20151122-国泰君安-电子元器件 ：新能源汽车爆发绿色中国“芯“迎来春天.docx

股票研究国泰君安证券GUOVAiJUNAMccmvs2015.11.22业首次覆盖新能源汽车爆发，绿色中国“芯”迎来春天电子元件首次覆盖增持王永H(分析师)JJ1.>21.-3Sf74743W1.ngyOndm*tjxQm任书”，；SCI网>5位败Ia三ffi(W1.b三)O21.-J674754ZW(WXIHI)21.-5K7*W2<1.姆幺Jj业评级半弓体增舟ZhwpyMigOI5?6丽jkuzom<JMII50OI32wcmt£(ImSOSHOII5)100W本报告导读籁如汽车进入发祭，雷动功率率身体百忆值雷求.KJBTB1.产化第明，行3发时点巳孔代码公司名声300046台基股份靖持6>3M>华微电子措持600460士兰徵靖持或点展签公司列衣Mi证券研究报 功率中V体是半导体行业一个JR要的分支，在新能源汽车和充电桩的带动下，以IGBT为代表的功率半导体行业迎来了新的成长机遇.国产化进界有里加速，,次合予“增持“挪A1. 斫能汽车进入爆发期，功率半导体迎来春天.功率半导体占到新能源汽车新增半导体用量的76%,新能源整乍半导体用量的50%.IGBT模块是新能源汽车电控系统和直流充电优的核心涔件,成本占到新能源整车成本的10%,占到充电桩成本的20%,未来几年是新能源汽车及充电桩市场将迸入爆发期，IGBT作为其核心器件也将迎来黄金发展期，我们预计未来5年国内新能源汽车和充电班市场将带动200亿IGBT模块的需求商铁、军工、智能电网.大国量1»推动IGBT国产化.1）高铁等轨遒交通使用的IGBT模块，每列动车组需要使用超过100个IGBT模块，目前几乎全部依赖进口：2）在智能电网中，从发电端（光伏发电、风力发电、输电端（高压直流输电、柔性怆电）到用电端（变版空调、洗衣机、冰箱）都离开IGBT的应用：3）功率半导体是现代军事和武器装品的核心器件之一.军工国产化、电子化进程助力IGBT国产化. IGBT国产化越与明确，爆发时点已到.IGBT芯片进II比例超九成.市场普代空间大，国内已形成了IDM模式和代工模式的IGBT完整产业链，我们认为未来三大动力助力IGBT国产化：1）政策上，S家意志推动半导体行业崛起，作为高铁、军工中关键的功率半卧体器件，国家会给予政策和资金上的支持：2）资金上，功率半等体采用特色工艺，喝于超越摩尔定律范防，不追求先进制程，资金投入仅为集成电路的1八0,国内厂商可以利用资本优势获得先进工艺，快逑追赴海外巨头：3）技术上国内企业从低端功率器件起家，枳累多年开始向高端器件进军，以南车、比亚迪为代表的厂商已实现技术突破，成功实现国产化IGBT在高铁和新能源汽车中的应用,未来会有更多的国内功率器件厂商切入这一蓝海市场.推暮股票：台基股份、士兰微、华微电子，卷予“增持”评级.在IGBT模块封装领域.我们推荐介基股份：在功率渊件IDM厂商中.我们推荐上兰微、华做电子. 催化剂，国内IGBT铁块在新能源车领域取得突破：获政策扶持. 风除提示I源汽车进展不达预期IGBT国产化进展不达预期.皆务0H*jE文之后的免费条款分O国泰君安证券GuotaiJUNANSccurities目录1 .功率半导体,未被挖拘的金事31.1. 功率半导体，港透人类生活方面31.2. IGBT,功率半导体”中.冠上的明珠”41.3. 功率半导体行业竞争格局72 .新能源汽车爆发带动功率潜件门亿新需求82.1. 新能源汽车半导体用尿翻番,功率半导体成最大需求82.2. 新能源汽车和充电板带动百亿新猫求IO3 .大国或器助力IGBT国产化I1.3.1. 高铁动车组大量使用IGBT模块3.2. 从发电泡到用电瑞，IGBT在智能电网中应用广泛33军工电子化进程推动IGBT在武器装备的应用4 .