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    HENENCKE培训资料分享.ppt

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    HENENCKE培训资料分享.ppt

    Hennecke分选机培训资料分享,Hennecke分选机个模组介绍,1、geometry:尺寸/翘曲测试模组(包含两种翘曲类型:Bow、sori)2、NVCD:隐裂、裂纹检测模组3、Stain:脏污检测模组4、Contour:崩边、缺角检测模组5、Saw mark:线痕检测模组6、E+H:TV、TTV、P/N、R(电阻率)检测模组,101 主控制服务器,Measuring server&PLC:1、模组屏蔽功能:Measuring server界面中ExtrasOptions Einstellungen stations 选择需要关闭的模组,将Activate(激活按钮)关闭点击SET按钮即可。2、模组状态查看:Measuring server界面中I/O Signals Analog I/O Show analog data(后面勾选上)chanel1、chanel2、chanel3分别对应E+H三个厚度探头状态,有硅片经过时,后面框内数值应接近与0。另外,此界面中Input框内00、07前面的选择项应全部选择上,说明各个模组正参与工作。3、E+H模组调试:正常状态下使用万用表直流档测试E+H模组控制柜上VASUE+GND电压值应该为0,不对时可以用螺丝刀调节右边黑色旋钮即可。(待续),E+H模组控制柜上BIO控制板,其中B215控制3个厚度控制板、B218是P/N导电型号控制板、B264是电阻率测试探头控制板,如有厚度模组异常故障,可以将B215中3个厚度控制板对换查看、排除异常情况。4、E+H模组电阻率校准:校准前需要将“Res.use temp使用温度常量”选择项选择上。zero point measuring 设置为90-120范围内,K1值可以设置为出厂值(如遇异常状态)、K2值常量为-2(不可以更换,是仪器定制参数),温度设置为23。5、PLC界面:server激活状态下点击空白处,出现的界面1、5对应上料台(测量模组)2、6对应一号下料台2、7对应二号下料台。7、PLC界面:server激活状态下点击server界面,Node模块中选择关闭对应三个模块,off/on:关闭/开启(可以用于模组故障解决)、Lamp:对应报警装置Bell、signal lamp、Box alarm Wafer quality模拟器:Simulation后面勾选择上,将硅片调至对应片盒,按顺序Class 硅片、片盒,可以将硅片跑至设定好的片盒中(该功能不常使用),102 Saw marks线痕测试模组,线痕未计算报警检查方式:1、查看图片(处于图中缺失部分,共计11张image图片)2、查看设备相关IP地址:camera camera options IP地址修改(注意不要改动)3、Node值(线痕修正):将待测硅片放置在探头底部,放置中心调节位置,打开四个相机进行测试。线痕模组校正:点击102线痕模组服务器中“A”operator Calibration for all wafer 框内值在校准时可以根据窗口的线痕值更改,use spline、use linefitt这两个选项平常需要打开,step wafer(阶梯状线痕片)时需要将这两个选项去除。注意:线痕校准时中心线要调节在线痕会合处测量,如有测量值与线痕值不相符,点击“A”operator Calibration all for wafer后面框内值,将实际数值调节与实际显示数值一致即可。“A”中maintenance后面不需要勾出及parmer参数不用改动。VisioBox左侧界面Waviness filter选择出,是提示图形线痕超标位置。线痕校准时需要VisioBox左侧界面Centerline选择出,是提示中心线选项。上述选择项等全部修改完成后,点击测量F3(重新计算):calculate image。,104 崩边、缺角测试模组,崩边、缺角调试、验证:1、首先明白分选机两条皮带间距60mm,调节模组时,用铅笔画出中心线和对边个30mm线,放置硅片在对应位置把界面viveimage(相机即时影像),点击Ctrl+C、Ctrl+D鼠标左键在硅片表面拉出一条线,查看曲线亮度数值是否在150。2、将硅片图形放大,查看边缘像素值,灰色部分是否在三个像素(如异常调节相机)。3、图形位置调节方法:、硅片在图形中上下偏离,点击101服务器PLC界面,打开service,点击下部空白处:TRIGGER Delay后面对应值来调节硅片图像上下位置、硅片在图形中左右偏离,调节相机顶部螺丝来查看图形是否正中。,105 Geometry尺寸、翘曲测试模组,尺寸测试及校正:1、visio Box左侧框内,将Wafer Size勾打上,Result框内出现数值,查看数据的准确性。