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    第15双极型半导体晶体管.ppt

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    第15双极型半导体晶体管.ppt

    HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,1.5 双极型晶体管的工作原理 1.5.1 双极型晶体管的结构 1.5.2 双极型晶体管的电流分配关系 1.5.3 晶体管的电流放大系数 1.5.4 晶体管的特性曲线 1.5.5 晶体管的参数 1.5.6 晶体管的型号,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,双极型晶体管是由两种载流子参与导电的半导体器件,它由两个 PN 结组合而成,是一种电流控制电流源器件(CCCS)。,晶体管英文称为Transister,在中文中称为晶体管或半导体三极管。晶体管有两大类型:一是双极型晶体管(BJT),二是场效应晶体管(FET)。,场效应型晶体管仅由一种载流子参与导电,是一种电压控制电流源器件(VCCS)。,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,图01.03.01 晶体管的两种结构,1.5.1 双极型晶体管的结构,NPN型,PNP型,这是基极b,这是发射极e,这是集电极c,这是发射结Je,这是集电结Jc,晶体管符号中的短粗线代表基极,发射极的箭头方向,代表发射极电流的实际方向。,双极型半导体晶体管有两种结构,NPN型和PNP型,见图01.03.01。,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,1.5.2 双极型晶体管的电流分配关系,双极型晶体管在制造时,要求发射区的掺杂浓度大,基区掺杂浓度低并要制造得很薄,集电区掺杂浓度低,且集电结面积较大。从结构上看双极型晶体管是对称的,但因工艺参数不同,发射极和集电极不能互换。,双极型晶体管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。若在放大工作状态:发射结加正向电压,集电结加反向电压。现以 NPN型晶体管的放大状态为例,来说明晶体管内部的电流关系。,1.5.2.1 晶体管内部载流子的运动,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,IEN,IEP,ICBO,IE,IC,IB,IBN,IE=IEN+IEP且IEN IEP,IC=ICN+ICBO ICN=IEN-IBN,IB=IEP+IBN-ICBO,注意图中画的是载流子的运动方向,空穴流与电流方向相同;电子流与电流方向相反。为此可确定三个电极的电流,ICN,图01.03.02 晶体管中载流子的运动,如何保证注入的载流子尽可能的到达集电区?,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,发射极电流:IE=IEN+IEP 且有IENIEP 集电极电流:IC=ICN+ICBO ICN=IEN-IBN 且有IEN IBN,ICNIBN 基极电流:IB=IEP+IBNICBO,1.5.2.2 晶体管电极电流的关系,所以,发射极电流又可以写成 IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN=(ICN+ICBO)+(IBN+IEPICBO)=IC+IB,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,1.5.3 晶体管的电流放大系数,1.5.3.1 三种组态,双极型晶体管有三个电极,其中两个可以作为输入,两个可以作为输出,这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态,如共发射极接法,也称共发射极组态,简称共射组态。晶体管的三种组态见图01.03.03。,图01.03.03 晶体管的三种组态,共发射极接法,发射极作为公共电极,用CE表示;共集电极接法,集电极作为公共电极,用CC表示;共基极接法,基极作为公共电极,用CB表示。,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,1.5.3.2 晶体管的电流放大系数,1.5.3.2.1 共基极组态直流电流放大系数,电流放大系数,一般来说是指输出电流与输入电流的比。由于组态不同,晶体管的输入电极和输出电极不同,所以对共基组态,输出电流是集电极电流IC,输入电流是发射极电流IE。定义集电极电流的主要部分ICN与发射极电流IE之比为共基极直流电流放大系数:,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,称为共基极直流电流放大系数。它表示最后达到集电极的电子电流ICN与总发射极电流IE的比值。ICN与IE相比,因ICN中没有IEP和IBN,所以 的值小于1,但接近1。由此可得:,IC=ICN+ICBO=IE+ICBO=(IC+IB)+ICBO,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,1.5.3.2.2 共发射极组态直流电流放大系数,对共射组态的电流放大系数,输出电流是集电极电流IC,输入电流是基极电流IB,二电流之比可定义:,称为共发射极接法直流电流放大系数。,因 1,所以 1。,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,1.5.4 晶体管的特性曲线,这里,B表示输入电极,C表示输出电极,E表示公共电极。所以这两条曲线是共发射极接法的特性曲线。iB是输入电流,uBE是输入电压,加在B、E两电极之间。iC是输出电流,uCE是输出电压,从C、E两电极取出。,输入特性曲线 iB=f(uBE)uCE=const 输出特性曲线 iC=f(uCE)iB=const,本节介绍共发射极接法晶体管的特性曲线,即,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图01.03.04所示。