光谱总结.docx

1、太阳光谱由丁宇宙是近似真空的，太阳表面温度接近6000K,我们把其放射光谱等同于该温度下的黑体辐射.由普朗克据体辐射定律可知能增密度频谱：/28,t7“1,T)=-1.-Jr2匹-I辐射率，在单位时间内从单位表面积和单位立体角内以单位频率间隔或堆位波长间隔用射出的能量。太阳光经过1.5亿公里传输到达地球大气圈表面的光谱辐射能贵为太阳常数，大约其值为1.367kWm2,因此大气圈外的太阳光谱定义为，WO,其中大气版SUairmass)用来估量因为大气层汲取后，所导致影响太阳光谱表现与总体能城值“图一说明大气质髭的计算方法，大气质出数值常是运用AirMaSS=I/cos0来计算的,其中。-0所代表的是太阳光线从头顶上方直射卜来。地球表面用以衡量太阳光谱的大气膜量值是大于等于1，由于太阳光谱AN1.5更加接近人类生活现实，因此常被我们选用，此时太阳光入射角f6i底头顶48.2度。当太阳光照雄到地球表面时，由于大气层与地表景物的微射与折射的因素，会多增加百分之二十的太阳光入射量，抵达地表上所运用的太阳电池表面，其中这些能量称之为扩散部份，因此针时地表上的太阳光谱能量有M1.5G(g1.oba1.)与AMI.5D(dirccD之分，其中AMI.5G包含扩散部分的太阳光能量，而AM1.5D则没有。图一中人站的位置表示的是海平面位置,假如不是处于海平面，则应引入大气压力对大气质量进行修正。O25151OEmzEMx)/SU8三W6=unso00.511.5wave1.ength(m)图二、大气圈外(AMo)与地表上(AM1.5)太阳光能量光谱图二所表示的即是大气圈外(ANo)与地表上(AM1.5)太阳光能量光谱。AM1.5G光谱的总照度为963.75Wm2,而AMI.5D光i普的总照度为768.31Wm2,为了便利国际标准化组织确定为100OWm21.图三、各省太阳能资源分布图2、大气因素大气成分成分含*分）5三2i林健球会道21«.»,3Msss三ts-KUIOp>X电高姓健费及Tift1.OIPPM陵高姓僦和MMppMID公里水2版用眯主要在5公里以下,n公瞅U1.手段HI龈180-1800个反方事亲(J)狄国王WS5公勖下图四、大气中各成分含量和分布大气对太能辐射的影响主要有反射、汲取、散射。大气散射当太阳光遇到大气中小微粒，且这些分子或者微粒的直径小于或相当于辐射波长时，使传播方向发生变更。大气放射主要形式有：瑞利散射、米氏敢射和非选择性散射。瑞利散射：散射粒子的直径比光波波长要小很多时引起的散射。散射系数于波长的四次方成反比，波长越长，大气散射实力越强，主要由大气分子引起。米氏散射：当微粒的直径和辐射波长接近时(23<dS浦10)发生的散射.散射系数于波长的二次方成反比。主要由大气中的微粒如烟、尘土、小水滴及气溶胶等引起。非选择性散射：质点直径大于电/波波长时，散射率与波长没关系.大气反射：太阳辐射穿过大气时，被大气中的云层和较大尘埃将其一部分反射到宇宙空间去，从而减弱到达地面的太阳貂射。大气中的反射对各种波氏没有选择性，反射光呈白色。大气反射物质中云最为全要，其反射强度随云状、云厚而不同，高云反射率约为25%,中云为50%,低云为65%,云层愈厚反射愈强，一般状况下云的平均反射率为5055%大气反射有助于减弱太阳辐射，尤其能削减紫外线对人体的灼伤。图五、大气对太阳辐射的汲取、散射、反射大气汲取光波在大气中传播时，大气中各气体成分会汲取某些波长的波。汲取作用比较显著的气体成分是水汽、二氧化碳和臭氧等，它将所汲取的光波能量转变成热能和电离能等.见氧主要汲取紫外光，太阳光辐射中99¾的紫外光都被见氧U汲取了。二氧化碳和水主要汲取的是红外光。daIiBOH.COiJbO-C01.一qOchi<Co大气吸收光学上地表谢，的太田0射奴牧学下Ii公里高处货量的大阳射或收电«>g配30.4C.11.5234»«»j112)3。波及()负、臭裹、二我化碳、水汽及大氯的吸收光环。