项目一思政案例:科技报国使命担当-电子技术的发展.docx
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项目一思政案例:科技报国使命担当-电子技术的发展.docx
科技报国,使命担当一一电子技术的发展【出镜1】电子技术是研究电子器件及电子器件应用的一门学科。电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术.二十世纪发展最迅速,应用最广泛,称为近代科学技术发展的一个重要标志。这一发展也使得社会生产力和经济获得了空前的发展。现在的世界,电子技术无处不在.可以说,人们现在生活在电子世界中.一天也离不开它。觇代电/注1:画面呈现.收音机、彩电、机器人等画面子技术在国防、科学、工业、医学、通讯及文化生活等各个领域中也都起着巨大的作用。一、电子技术发展史打开电子技术发展的历史卷册,我们从时间的维度上来看一下电子技术发展的状况。中国是最早发现电、磁的国家,我国在十一世纪就发明了指南针,在宋代沈括所著的梦溪笔谈中有“方家以磁石磨针锋,则能指南,然常微偏东,不全南也”的记载。1785年库仑对电荷的定量研究,通过实验确定电荷间的相互作用力;库仑(右)使用校正过的扭秤(左)测量带电物体间的作用力图片来源WikimediaCommons之后,奥斯特、安培、欧姆、法拉第等人对电磁现象做了进一步深入研究,为后续电子技术的发展奠定了理论基础(不念,画面显示。1820年奥斯特发现电流对磁针产生力的作用,同时安培确定了通电线圈产生磁场;1826年欧姆通过实验提出欧姆定律;1831年法拉第发现电磁感应现象;1833年楞次确定楞次定则;1834年雅可比制造出世界上第台电动机:1844年楞次与焦耳分别确定了电流热效应定律(焦耳一楞次定律);安培奥斯特法拉第1865年麦克斯韦提出电磁波理论:1888年赫兹通过实验获得电磁波:七年后他们彼此独立的分别在意大利和俄国进行通信实验,为无线电技术的发展开辟了道路。1904年弗莱明发明电子二极管;1906年德弗雷斯发明电子三极管;1946年第一台电子计算机。为电子技术的发展奠定了基础。1948年美国贝尔实验室发明晶体管。树立了早期电子技术上最重要的里程碑。分立兀件阶段晶体管时代(19481959).受-宇宙空间的探索即将开始j主要大事记1947年贝尔实验室的巴丁、布拉顿和科克莱研制成第一个点接触型晶体管1948年贝尔实验电的香农发表信息论的论文英国采用EDSAC计算机,这是最早的一种存储程序数字计Ir机1949年诺伊曼提出自动传输机的概念1950年麻省理工学院的格雷斯特研制成磁心存1器1952年美国爆炸第一颗氢弹1954年贝尔实验室研制太阳能电池和单晶琏1957年苏联发射第一颗人造地球卫星1958年美国得哀麴仪器公司和仙童公司宣布研制成第一个集成电路1958年第一个集成电路面世。自1958年第一块集成元件问世以来,集成电路已经跨越了小、中、大、超大、特大、巨大规模几个台阶,集成度平均每2年提高近3倍。集成度的提高,使得器件尺寸不断减小。集成电路阶段I自1958年第块集成元件问世以来,集成电路已”跨越小、中、大、植大、特大、巨大规模儿个台阶,集成度平均每2年提高近3倍。随着集成度的H期«*集成度(元件量)50年代末小展模鬃成电Ie(SSD10060代tWJ>OtSD100070年代大规模鬃14电路131)>1070斯代京'、超大规模集成电扁(VLSI)10000k提高,器件尺寸不断减80癖代特大规模集成电隔HS】)>100000小.1985年,1兆位ULSl的集成度达到200万个元件,器件条宽仅为1微米:1992年,16兆位的芯片集成度达到了3200万个元件,条宽减到0.5微米,而后的64兆位芯片,其条宽仅为0.3微米。二、中国电子技术的发展【出镜2】随着集成电路的高速发展,我国科技创新和发展取得令世人瞩目的成果,高铁让成千上万的中国人在铁轨上飞翔,高铁技术达到世界先进水平;国产华为崛起,销量超越苹果和三星:中国的移动支付水平震惊世界:C919研制成功标志着我国大型客机项目取得重大突破;“蛟龙”载人深潜霜创造了7000米的深潜纪录;“天宫”空间站是人类目前唯一在轨运行的空间站等等。这些科技成果都离不开计算机、离不开电子技术,也都离不开模拟电子技术的基础,更离不开老一辈科学家的前仆后继、不畏艰难、无私奉献。怖中国半导体事业的发展是从错单晶的研制开始的,最早始于中科院王守武先生等人。1954年,王老先生了解到新一代电子器件-半导体晶体管已在国外广泛应用,并预见到这一划时代的变革将会引起电子技术的一次新的革命。他亲手组建了我国第一个半导体研究室,组织领导了偌单晶材料制备的研究工作,于1957年底拉制成功了我国第一根错单晶,为新中国的半导体微电子技术的发展奠定了基础。1963年组建了半导体激光器研究组,研制过程中,为了解决一系列工艺技术难题,提高工艺成功率,经常通宵达旦形成了思考问题时用掌击嘴的习批注4:纪录片:科学先驱永铸丰碑王守武院 士诞辰百年纪念hups:WWwbilibiIvideoav795807406?VCLSOUrCe=633b900f9dldf0d6f42b8ae9dl3f4d95(03:59-04:45 ; 5:40-6:35)惯,无论在实验室还是家里,"吧吧”声经常不绝于耳。经过近一年的努力,终于研制成功了我国第只半导体激光潜。这是当时我国可与世界科技并驾齐驱的项目之一。为我国半导体光电子技术的发展奠定了基础。I王守武纪录片:httpso,6a1dc8aedee6dada【出镜3】还有王守武先生团队中的林兰英先生,正是因为她的加入,加快了错单晶从实验室到工业化生产制造的进程。林兰英纪录片:httpr1957年春,林兰英谢绝了美国公司的高薪挽留,毅然踏上了归国的路途。1966-1976年期间,他们通过林兰英在美国的一位朋友来中国做她的思想工作,林兰英谢绝了他们的好意,说:“我林兰英既然在20年前毅然回到了中国,20年后的今天,就更不会回到美国去了。”回国半年后,克服设备条件不尽人意的问题,不畏艰辛,拉制出我国第一根错单晶。之后,仅用一个月的时间就研制出n型和P型的错单晶各一公斤。北京电子管厂用这些错单晶,制造出新中国第一批次向市场销售的半导体收音机。作为新中国半导体材料领域最著名的开拓者和奠基人,在王守武、林兰英先生等人的带领下,中国第一代半导体人自力更生,发扬亮剑精神,不断取得了在半导体硅材料领域的研究成果,为新中国在I960年全面开展半导体硅器件的研制创造了先决条件。美多28Ag配线.由上海无线电博物馆提供出镜4正因为有着老先生们这一类有着满腔的爱国热情、强大的自信、持久的毅力、宽广的心胸的人,才有如今如雄狮般傲立一方的超级大国。年少时的王守武曾说过:“一定要大家尽责,大家负责。愿大家努力读书,努力前进。还愿将来努力救国,努力富国,努力强国。”所以,学好模拟虫子技术,学好各门专业课,并将其发展壮大,也是报效祖国的一种方式。