2023关键数字技术专利分类体系.docx

关键数字技术专利分类体系（2023）一、制定目的为贯彻落实加快发展数字经济相关部署要求，加强对关键数字技术专利规模、结构、质量的统计监测，助力数字经济关键核心技术攻关，推动数字技术成果转化，促进数字经济和实体经济深度融合，特制定本分类体系。本分类体系适用于对关键数字技术专利发展状况进行宏观统计监测，适用于各地方有关部门和社会各界结合实际需要开展相关产业专利统计分析工作。二、技术范围数字技术是数字经济发展的核心驱动力，加快突破关键数字技术，是推动数字经济健康发展的根基。本分类体系面向国家重大需求，瞄准新兴数字产业和前沿技术领域，重点选取人工智能、高端芯片、量子信息、物联网、区块链、工业互联网和元宇宙等七类关键数字技术，明确技术边界并划分技术分支（关键数字技术分支架构见附件1）,构建技术分支与国际专利分类的参照关系。三、编制原则（一）本分类体系以民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要知识产权强国建设纲要（20212035年）“十四五”国家知识产权保护和运用规划“十四五”数字经济发展规划等重要政策文件为指导。（二）以加强关键数字技术创新为导向。本分类体系综合考虑世界主要国家数字技术发展战略、产业政策及技术分类，参考数字技术相关标准规范，重点聚焦关键数字技术的核心领域，构建与专利衔接的分类体系，支撑关键数字技术知识产权保护，助力关键核心技术攻关。（三）以国际专利分类体系为对照基础。本分类体系采用国际专利分类与关键数字技术对照的架构，支撑相关领域全球专利统计数据库构建，满足相关数字技术专利统计监测需求，为开展专利统计国际比较奠定基础。四、结构和编码本分类体系包括人工智能、高端芯片、量子信息、物联网、区块链、工业互联网和元宇宙等7个专利分类体系表，采用线分类法将关键数字技术划分为3至5级技术分支。其中，人工智能包括人工智能硬件平台、人工智能通用技术、人工智能关键技术3个一级技术分支，下设14个二级技术分支，27个三级技术分支，共计44个；高端芯片包括半导体设备、半导体材料、芯片制造、封装测试、芯片设计5个一级技术分支，下设31个二级技术分支，49个三级技术分支，共计85个；量子信息包括量子测量、量子计算、量子通信3个一级技术分支，下设13个二级技术分支，26个三级技术分支，共计42个；物联网包括感知、通信、计算、安全4个一级技术分支，下设17个二级技术分支，34个三级技术分支，15个四级技术分支，共计70个；区块链包括核心技术和增强技术2个一级技术分支，下设7个二级技术分支，26个三级技术分支，3个四级技术分支，共计38个；工业互联网包括网络层、平台层、安全层3个一级技术分支，下设15个二级技术分支，54个三级技术分支，40个四级技术分支，共计112个；元宇宙包括沉浸式计算、WEB3.0、新型基础设施3个一级技术分支，下设13个二级技术分支，45个三级技术分支,79个四级技术分支，54个五级技术分支，共计194个J（相关关键数字技术分支架构见附件2-8）表1关键数字技术技术分支统方-表关键数字技术一级技术分支（个）二级技术分支（个）三级技术分支（个）四级技术分支（个）五级技术分支（个）合计（个）人工智能314270044高端芯片531490085量子信息313260042物联网4173415070区块链27263038工业互联网31554400112元宇宙313457954194合计2311026113754585将关键数字技术建立与国际专利分类的参照关系，经合并去重，共涉及国际专利分类表8个部、41个大类、117个小类、309个大组、705个小组。表2关键数字技术涉及的国际专利分类统计表关键数字技术国际专利分类：部（个）国际专利分类：大类（个）国际专利分类：小类（个）国际专利分类：大组（个）国际专利分类：小组（个）人工智能5244795153高端芯片42550113243量子信息413378076物联网416419826区块链2341637工业互联网4205013532元宇宙82259157364合计841117309705五、有关说明（一）本分类体系中各技术分支对应一个或多个国际专利分类，表示该国际专利分类下专利与所述技术相关。所述国际专利分类对应的关键词概述是对该分类的进一步限定，应结合实际在统计分析中使用。（二）一个国际专利分类可对应到一个或多个技术分支，表明该国际专利分类下专利与一个或多个技术分支相关。一件专利如对应两个以上技术分支，在汇总统计上一级技术分支专利时，应做去重处理。