时间 Qtime-DUMMY:从此步骤到 下一个步骤一共停留的时间范 围(超出范围会出问题) 显影前烘焙(PEB)：降低或消除 驻波效应R/C runcard 运作卡SOG是一种相当简易的平坦化技 术。因为介电层材料是以溶剂的 形态覆盖在硅片表面，因此 SOG对高低起伏外观的“沟 填能力”非常好，可以避免纯粹 以CVD法制作介质层时所面 临的孔洞问题Spacer ： SPACER 工艺是通 a LPTEPS ETCH BACK ，GroundBounce地弹反射GULGraphicaI User Interface 图 形用户界面Harmonica射频微波电路仿真 HFSS三维高频结构电磁场仿真 HMDS (六甲基二硅胺)：涂胶前 处理，增加圆片衬底与光刻胶的 粘附性IC Integrate Circuit 集成电路 Image Fiducial 电路基准 Impedance 阻抗 In-Circuit-Test 在线测试 Initial Voltage 初始电压 Input Rise Time输入跃升时间 Inverter -逆变器Jumper跳线LCD Liquid Crystal Display 液晶 显示LCM Liquid Crystal Module 液 晶模块LED Light Emitting Diode 发光 二极管Linear Design Suit线性设计软件 包Local Fiducial 个别基准 manufacturing 制造业MCMs,Multi-Chip Modules 多芯 片组件MDE,MaxwellDesignEnvironmentMerge合并 MFG制造部Nonlinear Design Suit 非线性设 计软件包NVT： NMOS调阈值电压 ODB+ Open Data Base 公开数 据库OEM原设备制造商OLE Automation目标连接与嵌 入On-line DRC在线设计规则检查 ONO：氧化层-氮化层-氧化层介 质；用作电容介质Optimetrics优化和参数扫描 OSD On Screen Display 在屏上 显示Overshoot过冲 PAC感光化合物 Panel fiducial 板基准CM合约制造商COFChipOnFPC将IC固定于柔性线路板上COGChipOnGlass将芯偏固定于玻璃上CommonImpedance共模阻抗componentvideo-分量视频Compositevideo-复合视频Concurrent并行设计ConstantSource恒压源CooperPour智能覆铜Crosstalk串扰CRTCathodeRadialTude阴极射线管DCMagnitude直流幅度Delay延时Delays延时DesignforTesting可测试性设计Designator标识DoF焦深DepthOfFocus,区分IDOF、UDOF前者只有中心，后者包括四角DFC,DesignforCost面向成本的设计DFR,DesignforReliability面向可靠性的设计DFT,DesignforTest面向测试的设计DPIDotPerInch点每英寸DSM,DynamicSetupManagement动态设定管理DVlDigitalVisualInterface(VGA)数字接口DynamicRoute动态布线ElectroDynamicCheck动态电性能分析ElectromagneticDisturbance电磁干扰ElectromagneticNoise电磁噪声EMC.ElctromagneticCompatibilt电磁兼容EMLElectromagneticInterference电磁干扰Emulation硬件仿真EnsembIe多层平面电磁场仿真ESD静电释放Expansion膨胀FallTime下降时间FalseClocking假时钟FEP氟化乙丙烯FFT,FastFourierTransform快速傅里叶变换FloatLicense网络浮动FrequencyDomain频域在PLOY侧壁形成两个侧壁突出的工艺，用于源漏区注入的自对准和减少由于源漏横向扩散形成的沟道效应。LPTEOS主要用于SPACER及电容氧化层。TEOS=Si(OC2H5)4名称：正硅酸乙脂，又称四乙氧基祥烷Si(OC2H5 ) 4 -Si02 +4C2H4 +2H2O它的设备结构和LPSi3N4基本类似。Under Etch蚀刻不足USG undoped 硅玻璃 vacuum 真空。vaporizer蒸发器W (Tungsten)铝WaIt(W)瓦。能量单位。WEE周边曝光well 阱。wet chemical etch湿法化学腐蚀。wrench扳手专业术语A/D 军AnalogDigital,模拟/数字AC Magnitude交流幅度AC Phase交流相位Accuracy 精度"Activity ModelActivity Model 活动模型"Additive Process 加成工艺Adhesion附着力TMtopmental顶层金属层Undershoot下冲UniformDistribution均匀分布Variant派生VDMOS(VerticalconductionDoublescatteringMetalOxideSemiCondUCtOr)垂直导电双扩散型晶体管VGAVideoGraphicAnay视频图形陈列VIA-VendorIntegrationAlliance程序框架联盟Victim被干扰对象VideoOnDemand视频点播VirtualSystemPrototype虚拟系统原型WEE周边曝光Wizard智能建库工具,向导Yield良率Trichloromethane(TCA)(CLCCH)有毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。这种混合物不溶于水但溶于酒精和大气。AASatomicabsorptionsspectroscopy原子吸附光谱Acceptancetesting(WATwaferacceptancetesting)ACCESS：一个EDA(EngineeringDataAnalysis)系统Activedevice：有源器件，如MOSFET(非线性，可以对信号放大)Alloy融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值AQUAcceptanceQualityLevel)：接受质量标准，在一定采样下，可以置信度通过质量标准(不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率)ARC(Antireflectivecoating)：抗反射层(用于METAL等层的光刻)Autodoping:自搀杂(外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层)CD：(CriticalDimension)临界(关键)尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLYCD为多晶条宽。Characterwindow：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。Chemicalvapordeposition(CVD)：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。Chemical-mechanicalpolish(CMP)：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。CIM：computer-integratedmanufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。Circuitdesign：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。CMOS：complementarymetaloxidesemiconductor的缩写。