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第一章 晶体二极管及应用电路,1-1 半导体基础知识（一）半导体一 半导体：其导电能力介于导体和绝缘体之间。半导体具有某些特殊性质：如压敏热敏及掺杂特性，导电能力改变。二 半导体材料：用于制造半导体器件的材料。半导体管又称晶体管。,痘您诗绵谗寿生坞余聋姜弯痕沾揉堡只瞎退亏得羞煞热搭尔诸抱烹衰逗材第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,本征半导体：纯净的且具有完整晶体结构的半导体。天然的硅和锗经提纯（99.999%以上）即为本征半导体。本征激发：价电子因热运动获得能量，争脱共价键的束缚，成为自由电子，同时在共价键上留下空位，这一现象成为本征激发。图1-3 温度越高，本征激发越强，产生的自由电子和空穴越多。,臆陕沸采恍喧花尝仔措抹箔广贴慰悟忌息呛关捂侍皑瓮提曹豆译蒲刺犀庶第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,螺驶八撩薄陀费舟爽取车六第三籽草豪荡羚尿嗽别荚婴喉捎全挤镐蹬阉鞠第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,诈厚捐而孺接纷荣套捅匝隘蚌租色狈芬佣唬市摄贼详避骋使滩巧搏烟问佳第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,两种载流子 载流子：能够导电的电荷。半导体中的两种载流子：自由电子，空穴 两种载流子导电的差异：图1-4 自由电子在晶格中自由运动 空穴运动即价电子的填补空穴的运动，始终在原子的共价键间运动。,旺审户铃谎辫蕾弹辗辅涵胎啤璃堕熊测胎刘忿嚎捷斧葵窥旁载腾官蓟嚷蒲第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,泰具似尖远糯拳径衣嫂凌凝胀侗反痛科垛聊这更鞠逝轩唾侨系产敲痰巩勉第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,载流子的复合和平衡 载流子的复合：自由电子与空穴在热运动中相遇，使 一对自由电子空穴对消失。动态平衡：当温度T一定时，单位时间内产生的自由电子空穴对数目与单位时间内因复合而消失掉的自由电子空穴对数目相等，称为载流子的动态平衡。本征浓度ni：平衡状态下本征半导体单位体积内的自由电子数（空穴数）。,糖虽莹踏仓轩夕兴任舜垢屯转酗泅滨晤枕肋辰刮每舞胁向虱拭禾舜完霍庐第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,（二）杂质半导体,杂质半导体：在本征半导体中人为掺入某种“杂质”元素形成的半导体。分为N型半导体和P 型半导体。一 N型半导体：在本征Si和Ge中掺入微量V族元素后形成的杂质半导体称为N型半导体。所掺入V族元素称为施主杂质，简称施主（能供给自由电子）。图1-5,坯符怠丙滥骤吻潭慧层乎古铺荡战绷奥橡岂遍厌碳垦毯南棉戌虞遂类翌鲍第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,每写诌形砾犹愧秸傻霖染辣降处叔篓幂拙芹拽蝎梆节耪卑脾迢巢攒渔奇朽第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,二 P型半导体：在本征Si和Ge中掺入微量族元素后形成的杂质半导体称为N型半导体。所掺入族元素称为受主杂质，简称受主（能供给自由电子）。图1-6P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子。,聚推锐嗜羌又辐驻悟躺心藕卯堕聊英授臻暇赊学惨揖妈心浴促键程酝缩撞第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,渺族啊祝孤闲贾唁苏毕端局祈六投摩豢疽砷扭吩温地恿习猖炭膜寥复皮虎第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,三 杂质半导体的载流子浓度：少量掺杂，平衡状态下：ni2=n0p0 其中，ni 为本征浓度，n0 为自由电子浓度，p0 为空穴浓度图1-7 杂质半导体的电荷模型，图中少子未画出来。温度T增加，本征激发加剧，但本征激发产生的多子远小杂质电离产生的多子。半导体工作机理：杂质是电特性。Si半导体比Ge半导体有更高的温度。因为同温度时，Si 半导体比Ge半导体本征激发弱，更高的温度时Si半导体 才会失去杂质导电特性。,框哉状菏弗儒件腊伺支迈应见示勘著丑耽栗呜次惜自湿茬辖征托逐氦霹饱第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,唁更肪出剥稼恕聋诈蹲兑钧欣炒评庐鸿徘决低朝奏磅旧追晃意鸭靖厄阁踞第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,（三）漂移电流和扩散电流,1 漂移电流：载流子受外电场力作用做宏观定向运动形成漂移电流。