《材料导报》研究论文(带补充信息)论文投稿模板.docx

材*4报,20xx.xx(xx):xxxxxxxxDOI:10.11896cldb.×xxxxxxxhttp:/WWW.mater-jft CLDBl: 研先怆文目写作要求 按住Ctrl并 点击以访问）坟章中文题目|张三2,李四6,王五I,赵六:1中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心，北京I（X）O292北京交通大学理学院，北京IOoo443中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术曳点实验室，北京Iooo294中国科学院大学，北京101407点击以访问）I石墨烯!具有高栽流子t移率、高的热导率、高的力学强度等独特性能，可应用于端电子器件、生物传一一批注CLDB2）:F九论文撞要与求，:按住CtrI并感落、热料电池、储能器件等，在许多领域拥有广闭的发展前景。如何聆秽得到少残胶、无破损的石墨炸是其在电子器件中应用必须解决的问题。常规的基于铜刻蚀法的石墨炸转移技术存在因聚甲基丙炸酸甲酯（PMMA）溶解不彻底、残留在石墨饰表面而造成污染的不足。有娶于此.本工作提出了PMMA/PVA双支撑腰辅助辆刻蚀法，即在辆刻蚀法中引入高水溶性的聚乙炸醇（PVA,醇解度98%）作为高强度PMMA和石基悻之间的阻隔层，构成双支撑膜。光学显微镜（OM）.拉曼（Raman）光谱及电学性能测试的结果表明，该方法转移得到的石墨烯残胶少、表面洁净，具有高的结晶挣性，并且其背栅场效应晶体管（BGFET）表现出良好的截流子迁移率。此外，该方法操作简便，同时还是一种潜在的用于多种二维材料转移的普适技术。批注（CLDB3: 关词写作吴求，拉住Ctrt并点击以访 问批注CLDB4）:1）若第一作者为硕士或他工研究生.必 须以导师作为通信作者2）文章可以有共同第一作者（可在首页页脚处用中文 加以说明）3）通信作者原则上不超过两位批注A5:中图分类号应至少细化到大类Fffj 2位数字 符，例如TB304、TB34、0469等：查询网站，按住 CIIi并点击以访问）批注CLDB6:请在页脚处给出基金项H信息（中英赧T批注CLDB7:姓氏的每个字母都要大写（注通：在稿件 其他地方,姓氏只需首字母大写），名只有首字母需大 写。外籍人士亦采用姓前名后的顺序批注CLDB8）:可中文不同，英文的单位应遵循由小到大 的顺序，先学院，再学校陕H石黑烯转移聚乙烯醉(PVA)残胶铜刻蚀法聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)支撑膜港借作嘛赵六，XXXXXXXXXXXXXXXX中国分类号，文献标织码AIITitleofYourArticleZHANGSanL%LlSiBWANGWulZHAOLiu"IM记roclcctronicInStrUmCntandEqUiPmCntRCSCarChCcntcrJnMituicOfMicroelectronics.ChineSCACadCmyOfSCiCnCcs,Beijing100029.China2CollegeofScience.BeijingJiaotongUnivcreity.Beijing100044.China3KeyLaboratoryofMicroelectronicsDevicesandIntegratedTechnology.InstituteofMicroelectronics.ChineseAcademyofSciences.Beijing1029.China4UniversityofChincwAcademyofSciences.BCijing101407.China批注M9:英文摘要的文意应与中文大致相司（但不是 