（三）国际专利分类号后加表示包括国际专利分类该层级及以下所有分类号。（四）本分类体系使用国际专利分类表（IPC2022）为参照基础。六、关键数字技术专利分类体系表（一）人工智能技术专利分类体系表技术分支编号技术分支名称国际专利分类关键词概述1人工智能硬件平台1.1智能芯片G06F3*、G06F8*、G06F9*>G06F11*.G06F12*.G06F13*、G06F15*、G06F16*>G06F17*、G06F21*、G06F30*、G06F40*、G06K7*、G06K9*、G06K17*、G06K19*、G06N*、G06T1*、G06T3*、G06T5*、G06T7*、GO6T11*.G06T15*>G06V*、G16B*、G16C*、G16H*、HoIL21*、H01L23*.H01L25*.HOIL27*、H05K1*、H05K3*智能集成电路、智能芯片、AI芯片、智能单片机、GPU、FPGA、ASIC、SOC芯片、类脑芯片、CPLD等1.1.1GPUG06F9*、G06N3*、G06T1*、G06T3*、G06T5*、G06T7*、GO6T11*.G06T15*GPU、图形处理器、图像处理器、视觉处理器、显示卡芯片、显卡芯片等1.1.2FPGAG05B19*.G06F7*、G06F9*、G06F11*.G06F40*、G06F13*.G06F15*.G06F17*.G06F30*.H03K19*FPGA、现场可编程逻辑器件、现场可编程门阵列、现场可编程逻辑门阵列等1.1.3ASICG06F*、H01L21*.H01L23*.H01L25*.H01L27*.H03K*,HO5K1*.H05K3*ASIC,专用集成电路、专用大规模集成电路、专用集成芯片、专用芯片等1.1.4类脑芯片G06N3*、G06F9*、G06F15*、G11C13*类脑芯片、类脑计算机、神经芯片、神经拟态、忆阻器等1.1.5NPUG06N3*、G06F9*、G06F15*NPU、神经网络处理器等2人工智能通用技术2.1机器学习G06F16*.G06F17*.G06F3027.G06K9*、G06N3*、G06N20*.G06N99*、G06V*机器学习、强化学习、深度学习、隐私计算、支持向量机、决策树、集成学习等2.1.1传统机器学习G06F17*.G06F3027.G06K9*、G06N3汰G06N20*、G06N99*、G06F16*、G06V*机器学习、支持向量机、决策树、K近邻算法、集成学习等技术分支编号技术分支名称国际专利分类关键词概述2.1.2强化学习G06F*、G06K*、G06N*、G06Q*、G06T*、G06V*、GlOL*增强学习、马尔科夫穆型、深度Q网络、策哮优化、多智能体系统、模仿学习、A3C算法等2.1.3深度学习G06K9*、G06N*、G06V*深度学习、深度神经网络、多层神经网络、卷积神经网络、循环神经网络等2.2知识图谱G06F16*、G06N*、G06Q*知识图谱、知识融合、知识提取、知识加工、本体论等2.3类脑智能计算G06N3*、H04L12*、G06F9*、G06F16*、G05B13*、G06N20*、G06K9*大脑模拟、神经计算、脑模型、人造生命、合成生活、虚拟生物等2.4量子智能计算B82Y10*、G02F2*、G05B19*、G06E1*、G06F*、G06N10*、G16B*、G16C10*、HOlL29*、HolL33*、H04B10/70超导量子处理器、离子阱量子处理器、硅基半导体量子处理器、光量子处理器、量子机器学习、量子算法、量子编程、量子比特、量子力学等2.5模式识别G06K9*.G06T7*.G06V*、A61B5*模式识别、模式分类、模式聚类、信号模式出别、对象识别、客体话别等2.6群体智能B23P6*、B23P9*、B23P23*、B25J9*、B60W30*.B64C*、B64D*、B64G1*GOlC*.GOlS*,G05B*、G05D*、G06F*、G06K*、G06N*、G06Q*、G06T*、G08G*、H02J*、H04B*、H04L*、H04N*、H04W*蚁群算法、粒子群算法、蝙蝠算法、狼群算法、果蝇算法、社会模拟、虚拟世界等2.7混合智能B23Q15*、B23Q16*、B23Q23*、B25J11*、G06N*、G06K9*、G06Q*、G06T*、GlOL*生物智能、机器智能、宠物机器人、人形机器人等3人工智能关键技术3.1自然语言处理G06F16*