几种主要的大气红外吸收气体的吸收帝的中心波长成分».®ft(m)漏吸收(呷)H,01.41.92.76.30.91.11331000太阳辐射的紫外部分，波长在2000埃以卜.，主要被大气中原子态或分子态的氧和级所汲取，完全不能到达地面。波长短于3400埃的太阳紫外柏射，由臭班的哈特莱汲取带(20003000埃)和哈根斯汲取带(32003600埃)的共同作用，在到达地面之前，也绝大部分被汲取（见）。在可见光窗区，大气汲取较少，这里主要有臭氧的夏普伊汲取带（43007500埃），氧在5384埃和7621埃旁边的汲取，以及水汽在6943.8埃旁边的汲取等。3、太阳能电池及组件系统200m3mm太阳能电池基本结构太阳能电池生产工艺：、表面制绒单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由丁入射光在表面的多次反射和折射，增加光的汲取，提高了电池的短路电流和转换效率。硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氮氧化钾、氮氧化锂和乙二胺等。大多运用廉价的浓度约为遥的狙氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为7085'C,为了获得匀称的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快畦的腐蚀.制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约2025um,在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。经过表面打兑的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。、扩散制结太阳能电池须要一个大面枳的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备，管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型i片放在管式扩散炉的石英容器内，在850900摄氏度高温卜.运用短气将三氯氧磷带入石英容罂，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原了。经过肯定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。这种方法制出的PN结匀称性好,方块电阻的不匀称性小F百分之十,少子寿命可大于Iorns0制造PN结是太阳电池生产最旗本也是最关键的工序。因为正是PN结的形成，才使电子和空穴在流淌后不再回到原处，这样就形成了电流,用导线将电流引出，就是直流电.(3)、去磷硅玻璃该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中，通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢然酸溶液中浸泡，使我产生化学反应生成可溶性的络和物六慰硅酸，以去除扩散制结后在碎片表面形成的一层磷碎玻璃。在犷散过程中，POC1.3与02反应生成P2O5淀积在硅片表面。P205与Si反应又生成SiO2和磷除子，这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的Si02,称之为磷硅玻璃。、等离子刻蚀由丁在扩散过程中，即使采纳背靠背扩散，硅片的全部表面包括边绿都将不行避开地扩散上磷，PN结的正面所收集到的光牛.电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。因此，必需对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀,以去除电池边缘的PN结。