国产化趋势明确,爆发时点己到4.1. IGBT芯片进口比例超九成.市场替代空间大134.2. 国内已形成完整产业链144.3. IGBT国产化爆发时点已到154.4. 行业评级：增持165,风险提示16*行业内点及公司公司名尊代用收盘彷SfHM(EPs)2014APEWft目2015EK16E2014A201SE2016E台基股份3OO(M62015.11.2222.100.310.2】0.3571.52KM.6762.M>Jf1.持28.00华微电子6003602015.11.2211.620.050.W0.20240.47128.0157.95增扑14.00士兰微秋融4602015.11J2二卜；0.130.140.1659.7250849.()8增持9.601 .功率半导体，未被挖掘的金矿1.1. 功率半导体，渗透人类生活方面集成电庵处理的是信息，而功率半导体处建的是能量.半导体有两个大的分支：一是以大镇模集成电厩为铁心的微电子技术，实现对佶息的处理、存储与转换I另一个是以功率半导体为核心的电力电子技术，实现对电能的处理和交换.功率半导体器件是实现电能处理和变换的开美器件,是弱电控制强电的桥梁，可以实现用数十伏电压来控制上万伏上千安电流的开关状态.功率半导体包括功率分高器件和功率集成电路，用于对电流、电压、领率、相位、相数等进行变换和控制，以实现整流（ACDC）、逆变（DeVAC）、斩i（DCDC）、开关、放大等各种功能。根据开关特性不问，功率半导体器件可以分为不可控型器件、半控型器件和全抄型微件,不可控型器件以功率二极管为代表.半捽型渊件以SCR（品一管）为代表，门极信号只能控制导通而不能关断,全控型器件包括GTR、IGBT、GT0、IGcr等，通过门极信号可控制建通和美断。图I功率半导体是集成电踣之外半导体的又一大分支，用于实现能力的处理和交换功率半身体分立善件数据来源：国泰君安证券辰允从消费电子到点快，功率半导体潮t到人类生活的方方面面功率半导体主要用在使用在整流涔、变频器、逆变器等电力变换装珞中，小到手机'白电,大到高铁、输电站都离不开功率半导体的应用.H着电力电子技术的发展，以及国际社会对于绿色低碳环保的近觇，功率半导体的应用也从传统的工业控制和3C产业（计算机、通信、消费电子），扩展到空调、冰箱、洗衣机等变频家电行业，混合动力汽车和电动汽车等新能源汽车行业，光伏发电、风力发电以及智能电网等电力行业、高铁、轨道交通等电气化铁遒行业.S2从酒贵电子Hm铁,功率学导蛆皿人类生费的方方画面5-100iIW>IMW致M来源：Yo1.cDcvcJopmei.BI塞打安证券研究功率半导体布场规模达千亿.ICInSightS致冲;显示,2015年全球功率半导体营收规模140亿美元，增长6%,其中功率分惠器件产值占总体市场招近2/3比重,功率模组产值占比1/3.ICInsighu预计2016年功率半导体的首收规模将达到153亿美元.增速超过9%,增速将超过集成图3功率半导体行业千亿市场，增速将超集成电路1.2. IGBT,功率半导体“皇冠上的明珠”IGBT是技术量为先进的功率半导体1»件之一.从器件结构来看，IGBT<Insu1.atedGateBipn1.arTransistor.绝缘栩双极型晶体管）是由BJT（Xi极型三极管）和MOSFET（绝缘楣型场效应管）组成的厘合全控型电压强动型功率半导体器件,性能上，IGBT兼具了MOSFET的高输入阻抗O国泰君安证券GuotaiJUNANSccuritiesBBIO1.GBT应用广泛,新健M汽车悬&幽隹隹的应用效据来源IYo1.eDcvdopnicni.国*君安证券研究13.功率半导体行业竞争格局功率半导体与集成通略相同，采用的都是硅_1.艺，上游为材料设备厂商，下游为应用厂。