机械翻译中文）IGraPhendhasbeenregardedasaPrOmiSingmalerialWithWideapplicationsinmicroelecironicdevices,biosensors,fuelcellsandenergystoragedevicesowingtoitsuniqueproperties,suchashighcarriermobility,highthermalconductivityandhighmechanicalstrength.Howtotransfergrapheneontorelevantsubstrateswhileminimisingresinresiduesandcracksisacrucialpointforfabricatingelectronicdevicesusinggraphene.Theconventionalgraphenetransfertechnologybasedoncopperetchingmethodhasbeenplaguedbythedefectofsurfacepollution请访问期刊网站以获取该文的补充信息(SupplcmcntanInformation)基金项目：国家自然科学基金(XXXXXXXX)：国家自然科学基金青年基金(XXXXXXXX)ThisworkwasImanciallysupportedbytheNaturalScienceFoundationofChina(XXXXXXXX).theNationalNaturalScienceFoundationYouthFundofChina(XXXXXXXX).resultingfromtheunresolvedandremainedPMMA.Wchereinproposedanimprovedcopperetchingmethod,i.c.PMMA/PVAdualsupportmembranesmethod,byindroducingalayerofpolyvinylalcohol(PVA,98%alcoholysis)withhighwatersolubilitytoserveasthebarrierlayerbetweenPMMA(providinghighstrength)andgraphene.Accordingtotheresultsofopticalmicroscopy(OM),Ramanspectroscopyandelectricalpropertiesmeasurement,thetransferredgraphenewithlessresidual,cleansurface,highCryStallinityandsatisfactorybackgatefieldeffecttransistor(BGFET)carriermobilitycanbeobtainedthroughthisimprovedcopperetchingmethod.Moreover,thismethodalsohastheadvantagesofbothsimpleoperationandpotentialuniversalityforthetransferofothertwo-dimensionalmaterials.Keywords:graphenetransfer,polyvinylalcohol(PVA),resinresidue,copperetchingmethod,polymethylmethacr)late(PMMA).supportmembraneO引言石册烯系2004年由英国照沏斯特大学Geim教授和NOVOSelOV博士领导的课题组采用机械剥离法首次获得，它是一种由sp2杂化碳原子紧密堆砌而成的单层.二维蜂窝状晶体材料。高热导率、高力学强度、高栽流子迁移率等物理性能ZL使得石弼烯在导电油墨、防腐涂料、散热材料、锂电池、超级电容等刀的研究中占据了重要地位，在生物技术、新能源以及航空航天等多个领域展现出巨大的应用前景，被誉为“二十一世纪材料之王”。批注（MlO）:英文缩略谙在文中苜次出现时应给出中文 或英文全称（SENL TEM、XRD等广泛熟知的可不给 出）.一些物理量符号也同样适用批注IMl1：1）参考文献在正文中须依序号由小到大标 引2）文堂各奴标题中谛勿出现参考文献标引3）前文已标引的文献.再次引用时需使用原序号，即，文末列出的每条参考文献必须是Pft -的、相互无重复的目前最为常见的石墨烯制备方法主要有剥离法、还原氧化石黑烯法、化学气相沉积法（ICVD|）、外延生1长法、化学有机合成第h耳其中剥离法得到的石墨烯面积小，n不易批量生产：还原氧化石生烯法虽然可以实现批量生产，生产成本低，但制备周期相对较长，产品存在较多缺陷：外延生长法可以得到大尺寸的、石墨烯，但石墨烯很难与基底分离例。