一种将PMOS和fccr=Ar+4r¼rM=I人IWT-T-*Aggressor干扰源AnalogSource模拟源AOLAutomatedOpticalInspection自动光学检查ASlC特殊应用集成电路AssemblyVariant不同的装配版本输出Attributes属性AXLAutomatedX-rayInspection自动X光检查Backlight-背光PDPPlasmaDisplayPanel等离子显示屏Period周期PeriodicPulseSource周期脉冲源PhaseAlrernatingLinePAL制式（逐行倒相制式）PhysicalDesignReuse物理设计可重复PI,PowerIntegrity电源完整性Piece-Wise-IinearSource分段线性源POD装晶舟和晶片的盒子Preview输出预览PSG硼硅玻璃PulseWidth脉冲宽度PulsedVbltage脉冲电压QuiescentLine静态线RadialArrayPlacement极坐标方式的元件布局Reflection反射Refractive折射Reticle光罩Reuse实现设计重用RiseTime上升时间Rnging振荡,信号的振铃Rounding环绕振荡RulesDriven规则驱动设计Runcard运作卡SaxBasicEngine设计系统中嵌入Scratch刮伤SDE,SerenadeDesignEnvironmentSDT,SchematicDesignTools电路原理设计工具SDG：源漏栅，如ISDG曝光，就是经过一次性曝光得到源漏栅Setting设置SettlingTime建立时间ShapeBase以外形为基础的无网格布线Shove元器件的推挤布局Sl,SignalIntegrity信号完整性Simulation软件仿真Sketch草图法布线Skew偏移SlewRate斜率Solvent溶剂SPC,StaticticalProcessControl统计过程控制Spin旋转SpIitZMixedLayer多电源/地线的自动分隔Sputter溅射SSO同步交换Strip湿式刻蚀法的一种Symphony系统仿真TCPTapeCarrierPackage柔性线路板TFTThinFilmTransistor薄膜晶体管Timedomain时域TimestepSetting步进时间设置Cycletime：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。Damage：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。Depletionimplant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。)Depletionlayer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。Depletionwidth：耗尽宽度。中提到的耗尽层这个区域的宽度。Deposition：淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。designOfexperiments(DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。develop：显影(通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程)diborane(BH)：乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产中的硼源dichloromethane(CHCL)：二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的液体。dichlorosilane(DSC)：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。dielectric：I)介质，一种绝缘材料；)用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。diffusedlayer：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。disilane(SiH):乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。drive-in：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。dryetch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。effectivelayerthickness：有效层厚，指在外延片制造中，我流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。EM：elec(romigration,电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。epitaxiallayer：外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体材料，这一单晶半导体层即为外延层。equipmentdowntime：设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。ESDelectrostaticdischarge/electrostaticdamage静电离子损伤etch：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。exposure：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。featuresize：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。field-effecttransistor(FET)：场效应管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。grazingincidenceinterferometer：切线入射干涉仪heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法high-currentimplanter：束电流大于ma的注入方式，用于批量生产hign-efficiencyparticulateair(HEPA)filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉的大于Um的颗粒HMDSHeXameIhykIiSilaZane,经去水烘烤的晶片，将涂上一层增加光阻与晶片表面附着力的化合物，称HMDSOxidationn：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应PEprocessengineer;plasmaenhance、工艺工程师、等离子体增强Pilotn：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子Plasman：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体plasma-enhancedchemicalvapordeposition(PECVD)n：等离子体化学气相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺plasma-enhancedTEOSoxidedepositionn：TEOS淀积，淀积TEOS的一种工艺pockedbeadn：麻点，在X下观察到的吸附在低压表面的水珠polarizationn：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语polyciden：多晶硅/金属硅化物，解决高阻的复合栅结构polycrystallinesilicon(poly)n：多晶硅，高浓度掺杂(>E)的硅，能导电。probern探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备。