、G06F40*、G06K9*、G06N3*、G06N5*、G06V30*语义处理、机器翻译、字符识别、语法分析、词频统计、分词、知涉图谱、自然语言查询、机器问答等技术分支编号技术分支名称国际专利分类关键词概述3.1.1机器翻译G06F16*、G06F40/40、G06F40/42、G06F4044.G06F40/45、G06F40/47、G06F40/49、G06F40/51、G06F40/53、G06F40/55、G06F40/56、G06F40/58、G06K9*.G06V30*自动翻译、智能翻译、语言转换器、直译楹译、规则式翻译、中介语式翻译、机器翻译、神经网络机器翻译等3.1.2语义理解G06F16*、G06F40/30、G06F40/35、G06V2040.G06V30/262语义识别、语义分析、语义检索、语义分割、语义分类、语义融合等3.2智能语音G06K9*.G01C2136.G10L13*.G10L15*>GlOLI7*、G10L25*语音传感、语音识别、语音合成、声纹识别、语音检索、语音控制等3.2.1语音识别G10L15*.G10L17*.G01C21/36语音导航、声纹识别、语音编码解码、语音增强、语音分类、语音检索等3.2.2语音合成G10L13*.G10L19*.G10L25*xG06K9*波形拼接、神经声码、文语合成等3.3计算机视觉GoISI3*、G06F2132.G06K9*、G06N3*、G06N5*、G06N7*、G06N20*、G06T*、G06V*图像传感、图像识别、图像生成、图像增强、图像检索、图像检测等3.3.1图像识别G06K9*、G06T*、G06V*图像辨别、图像分类、图像提取、图像聚类、图像匹配、图像语义分割等3.3.2图像增强G06K9*、G06T3*、G06T5*、G06V10*.G06V30*图像锐化、图像对比度、图像动态范围、图像滤波、图像校正、图像标准化等3.3.3图像生成GO6T11*.G06T13*.G06T15*.G06T17*.G06T19*图像合成、图像生成式对抗网络、动画制作、图像重建等3.4生物特征识别A61B5*、B60W40/08、B60W40/09、G06F8*、G06F16*.G06F21*、G06K9*、G06N3*、G06V10*、G06V20/59、G06V40*、G1OL15*、G10L17*.G16B20*、G16B25*、G16B30*、G16B35*、G16B40*指纹识别、人脸识别、虹膜识别、声纹识别、DNA识别、行为特征杂别、动静脉识别、活体检测等3.4.1指纹识别G06K9*、G06F21/32、G06V40/12、G06V40/13、G07C9/00、G07C9/25、G07C937.H04L9/40指纹输入、指纹提取、指纹分类、指纹验证等3.4.2人脸识别G06K9*、G06F21/32、G06V40/16、G07C9/00、G07C9/25、G07C9/37、H04L9/40面部捕获、面部提取、面部识别、表情识别、人脸验证等3.4.3虹膜识别G06K9*、G06F21/32、G06V40/18、G06V4019.H04L9/40虹膜检测、视网膜检测、虹膜验证等技术分支编号技术分支名称国际专利分类关键词概述3.4.4声纹识别G06F21/32、GloLI5*、G1OL17*、G10L25*、H04L9/40声音识别、声纹辨认、声纹拼接、声纹波形等3.4.5DNA识别C07K*、C12Q*、G01N33*、G06F21/32.G16B*、H04L9/40DNA检测、DNA编解码、DNA比对、DNA鉴定、DNA鉴定等3.4.6行为特征识别B60W40/08、B60W40/09、G06F3/01、G06F21/32、G06K9*、G06V20/40、G06V2059.G06V40/20动作捕捉、动作识别、行为监控等3.5增强现实(AR)/虚拟现实(VR)A63F13*、G02B27/01、G06F3/01、G06K9*、G06Q30*、G06T15*、G06T17*、G06T19*、G06V20*、H04N13*、H04N21/472、H04N21/478.G16B*虚拟现实、增强现实、头戴显示器、智能眼镜、虚拟交互、虚拟游戏、虚拟购物等3.5.1增强现实(AR)A63F13*、G02B27/01、G06F3/01.G06F9/44、G06F9/451、G06K9*、G06T15*、G06T17*.G06T19*>G06V2020>H04N13*.H04N