CVD法通过高温分解含碳化合物，在Cu、Ni、Co.Ir.Ru、Pd、Pt等不同基底上进行石弼烯的生长U3,可以实现石墨烯的大面积制备，并且产物质后高、层数可控，成为实验室制备而质量石墨烯的首选方法。CVD法制备的石墨烯需要转移到目标衬底表面以实现其诸多应用，常规的转移技术分为三类：以聚合物为中介的过渡转移法，直接干法和湿法转移法，大规模卷对卷转移法1-。大规模卷对卷转移法主要用于工业上房产石墨烯，需要兼顾石墨烯薄膜的质盘和转移效率以控制成本.以聚合物为中介的过渡转移法中，利用聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）作为辅助支撑膜的方法最为常见，是实验研究层面主流的石墨烯转批注CLDB12: 人名正文）誉格式戛求（按住Ctrl 并点击以访问）批注表示数值的范用时，只需在后个数字: 之后和单位.（注.意：百分号不属单位，因此不能写-25*30%",而要写 “2530%”）2）物理量的数值与单位之间空1格；组合单位中的点 乘符号请勿省略.如cm%Vs）移方法。该方法直接在石墨烯上旋涂PMMA作为转移石墨烯的支撑膜，由于需要加热以及PMMA与铜刻蚀液之间的反应，容易形成高分子量的聚合物，其在清洗过程中很难完全去除。ILin博将转移后的石爆烯在低真空、通Ar-H2或N2-H2的条件下于2O（k4OO咽火3h,发现PMMA残胶大幅减少，但仍有部分残胶始终无法完全去除，且退火操作也十分繁琐。在实验室中还才另种常用的石墨烯转移方法，称为电化学气泡转移法，其原理是利用气泡使石墨烯与原基底分离，石墨烯只与电解液发生接触，无需使用刻蚀液。与传统的铜刻蚀法相比，这种方法的优点在于电解过程快速，石墨烯薄膜也更清沽，但石墨烯转移到新基底上的过程还是需要旋涂PMMA作为辅助膜,依旧不能解决滞留在石墨烯表面的PMMA残胶问题保温温度”375400425450孕育期太25465662转变开始时间/S25465662转变终了时间/S1143163817192957Table 2 The austenite transRmnalion of the 25CrNi3Mo steel (without carburization treatment) during the isothcnal PrOCeSE at various soaking temperatures1tt½Al4:文章中的表按其在正文中首次出现的先后 顺序,用1、2、3来编号；请勿将学位论文中图、& 的编号方式用在期刊投稿论文中衰格及X#题格求I按住CuI并点击以访问）批注IMlS:研究论文中的小节标题，应该是作者要阐述或说明的对 象或问题,而不是作者所做的实验例如，“双酸淀粉的XRD分析*就属于将所做实验当 成小节标题的情况，这反映出作者写论文的目的仅仅是 记录或宣告自己做了哪些;作，会导致文章无法快速和 有效地向读者传递所做工作的亮点和价值.批注CLDB16:部分图片可以放到补充信息中，其序号应设为rtSk S2、S3”联223CrNi3Mo钢（未溢碳）不同等温温度下保温的过冷奥氏体转变时间针对残胶滞留这一难题，本工作尝试利用PMMA和聚乙烯醉（PVA）双支撑膜辅助进行石墨烯转移，即通过在PMMA与石墨烯之间引入层水溶性的PVA作为阻挡层，避免了PMMA与石墨烯的直接接触，再利用PVA的高水溶性，极大地减少了转移后石墨烯中粘连的残胶以及破洞等缺陷，从而得到高性能的石墨烯.1刻蚀液的选取和氧等离子体处理的引入I一在铜刻蚀法中，刻蚀液的选取以及对铜箔背面石墨烯的刻蚀颇为重要，传统的PMMA铜刻蚀转移法和PMMA/PVA双支撑膜辅助铜刻蚀法在转移过程中都要求保持转移过程的清洁，并且需要在将石爆烯转移到目标衬底之前做多次清洗，这些都是保证石墨烯转移成功的重要因素。为探索合适的铜刻蚀液，我们分别采用过硫酸筱、氯化铁和过硫酸钾三种刻蚀液，进行了传统PMMA铜刻蚀法转移石墨烯的实验.在相同的溶液浓度下，过硫酸按相比氯化铁具有更高的刻蚀速率，但在刻蚀铜箔时易产生微小气泡（第气PMMAZGraphene结构非常薄，其中的气泡一旦产生就非常难以去除，而气泡的存在则使得后续转移步骤中石墨烯与目标衬底贴合时容易破损（图S】h）。