processcontroln过程控制。半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力。proximityX-rayn近X射线：一种光刻技术，用X射线照射置于光刻胶上方的掩膜版，从而使对应的光刻胶暴光。quantumdevicen量子设备。一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性。rapidthermalprocessing(RTP)n快速热处理(RTP)Orecipen菜单。生产过程中对圆片所做的每一步处理规范。scanningelectronmicroscope(SEM)n电子显微镜(SEM)。SEM：scanningelectronmicroscope扫描式电子显微镜semiconductorn半导体。电导性介于导体和绝缘体之间的元素。sheetresistance(Rs)(orpersquare)n薄层电阻。一般用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。silicononsapphire(SOS)epitaxialwafer外延是蓝宝石衬底硅的原片smallscaleintegration(SSI)小规模综合，在单一模块上由到个图案的布局。SoUrCeCode原代码，机器代码编译者使用的，输入到程序设计语言里或编码器的代码。spectralline光谱线，光谱镶制机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。spinwebbing旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物。sputteretch溅射刻蚀，从离子轰击产生的表面除去薄膜。stackingfault堆垛层错，原子普通堆积规律的背离产生的次空间错误。Sleambath蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其他温度热源的暴光。StePreSPonSetime瞬态特性时间，大多数流量控制器实验中，普通变化时段到气流刚到达特定地带的那个时刻之间的时间。stresstest应力测试，包括特定的电压、温度、湿度条件。SUrfaCePrOfiIe表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓(没有特指的情况下)。symptom征兆，人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。tackweld间断焊，通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊(用于连接盖子)。temperaturecycling温度周期变化，测量出的重复出现相类似的高低温循环。TEOS-(CHCHO)Si四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常温下液态。作LPeVD/PECVD生长Sio的原料。又指用TEoS生长得到的Sio层。testability易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它的。IhCrmaldCPoSitiOn热沉积，在超过度的高温下，硅片引入化学掺杂物的过程。thinfilm超薄薄膜，堆积在原片表面的用于传导或绝缘的一层特殊薄膜。Ioluene(CHCH)甲苯。有毒、无色易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。totalfixedchargedensity(Nth)下列是硅表面不可动电荷密度的总和：氧化层固定电荷密度(N。、氧化层俘获的电荷的密度(No。、界面负获得电荷密度(NiI)。trench沟道，深腐蚀区域，用于从另一区域隔离出一个区域或者在硅晶片上形成存储电容器。tungstenhexafluOrkIe(WF)氟化铐。无色无味的气体或者是淡黄色液体。在CVD中WF用于淀积硅化物，也可用于铐传导的薄膜。vaporpressure当固体或液体处于平衡态时自己拥有的蒸汽所施加的压力。蒸汽压力是与物质和温度有关的函数。via通孔。使隔着电介质的上下两层金属实现电连接。waferflat从晶片的一面直接切下去，用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向，也可用于在处理和雕合过程中的排列晶片。waferprocessChamber(WPC)对晶片进行工艺的腔体。window在隔离晶片中，允许上下两层实现电连接的绝缘的通道。CCFL(CCFT)ColdCathodeFluorescentLightZTude冷阴极荧光灯COBChipOnBoard通过绑定将IC裸偏固定于印刷线路板上CVT,ComponentVerificationandTracking元件确认与跟踪DFM,DesignforManufacturing面向制造过程的设计DFX,DesignforX面向产品的整个生命周期或某个环节的设计Duty-占空比，高出点亮的阀值电压的部分在一个周期中所占的比率EDIF,TheElectronicDesignInterchangeFormat电子设计交互格式EIA,ElectronicIndustriesAssociation电子工业协会ELElextroLuminescence电致发光。EL层由高分子量薄片构成EngineeringChangeOrder原理图与PCB版图的自动对应修改FSTNFormulatedSuperTwistedNematic格式化超级扭曲向列。一层光程补偿偏甲于STN,用于单色显示IBIS,InputOutputBufferInformationSpecification模型ICAMJntegratedComputerAidedManufacturing在ECCE项目里就是指制作PCBIEEE,TheInstituteofElectricalandElectronicEngineers国际电气和电子工程师协会IGESJnitialGraphicsExchangeSpecification三维立体几何模型和工程描述的标准IPC,TheInstituteforPackagingandInterconnect封装与互连协会IPOJnteractiveProcessOptimizaton交互过程优化ISO,TheInternationalStandardsOrganization国际标准化组织LVDSLowVoltageDifferentialSignaling低压差分信号NTSCNationalTelevisionSystemsCommitteeNTSC制式。全国电视系统委员会制式SEquentialCouleurAvecMemoireSECAM制式(顺序与存储彩色电视系统)SPI,Signal-PowerIntegrity将信号完整性和电源完整性集成于一体的分析工具SPICE,SimulationProgramwithIntegratedCircuitEmphasis集成电路模拟的仿真程序STEP,StandardfortheExchangeofProductModelDataSTNSuperTwistedNcmatic超级扭曲向列。约度扭曲向列S-VideO-S端子，与复合视频信号比，将对比和颜色分离传输TMDSTransitionMinimizedDifferentialSingnalingTNTwistedNematic扭曲向列。液晶分子的扭曲取向偏转度UHDL,VHSICHardwareDescriptionLanguage硬件描述语言VST5VerficationandSimulationTools验证和仿真工具polymorphismn：多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象由于铜的电阻值比铝还小，因此可在较小的面积上承载较大的电流，让厂商得以生产速度更快、电路更密集，且效能可提升约30-40%的芯片。亦由于铜的抗电子迁移(electro-migration)能力比铝好，因此可减轻其电移作用，提高芯片的可靠度。