21/472.H04N21/478.G16B*增强实境等3.5.2虚拟现实(VR)A63F13*、G02B27/01、G06F30KG06K9*、G06T15*.G06T17*.G06T19*>G06V20*.G06Q30*、H04N13*、H04N21/472、H04N21/478.G16B*虚拟实境等3.6人机交互A63F13*、G06F3/01、G06F3/02、G06F3033.G06F30338.G06F3/0346.G06F30354.G06F30362.G06F3/038.G06F3/041、G06F3042.G06F3/043.G06F3/044、G06F3045.G06F3/046.G06F3047.G06F3048.G06F3/048UG06F3/04812、G06F3/04815、G06F3/04817、G06F3/0482、G06F3/0483、G06F3/0484、G06F3/04842、G06F3/04845、G06F3/04847、G06F3/0485、G06F3/04855、G06F3/0486、G06F3/0487、G06F3/0488、G06F3/04883.G06F3/04886、G06F3/0489、G06F3/04892、G06F304895.G06F8*、G06F944.G06F9/451、G10L13*.G10L15*.G10L17*人机交互、眼动跟踪、眼球追踪、视觉轨迹跟踪、头部轨迹跟踪、数据手套等3.6.1语音交互A63F13/215、A63F13/424、A63F13/54、B60W50/08、B60W50/10、B60W50/12、IIW14、OHWI6、GKI»语音交互、语音唤醒、语音提示、人机对话、声音分析、语音输入等技术分支编号技术分支名称国际专利分类关键词概述3.6.2体感交互63B71*、A63F13*、B60W50/16、G05B19*、G06F301.G06F3048.G06F3/0481.G06F3/04812、G06F3/04815、G06F3/04817、G06F3/0482、G06F3/0483、G06F3/0484、G06F3/04842、G06F3/04845、G06F3/04847、G06F3/0485、G06F3/04855、G06F3/0486、G06K9*、G06N3*、G06T*、G06V40*、G09B5*、H04N21*体感交互、动作捕捉、动作感知、姿态捕捉、姿态感知、触觉反馈等3.6.3手势交互G06F3/01、G06F3048.G06F3/0481.G06F3/04812、G06F3/04815、G06F3/04817、G06F3/0482、G06F3/0483、G06F3/0484、G06F3/04842、G06F3/04845、G06F3/04847、G06F30485.G06F3/04855、G06F3/0486、G06F3/0487、G06F3/0488、G06F3/04883、G06F3/04886、G06F3/0489、G06F3/04892、G06F304895.G06V40/20手势跟踪、手势识别、手部姿态等3.6.4脑机交互A61B5*.G06F301.G06K9*脑机交互、脑机接口、植入式脑机、非植入式脑机等（二）高端芯片技术专利分类体系表技术分支编号技术分支名称国际专利分类关键词概述1半导体设备1.1光刻机G03F*、HOlL*.H05G2*>H05K3*EUV光刻、极紫外光刻、浸没光刻、ArFi光刻等1.1.1EUV光刻机G03F7/00、G03F7/20、G03F7/207、G03F7/213、G03F7/22、G03F7/23、G03F724>H01L21027.H01L21/033.U01L2131.H01L21312.H01L21/47.H01L41/332、H05G2*、H05K3/06、H05K3/07EUV光刻、极紫外光刻1.1.2浸没式光刻机G03F7/00、G03F7/20、G03F7/213、G03F7/22、G03F7/23、G03F7/24、HOI/027、H01L21/033、H01L21/31、HOlL21/312、H01L2147.HoI/332、HQ5G2*、H05K306.H05K3/07浸没式光刻、ArFi光刻技术分支编号技术分支名称国际专利分类关键词概述1.2离子注入机H01J37317.H01J3732.HO1L21/265.HO1L21/266.H01L21425.HO1L21/426.H01L21