《硅材料生产技术》课程教学大纲.docx

硅材料生产技术课程教学大纲一、第程基本情况课程代码：101145223201课程名称中/英文）：硅材料生产技术/Techno1.ogyofSi1.iconMaicria1.Pnxiuction邨程类别：个性化方向/模块课程学分：3.5总学时：56理论学时：40实验学时：16适用专业：材料物理专业适用对象：本科先修课程：半导体物理与器件，材料物理.，材料研究与测试方法教学环境：多探体教室/实险室开课学院：材料科学与工程学院二、课程简介1 .课程任务与目的硅材料生产技术3是材料物理专业的一门专业方向特色课程课程内容共分为四部分,从直拉单晶硅和博依多晶硅的制备开始、到硅片切割和太阳能电池片制备,涌盅/大部分光伏产业故.涉及了硅材料相关的理论基础、生产工2、生产设符、检测手段等.通过课程的学习，使学生掌握晶体碣:太阳能电池生产流轩、工艺原理及设分操作，著重学生分析、斛决问鹿健力的培养，并建立理论联系实际的思维方法，通过时目前地球能源状况的了解及社会环境的认识,使学生深切了解节能环保对整个人类社会可持续发展的乖要性,引导学生建立节能环保意识,通过案例分析、安全教育和规武制度的学习,培养宽基础.强能力、高素质的具行社.会责任感和职业使命感,富有工程素养和工程实践能力,掌握安全科学、技术的基础理论和方法.能为国家富强、社会进步做出贡献的技术人才.2 .对接培养的闵位能力课程内容与光伏企业品体畦太阳能电池制造和技术闵位对接，学生能绣完成工程设计和技术改造任务，并在新能源材料的复杂系统设计中进行局部或整体创新.培养学生具备制定生产方案、两整工之参数、进行产品测试的能力.为学生从事太阳能光伏研究、技术开发和和产品生产等工作奠定基础.使学生具备在新能改材料相关领域作的能力.三、课程教学目标1.谭程对毕业要求的支撑毕业要求指标点2J能师通过文献研究建立并比较新能源材料制备、加工与应用等互杂J1.程问区的多种方案，毕业要求指标点3.1掌握太阳能光伏和锂离C1.1.池等新能源材料制备、加J：及应用系统的设计/开发方法和技术,了解影响设计In标和技术方案的各种因素.【毕业要求指标点4.1J能峥基于科学原理和专业理论,通过文献研究或相关方法,调研和分析太阳能光伏和脚离子电池等新能源材料领域更杂工程问他的解决方窠。毕业要求指标点5.2能够选择与使用恰当的仪器、信息资源、工程工具和专业模拟软件，骨对新Ife源材料领域的复杂工程问鹿进行分析，并is行计算与设计。2课程教学目标对应事业要求指标点.具体内容如下：.教学目标1：学习结晶和定向凝固基础理论,掌握及运用结晶和定向青冏理论分析、耨择及控制品体的生长过程及晶体珪中杂质的控制；能畴对结品过程进行分折，揭示热场控制与晶体硅质证之间的关系，悭弱将理论分析用于实际案例，比较硅材料制备加工方案的优豌点.（支撵毕业要求指标点2.3教学目标2：通过硅材料专业知识的学习,拿握比拉垠晶硅、铸造多晶硅、硅片切割及太阳能电池的生产工之及其影响闪去.熟悉其生产所需原材料及设的,具有分析、解决硅材料实际生产问题的能力,能够分析'评优化硅锭、硅片和电池片制的与加工的工艺参数.（支揖毕业要求指标点3.1）教学目标3：掌握半导体及太阳能电池相关的葩本知识和原理，能防通过华将体葩础知识分析、设计、优化太阳能电池的结构；照态太阳能电池片的生产流程及设备，通过硅片和太阳能电池片实例分析的学习与讨论，培养学生对光伏领域的电杂工程问£诳行分析,解决能力.（支推毕业要求指标点4.1）教学目标4：通过硅材料表征知识的学习，使学生掌握珪锭和徒片的性能参数、冽试原理及设备，具得选择、使用恰当表征手段的能力。