以/化铁为刻蚀液时，铁一离子与PMMA之间的络合作用导致大后PMMA残股滞留在石墨烯上（图Slb）,需经过退火（高真空,300）方能被去除，并且纸化铁的刻蚀速率不及过硫酸钱。过破酸钾拥有与过硫酸钺相当的刻蚀速率，刻蚀过程不易产生气泡（图Sic），同时滞留的残肢相比氯化铁刻蚀液要少，因而更适合作为石墨烯转移时的铜基底刻蚀液。铜箔背面（即未涂覆聚合物的那面）生长的石墨烯在铜刻蚀过程中会直吸附在铜的下表面，当铜箔被刻蚀完后，铜箔背面的石果烯碎片会与铜箔正面的石墨烯吸附在一起，造成转移后的石墨烯吸附有大量石墨烯碎片（图SldL因此，很有必要借助氧等离子体对铜箔背面的石鬓烯进行刻蚀以消除铜箔背面石黑烯碎片的影响。2改进的铜刻蚀转移法传统的PMMA铜刻蚀转移法的基本工艺流程如图S2所示叫5其转移过程参见补充信息“PMMA/PVA双支撑膜辅助铜刻蚀法是对传统的PMMA铜刻蚀转移法的改进，具体的工艺流程如图1所示，详细步骤参见补充信息。如前所述，新的转移技术选取过硫酸钾作为刻蚀液，并且在使用刻蚀液刻蚀之前先进行氯等离子体处理，以改善石器烯转移质量。GraphenePVAspincoatingPMMAPMMAspincoatingEtchingcompletionPMMAZPVAZGrapheneZTargetsubstrateGraPheneTargetsubstratePVAZGrapheneHargetsubstrateGmPheneTargetsubsvateHjO95*c图1PMMA/PVA双支撞膜辅助铜刻蚀法转移有墨烬的流程示意图Schematic ProCeSS flow chart showing the predures of pphenc transfer bv applvint* PM M AlP V A dual support wbnesassisted copper etching methcxl PrOPO岚xl in this Work批注【M18:图、表的标S要跟随正文，不能使用文本柩（整个稿件文档的任何地方请都不要使用文本框）相比传统转移法,PMMA/PVA双支撑膜辅助铜刻蚀法最大的改进之处在于引入了一层水溶性的PVA膜层,其可以阻挡PMMA与石墨烯表面的直接接触.由于PVA本身的拈着性太低,不足于单独作为支撑膜（切,因此我们又在PVA水解性膜表面旋涂了一定厚度的黏着性比较强的PMMA作为支撑膜,形成了PMMA/PVA双支撑膜结构。清洗PVA与PMMA则分为两步进行。第步是用丙酮和异丙醇除去PMMA,通过光学显微镜（OM）可以观察到石瞿烯表面被一层PVA覆盖（图方、b）,PVA有效地将PMMA与石墨烯隔开。第批注IMI9）:在正文中,不要写成“图2-c”“图2（c）", 等等；但注意在图片和图标Sa中，分图号的两侧箭要加括号二步是在95°C的去离子水中水浴反应Ih,去除PVA（图2e）°|图2c为传统的PMMA子刻蚀法所得石屡1一烯的OM明场照片，可明显看出石图烯表面有数加较多、尺寸较大的PMMA残胶。图2e为PMMA/PVA双支撑膜辅助铜刻蚀法转移所得石墨烯的OM明场照片，与图2c相比，PMMA残胶的数量和尺寸都有很大程度的减小（只计入石墨烯表面的PMMA残胶，因人为操作造成的滞留在H标基底表面的PMMA残胶不计入）。图2d、f分别为图2c、e对应的OM暗场照片，照片中白色亮点即为PMMA残胶，图2f中白色亮点明显更小，这说明，利用PMMA/PVA双支掠膜辅助铜刻蚀法转移石墨烯，可以非常有效地减少PMMA残胶，得到的石墨烯表面更为洁净，很好地解决了常规转移技术存在的因PMMA溶解不彻底、残留在石墨烯表面而造成污染的问题.批注A20:l)对于显微照片、宏观照片.“M(b)(c)JI字样应直接放在对应图片下方：对于曲战图等，也可使，'用制图软件将它们嵌入到对应图片中，但不要使用文本1枢来插入2)多个图片组合时，每光图的长/宽比应相同3)请勿使用文本柩或丧格来对纨图进行排版(c)(d)(e)(0图2不同试样的显微组织：新的热处理冷却工艺条件下荻得的诬碳23CrNi3M。