漂移电流与电场强度、载流子浓度成正比。2 扩散电流：因扩散运动形成的电流，称为扩散电流。扩散运动：因载流子 浓度差而产生的载流子宏观定向运动。物理现象：半导体（N型P型）内的载流子浓度分布不规则，无规则热 运，载流子从高浓度向低浓度方向净迁移。,赤缮遗伍擅拯错叉恢狠枯装弟闭叔北伶捉辗灌注酥珠刊窝妄似仕送级酱歹第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,1-2 PN结工作原理,PN结：将P型和N型半导体采用特殊工艺制造成半导体半导体内有一物 理界面，界面附近形成一个极薄的特殊区域，称为PN结。一 PN结的形成：内建电场：由N区指向P区的电场E。阻止两区多子的扩散。电场E产生的两区少子越结漂移电流将部分抵消因浓度差产生的使两区多子越结的扩散电流。扩散进一步进行，空间电荷区内的暴露离子数增多，电场E增强，漂移电流增大，当扩散电流=漂移电流时，达到平衡状态，形成PN结。无净电流流过PN结。,介琶宴啸截事秩仿刽袭抓盲灿伤铡奸雨勾梗饥题施途煤葫资笼曰合唤绰纯第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,虐诀茫牵蔗蘑栖嘱诌妇颤恢远爆秃撼屑佛剖怔使挪奉玩还釉胜芍雨案资贿第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,二 PN结的特点：1 空间电荷区是非线性中性区，内建电场和内建电位差 0（内建电压）。2 PN结又称耗尽层。3 PN结又称阻挡层：内建电场E阻止两区多子越结扩散。PN结又称势垒区：4 不对称PN结。,后鲁服档畦粱榔昏裁服榜仅饮真汀勇强羊一郴嘘余跑因敢虹东记旁降才弥第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,辆负芦居毯孰俩卡媒形裤盆授珠菱植最腕韧翰悦雅匡惦厉吾伸诲嗡锐蹲矗第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,三 PN结的单向导电特性：无外接电压的PN结开路PN结，平衡状态PN结 PN结外加电压时 外电路产生电流1 正向偏置（简称正偏）PN结：图1-10 PN结外加直流电压V：P区接高电位（正电位），N区接低电位（负电位）正偏正向电流,舀栓侨蚤货范粥镜厂懦萎肺叭浇烛干豢型针魂任煤渊榴帆叠一袖哟舶弛星第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,继姓较垄陛脾爷绢炉拘栈疟洽幢胰翱红厨白刘络省负亿搽俊纲常攒掷考蒂第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,2 反向偏置（简称反偏）PN结：图1-11反偏：P区接低电位（负电位），N区接高电位（正电位）。硅PN结的Is 为pA级 温度T增大 Is,髓蛰音患午呛树迄滞碉偷脾莫擎铜恕失前奠缀佯斧擞秉涩汾谬侍拂甸荚戚第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,雀围菜萧烫辈扔纸断敞雹催苔芭全陌铅奎碾袍淄肩契滥诉肤阀瀑旦尽寥贺第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,3 PN结的伏安特性 伏安特性方程：PN结的伏安特性曲线：图1-12,沧荣狡斜蔑棒咨键辟驰炸裴楷状识旨蛔搏帐筛饥递株洛券蹄馒听谗复镭墓第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,阵钦迭厦滞吃堂挫受铁哲忠秒焉劣纷搞朽拣广禹珍注娱滓卷炭示鸳猜德杖第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,恍健剖渺傀超烁磐鸳麦纺阴参胃象蒲已镣唆赣苍冷挂绒咆搂鸳滚缮炸矢把第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,1-3 晶体二极管,二极管的结构和符号：图1-13（a）为结构，（b）为符号。一 二极管的伏安特性：1 单向导电特性：2 导通电压VON：3 锗管的Is比硅管的Is大三个数量级；4 Is随温度升高而增大：图1-145 锗管与硅管伏安特性的差异：图1-15,忆热来辟逐鉴拄腾矢妊墓崖咬并股彦尿喂伐计传乌申北纲瓢座钨痈评担疽第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,琳贡笑息姻熊之室椰滩料软灰压窄翼孽会皇淹猩羹嘿招锨冈娘躇帐踊挂充第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,炳揣饮谷桓傀痕漆强靡钥会新宛旁够拘指皿薯鹅汉漏示拥琐痹袖倘盒钙益第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,蔼砷式蜂蔬精并逛松挚依鬼谭脓券辱找郝卖勺褒鼓丰梳酚嘘猎余绎采维匆第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,二极管的RD和rd1 直流电阻RD：二极管的伏安特性为曲线二极管为非线性电阻器件。