结合硅晶体电阻率测试、高纯水制备等项目的讨论和实验，掌握太阳Ife光伏和锂圉子电池等新能源材料制备方法和技术，住第时硅材料生产领域的熨杂工程向Sfi进行分析与计V（支找!毕业要求指标点5.2）四、程教学内容、学时分配和具体安排（-学时分配主题或知识点教学内容总学时学时完成课程教学目标讲课实险实践主阳或知识点1结晶理论4IOOI主咫或知识点2区焙单晶娃的制备62402,4主阳或知识点3克拉IR晶硅的制备8402,4主网或知识点4多晶硅特锭法础理论2200I主即或知识点5多品硅防锭41002主网或知识点6陆造多晶硅中的杂质84401.4主网或知识点7硅片加工原辅料和主要设符14002主咫或知识点8硅片加工工艺66O02主题或知识点9硅材料的表征44004主题或知识点IO太阳能电池的制备106403,4合计5610160(-实骁教学安排序号实验/实践项目名称实验学时实验类型实验要求旬纲人数备注1珪单晶电阻率的测试4琮合性必做4-62化学腐蚀法检测品体缺陷4脸证性必做4-63硅单品少数骐流于寿命的测试4综合性必做4-64岗子交换法制备纯水以及将纯水的检测4演示性必做4-6五、教学内容及教学设计主J1.或知识点1结晶理论1 .教学内容(1)热场与单晶生长：晶体生长系统中的能显关系及结晶驱动力：温度梯度对晶体生长过程的影响，包括生长速度、生长界面等。晶体牛.长过程中需要的确控制热场，需要耐心细诙和精益求精的工作态慢，体现了工匠精神“(2)晶核的形成和长大：自发形核及非自发形核的概念：热力学界面健理论和原了聚集理论及其优缺点：晶体生长过程.(3)生长界面结构模型：“二维表面成核.侧向层状生长”模型.(4)分凝效应：分凝效应的概念及杂就浓度分布规律。分凝效应既可以用于去除杂质,也公影响掺杂过程，体现了事物的两面性,应具体情况具体分析,培养学生的科学思维能力.2 .教学正点结晶第动力；温度悌度对晶体生长过程的影响：品体生长过程：分凝效应的概念及杂质浓度分布规律.3 .教学难点生长界面结构模型：杂质浓度分布规律.4 .教学方案设计（含教学方法、教学手段）主要是讲授法，通过板竹和名媒体结合的方式，以展示图片、引用数据等手段配合视频讲授教材内容.采用提问、讨论的形式进行互动，促iS学生对知识点的掌握.5 或知识点2区博单IK硅的制餐1.教学内容（1）区络法简介：水平区熔及悬浮区塔法的结构和原理.（2）区烙单品珪的生长过程：区熔单晶硅晶体生长的过程和影响因索.（3）区熔单晶的掺杂：区熔单晶硅的杂质和电阻率分布：区熔单晶硅的主要掺杂方法.通过中子殖变掺杂技术与传统技术的对比培养学生的创新思维能力，2 .教学曳点区焰单晶硅晶体生长的过程和影响因素：区增胞晶硅的主要掺杂方法.3 .教学难点区熔单品硅的杂质和电阳率分布。1教学方案设计含教学方法、教学手段）主要是讲授法，通过板竹和第媒体结合的方式，以展示图片、用用数据等手段配合视版讲授教材内容.采用提问、讨论的形式进行互动，促进学生对知识点的掌握.主XM知识点3直拉单晶硅的制备1 .教学内容（1）真知单品硅的原辅料及主要设备：百拉单晶硅的原辅料介绍，包括靠原料、籽品、川娟等：口拉单晶硅炉和硅料清洗机的主要结构。（2）色拉电晶硅的生长技术：直拉单晶硅的工艺流程；直拉单晶硅的操作过程；拉速、温度曲线及相升速度的计算：弁常情况及处理方法,分析互拉总晶硅生产过程中可能遇到的安全问题.强化安全意识和贲住感.（3）其它比拉技术：主要有整控出拉技术、连续生长技术和液体湿盅宜拉技术.（4）直拉单品徒的掺杂：巴拉单晶硅的杂质分布规律：半存体掺杂种类和方式的选择及掺杂陋计必，2 .教学重点直拉单品辞炉的主要结构：宜拉地晶硅的工艺流程和操作过程：半导体掺朵种类的选择及掺杂量计算.3 .教学难点种晶温度的判断；烟升速哎的计算：半导体掺杂年计算，4 教学方案设计（含教学方法、教学手段）主要是讲授法,通过板书和多媒体结合的方式.