不同的方面有：I、在功率半导体领域是以IDM为主，集设计制造时装为一体，国际主流厂商InfIneon、Fuji等大部分采用IDM模式：2、功率半导体制造助于特色_1.艺.不追求先进制程，属于超越摩尔定律范鲂.目前部分采用的8英寸晶网和0.18Um工艺制造.功率半导体的工艺流程技术含fit高,制造难改不亚于大规模集成电路.目前国内与国外先进水平仍存在较大差跑，主流技术与国外相差两代以上，国内产品以中低端为主，上多中高端功率半导体器件依赖进口.BHu功率半导体工艺流程与集成电路相似（以VDMOS为例）敞幅来源：IPS,国泰长安证券研究全球功率半导体主流厂商主要集中在欧洲、美国、日本,且大部分属于IDMfijtInfineon（英飞凌）是全球最大的功率半导体厂福，引全球全球IGBT等功率半总体技术的变革。半球体进入国际大并购时代，功率半导体行业合并也是风起云浦.2014年英飞凌30亿美元收购IR4国际整流着,继续他周其在功率半导体行业即主地位,全球市占率超过20%.近期ONsemiconductor（安荚森）出资24亿美元收啕FairChiId（仙童）,成为全球第三大功率半导体厂商.我国是全球G大的功率半导体市场，消礼了全球市场30%的功率器件，但是我国功率半导体产业发展相对滞后，主要凭借靠劳动力优势进入低端功率半导体器件市场，高湍大功率器件几乎全部依赖进口.经过多年的技术研发和经验积我国功率半导体厂商开始向高端跳件市场突破.逐步实现进口替代。表1.全球功率半导体厂商排名公司总务所HMMIItre*1Int1.ncon（英E凌）13.912.2%2Mitsubishi（:菱电机日本11.810.4%3Toshiba（东芝）H本8.973%4Renesa瑞萨电夕日本8.172%5IR（国际祭流!S）美国7.86.9%6BmVhi1.d仙通半导体）荚国7.763%7FVji（富士电机）日本6.55.8%8ST（总法半导体）瑞士6.55.7%9ViGay（戒世华导体）美国5.145%IOON（安美除半除体英国3.12.7%敞桶来源：IHSaAa1.2012.国泰笈安证并研究2 .新能源汽车爆发，带动功率器件百亿新需求2.1. 新能源汽车半导体用量!番，功率半导体成大需求功率半导体占到新细汽车中半导体用，的50%,新能源汽车动力总成系统电气化，使每辆汽车常导体元器件用最大幅提升。StrategyAna1.ytics数据显示，纯电动汽车（EV）华导体元器件用量达到673美元，相较于传统汽车297荚元的半导体用法增加了127%,其中大部分新增用及的是功率半导体器件。以HEV为例，新增的华导体元器件用录367美元，其中76%是功率半导体器件，新埴的功率半导体川收达到了279美元，已经接近于传统汽车半导体元件总用量，电气化是汽车行业发展的大趋势，尤其是政策推动下,新能源车的高速渗透加速了这一进程.陶莉新能源汽车港透率的大幅提升，功率半导体作为新能源汽车的核心器件，将迎来新的爆发机理，而国内相关厂商有望分享这一盛宴.图12电气化促使汽车中半导体用量大提升数据来源:S1.raKgyAnaiy1.iCS.田塞打安正弄阴究»13第！半导体中76%为功率半导体叁件KI则来源；StrategyAnaIytKi.国非心安证券朝冗IGBT是电控系统的核心4»件，妁占新斯整车成本10%电机控制系统主要由逆变器、逆变器舞动器、电源模块、中央控制模块、信号检神模块、软启动模块、保护模块、机械结构、波热系统等构成。电控的核心器件是逆变器，是由功率半导体（多个IGBT芯片和FRED芯片组成的模块，主要功能是实现蓄电池提供的真流电与驱动电机的交流电之间的变换.