通常采纳等离子刻蚀技术完成这一工艺。、镀减反射膜抛光硅表面的反射率为35%,为J'削减表面反射,提高电池的转换效率,须要沉积一层墩化硅减反射膜。现在工业生产中常采纳PECVD设备制备减反射膜.PECVD即等离子增加型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置r低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体SiH1.和NH3,气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表而形成固态薄膜即赳化硅薄膜。股状况下，运用这种等离了增加型化学气相沉积的方法沉枳的薄膜厚度在70nm左右。这样厚度的薄膜具有光学的功能性。利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大为削减，电池的短路电潦和输出就有很大增加，效率也有相当的提高。6、丝网印刷太阳电池经过制绒、扩散及PECYD等工序后，已经制成PN结，可以在光照下产生电潦，为了将产生的电流导出，须要在电池表面上制作正、负两个电极。制造电极的方法很多，而丝网印刷是目前制作太阳电池电极最普遍的一种生产工艺。丝网印刷是采纳压印的方式将预定的图形印刷在基板上，该设备由电池背面银铝浆印刷、电池背面铝浆印刷和电池正面银浆印刷三部分组成。受丝网技术的限制,前表面的金属电极不能做的很窄，从而遮挡了光在硅片内的有效汲取。取决于硅片的电阻率，由丝网印刷技术生产的晶体硅电池的开路电压在580-620mV之间，短路电流密度在28-33mcm2之间，以及填充因子（填充因子是指太阳电池最大功率与开路电压与短路电流乘积的比值，是评价太阳电池输出特性的个重要参数。）在70%-75%之间。对于大面积的电池，电池表面IoV-15%面积被电池表面电极遮挡了。7、快速烧结经过丝网印刷后的硅片，不能干脆运用，需经烧结炉快速烧结，将有机树脂枯合剂燃烧掉，剩下几乎纯粹的、由于玻璃质作用而密合在硅片上的银电极。当银电极和晶体硅在湿度达到共晶温度时，晶体硅原子以肯定的比例融入到熔融的银电极材料中去，从而形成上卜电极的欧姆接触，提高电池片的开路电压和填充因子两个关键参数，使其具有电阳特性，以提高电池片的转换效率。烧结炉分为孩烧结、烧结、降温冷却三个阶段。预烧结阶段目的是使浆料中的高分子粘合剂分解、燃烧掉，此阶段温度渐渐上升：烧结阶段中烧结体内完成各种物理化学反应，形成电阻腴结构，使其真正具有电阻特性，该阶段温度达到峰值：降温冷却阶段，玻璃冷却硬化并凝固，使电阻膜结构固定地粘附于基片上。太阳能电池各部分对电池性能影响（D、表面金字塔结构金字塔形向推体的表面积S,等于四个边长为a正三角形S之和S1=4×-×-×a×a=Ja''22由此可见有绒面的受光而积比光而提高了倍即1.732倍。当一束强度为E)的光投射到图中的点，产生反射光和进入硅中的折射光j反射光可以接着投射到另方俊的B点，产生二次反射光;和进入半导体的折射光,:而对光面电池就不产生这其次次的入射。经计算可知还有Ini的二次反射光可能进行第三次反射和折射，由此可算得绒面的反射率为9.04%.(2)、氮化硅减反射膜我们所用的PECVD制备的SiN薄膜是非晶体膜，其结构与短距离的化学链有关。氮化硅薄膜中除了Si-N成分以外，还含有相当可观的弱健氢和痕量氧。薄膜的含H量较高，可达2()30%(原子百分数)。适员的H会对表面起钝化作用。硅和赳化硅界面处电荷的界面态密度很新，这种界面态对界面旁边的我流子会起到陷阱或及合中心的作用。氢钝化能有效降低表面复合速度，增加少子寿命，从而提高太阳电池效率。氮化硅薄膜的折射率比较高，非晶态赳化硅薄膜的折射率随Si/N比在肯定范圉内波动，折射率n=1.8-2.4o氮原子含量蝌加，折射率降低；硅原子含量增加，折射率增大。