以展示图片、引用数据等手段配合视领讲授教材内容，采用提问、讨论的形式进行互动,促进学生对知识点的掌握。通过单品珪在太阳能电池上的应用引导学生城立环保意识，强调可持续发展的重要性。5 题或知识点4多晶硅能性却D理论1 .教学内容（1）定向凝固生长原理：成分过冷理论和界面稳定动力学理论的介绍.通过定向凝固在高温合金中的应用实例一肮空涡轮叶片的制备及发展,培养爱国情怀及创新意识.（2）多品珪的定向凝固：多晶硅的平面凝固技术：定向凝固凝固界面形态的分析及利断：多品硅铸锭的晶粒尺寸分布。2 .教学筮点成分过冷理论和界面稳定动力学理论：多晶硅的平面凝固技术.3 .教学难点定向凝固凝固界面形态的分析及判断.4 教学方案设计含教学方法、教学手段）主要是讲授法，通过板书和多场体结合的方式，以展示图片、引用数据等手段配合视频讲授教材内容，采用提问、讨论的形式进行互动，促迸学生对知识点的掌握,主题或知识点5多晶硅能健1 .教学内容（1）多晶硅铸锭技术简介：多晶硅铸锭定向凝固生长方法,包括浇铸法、布里奇曼法、热交换法和电整精锭法.（2）铸锭的主要原辅料及设备：介绍铸锭用染料和地蜗：多品眯铸淀炉和坨塌喷涂设笛的结构及作用，（3多晶硅铸锭工艺：多晶硅锌锭工艺流程及具体操作步骤，2 .教学曳点多晶硅铸淀炉的结构及作用：多晶硅铸惶1.2流程及具体操作步骤.3 .教学难点无。4 1教学方案设计含教学方法、教学手段）主要是讲授法，通过板竹和多媒体结合的方式，以展示图片、弓I用数据等手段配合视频讲授教材内容.采用提问、讨论的形式进行互动，促进学生对知识点的掌握.学习多晶硅定向藤固安全规程，进行安全教育,培养具有社会货任感和职业使命感,富有工程素养的人才.主题或知识点6仲造多晶硅中的杂质1 .教学内容（1）铸造多晶硅中的氧:氧杂瓶的来源和浓度分布：多晶硅中氧的存在状态,包括间隙态、乳施主和朝沉淀.分析不同的狗存在状态对硅材料的影响,理解精益求精的工匠精神.（2）铸造多晶硅中的碳、缸和班：铸造多晶硅中碳、一和氢的来源、浓度和存在状态。（3）铸造多品珪中的金属杂质和吸杂：铸造多晶硅:中的金属杂旗的来源、形态及时材料性能的影响；佥属杂质的控制。（4）帏造多晶硅中的缺陷：铸造算晶硅的晶界和位错的特性及其对材料性能的影响，2 .教学曳点多晶硅中氧的存在状态：铸造多晶硅中碳、觥和级的来源：金属杂版的控制：铸造多品段的品界和位错时材料性能的影响。3 .教学难点铸造多晶硅中氧沉淀随温度的变化：铸造多晶硅中品界和位错的特性4 .教学方案设计含教学方法'教学手段）主要是讲授法，通过板书和多媒体结合的方式，以展示图片、引用数据等手段配合视领许授教材内容.采用提问、讨论的形式进行互动,促进学生对知识点的掌握.引导学生用本章内容分析生产中遇到的“枝晶”问题.提高学生工程素养,培养能为国家富强、社会进步做出贡献的技术人才.主题或知识点7硅片加工朦“科主要设备1 .教学内容（1）原铺料：传统砂浆切割及金刚线切割所用原辅料、包括能科、金刚缓、清洗剂等的简介：金刚线的分类和制备工艺流程.通过氧脆的事故案例强化安全意识,深入理解责任感“（2）切片主要设需；滚磨开方设需、清洗设备和切片设得的结构、作用及特点。2 .教学正点金刚战切割所用原辅料：佥刚线的制备工艺流程：滚磨开方设备和切片设密的结构和作用.3 .教学难点无.4 .教学方案设计含教学方法、教学手段）主要是讲授法，通过板书和多媒体结合的方式，以展示图片、引用数据等手段配合视频讲授教材内容，采用提问、讨论的形式进行互动，促迸学生对知识点的掌握。主题或知识点8硅片加工工艺1 .教学内容（I）单晶硅片切片工艺：单晶硅片加工的工艺流程和既作步骤；些单晶多线切割原理；单晶硅片清洗原理及过程；的晶硅片的检测、包装标准.