从成本结构来看，IGBT模块约占新能源车电机控制系统成本40%50%,根据StrategyAna1.ytics数据显示，逆变器成本分别占到HEV,PHEV.EV核心电动系统（电池、电机、逆变；、充电系统）总成本的30%,10%、7%,除此之外，IGBT也是车或空调控制系统和充电系统的核心潺件之一.S15在不同车中的成本占比图14由IGHr蛆成的逆交器是电拄系跳楼心数番来海：百度图片数舶来对：StrategyAiu1.ytics.国泰H安证券研究图WIGBT模块是电机拄制系统的核心部件，与电机相配套致楙来源I比比迪IGBT是充电株的核心叁件，成本占直流充电桩成本的20%以上.充电班分为直流充电桩（快充和交流充电桩（慢充）直流充电桩一般山处理运算单元、执行单元、数据采集、电源管理、总线单元组成,包含IGBT模块、MCU、门驱动光阴、MOSFET,电源管理芯片等器件，直流充电桩的输入采川三相四战38OV±15%电网交流电，频率为50Hz.经过整流器变为直流电，再经过PFC升压，而后经过DeDC隔离转换输出可调直流电，内接为电动汽车的动力电池充电。由于IGBT等器件的高成本，宜流充电桩成本是交流充电桩成本的S7倍，但其快逑充电性能决定其成为行业大格势,国家电网近期招标中对H波充电桩的投资比重已远超交流充电桩.图17IGBT模块烈成了充电桩执行单元的核心图18IGBT模块占到亶流充电班成本的30%二数据来淞：宏卡汽车2.2. 新能源汽车和充电桩带动百亿新需求未来几年将是新能M汽车及充电桩行业爆发时期，IGBT作为其核心A件也将迎来黄金发及期.2015年I月10月月份我国新能源汽车累计销疑为17万辆，同比增K29O%,根据国务院印发的£节能与新能源汽车产业发展规划(2O122O2O年)J,到2020年，我国纯电动车和插电式混合动力汽车生产能力要达到200万辆，米计销崎超过500万辆，电动汽车充电基础设施建设发展规划提出，到2020年我国充电桩要达到450万个，充电站达到1.2万座,IGBT模块作为HEwEv、充电桩的核心部件，存在巨大的市场空间，国192020gK202020年充电桩保有*将超过450万台数据来源：产业信总网，国泰，安任券招允2012A20UMHAMSE2020E数据来源：产业信息M，国泰n安迂券研究薪能源汽车和充电桩将带动200亿IGBT模块市场.新能源汽午用IGBT模块规格殷为6WV12(X)V200A800A,充电板需要的IGBT模块功率相对要小.不同功率、不同电机数量的新能源汽乍所需的IGBT模块差别较大，我们按照均价来计口,保守预计未来5年新能源汽车和充电被将带动我国IGBT模块200亿的市场需求，«2,新能源汽车和充电桩将带动200亿市场需求202”年保有量(万)ICBTfttMHfr（元）HEVJEV5008）00直流充电枇30015CO市第空*195亿元数据来双：W器"女证券用究3 .大国重器助力IGBT国产化3.1. 高铁动车组大量使用IGBT模块IGBT潺件已成为轨道交通车辆牵引变流器和各种辅助变流器的主流电力电子器件.交流传动技术是现代轨道交通技术装备的核心技术之一.在交流传动系统中牵引变流器地关进部件,而IGBT又是牵引变漉器最核心的零件之一.鉴于K；BT对交流传动技术的巨大促进作用,西门子、庞巴迪、阿尔斯通、三菱等拥有先进交流传动系统技术的国外公司都花紧密的IGBT制造企业为之限套,它们投入大J1.1.资金，有效组织电力电子和微电子业界的专门人才进行联合开发，一直占据行高压大电流IGBT器件研发的制高点.S21IGBT模块是高铁动车蛆中牵引系统核心器件数幅来源：铁科院随防应用的发展，IGBT技术的发展重点转到模块技术上来，IGBT模块%以超大功率IGBT模块1GBTIPM智能功率模块为主。IGBT-IPM是以IGBT芯片为基体，内含接口、传雪、保护和功率控制等功能电跖的智能功率模块。在轨遒交通牵引应用领域中，经过市场的融合，IGBT模块的主要厂商集中到Infineon、MrrSUB1.SHI、ABB与TOSH1.BA上。