2、校正时点击101服务器,点击PLC服务界面,Service激活后,点击空白处,选择06159 FLASH_MODE IDX_FLASH_MODE 3,正常测试状态选择06159 FLASH_MODE IDX_FLASH_MODE 2,回到105主界面中,将测试过的图形,选择Ctrl+A、B、C、D,、选择B-A或者D-C,将156000(B-A)值或者156000(C-D)值、例A=(Top+Bottom)值 2,156000 A=?输入“A”中的校正因子即可。翘曲测试及校正:1、校正时点击101服务器,点击PLC服务界面,Service激活后,点击空白处,选择06159 FLASH_MODE IDX_FLASH_MODE 4,校正时悬着8寸单晶晶圆片(在105中的图像),在“A”中bending Calibration选择上、Sori/Bow Equalisation内勾去掉,点击“OK”即可,查看左侧信息输出界面应都为零。2、校正方法:和上述一样Ctrl A、B、C、D两个差距值得出,利用片厚(156000)两个差距值=?得出结果输入border laster line 1、2,保存即可。,106 NVCD隐裂测试模组,隐裂模组调试:1、硅片到相机距离为285mm(在水平位置)2、单晶测量时Diagaram蓝色曲线要光滑圆弧形(用于验证)3、查看4个CCD间图形无阶梯4、单晶测试时,请关闭“Camera”中白平衡功能,具体路径:Camera options use flat fidd corection 勾去掉即可隐裂模组校正:1、Cracks areas 缺陷位置标注,delta值一般不用更改,RGB亮度在150(100-180范围内)2、使用156mm标准片,“A”Calibration parameters Calibration factor horizontal(横值)、vertical(纵值)一样,数值计算方法:156000(Top+bottom)值2,107 Stain脏污测试模组,Stain脏污模组调试:在“A”中Stain multiplication parameter(比例尺):100000,脏污两种类型:Bright Stain(亮的类型)和Dark Stain(暗的脏污)各个模组服务器图形保存界面介绍:1、mark defects(缺陷显示)、Stretch defects(完全显示)、A(参数显示)、Save image after snapshot(保存图像类型),Hennecke分选机各模组参数设置,1、尺寸模组:“A”中Cabliation parameles校正因子更改:100 125 156 三组更改即可。尺寸、对角线测量异常:“A”Geomety dagnad 前一个(对角线计算)边缘部分测量(对角)2、Chip/Breakage:“A”目录中、Horizontal Chip/breakage垂直方向下都是尺寸图形位置像素值,测出不同像素值说明异常(崩边、缺角等异常)Veritical chips/breakage 水平方向和上部内容一样 RGB值正常150左右,如小于78时就需要更换光源“A”选择BOW(翘曲)Sori/BOW Transter(2 Values)(框内计算公式)增加至公式“计算方法”即可。,Hennecke分选机各模组参数设置,1、NVCD隐裂模组:“A”中Cabliation parameles校正因子要一致。2、SAW Marks线痕模组:Connected 线痕四个窗口顶部目录是否连接上,检查ID地址。3、Edge模组:Calibration Chips areas“对应硅落小检测不出”单晶:“A”Hodes surfac defects(单晶穿孔测试)X step、Y step 框内值需要改动,查看测试图像缺陷亮度,“A”中Open 文件夹,单多晶测量文件切换,Edge模组在单晶测试时气孔一定要开,其余可以正常打开。4、E+H模组:标准温度值:23,一般范围20-25,温度每升高一度,电阻率测量值会产生-0.7%的偏差。,Hennecke分选机结果简代码,1、TH:厚度 2、TV:TTV 3、SM:Sam mark 4、S:BOW(翘曲)5、CH:Chips(崩边)6、BR:Breskage(缺角)7、HO:Holes(穿孔)8、CR:Cracks(裂纹)9、GL:Glue(胶水)10、NC:Non Visible Cracks(隐裂)11、IN:Inclusions(杂质、硬质点)12、SI:Size(尺寸)13、DS:Diagonal Size(对角、尺寸线)14、CL:Chamfer Length(倒角长度)15、RE:Resistivisty(电阻)16、SC:Stain(脏污),

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