（2）多晶硅片切片流程：多晶硅片切片生产流程.（3）硅片切割质量影响因素：金四城切剂过程对硅片质量造成影响的因素,包括钢城运动系统、冷却液系统、进刀机构、控制系统和设需机体的影响.（4）新型切割技术：电火花切割技术、利用级离子轰击的太阳能徒片工艺、碎片的剥离生产工艺、丝带状晶硅提拉技术等切割技术的介绍,通过硅片剥离工艺和带晶工艺的讲解，:网创新意识，培养科学思维能力.2 .教学受点单晶和多晶硅片加工的工艺流程：硅单晶多线切割原理：单晶硅片清洗原理：金刚线切WJ过程对硅片质量造成影响的因塔。3 .教学难点单晶徒片的板濯；金刚线切割过程对硅片质H造成影响的因索、4 .教学方案设计含教学方法、教学手段）主要是讲授法，通过板书和多媒体结合的方式，以展示图片、引用数据等手段配合视领讲授教材内容.采用提问、讨论的形式进行互动,促进学生对知识点的掌握.主愿成知识点9硅材料的表征1 .教学内容（I）硅锭的表征；硅棒的表征方法及原理，包括红外探伤、少子寿命泅试、P/N型测试和电阻率测成，（2硅片的农征：切片工序相关硅片参数的介绍：硅片参数检验，包括硅片导电类型、硅片电阻率和径向电阻率均匀性和硅片厚度和总厚度变化.涡流效应一方面可以用于进行探测和加热,如金城探测、电饭我等.另一方面会产生热量,出现能Ift畏失.体现了事物的两面性。（3）硅片自动分选机；硅片自动分选机的测收系统，包括厚度及总厚度变化模组、电阻率及导电类型模殂、雄艰模祖、的形裂纹模组等，2 .教学曳点硅锭和硅片的表征方法：硅片自动分选机的测量项目及原理.3 .教学难点硅院和硅片各表征方法的原理。4 1教学方案设计含教学方法、教学手段）主要是讲授法，通过板竹和多媒体结合的方式，以展示图片、引用数据等手段配合视频讲授教材内容.采用提问、讨论的形式进行互动，促进学生对知识点的掌握.引用工程实例培养学生的工程实践能力：通过珪片不良的分析培养学生精益求精的科学精神。主题或知识点10太阳能电池的制备1 .教学内容（1太阳能电池制备工艺：太阳能电池生产工艺流程：各工序的原理、原辅料及设备：黑硅技术.（2）太阳能电池的测试和分选：分选机自动分选介绍和装置：外观分选标准：硅片不良介绍.（3）新型裔效电池技术：各类新型结构晶体硅太阳能电池的介绍，包括N型双面电池、Hrr电池、IBC电池、PERC电池、Topcon电池和PO1.O电池.通过光伏发展路线图使学生了解光伏发展的现状，深化绿色环保及可持续发展理念，强调科技创新的史要性.2 .教学重点太阳能电池生产各工序的工艺流程和原理；累碎技术及新型太阳能电池技术；分送机自动分和外观分选标准：硅片不良。3 .教学难点黑硅技术及新型太阳能电池技术.4 教学方案设计（含教学方法、教学手段）主要是讲授法,通过板书和多媒体结合的方式.以展示图片、引用数据等手段把合视版讲授教材内容.采用提问、讨论的形式进行互动,促进学生对知识点的掌握.引入太阳能电池的前沿技术，强化民族自软感和,爱国精神.大、学生成货评定1 .课程考核方式及比例本课程考核学生获取知识的能力、应用所学知识分析问应和解决何超能力、实践动手能力和创新能力等：考核方式采用出勤、作业评测、课堂表现、平时阶段测验等多种形式、多个阶段等全过程的考核,使学生成绩评定更加合理多样,优化课程评价体系,进一步提升本课程教学效果，本课程总评成绩中，按平时成绩占50%,期末考试50%记入课程的总成绩，具体评定方式见成绩评定表。学生成绩评定表考核方式平时成绩期中考试期末考试作业课堂表现阶段测验答辩项目小论文实验成缢比例石1012820502 .爆程目标考核方式评价权本课程教学目标与考核方式评价权重.