/67、C23C14/48、C30B31/22、QWaCll皿/22低能大束流离子注入、超浅结大束流离子注入、高能离子注入、离子束流控制等1.2.1低能大束流离子注入机H01J37317.H01J3732.HO1L21/265.H01L21266.HolL21/425、H01L21/426.HOlL21/67、C23C1448.C30B31/22低能大束流离子注入、超浅结大束流离子注入、离子束流控制、离子能量控制等1.2.2高能离子注入机HOlJ37/317、HOlJ37/32、HOlL21/265、HOlL21/266、HoIL21/425、HOIL21/426、I101L2167.C23C1448.C30B31/22高能离子注入、百万电子伏特离子注入、离子能量控制等1.3刻蚀设备C23F4/00、G03F1/80、H01J37/20、H01J37305.H01J3732.H01L21/00.H01L21/02、H01L21/28、H01L21/30、H)II2173065、H01L2131.H01L21/311、H01L213213.H01L21336>H01L21/67.H01L21673.H01L21677>H01L21/68.H01L21683.HO1L21/687.H01L21/768.H01L29/78、H01L31/18、H01L33/00、H)II41/332、C23C1822.C09K13/00.C23F1/00干法刻蚀、等离子刻蚀、等离子体刻蚀、介质刻蚀、原子层刻蚀、ALE刻蚀、ALET等1.3.1干法刻蚀设备C23F4/00、G03F1/80、H01J37/20、H01J37305.H01J3732.H01L21/00.HOlL21/02、H01L213065.HolL21/311、HOlL21/3213、H01L2167.H01L21/673.H01L21677.H01L2168.H01L21683H01L21687>H01L21768.H01L31/18.H01L3300.H01L41332.C23C18/22.C09K1300>C23F1/00干法刻蚀、等离子刻蚀、等离子体刻蚀、介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等1.3.2原子层刻蚀（ALE）设备G03F1/80、H01J37/32、H01L21/28、HOI/30、HOl/3065、H01L213kH01L2131kH01L21/3213.H01L21/336、H01L2167.H01L2978.HO1L41/332.C23C18/22、C09K1300>C23F1/00原子层刻蚀、ALE刻蚀、ALET等1.4原子层沉积（ALD）浚备C23C16455.H01L2120.H01L21203>HOlL21/205、HolL21/285、HOlL21/36、H01L21363.H01L21365.H01L21/67原子层沉积、ALD技术分支编号技术分支名称国际专利分类关键词概述1.5CMP抛光机B24B29*、B24B37*、B24B41*、B24B47*、B24B55*、B24B57*、H01L21/00、HOlL21/02、H01L21/302.HOIL21/304、H01L21/306.、HOlL21/3105、HOlL21/321H01L21/66.H01L2167.HO1L21/768.H01L2146kHO1L41/337、CMP抛光、化学机械抛光1.6量检测设备BOIL*.B08B3*>G01B*G01L*G01N33*GOlRl*,G01R31*.G05D7*、G11C29*.HoIL21*、H01L23*晶圆测试、芯片镀膜/厚度测量、晶圆缺陷/颗粒监测、晶圆参数测试、功能测试、老化测试、探针测试等2半导体材料2.1大硅片C30B29/06、C01B33/02、B24B1*、B24B37/08、B28D5*、B28D5/04、C30B13*C30B15*>HOlL21/02、H01L21/3048英寸硅片、12英寸国片、18英寸硅片、8次寸晶圆、12英寸晶圆、18英寸晶圆、8英寸年晶硅、12英寸单晶硅、18英寸单晶硅等2.1.1300mm（12英寸）硅C30B29/06、C01B33/02、B24B1*、B24B37/08、B28D5*、B28D5/04、C30B13*C30B15*.H01L2102.H01L21/30412英寸硅片、12英寸晶圆、12英寸单晶硅2.2第四代半导体材料C30