大功率IGBT模块是电力机车和高速动车玳的必需加件，电力机车一般需要500个IGBT模块，动车如需要超过KiO个IGBT模块,一节地铁需要5O8O个IGBT模块，我们目前有近1500列动车组,每列动车组需来用80150个IGBT模块，常用模块等级为33OOVI2A和65V6(K)A.几乎全部依赖进口。期CRH3CRH2表3,动车坦IGBT1.1.ft等CUgZOOkitVIi4MR动车坦S1.号CRH1.CRH2CRH5O国泰君安证券GuotaiJUHANSccuritiesIGRT1.M33OOV/33O()V650()VX65OOV/33OOV/KJBTft*120OA12A60DR6(M)AI2(XIA80第）150128100个天）数据来源：铁科陡.国泰“女证券研究S22中国动车担保有量及商帙运营里程趋势敷据来源：中商脩报网,国日安证券研究3.2. 从发电到用电*,IGBr在智能电网中应用广泛对于智能电网来说，从发电塌、电、变电到用电都再不开IGBT的座用.从发电端来价M力发电、光伏发电中的整流潺和逆变零都禽要使用IGBT模块.从输电端来看.特高压直流愉电、FAcTS柔性输电技术同样需要大量使用IGBT等功率搭件.从变电端来看，IGBT是电力电子变乐器EPT.PET）的关键器件.从用电编来看,变频空调.冰箱、洗衣机、微波炉、1.ED照明驱动等都对IGBT等功率半导体形成了大量的需求。图23从发电到用电墙，智能电网BI不开功率A件的应用Ifc据来源I华虹NECO国泰君安证券GgT7JUNAHStxUIUT1.ES3.3. 军工电子化进程推动IGBT在武叁装备的应用功率叁件大至½用到军工装务中，并且受益于军工蝮冬电气化电子化浪潮.以期艇为例.20世纪70年代后具有代表性的几种功率电子零件逐步应用到T规艇上彻底改变了班艇能量变换的面装.进入21世纪后,各国海军纷纷开始策划为本国的新一代水面主力作战舰艇配备全电推进系统.典型的如英国海军的45型防空器逐双和美国海军建造的DDGKXX)驱逐规.前拧成为世界上第一种全电推进的水面作战舰艇.其核心为燃气轮机电力推进系统,而后者的核心则是琮合电源系统模块.我正意义上的全电推进系统(AbS)山荷兰海军于2(K)I年提出是史为先进的面向未来的系统,即除了推进系统外.视艇上所有的蚓门、纹盘以及方向鸵等目前采用液压系统或者压缩空气系统控制的机械设施也符采用电驱动成为真正意义上的全电战舰.图24电力概出爆之英国海军45fiK三故据来海：新浪网出色的电健分配系统对于全电推进视船至关重要，全电系统的配电网络中关锭技术之一就是变频技术。交流推诳电机应用于船的推进，其关键是要解决交流电机的调速控制同遨.而交流词速系统的核心器件就是IGBT等功率器件.4 .国产化趋势明确，爆发时点已到1.1.1 GBT芯片进口比例超九成，市场代空间大中国是制造业大国，何年消耗大量的功率半导体零件，全球超过30%的功率器件是梢往中国大陆的.2014年中国IGBT市场规模均为70亿元.随着物联网、新能源、节能环保、智能电网以及高铁等产业的发展,对功率半导体器件3求符更加迫切.但是从产业鞋来存.IGBT等高端功率器件核心技术和市场被英飞凌、三菱等欧美及日本企业俞度垄断，有数据显示国内市场90%以上的IGBT芯片依赖进口，可见国内在商端功率器件上的空白。功率器件不仅关系到国计民生的何趣.也是国防军事的重中之重。加快发展我国功率半导体行业,实现进口替代，是我国半导体行业堀起的关键环节，也为国内企业带来巨大市场机会.O国泰君安证券GgT7JUNAHMxU1.UT1.ES目前IGBT是一个对成熟的市场，国外品牌占据举断地位。从地域来看，欧美品牌的产品主要用在电力和通讯行业，而11本的品牌主要用于电慰炉、变频支调、擦箱、洗衣机等或电类居多。