如我所示:课程教学目标与考核方式评价权重课程教学目标支撑毕业要求指标点考核评价方式权重<%)过程性考核实验期末考试合计课堂表现作业阶段测试教学目标I指标点2.34322IM422-25教学目标2指标点3.1433012-1522-25教学目标3指标点422I3I（>>1418-22教学目标4指标点5.2222158.1329-34合计1210820501003.成好价标准平时成绩评定及考核标准考核环节考核结果及标准评估项目及权重优秀<90-100分）良好（80-89分）中等（70-79分）及格(60-69分)不及格(<60分)课堂表现(12%)无迟到、早退、旷课现象.积极参加课堂讨论,并有自己独到的见解能够准确回答问题，并有自己独到的见解.偶尔有迟到、早退现象.较为积极参加课堂讨没，能助准确回答问题，并提出自己的见解,有迟到、早退现象.能蟾主动参加课堂讨论,能琳回答何明，有迟到、早退、偶尔有旷课现象。参与课堂讨论，塞本能回答相关问题.迟到、早退、Ir课较多.不能有效参Jjii课堂讨没，回答不出所有问题.作业（10%）能终独立完成作业，作业完成质Ift优秀，能艳灵活运用所学知识和理论解决同国并获得IE确结论。健铭独立完成作业，完成质St较商，能岭运用所学知识和理论解决何甥，井获出正确结论.能能独立完成作业，完成质朵符合要求，能铭运用所学知识和理论解决问题，并扶也有效结论.基本能终独立完成作业，部分胭目解答存在抄袭现象,运用所学知识和理论解决问咫的能力基本符合要求。不能独立完成作业，存在明显抄卷现象，不具备运用所学知识和理论解决问SS的能力.阶段测验(8%)完成所有阶段测验,根据参考答案评分.总评成绩为优秀.完成所有阶段测验,根掘参考答案评定分,总评成绩为优良。完成所有阶段测晓、根据参考答案评分总评成绩为中等,完成所有阶段测验,根据参考答案评分,总评成绩为及格。没有完成阶段测试，根据参号答案评分,总评成绩不及格.实验<20分)实脸报告他鲂独立完成，内容实验报告能蜂独立完成，内容实验报告能修完成，内容完整，实验报告基本能够独立完成,实验报告不能独立完成，存在抄完整，数据合理，数据处理正确，图表规范.能弊正确完成实验报告中提出的问遨，并对实睑中调到的问题进行深入的讨论.提出自己的见解。完整，数据合理，数据处理正倚，图表基本规范.能终完成实验报告中提出的问题，并对实险中遇到的问以迸行讨论，提出意见.数据基本合理,能够进行数据处理，图表基本规范.能步基本完成实验报告中中提出的问超.对实脸中遇到的何题诳行讨论，内容完整，数据图表齐全，葩本完成实验报告中提出的阿题。袭现象,报告中提出的问鹿没有或基本没有网答，课程教学目标评价标准考核环节考核结果及标准评估项目及权优秀（90-100分良好（80-89分）中等（7079分）及格（60-69分）不及格（60分）熟练掌握结晶掌握结晶和定熟悉结晶和定基本掌握结晶不能拿提结和定向凝固基向凝固基础理向凝固基础理和定向凝冏基品和定向凝础理论，并能论，并能运用论，并能运用础理论，并能固基础理运用结晶理论结晶理论分结晶理论分运用结晶理设论.不了解分析、解择品析、解心晶体析、解择晶体分析、解择品热场控制对体的生长过的生长过程。的生长过程。体的生长过晶体硅质量程.能够揭示能铭揭示热场了解热场控制程，知道热场的影响.不热场控制与品控制与晶体硅与晶体硅质fit捽制叮晶体硅能解释晶体体硅质量之间侦尿之间的关之间的关系。质之间的关硅中杂质的教学目标I的关系.拿提影响产品质量的主要因案.具有使用定向双同理论分析晶体硅中杂质的分布并对工2过程提出合理的意见或建议的能力.系，了解影响产品质盘的主要因索。可以使用定向凝固理论分析晶体硅中杂质的分布，尝试对工2过程提出较合理的意见或建议.可以使用定向凝固理论分析品体硅中杂质的分布，尝试对工艺过程提出意见或建议，系.