,图01.03.04 共发射极接法的电压-电流关系,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,简单地看,输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线,现讨论iB和uBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响,它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。为了排除uCE变化的影响,在讨论输入特性曲线时,应使uCE=const(常数)。,1.5.4.1 输入特性曲线,uCE的影响,可以用三极管的内部反馈作用解释,即uCE对iB的影响。,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,共发射极接法的输入特性曲线见图01.03.05。其中UCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当UCE1V时,UCB=UCE-UBE0,集电结已进入反偏状态,开始收集电子,且基区复合减少,IC/IB 增大,特性曲线将向右稍微移动一些。但UCE再增加时,曲线右移很不明显。,曲线右移是晶体管内部反馈所致,因该反馈很小右移不明显。输入特性曲线的分区:死区 非线性区近似线性区,图01.03.05 共射接法输入特性曲线,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,共发射极接法的输出特性曲线如图01.03.06所示,它是以IB为参变量的一族特性曲线。,图01.03.06 共射接法输出特性曲线,1.5.4.2 输出特性曲线,当UCE稍增大时,发射结虽处于正向电压之下,但集电结反偏电压很小,如 UCE 1 V、UBE=0.7 VUCB=UCE-UBE=0.7 V集电区收集电子的能力很弱,IC主要由UCE决定。,现以其中任何一条加以说明,当UCE=0 V时,因集电极无收集作用,IC=0。,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,运动到集电结的电子基本上都可以被集电区收集,此后UCE再增加,电流也没有明显的增加,特性曲线进入与UCE轴基本平行的区域。,当UCE增加到使集电结反偏电压较大时,如 UCE 1 V、UBE 0.7 V,图01.03.06 共射接法输出特性曲线,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,输出特性曲线可以分为三个区域:,饱和区iC受uCE显著控制的区域,该区域内uCE的 数值较小,一般UCE0.7 V(硅管)。此时 发射结正偏,集电结正偏或反偏电压很小。,截止区iC接近零的区域,相当iB=0的曲线的下方。此时,发射结反偏,集电结反偏。,放大区iC平行于uCE轴的区域,曲线基本平行等距。此时,发射结正偏,集电结反偏,电压UCE大于0.7 V(硅管)。,图01.03.07 输出特性曲线的分区,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,若考虑晶体管安全工作的因素,输出特性曲线还可以增加过电流区、过损耗区和过电压区:,图01.03.08 输出特性曲线的安全工作区,过电流区是集电极电流达到ICM和超过ICM以上的部分,此时,晶体管的电流放大系数 下降到规定值以下。,过损耗区由晶体管的集电极最大功率损耗值确定,是一条曲线,在曲线的上方功耗超标,晶体管将过热损坏。,过电压区由U(BR)CEO决定,超过该值,易造成晶体管击穿损坏。,曲线中间部分安全工作区。,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,晶体管的参数分为三大类:直流参数 交流参数 极限参数,1.5.5.1.1 直流电流放大系数,1.5.5.1 直流参数,对共射组态的直流电流放大系数,输出电流是集电极电流ICQ,输入电流是基极电流IBQ,二电流之比可定义:,1.5.5 晶体管的参数,1.5.5.1.1.1 共发射极组态直流电流放大系数,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,在放大区基本不变,在共发射极输出特性曲线上,通过垂直于X轴的直线(uCE=const)来求取IC/IB,如图01.03.09所示。在IC较小时和IC较大时,会有所减小,在放大区的中间部分直流电流放大系数因输出特性曲线平行等距,基本是常数。,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,显然 与 之间有如下关系:,称为共基极组态直流电流放大系数。它表示最后达到集电极的电子电流ICN与总发射极电流IE的比值。ICN与IE相比,因ICN中没有IEP和IBN,所以 的值小于1,但接近1。根据定义可得出:,1.5.5.1.1.2 共基极组态直流电流放大系数,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,因 1,所以 1。,同样可以推导出 和 的关系:,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,1.5.5.1.2.1 集电结反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极,O是Open的字头,代表第三个电极E开路,它相当于集电结的反向饱和电流。,1.5.5.1.2.2 穿透电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系:ICEO=(1+)ICBO ICEO相当基极开路时,集电极和发射极间的反向饱和电流,即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。如图所示。,1.5.5.1.2 极间反向电流,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,在放大区 值基本不变,可在共射接法输出特性曲线上,通过垂直于X 轴的直线求取IC/IB。