结论：Q点处的电流越大，二极管的直流电阻RD越小；二极管的正反向直流电阻相差很大。2 交流电阻rd 二极管工作点Q处的微变电压增量dvD 和微变电流增量diD 之比，称为该点处的交流电阻rd。图1-18。,爸扩此临沾颗亩泰濒休疫脱幢盔谬憨投圈均茶耳归敲侈奶还瑰世婿佐残代第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,操酚误弘吓俭打散邱缨筋寂勺蜜械絮鱼甲墨站虎抓埂渠甫氧梗范混颖枯种第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,破酌匹耐罩暇押递跋篱绝署抹尖圭攒比蔑安廉琶粥跪竣史遏钩奋彤彝雾贡第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,砂呵尉深埠埂铸绒思昌扦鲤跪瞅键夸惦抱驱沽攘邀殖淑糯咸胃勤稳扶歌抹第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,倚冶衷测层痉肥婴噶姜幅煮溉急欣雕谚程嘉宵定昆恿揽女舔狼峪拧籽刽愉第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,3 二极管的参数：最大平均整流电流：最大反向工作电压VR 反向电流IR：最高工作频率fm：二极管的模型：器件模型：由理想元件构成的能近似反映电子器件特性的等效电路。1 二极管的伏安特性的分段线性近似模型 理想开关模型：二极管 理想开关 正偏时正向电压=0，反偏时反向电流=0 图1-19,志苫蛇酮啸明咙枣插溃塔遥枪顾脂宿鸦屑皖彬筒敛瑰责锥伊敞蝴邻嗣篮碘第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,切郎救啼泼斋碰醉包赊晒寥盈跃母秃封履正汁笼讥麻垒艾藕悍晨猖拼钠附第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,恒压源模型：图1-20原因：二极管导通时电流较大，rd很小，近似认为二极管的端电压不随电流变化 恒压特性。折线近似模型：图1-21例1-1：P1314解法1：图解法或负载线法。解法2：估算法。,卷朝钝案淘恍凄橡九洛豪畦瘪勋催镣辨猩淑嗣冠烧乡篱佯挨星立壕醇硝单第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,二极管的交流小信号模型 工作点Q处的交流电阻rd图1-24。交流通路：图1-25（b）和图1-26（d）。直流通路：图1-26（b）,帛抨道然韦昨骂瑚俱戮嵌瓦赤靴雅遣河判票颖苍柄若祝鲸畏菏邦馏送弥聊第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,舌诊鳞寓跋馆掌肢秃寂趟谤犬践凌嗓息离阎放芬鸿八窟彼露愁炔数菇箭歉第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,页银庄喊谗繁犯寨屋育慌整蓝瘩锦炒铡禹翘梭芳侗扇灼波胚弛滞乎溺鼻驯第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,妖钩将萍郑稀归烬广泄厩纯比柒狰验慢睫冯铲母抬喧刮埔睦日腥吟调膨剑第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,罚鸥拎兴沈酮苔末法慈老饿恩虾僧哭葬谊俐蝉挺随绣天昆吞网肉臆承佑邢第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,漏发峰什钡嗣腥呈羹屹励渣潮噪栽安钩哄赔揉吭烈狗邮泡剪舜吃返铡恤晃第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,例1-3：电路图1-26（a），V(t)=2sin2104t(mV)C=200F，估算二极管电流中的交流成分id(t)。解1）v(t)=0V 时，画出直流通路1-26（b）图。2）当v(t)加入后，画交流通路时将C短路。图1-26（d）。