从公司来看，英飞凌是全域IGBT器件龙头，通过收购IR,公司在IGBT市场占有率达到20日本三菱的IGBT模块在裔电压大功率方面具有技术优势，也开始大出应用于军工、电力电子等行业.Scmikron主要从事IGBT模块的后海封袋工作,其IGBT芯片主要使用的是Infineon、ABB产品.国内IGBT技术相对落后，有部分厂商从事IGBT后端模块封装制造.图25M1.GBT行业竞争格局s11non(英飞凌).Smaron(>ftrOMd<t<)<n(三*)>r<4<*±M)MKmMiM(三*)-TotNM(JHX)IXYS(JtVK).11<Mtt9)X*敢楙来淞：IHS.国泰甘安证券研究4.2. 国内已形成完整产业链与国外主要是IDM模式不同，国内IGBT产业琏包括IDM模式和代工模式，IDM模式厂商包括南车时代电气、北车永济、比亚迪、华微电子、士兰徵等，代工模式厂商包括做芯片制造的先进半导体、华虹宏力、华洞位电子等，做单音时装的长电科技等，做模块封装的扬兴斯达、南京银茂、宏徵科技等.南车时代电气：公司是我国最W开发大功率半导体器件的电位之一，也是我国帙路机车大功率半导体器件研究开发及生产基地.公司已掌握IGBT芯片技术研发、模块封装测试和系统应用.国内IGBT行业的领军企业，.公司于2008年收购了英国IGBT芯片厂商DynCX,投资15亿元建设了国内首条8英寸IGBT芯片生产线，产线已于2014年开始投入生产,预计16年拘实现年产12万片8英寸IGBT芯片晶圆,配套生产100万只IGBT模块，北车永济电机：我国最大的轨道交通电机电潺生产企业之一，具备国际水平的淘压大功率IGBT封装制造能力，研制成功具有世界先进水平的最高电压警级65(X)V级、最高电流等级360OA级IGBT产品.公司的IGBT产品已装车3万支并实现出口.O国泰君安证券GgT7JUNAHStxUIUT1.ES比亚迪：公司开始是通过购买Inm1.eon、ABB等公司的IGBT芯片，并在比亚迪澈电子的深圳工厂完成月装，生产IGBT产品，2008年公司以1.71亿元收购宁波中等6英寸产线,开始研发电动车用IGBT芯片，现在开始部分使用自己的IGBT芯片，近期公司与上海先进半用体洌造公司签署战略产业联俎协议，六方将实现优势互补，共同打造IGBT国产化产业钺，致力于将国产IGBT芯片会大规模应用在比亚迪新能源汽车之中.先进半球体：上海先进半导体制造股份有限公司经过20多年引进消化，逐渐掌握了多项先进的半导体制造技术，特别是在IGBT、汽车电干、MEMS等特定的半导体制造工艺技术领域处于国内领先地位，是国内生产IGBT芯片设多的公司，至今累计生产IGBT芯片超过80万片.公司已经与中国中车、比亚迪、上汽、国家电网合作.推动新能源汽车、电网、高铁IGBT芯片的国产化.嘉兴斯达：国内K；BT模块封装领先企业.产Ift以及销玳位列国内IGBT行业第一.公司是由沈华睥士<MT电子材料博士，曾就职于infincon）于2005年创立，目前己形成年产100ZiHIGBT模块的生产能力。»26国内IGBI各环节*造厂商HGUEiEZ1.双FMJ1.OIWu-一数据来源：公司网站.国泰并安证券研究4.3. IGBT国产化缪发时点已到在功率半导体行业,国内发展一H比较滞后.经过多年的追赶，随莉国内半署体行业整体的蝇起，功率半林体行业也迎来了新的转机。新德源汽车带来功率SS件新应用场景，国产厂商有望挪住机遇，打6支国外垄断市场：I）政策：集成电路关系到国求的信息安全，而功率华导体关系到国家的国防安全，IGBT模块更是高帙、舰艇、电网行业关健器件.H在1996年.当时的国家计委就把发展K；BT芯片及模块产业化作为重点项目，近年来更频频出台政策支持IGBT国产化项目,国家“863”项日、国家Hi大科技专J等一批“国字号”科研项目纷纷将IGBT技术的研制与产业化列为曳大深即.