见图01.03.10,在工作点附近求IC和IB,即可得到。,图01.03.10 在输出特性曲线上求,1.5.5.2 交流参数,1.5.5.2.1 交流电流放大系数1.5.5.2.1.1 共发射极组态交流电流放大系数,Q,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,1.5.5.2.1.2 共基极组态交流电流放大系数,1.5.5.2.2 特征频率fT 晶体管的 值不仅仅与工作电流有关,而且与工作频率有关。由于结电容的影响,当信号频率增加时,晶体管的 值将会下降。当 下降到 1 时所对应的频率称为特征频率,用fT表示。,当ICBO和ICEO很小时,、,可以不加区分。,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,1.5.5.3.1 集电极最大允许电流ICM,如图01.03.11所示,当集电极电流增加时,就要下降,当 值下降到线性放大区 值的7030时,所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。,1.5.5.3 极限参数,图01.03.11 值与IC的关系,至于 值下降多少,不同型号的晶体管,不同的厂家的规定有所差别。可见,当ICICM时,并不表示晶体管会损坏。,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,集电极电流通过集电结时所产生的功耗 PCM=ICUCBICUCE,因发射结正偏,呈低阻,所以功耗主 要集中在集电结上。在计算时往往用UCE 取代UCB。,1.5.5.3.2 集电极最大允许功率损耗PCM,图01.03.08 输出特性曲线的安全工作区,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,反向击穿电压表示晶体管电极间承受反向电压的能力,其测试时的原理电路如图01.03.12所示。,U(BR)CEO,U(BR)CBO,图01.03.12 晶体管击穿电压的测试电路,U(BR)CES,U(BR)CER,1.5.5.3.3 反向击穿电压,U(BR)EBO,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,1.U(BR)CBO发射极开路时的集电结击穿电压。下标BR代表击穿之意,是Breakdown的字头,CB代表集电极和基极,O代表第三个电极E开路。,2.U(BR)EBO集电极开路时发射结的击穿电压。,3.U(BR)CEO基极开路集电极和发射极间的击穿电压。,U(BR)CBO,U(BR)CEO,对于U(BR)CER表示BE间接有电阻,U(BR)CES表示BE间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系 U(BR)CBOU(BR)CESU(BR)CERU(BR)CEOU(BR)EBO,U(BR)EBO,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,1.5.5.4.1 温度对ICBO的影响,ICBO是晶体管集电结反向饱和电流,由少数载流子形成。所以,在一定的温度和不发生反向击穿的条件下,ICBO是常数,不随反向电压的增加而增加。,但是温度升高以后,半导体的本征激发增大,漂移电流增大,ICBO随之增大。可以证明,温度每升高10,ICBO增加约一倍。反之,温度降低时,ICBO也随之降低。,由于硅晶体管的ICBO比锗晶体管的小很多,所以,硅晶体管的温度稳定性要优于锗晶体管。例如小功率硅管的 ICBO约为10nA1A;锗管的 ICBO约为10 A1mA。,1.5.5.4 温度对晶体管参数的影响,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,1.5.5.4.2 温度对输入特性曲线的影响,温度对双极型晶体管输入特性曲线的影响,与温度对PN结的影响类似。当温度升高时,正向特性将向纵坐标移动,大约温度每增加1,uBE的绝对值减小22.5mV。换言之,若UBE不变,温度的升高,iB将增加。,20,50,UBE1,UBE2,IB,图01.03.14 温度对输入特性的影响,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,1.5.5.4.3 温度对输出特性曲线的影响,晶体管的输出特性曲线在温度升高后将向上方移动,升温后有如下后果:,1.曲线上移后,穿透电流 ICEO增加;,2.曲线上移后,相同的基极电流变化量IB得到的IC,温度高的大于温度低的,IC IC,3.晶体管的电流放大系数增加,4.综观温度对晶体管的影响,最终都归结到使IC变化。,图01.03.15 温度对输出特性的影响,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,国家标准对半导体三极管的命名如下:3 D G 110 B,第二位:A锗PNP管、B锗NPN管、C硅PNP管、D硅NPN管,第三位:X低频小功率管、D低频大功率管、G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管,用字母表示材料,用字母表示器件的种类,用数字表示同种器件型号的序号,用字母表示同一型号中的不同规格,三极管,1.5.6 晶体管的型号,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,双极型晶体管的参数,注:*为 f,U(BR)CBO,U(BR)CBO,U(BR)CBO,HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,图01.03.13(a)小、中功率晶体管图片(金属圆壳封装),HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,图01.03.13(b)小、中功率晶体管图片(塑封),HIT基础电子技术电子教案-双极型半导体晶体管,图01.03.13(c)大功率晶体管图片,

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