此外，还和沉积温度仃美，沉积温度提高，折射率增大，这是由于湿度上升使薄膜致密度提高的原因。减反射原理：照窿到硅片上的光因为反射不能全都被硅汲取。反射百分率的大小取决于硅和外界透亮介质的折射率。垂直入射时，硅片表面的反射率R为ni>+nJ其中，ns,为硅的折射率：而为外界介质的折射率。在真空或者空气中，我们近似取心=1。在真空或大气中,假如硅表面没有减反射膜,长波范用(1.1.m)入射光损失总fit的34%，短波范围(04m)为54%。即使在硅表面制作f绒面，由T入射光产生多次反射而增加了汲取，但也有约11%的反射损失。noI1.减反射膜示意图在硅的表面制备一层透亮的介质膜，由于介质膜的两个界面上的反射光相年干涉，可以在很宽的波长范围内降低反射率。此时反射率由卜式给出+T+2r1.r2cos1.+f+r+2r1.r2cos式中，门、r2分别是外界介质一膜和膜一硅界而上的菲涅尔反射系数：A为膜层厚度引起的相位角.它们可分别表示为+%.4;TFd当薄膜的光学厚度为四分之一个波长，时R=O,反射最小。地面太阳光谱能员的峰值在波K05m,而硅太阳电池的相对晌应峰值在波长080.9m。因此减反射效果最好的波长范围在0.50.7m，可取n=06m。具有这一厚度减反射膜的睢太阳电池，由肉眼看来呈深蓝色。此时硅的折射率ns1=3.9,所以假如电池干脆暴雷在真空或大气中运用，最匹配的减反射膜折射率n约为1.97。(3)、硅的汲取半导体与光之间的相互作用，主要是通过光子与半导体中的电子、原子之间的相瓦作用，表现为对光的汲取，光电导或发光等效应。但在太阳能电池中，主要体现为对光的汲取，导致电了从低能级跃迁到较高能级。我们也仅考虑个能产生光生我流子的光子只产生一对空穴电子对。尽管半导体对光汲取的过程具有多种机制，如本征汲取、激子汲取、杂质汲取等，但主要表现为本征汲取，这主要通过光学汲取系数来表征。般来说，汲取系数跟波长和温度相关。温度对汲取系数的影响，主要考虑温度对禁带宽度的影响，在此不加以探讨。光学汲取系数木征汲取是指在光照卜具有足够能量的光子使价带内中的电子越过禁带跃迁到空的导带.这电子汲取光子的过程必需满意选择定则，即能fit守恒和动量守恒两个原则，初态能量为E,波矢为的电子汲取能量为力侬的光子后，跃迁到能是为J、波矢为的末态，依据能垃守恒和动量守恒，应有如下关系:=光子动量E'-E=h<Q这使电子跃迁分为干脆和间接跋迂。对于干脆跃迁，光子能量与汲取系数的关系为a=AJhV-Eit(1.vEf)=O(hv<Et)上式A为一个基本常数.对于间接跃迁，还得考虑电子和晶格之间的相互作用。这是由于要满意动量守恒定则在间接跃迁过程中必需放射或者汲取一个声子，它是一个二级过程。依据相关理论可知，放射声子和汲取声子的过程的光学汲取系数可以写成_(hv-E±F,s,cfi-£(exp<±-Jr)-1.)kT上式中，,+”表示汲取声子的过程，与之相反，”表示放射声子的过程，号表示声子能珏,当加，>E,+耳时，此时汲取声子和放射声子的跃迁过程均可以发生,此时汲取系数为.+:当&+纥,y>E,-纭时，此时只能汲取声子跃迁，此时汲取系数为生：当vME.-J时，此时汲取系数为零。Ar硅IH1.体的低带纪构硅的晶体结构是金刚石结构，由两个面心立方结构沿对角线平移1/4对角线长度套构而成其能带结构是间接能隙能带。常温下禁带宽度为II2cV,当入射光子能量大于1.12eV时.即可发生光跃迁,电子从价带跃迁到导带。如下图所示光子能量在I-IOeV范围内硅的光汲取系数，光子能珏小于24eV,汲取系数很小发生间接跃迁。光子能量大于24cV时，汲取系数起先增大，这时候起先发生垂直跃迁。在3eV-35eV汲取系数增加很快，垂直跃迁渐渐成为主要的跃迂形式。徒晶体的光汲取系数一UJ二郛幡g-i,能量2Eg的入射光，在太阳能电池中传播时，被价电子汲取而激发光生电子一空穴对，是太阳电池电池中主要的非静电相互作用。