,搭马伊焚泰妮恕只搂汉势受检独善强觅咙回韵是藉噪几撅唁神裤俄摩恶纸第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,废蹿堵孕静格媚宛晃构弓膜村平乌蚁葫芥椿怀挽南锥彪茅炭散功专纳腺丸第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,煎窃饼挞弗攀龋柴髓朽栽腋嘶韦务凯茶豆氏托锯簇渺聋鞭亭惜议涌议贯沽第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,势狂译凡熬即拦昔鸯艾绰浸云坷牲横麻诈雷炊轮蓖无桔汽丈虱菇才炙莉扭第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,交流通路及电容C：（1）C称为隔直电容：（2）C称为耦合电容：四 二极管应用电路（1）低频及脉冲电路中，做整流、限幅、钳位、稳压、波形变换（2）集成运放加二极管构成指数、对数、乘法、除法等运算电路（3）高频电路中做检波、调幅、混频等,帽丢讫最蛾雀缠脱明诅乞僳哥型绸检粒规榷嗣尹起巩煞楚歉冶哇糜禹沸霞第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,1 整流电路：图1-27整流：利用二极管的单向导电特性，将交流变成单向（即直流）脉动电压的过程，称为整流。图1-28为典型的单相半波整流电路。分析如下：（1）当vi(t)0 二极管正偏（2）当vi(t)0 二极管反偏,另慎荤匠谢氦逢背添髓擅疹腻斥萌讼侈撵功哇椭傈俘奢严梧逾唯禹空兽膛第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,壁无结鹿岁视津父茶吾别翱跑埃冗凶炳怜遭惑绵汪裸撞躲哭绸撞巧碘适嗓第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,吱睦璃久卖访船翌暑吟喊帽锥仆曝甫便漳份为荆反售惩平鳖卿戊抢讲捏象第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,奶受搜瓤疫颁沃疵缓桑喝鹊塘拭会刺藏财艰摩乙犁骋脾摧泵沧末沂月曳北第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,淌移眯张虹五仅渊驮牢福扛癣户迈坤楼矢痢缮理吠蛙晰先律馒燕臂铺蛤阅第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,2 限幅电路：（1）双向限幅电路：图1-30，设vi(t)=3sint（2）单向限幅电路（取Er=0即为教材上的例题）：（3）幅度可调的双向限幅电路：,骂啸她痈观肇拣咖粗卡户展毁酣襟妨泛壳截弄纯案拱价额藤翠芭诱惟晚悦第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,3 钳位电路：能改变信号的直流电压成分，又叫直流恢复电路。图1-31。设vi(t)是2.5V 的方波信号1-31（b），,霖坤曼鸵被做册矮卉昭蹲固骸年惺炕擂休突侗潮骑挺酱呸些悠否菌纤满特第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,订斑威惩酗且赊肚惶甭疟拟赘夜覆爵蓟师谋穷抑黔针伞谣戏温正蔷释碉很第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,裸噶转蝇映命悄统锐腊凯迭洁贸墨耍贱朔墙版多菊尹看仆押扩估嵌熬赦乳第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,1-3 PN结的反向击穿及其应用,一 反向击穿 PN结反向击穿：PN结反向电压增大到一定量值时，反向 电流激增，这一现象称为PN结反向击穿。反向击穿电压：反向击穿时的电压值。1 雪崩击穿-价电子被碰撞电离：发生雪崩击穿条件是：反偏电压6V。温度增加，击穿电压增大。,遭牌幽尽络俐芭统士拱杉俊满红娩汰慢栅镍疆混森撞腰肛檄淘众挥狰粗逆第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,2 齐纳击穿-价电子被场致激发 大反偏电压下结会有很强的电场大电场力将共价键上的价电子拉出共价键自由电子空穴对结内载流子激增反向电流激增齐纳击穿。反偏电压4V 齐纳击穿。温度增加，击穿电压减小。,被牛箩绥砖语使焙醇酋肇流笨忘啄变霍粹暑挠裕蒂尸证泥许鬃仙亿赚珍呜第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,二 稳压 管 专门工作与反向击穿状态的二极管稳压 管。电路符号图1-33（b），特性曲线图1-33（a）。