B29/04、C01G15/00、C30B29/16、C01B32/25、C30B29/38、C01F7/00、C01G3000.C01G15/00第四代半导体材料、超窄禁带材料、睇化锢、睇化修、超宽禁带材料、氧化钱、金刚石、氮化铝2.2.1金刚石C30B2904.C01B3225>H01L29/16金刚石2.2.2氧化钱(Ga23)C30B2916.C01G15/00氧化银、三氧化二稼2.3光刻材料G03F7/004、G03F7/008、G03F7/012、G03F7/016、G03F7/021、G03F7/022、G03F7/023、G03F7/025、G03F7/027、G03F7/028、G03F7/029、G03F7/031.G03F7/032、G03F7/033、G03F7/035、G03F7/037、G03F7/038、G03F7/039、G03F7/04、G03F7/06、G03F7/07、G03F7/075、H01L21/027、G03F7/09、G03F7/095、G03F7/105、G03F7/11.G03F7/115光刻胶、感光材料、正型抗蚀剂、负型抗蚀剂、光阻等技术分支编号技术分支名称国际专利分类关键词概述2.3.1EUV光刻胶G03F7/004、G03F7/008、G03F7/012、G03F7/016、G03F7/021、G03F7/022、G03F7/023、G03F7/025、G03F7/027、G03F7/028、G03F7/029、G03F7/031.G03F7/032、G03F7/033、G03F7/035、G03F7/037、G03F7/038、G03F7/039、G03F7/04、G03F7/06、G03F7/07、G03F7/075、G03F7/09、G03F7/095、G03F7105.G03F7lkG03F7/115EUV光刻胶、极紫外光刻胶、正型抗蚀剂、负型抗蚀剂、光阻等2.3.2ArF光刻胶G03F7/004、G03F7/008、G03F7/012、G03F7/016、G03F7/021、G03F7/022、G03F7/023、G03F7/025、G03F7/027、G03F7/028、G03F7/029、G03F7/031.G03F7/032、G03F7/033、G03F7/035、G03F7/037、G03F7/038、G03F7/039、G03F7/04、G03F7/06、G03F7/07、G03F7/075、G03F7/09、G03F7/095、G03F7105.G03F7lkG03F7/115ArF光刻胶、氟化氢光刻胶、正型抗蚀剂、负型抗蚀剂、光阻等2.3.3DSA材料C08F212*、C08F220*、C08F230*、C08F293*、C08G81/00、C08L53/00、G03F7/004定向自组装、DSA.嵌段共聚、聚苯乙烯-b、PS-b-PMMA、非极性、聚甲基丙烯酸甲酯等2.4先进制程掩膜版GO3F1*.HO1L21/027先进制程、先进制造工艺、IOnin节点、28nm节点、EUV掩膜版等2.5超高纯金属溅射靶材HOIL21/203、HOIL21/363、C23C14/34.H01J37/34高纯靶材2.5.1超高纯铜靶HO1L21/203.H01L21363.C23C14/34.H01J37/34高纯铜靶2.5.2超高纯锂靶H(HL21/203、H01L21363.C23C14/34.H01J37/34高纯粗靶2.6CMP抛光材料C09G1*、C09K3/14、H01L21/306、B24B3704.B24B29/02CMP抛光、化学机械抛光2.7湿电子化学品C01B15013.C01B1774,C01B17/90.C01B21/46、C01B25234.C01B7/07、C01C1/02、C01D1/28、C01D1/42、C07C2974.C07C2980.C07C407/00.C07C45/78、C07C45/79、C07C45/85、C09K13/00.CllD*湿电子化学品、超净高纯试剂、工艺化学品等技术分支编号技术分支名称国际专利分类关键词概述2.8电子特种气体C23C16*、C23F112.C30B25*、C30B29*、H01L21265.H01L21223.H01L21/20掺杂气体、外延气体、离子注入气体、光刻气体、刻蚀气体等2.9封装基板H01L23*.H01L3348.H01L31/048封装基板、封装载体等2.10引线框架H01L23/495引线框架3