第3章双极晶体管4.ppt

3.4 晶体管的反向特性及基极电阻,反向截止电流：增加器件的空载功耗，对放大无贡献，越小越好击穿电压：反映晶体管耐压能力，越高越好基极电阻：增加器件功耗，越小越好,3.4 晶体管的反向特性及基极电阻,3.4.1 晶体管反向电流一、定义晶体管某二个电极间加反向电压，另一电极开路时流过管中的电流称其反向电流。1、IEBO：集电极极开路，发射极与基极间反偏，流过发射结的电流。2、ICBO：发射极开路，集电极和基极间反偏，流过集电结的电流。3、ICEO：基极开路，发射极和集电极间反偏，流过发射极和集电极的电流。,3.4 晶体管的反向特性及基极电阻,反向电流由工艺与材料决定，与工作温度相关,3.4 晶体管的反向特性及基极电阻,3.4.2 晶体管反向击穿电压晶体管某一极开路，另二极之间所能承受的最大反向电压即为晶体管反向击穿电压BVebo：集电极开路 发射极基极间 反向击穿电压BVcbo：发射极开路 集电极基极间 反向击穿电压BVceo：基极开路 发射极集电极间 能承受的最高反向电压,BVebo，一般情况下eb结正偏，20V以内。BVcbo，由集电区的掺杂浓度决定,一般要求高。BVc e0，与BVcbo有联系。,BVce0小于BVcb0；,3.4 晶体管的反向特性及基极电阻,3.4.3 基极电阻,3.4 晶体管的反向特性及基极电阻,3.4.3 基极电阻,r=rb1+rb2+rb3+rbc。rb1发射区下面的基区电阻，rb2发射极和基极之间的电阻，rb3基极电极下面的电阻，rbc基极电极与半导体表面的接触电阻。,3.4 晶体管的反向特性及基极电阻,rb1,dx薄层电阻,dx薄层内消耗的功率:,3.4 晶体管的反向特性及基极电阻,降低基极电阻？（1）减小发射区宽度Se、基区宽度Sb、发射区与基区之间距离Seb、增加条的长度Le，但受到工艺条件的限制。（2）增加发射极条的数目n，但受到面积限制，条数越多，需要的基底面积越大。（3）降低基区方块电阻，可以通过提高基区杂质浓度，但这样会降低发射效率。,3.5.BJT交流小信号特性,输入电压,集电极输出电流：,电压、电流随时间变化，使晶体管的pn结势垒电容和扩散电容充放电。,发射极交流电流：,基极电流：,交流情况下，同样大小的发射极电流，由于基极电流增大，会使得输出电流减小，电流放大系数降低。,3.5.BJT交流小信号特性,放大系数的分贝表示：,共基极截止频率,共射极截止频率,特征频率,