在政策支持下，南北车在IGBT国产化也取得很大的突破.2）资金：功率半导体屈于用越摩尔定律范吗，不追求先进制程，建设产浅的投资规模远仅占先进制程煲成电路产规的1”0朕至更低，湖车收购DyneX75%股权的价格为亿元人民币，可见国内厂商完全可以利用资本优势投建产线说告海外收购，实现快速追赶国外巨头.3)技术：钱过多年的积累,南车时代、北军永济、比亚迪、先进半导体已收褥很大的技术进步,中华已自主研发65“3600A的IGBT模块。国内厂商与海外巨头之前的技术差距正在缩小，国产化进程正加速进行.图27功率半导体遵KjB1.f尔定律，不追求,先进半导体M程数抠朱源：EEPW4.4. 行业评线：增持功率半导体是半导体行业一个R要的分支，在新能源汽车和充电班的带动下，以IGBT为代表的功率半导体行业迎来了新的成长机遇，国产化进程仃里加速，首次双普蛤予”持'*级.在IGBT模块封装G城，我力推谷台基股份I在IDV厂商中，我推暮士兰微、华It电子.5.风险提示1、我们计划到2020年实现新能源汽车保有后达到5(K)万辆.充电桩建设450万台，如果新能源汽车销后和充电桩建设诳展不达预期,可能会影响IGBT模块厂商业缢.2、如果受到专利限制、关键设备进I受限等情况发生，IGBT国产化进程可能会出现放缓的风险，股票；公司首次覆盖台基股份（300046）IGBT产线建成，公司迎来新的成长机遇王永H(分析师)>21-38674743S<1.)51.4<<81)(XM三IB(ffttS)O2I-W674754huVM1.>1.577J*jtj*xC4m<JM115080132三(研文IHD021.-Mft768X*e(nj5tj*kxomSIM<H(I15010055本报告导谯公司UiBT模块封装产C*2016隼开妁投产.植切入*«汽车和充电轴等<*tr*.图T的成长机蛆.投资要点：首次UgT持“刑R,目标价28元.公司IGBT模块封装筏已经建成.2016年将投入牛.产.IGBT模块将成为公司新的业绩增长点。作为国内大功率半导体龙头，公司在功率半导体积累多年，我们看好公nJIGBT业务的市场前疑.我们预计2052017年EPS为0.21.035、0.51元，参考行业可比公司估值水平，考虑到公司IGBT业务的高成长性，给予公司时应2016年80倍PE,目标价28元.IGBT模块封装产线已建成，看好公司IGBT业务前景.公司目前产品为晶网管等第一代功率半导体器件,下游主要应用在纲铁冶金等景工业，受宏观经济波动影响较大.目前钢帙冶金行业收入占到公司总营收的一半陋若第二代功率半导体IGBT的投产公F有望切入新能源汽车和充电桩等蓝海市场,实现客户结构的调番.未来5年.我国新能源汽车保有量将达到500万辆，充电桩数价达到450万台，将带动200亿IGBT模块市场需求，公司在功率半导体行业枳累多年，是国内大功率半号体行业的龙头企业之一，未来有里深度受益于IGBT模块市场的爆发.j宇次覆盖增持雁目2KOO当前价格I22.102015.11.22交易数据52I1.内股价区间元）12.50-58.304*<117J)3.140ab*mk<11zrat)MM23UrB1HK(SJJR)ODHK比例日场岐S<W7JB)786.12B<WJ)137.90贵产负债表摘要EUi（百万元）779收冷财5.48市冷率4X1“率-57.47%EPS(元)2014A2OI5EQ1.005004Q1.0.1100730.07006Q40X17OW全年031021有援受益军工电子化大林势.功率半导体是现代军W和武器装备的核心器件之一,棚有高端先进的电力电子技术成为强大国防力址的可意保障.随着军工领域的投资增长和军工电子化大趋势，国产功率半导体器件将会得到广泛应用和快速发展.凭借着在大功率半导体行业龙头地位和军工领域的积股布同，公司有望受益于军工电子化浪潮. 