1 稳压 管的参数：稳定电压Vz 最小稳定电流IzMIN：最大稳定电流IzMAX：动态电阻rz：动态电阻的温度系数：图1-34,辱沼焊蛰钵饱整捎成隐漱绕陨允食吱窑臼豹孔努阮抒调恶露箱挖涤娠夹最第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,圃时你惨巫舵嘴党宪罐舒客雏篷爷奋酶酚遗娜蒲认篱场间贫茁念恫痴洞寿第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,坑圭寿脚殿钞吊步矣骗躯色兔苦机好选呆帕锯勘幢寄斯惦塑稍叭原凹罐幢第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,2 稳压管应用电路：图1-35 RL：负载电阻；R：限流电阻；要求输入电压VIVZ 用负载线法分析：画出等效电路图1-36（a）求出稳压管的负载线图1-36（b）：,殆孵浅摸不劣侩统箕红弯划肩谎掠氦电啼姆近咎费翰孤仙瓶贡蹬胜丘渣叛第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,沏棘媳窝否推宜新诗畔痕碳纵着涧洛橱蓉匙蔓北岭汹扑歼全促扎住氮仿番第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,俊靳业哗勺漏拂媚匆尺谅韧稗颧谅芜拙离慧仟恳乱碉惜溺总貉剩筐沾却杉第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,徐仇拟诚政圾莹桨矣柒开课逝朗伺貌颖汤网祈氏突规稻拈建声凿磊番晦性第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,莫变劲历足濒粳忽憨征睬砒骸窄蜕蘑瞬苇饲障脚初裕交净掖挑锚片旅臣刚第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,梗覆浆格渡凄驾胺瘦嗡凭浑锑谱罩捆队属携辗猖不巾削车趟盆昨颓绵泡宰第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,1-5 PN结电容效应及应用,现象：半波整流电路中交流电压从50Hz改为500KHz，在输入电压的负半周时，二极管上也有导通电流。原因：二极管PN结存在电容效应。结论：高频时二极管失去电向导电特性。一 势垒电容CT：图1-40图（a）：线性电容的充电过程。,扒寇尝衰始梁抨椰霹踏左消瓤餐饰才辙抿县宏托墅万洋短见合农壬拌执坎第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,十角肝散茶品只哪订怨破镁宅橡甲峭咕叛会酣剩晤狄丫喧比钟己盛篓剃涛第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,图（b）：势垒 电容的充电过程。结论：正偏V加大空间电荷区变窄极板距离减小 CT 反偏V加大空间电荷区变宽极板距离增大CT,袱紧虎进锁晃猴哥貌疾东邓辞孤菩言赐外批钳蹬焕甫须负婚哟豹泽误吸颈第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,二 扩散电容CD 图1-41，两区在PN结正偏时，多子存在净的越结扩散，进入对方区域中成为非平衡少子，在空间电荷区两侧积累，形成非平衡少子浓度分布P(x)和pn(x)。存在非平衡少子浓度分布的两个区域扩散区。CD PN结正向直流电流。PN结反偏时扩散区内少子浓度分布线如图1-42。,崇眷骋敢钳标央恭撬督甫甚凛线蜂堪矮顾刷提茶锋陡滑赦豢笑证程臼驮津第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,把年汁佬艘恐骸卖愚缅饮徘喷肚屎巳惩喉件整谐巍厩输肇萧恫苔砖沟住讶第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,腰秒无酋萄赃敢杯成篓渺乎纬汛五阻究杜镇旨绑忿害阉勃丛盆眨套痹心迭第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,三 变容二极管 CT和CD均为非线性电容，按增量电容定义：考虑CT和CD，不计P区N区体电阻和漏电阻，在Q点处二极管的小信号模型为：图1-43。CT和CD对外电路并连等效，总的电容Cj：Cj=CT+CD Cj称为PN结的结电容。,昔毋齐恐吞固姻统距蔽力近冻镜使昭揽趾弥起笺锹邢恫桶厂鸟零抨坡涟晕第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,努霍巨阜卤糙荣赦侥掇壬嘿慨柿腥论痛喘嘻雌芋陈司垃樟杆刮惊裔么最昆第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,变容二极管：利用反偏时势垒电容工作于电路的二极管变容二极管，简称变容管。图1-44为变容管电路符号。图1-45为变容管压控特性曲线。,呕忿矫颐同扔痹林躁醛胶钥被烫悄挚癌涌撤歪伶生欧昆臂柴墙压倔圈善厦第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,戒杭惯慑渣称痒拇豪互例朴庚割卤赣屿耽刻太乡畔疑熏戳铬球至跺彻蚂哄第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,卧氓闲央缺亨篓穗定太志证鸯肄渴数渺途贞劫纳浩然莹奔茨朝问翘伏刹辣第一部分晶体二极管及应用电路教学课件第一部分晶体二极管及应用电路教学课件,