芯片制造3.1FinFET（鳍型场效应管）工艺HOlL21/336、HOlL21/28、H01L29/78.H01L2910.H01L29423.HolL21/8234、H01L218238.H01L27088>H01L27/092FinFET、鳍结构3.1.1SAQP（自对齐四重曝光）技术G03F700.H01L21/027SADP,双重图案、四重图案、多重曝光等3.1.2LELE（光刻-蚀刻-光刻-蚀亥IJ）技术G03F7/00、G03F1/00、G06F30/392、G06F30/398、G06F30/31、ID1L21/027、HOl/306硬掩膜光刻图案、1.ELE,版图拆分等3.1.3SingleFin（单鳍）技术H01L21336>H01L2128.H01L29/78.H01L2910.HolL29/423、HOIL21/8234、H01L218238.H01L27088.H01L27/092单鳍结构3.1.4FINFLEX（鳍灵动）技术H01L21336.H01L2128.H01L29/78.H01L2910.H01L29423.HO1L21/8234.HOIL21/8238、HOIL27/088、H01L27/092FINFLEX、鳍结构选择3.2全缘>(第硅>上艺而耗体工H01L21/762全耗尽绝缘体上硅、超薄绝缘体上硅、FDSOI等3.3GAAFET（环栅）工艺1101L21336、H01L21/8234、HOIL21/8238、HolL27/088、HOlL27/092、HolL29/78、HOIL21/28、HolL29/423GAA、环栅、纳米线、纳米片、多桥通道等3.3.1Nanowire（纳米线型）GAA工艺H01L21/336、H01L21/8234、HO1L21/8238.H01L27088.H01L27/092.H01L2978.HoIL21/28、H01L29/423纳米线环栅技术分支编号技术分支名称国际专利分类关键词概述3.3.2Nanosheet（纳米片型）GAA工艺H01L21/336、H01L21/8234、H01L218238.H01L27088.H01L27/092.HOlL29/78、HolL21/28、HOlL29/423纳米片环栅3.3.3MBCFET（Multi-Bridge-Channel多纳米片型FET）工艺HO1L21/336.H01L2910.HO1L21/8234,HOIL21/8238、HOlL27/088、HoIL27/092、HOlL29/78、HOIL21/28、HolL29/423纳米片堆叠、多桥通道3.3.4带状晶体管(RibbonFET)工艺H01L21/336、H01L21/8234、HoIL21/8238、HOlL27/088、HOlL27/092、HOIL29/78、HOIL21/28、HOlL29/423纳米带环栅3.4叉型片(Forksheet)工艺H01L21/336、H01L21/8234、H01L218238.H01L27088.H01L27/092.H01L2978.H01L2128.H01L29/423纳米梳、纳米叉、叉形栅极、介电墙等3.5CFET（互补型ComplementaryFET）工艺H01L218238.H01L27/092CFET>互补型FET、PMOS堆叠、NMOS堆叠等3.6HKMG工艺H01L2128.HolL21/822、H01L29/423.U01L29/43高K金属栅、高介电常数金属栅、HKMG.高K材料等3.6.1先栅（Gatefirst）工艺H01L2128.HolL21/822、H01L29/423.H01L29/43先栅、前栅、金属嵌入栅、金属嵌入多晶硅等3.6.2后栅（Gatelast）工艺H01L2128.HO1L21/822.H01L29/423.H01L29/43后栅、金属替代栅等4封装测试4.1倒装封装技术(Flip-Chip)B07C5*、GOIR31*、G02B642>G06F13*.G06F15*、G06F17*、G06F30*、G06F9*、G06N3*、HOlL*.H04L*倒装封装技术分支编号技术分支名称国际专利分类关键词概述4.2芯粒(Chiplet)封装技术B07C5*、GOlR31*、G02B642.G06F13*.G06F15*>G06F17*.G06F30*.G06F9*、G06N3*、H01L*、H04L*芯粒、Chiplet,小芯片、裸片互连、裸片封装、高密度互连4.32.5D封装技术