催化剂；IGBT模块批成投产，军工业务狭突破. 风险提示IIGBT业务进展低于预期,”舄内及倚*"cIM3MI2M绝对升H19%16%39%t<mtt9%15%13%财务”（百万元）20132014A2015E2016E2O17EW*tt2222135如w-%/%4%倒,34%*MM(EB1.i)3129276289<-W.%T0*9%-5%129%43%4044305072<4%V%32%3%44%<>0.280310210.35OSIMM（元）0.20ft200.200.200.20利泡率和估值指标20132014A2015E2016E加C1.阳TmIar143'1.1.1.>%12.?%16.7%净J1.f1.W1.F4.8%5.4%3.6%6.0%8.2%tt*a*%>8.1%8J>%9.6%15.1%23.9%Evtebitda53.255.6於53.225.1«*»78.271.5105.262.643.3D'/.。外>0.9模坐更新时间：2015.11.22WK9f%信息科技电子元忤台基股份（300046）BtMHUMbW*>AMM1.MA存国及IMXmtermW三1.tHJEBrr公允殖假金叨依&tH!f1.*叶用MCM情内检>U2M4AMWN1.T1.Ain213*SM1-45151MSM1.22234I1.916»2第J1.SS74A1.rNW首次覆盖评级8增持目标价格：加M当M价格，22.10公司网址www.xhcm.oo<n公司简介公司是中田功率半导体戏件的主要肘域¢）之一.主震techsem牌品同管及其模块的研发、利造和阿也，琛合实力位居国内功率半导体行业领先水平.产从广泛应用于金M培域.工业加热、电机调速、$KH动、发配电等领域,以品种齐全、质可舞、服务可信东誓和福销全国，并倘往欧美.帏国.台湾及东南亚等国东和地区，在ISJ业中具有明W的上浪优势。能对价格回报%）W6f1.if.之乂售创收史产IUMtQ去产K1.1.rt«wizMtEi朋H健依，4三r*A4)Cm加3黄悟国6NUft*-<'aftZInAr新IHOKMttma4I1.HMUMKttKnf1.也负及今直MMKMMRa«tiMIK*1.11«K*冷仙IMti率KJMWIMrf"改:«*«"/去QrROtq桐RaM拉八位AHiuUKo(QMf1.U)。小W“天StW1.ftiMnxQ例户W*N转及皎加SAuM去Jta负本大的我人负户黄僧率除*OOIX4SD4451.1.1.1.1.BI11仆55>SI7皿Xr*1.t-I2“然5nn-1432040w91.gu"1.)7x1.t1.Bi?MA-1.441.?2.1.s.s?01.¼14Et1*SIw5MIM52周价格SnH115038.303.140BEV>EBITDA腌acIM4SQTS4%Mf1.v%r*IKfVdxr3MS3、-M1.fXr44J%JIgJ1.gM3%U%119%IiTSImIfImHJYSIZf4SS内js0%,2%44SJirs2J%J.4、5Wv81%1nqgUA22116IM>1.*>1»*40*1«61611512Im12*0InwIMImJOKIQI15*Eft%11%-SX-4S85%usk9S43«15%42.9HM7%“外64.2、U2T1.5IE6267*MJG55.2M.6M554J29.114.)14.2145?.S9QQS09%atrUf*IMI5E1ITE股票；公司首次覆盖华IIt电子（600360）IGBT模块有望成为公司新看点王永H(分析师)>21-38674743S<1.)51.4<<81)(XMZW(W%1»)Q2I3M768X*ysng如JirMJQmSOSHO11501OOW冒次覆盖雁持目14.(M)当前价格I11.622015.11.22交易数据52局