它由入射光在太阳电池中传播的衰减规律：/(.O=/(0)(1.-11exp-)x确定。式中)是太阳电池材料对波长为的光的汲取系数，/(O)是太阳电池表面x=0处的入射光强，R为表面反射率,I(X)是表面至太阳电池内X处的光强.明显,若探讨给定衬底的太阳电池,其截止波长4>=生，相应地穿透太阳电池中的平均Xxe-awvdxOe-awxdx深度X被看成是能产生光生载流子对的主要工作区，它的值应为：1=西Si在300K时Si的Eg为1.12eV,相应截止波长：n=.m,a(4)=120”,可得Ta83mSi电池的主要工作区不到100当然，实际的工作区城比这个(ft要大得多，可由给定的长波限Zo值确定，Si汲取99%的相应汲取厚度xn=3X4Rg2波长AO1.m)B、AO赵&*E卡朱图2.10心准太阳光频造与多晶硅的分光感度特性太阳电池对应于不同光的波长的响应特征称为分光屐度特征。一般用光的波长与所转换生成的电能的关系，即用分光感度特征来表示。(4)铝背场随着牛产技术的进步，晶体睢太阳电池的厚度不断减薄，从早期的325m到270m,再到245220m,而下步的发展目标是18()50m,随着厚度的不断变薄，硅片少子体寿命对电池效率的影响逐步降低，这主要是因为随着硅片厚度减薄，基区少子到达Pn结所需距离变短，这就意味着，即便材料的少子寿命较低,仍旧有足够的扩散长度保证足够多的少子被Pn结收集.与之相对应的，电池片上下表面的复合速率时效率的影响逐步增长。改善表面钝化的质量、降低表面更合速率已经成为提高电池效率的主要手段之%目前工业上主要采纳铝背场进行表面钝化。(1)表面钝化，降低背表面复合速率.，提高少数我流子的收集率，提高开路电压。由于硅太阳电池的汲取峰值在90Onm旁边，长波穿透深度大，直到拳近背电极侧都能产生大量的光生效流子，背电极界面处相当于一个无穷大的豆合陷阱层,当少数载流子被扩散到背电极界面时，很快被发合。由于背面场的存在，p结阻挡光生少子向区扩散，提高了少数截流子的收集效率，降低/暗电流重量.背表面场对开路电压的提高也有很大的作用，随着P层掺杂浓度的提,层内电子的扩散系数减小，浓度达到10%产时，电子的扩散系数最小，p结的电场能作用在整个区内时，背电场对电子的收集和开路电压的提高最为有效(2)作为背反射器，增加光程，提高短路电流。对于儿之内的长波，它们在睢片内的穿透深度较长，只有在睢片足够厚的时候才能够被完全汲取。所以，在没有背场的状况下，硅片厚度减薄，减小了光程，降低了硅对长波的汲取，进而减小了短路电流。在有背场的状况下，背场可以把光放射I可电池，增加光程，提而了硅对长波段的汲取“(3)作为电极输出端，降低接触电阻，提高转换效率。背电场除了能够提高少子的收集外，还能够很好地作为电极的输出端.因为铝易于与P型硅形成欧姆接触，为此我们一般都采纳铝-硅合金来作铝背场P-“结，铝睢合金结构，不仅具有背场的作用，而且还能够很好地构成背面欧姆接触，作为电流的输出电极，降低接触电阻，改善电池的电学性能.(4)铝吸杂，提高体寿命。在7(10900C时.很多重金属杂版在铝中的固溶度比在硅中的固溶度高410个数垃级,并且金属杂质在硅中的扩散速度远大丁璘、蝴等替位式元素.铝吸杂通常的方法是在睢片表面蒸镀偌并进行一段时间的热处理,金属杂质就被吸附到铝层,以此来变更硅片的性能。无铝背场时,电池的短路电流随电池厚度的减小而降低。因为太阳电池汲取光子能量产生电子空穴对.基体材料对入射光的汲取是按"x)=oexp(-a0M规律变更/°是太阳电池表面X=O处的入射光强，“J是太阳电池材料对波长为i的光的汲取系数I(X)是表面至太阳电池内X处的光强)。单晶硅太阳电池要汲取99%的光所须要的汲取厚度为384冲。在503S0m厚度范闱内.随太阳电池厚度的减小,基体不能充分地汲取入射光,从而影响产生电子空穴对数目,导致太阳电池的短路电流降低。有铝背场时,只有硅片厚度小于200m时,才能很明显地视察到短路电流陋若硅片厚度的减小而减小。