通过定向抵周理论解科晶体硅中杂质的分布，分布.掌握直拉单晶熟悉真拉单晶熟悉且拉单晶了解E1.拉单晶不了解口拉硅、脩造多晶硅、桃选多晶硅、铸造多品硅、铸造多品单晶硅、铸硅的制符工艺珪的制备工艺碎的制备工艺硅的制得工艺造多品族的教学目标2及徒片切割工及硅片切割工及硅片切捌工及硅片切剂工制备工艺及艺,熟悉并能艺,能够选择艺，能够选择艺，知道生产硅片切割工弊选择合适的生产所需原材生产所需原材所需原材料及艺.不具有生产所需原材料及设备。明料及设品，地设备，茶本具分析实际生料及设备,具本具有分析、本具有分析实有分析实际生产问趣的能有分析、解决实际生产问题的能力.解决实际生产问题的能力.际生产向翘的能力。产问遨的能力。力.掌握半导体及掌握半导体及熟;悉半导体及了裤半导体及不了解半导太阳能电池相太阳能电池相太阳能电池相太阳能电池相体及太阳能关的基本知识关的基本知识关的基本知识关的基本知识电池相关的和原理，能够和原理，能够和原理，能助和原理，葩本菸本知识和通过半导体基通过半导体基通过半导体基能够通过半导原理,不能础知识分析、础知识分析、础知识分折太体基础知识分通过半导体设计、优化太优化太阳能电阳能电池的结析太阳能电池恭础知识分阳旎电池的结池的结构：熟构：熟悉太阳的结构：了解析太阳能电构：熟悉太阳悉太阳能电池能电池片的生太阳能电池片池的结构：教学目标3能电池片的生片的生产流程产«程及设的生产流程及不了解太阳产流程及设及设备.具备%.具备分析设备.能电池片的.具符对光解决电池片实电池片实际生生产流程及伏领域的狂杂际生产问遨的产问应的能设备.工程问跑进行分析、解决能力，具备解决电池片实际生产问电的能力.能力.力。掌握硅锭和硅熟怂硅锭和硅了解硅锭和建知道徒锭和徒不了解硅锭片的性能参片的性能参数片的性能参数片的性能参数和硅片的性数、测试原理和测试设备.和测试设备,和测试设备,能参数和测及设备，具备具备选绛、使具备选择、使能纾选择表征试设备，不选择、使用恰用代征手段的用表征手段的手段：能够运能选择表征当表征手段的能力：能师运能力：能够运用自动检测系手段：不能能力;能助运用自动检测系用自动检测系统对硅锭和硅运用自动检用自动检刈系统对硅馆和硅统对硅棍和硅片进行在线检测系统对硅统对硅锭和睢片进行在线检片进行在战检测。基本能够锭和硅片进教学目标4片进行在俄检测井分档.拿测井分档。熟悉硅晶体电阻测，能转遂行硅晶体电阻率迸行硅晶体电阻率测试、岛行在规检测.不能进握硅晶体电阻率测试、高纯测试、高纯水纯水制备等项行硅晶体电率测试、高纯水制备等JSF1.制备等项目的目的实验过阻率测试、水制备等项目的实验过程，实验过程，了程.知道影响高纯水制备的实验过程,了解影响设计解影响设计目设计目标和技等项目的实熟悉影响设计目标和技术方标和技术方案术方案的各种裟过程，不目标和技术方案的各种因的各种因素.因素.知道影响谀案的各种因乩计目标和技术方案的各种因素.七、教材、参考书目、聂文献以及课程网络费1建议教材：黄铁昆等主编.光伏硅晶体材料的制备、表征及应用技术.化学工业出版社，2020主要参考书：（1黄有志等主编.直拉单晶硅工艺技术（第二版）.化学工业出版社,2017（2）邓丰等主城.多晶硅生产技术.化学工业出版社,2009（3）康自卫等主弟.硅片加工技术.化学工业出版社,2010（4）张德宝等主编，碎材料电池原理及制造.科学出版社，2017（5）陈哲艮等主编.晶体硅太阳电池制造工艺原理.电子工业出版社，2017或要文献：（1材料导报（2）能源与节能（3新材料产业课程网络资源：（1）OFweek太阳能光伏网http:/so1.ar.ofweek.COez（2）北极星太阳能光伏网http;uanf（3）微信订阅号；光伏行研、光伏干货、光伏学习