sc的这种变更趋势,我认为是由于铝背场的高反射率所致。一方面,由于铝首场有助于减小金属与半导体间的接触电阻,从而降低尔值.提高/SC;另一方面,硅片厚度小F3()0m,基体不能完全地汲取入射光,部分光到达铝背场处,由于发生高内背表面反射,这种作用的最终结果是基体内总的先生载流子数目几乎不变。J1.由于硅片厚度变薄.电子-空穴对的产生更接近Pn结,因而更有利于Pn结时载流子的收集.大量的试哙证明,铝背场的这种效应能提裔短路电流“上图为丝网印刷工艺技术制备出的铝背场的表面形貌，可见存在大量大小不均的阴颗粒，表面较为粗糙空隙较多。在制得单晶硅电池的铝背场过程当中，不仅要考虑其接触电阻，吸杂实力，由于铝背场同时还担当起到背反射镜的作用，将到达铝背场的入射光反射回去，从而提高电池对光的利用率。随着碎片进一步减薄，这一作用将越来越明显和重耍，所以平整细腻的铝背场表面无疑可大幅度提高其反射率。(5)栅线目前常规工业化晶硅太阳电池的正面金底柄线面枳约占整个电池面枳的8%,其中60%的面枳是细栅线(finger,也称为副栅线)，40%的面枳为主栅线(busbar)。金属栩线由不透光的银颗粒及玻璃体组成”在工艺上要求棚纹间距约3mm、宽度约0.100.12mm。烧结后高度为12-15m0考虑在般状况下面积为IOCmX1.oCm的正方形单晶硅太阳能电池。细棚线宽度I25m,厚度12m,主栅线宽度为0.158cm,厚度35m.细楣线间距0274cm.可以计算得到树线遮盖损失为7.73%。最近应用材料公司利用两台不同的印刷设备制作了8（）m宽30m高的细阳线。这种方法削减了大约20%的阴影损失，相应的也降低了电阻系数。因此为了降低栅线遮挡造成的电池效率损失，可以从以下几个方面考虑:I）缩小细栩的宽度：工业化生产中丝网卬刷的细栅线的宽度已经从过去几年的140-150n逐步降低到10012Om左右，并有接着缩小到80m左右的潜力。2）超细主栅或无主栅:主栅的宽度通常为1.5mm（对F125mm边长的电池片.或156mm边长3根主栅的电池片）,将主栅宽度缩小甚至完全移至背面,如111.a1.wrapthrough技术。3）背面接触：假如运川emiuerwrapthrough技术则可将正面全部的细助线和主栅移至背面，大大增加短路电潦。霜棚线内反射：栅线是良好的光线反射体，通过特别设计，可以将部分反射光线通过玻璃、封装材制等内反射再回到电池片表面.(6)EVA,钢化玻璃G1.ass-SO1.AAtVA3SOUUttVA'Beckht太阳能电池封装用胶膜是以EVA为基料,辅以数种改性剂，经过膜设备热轧而成薄膜型产品。EVA树脂是乙烯和醋酸乙烯酯的共聚物，结构如下：(Qij-CH2)m(CH-CH2)»10IO-C-CHj醋酸乙烯含量小于40%的产品为EVA树脂。醋酸乙烯含量40%70%的产品很柔韧，常有弹性特征，这一含量范围的EVA树脂有时称为EVA橡胶：醋酸乙烯含量在70%95%范围内通常呈乳液状态，称为VAE乳液。VAEf1.液外观呈乳白色或微黄色。太阳能行业-一般含量为3O%33%°EVA厚度在0.4mm-06mm之间，表面平整,厚度匀称，内含交联剂，能在15OC固化温度下交联，采纳挤压成型工艺形成稳定胶层。一般透光率()：>91EVA对玻璃的增透作用:EVA和玻璃的折射率约为1.5,正是EVA的折射率比空气更接近丁玻璃,从而降低总反射率。汲取紫外光的作用：EVA胶膜能够汲取大部分紫外光，从而能够保障太阳电池长年正常工作在日光之下。封装用的玻璃是采纳透光率高的低铁钢化白玻璃,厚度一般为3O4.0mm,在32OI100nm的波长范围内.其透光率达90%以上,对于波长大于120Onm的红外线有较高的反射率，耐紫外光辐射性能好。TPT一股常用三层结构(PVF/PET/PVF),外层爱护层PVF具有良好的抗环境侵蚀实力，中间U为PET聚脂薄膜具有良好的绝缘性能，内UPvF需经表面处理和EVA具有良好的粘接性能。