钢忏头(a)表而、(C)过渡区、(C)基体：阿特拉斯钎头试样(b)表面、(d)过渡区、基体Fig.2Microstructuresofthespecin*ens:(a)surface,(c)transitionzone,(e)matrixoftheCiUbUriZed23CrNi3Mosteelunderthenewlydesignedcoolingschemeforheat-treatmentprocess;(b)surface,(d)transitionzone,(f)matrixoftheAtlasdrillbit3产物性质与器件性能Raman光谱是评价和表征石墨烯质量和数量的一种快速有效的手段"8|,其中位于1350cm1处的D峰用来表征包括空位、错位、杂质、悬挂键在内的缺陷。时F本研究而言，D峰主要由滞留在石墨烯上的PMMA残胶以及转移过程造成的石墨烯褶皱所引起H叫2D峰由双声子共振产生，对应于布里渊区边界两个相反方向波矢光子的耦合，存在于所存sp2碳材料的Raman光谱中。2D峰与G峰的强度比2d7g可表征石墨烯的层数，当比值大于2时石墨烯为单层，比值为1时近似为双层，比值小于I时为多层”22L使用PMMA/PVA双支撑膜辅助铜刻蚀法转移得到的石墨烯的Raman光谱(图S3)中，K”大于2,表明转移得到的石墨烯为单层石墨烯，具有高的结晶特性。同时，D峰的强度非常小，证明了借助改进方法转移得到的石墨烯含有更少的空位、错位、杂质、悬挂键在内的缺陷，即石墨烯残胶极少、表面十分洁净。(1)利用PMMA/PVA双支撑膜铜刻蚀法转移到目标衬底上的石墨烯，我们制作了背栅场效应晶体管(BGFET)1*24,测试了转移所得石墨烯的电学特性，晶体管制备过程参见补充信息。图3a、b分别为石墨烯BGFET的结构示意图及OM照片，图3ce为器件电学性能测试及拟合结果，其中器件的沟道长度为2m,沟道长度与宽度的比值W为5.图3c的JlG曲线反映了石器烯中载流子浓度随Sg的变化。在不同源漏电压区d下，曲线呈现相同的双极型变化规律，在Vbg从负压向正压扫描的过程中，石墨烯中的载流子浓度先减小后增大，狄拉克点位于50V附近，表明转移得到的石枭烯具TFP型电导特性，这特性与器件制备过程中采用的紫外曝光技术有关25L图3d为不同VSD下器件的凡X-VBG曲线，各条曲线几乎重合,表明了测试结果的可重红性。根据d为50mV条件下吊*Vg曲线及拟合结果,器件的电子迁移率与空穴迁移率分别为B4则cnVlJ和4557emR'sL三LdJFig.3(a)Schematicstructuraldiagramand(b)realphotographsofthegrapheneBGFET.(C-C)source-drainvoltage(s)-(back-gac图3石墨优背栅场效应晶体管的(a)结构示意图和(b)实物照片；(CY)石堀烯背樵场效应管的源漏电流(sd)-背梯电压(VBG)曲规及拟合结果voltage)(Vbg)CUrVeandfiningresultsOfgraPheneBGFET晶体管测试结果中，教流子迁移率和狄拉克电压是最值得关注的参数，目前限制迁移率的因素主要布一:(I)由于背栅结构的介电层较厚，栅压对石墨烯调控能力较弱：(2)晶体管制作过程中紫外光刻工序会引入残肢.与理想的狄拉克电压相比，上述器件测试结果(50V)偏高,这可能归因于SiCh衬底的掺杂效应和器件制备过程中紫外光刻残胶引起的石典烯惨刎。lltftA21:<1)文中反应方程式、公式等均用(1).(2).(3).编号2)公式请勿用截图,简单的公式应宜接排入：无法通过直接键入来显现的公式，谛使用voM自带的编辑器或MalhDPe等专业公式编辑器来制作3)正文中需有针对公式中物理里含义的说明性文字(一般紧跟在公式后另起段予以描述)Ift注M22日对于物理贵符号.要注意规范其中正、斜体和上、下标的使用批注(M23J：数值的每3个数位要空恪,小数点:%为空格。例如：12003.3665批注【CLOB24:在给出结论之前，经常还而要单列章节/对研究的重要结果/方法，设计/思路等进行论证和探讨./或者由研究结果进行引申/发散，分析、探讨其潜在意/义或价道.一般可以用“讨论”作为章节标题批注ODB25）:"论内币Jh币化”1）结论的内容包括：实般 （或推理、模拟）得出的重 要现象或数据：文章的分析、讨论所得出的规律性结果. 同时，结论中应对由结果引申出的本工作的潜在.意义（借耕、启发、未来进步工作等）进行客观的陈述 2）结论的段落构成不要拘泥于形式，可以纳入 （1）.（2）.（3）的分段结构，也可仅采用单独或若干大段落 形式，还可将：者相结合3）结论中要尽量避免实验（或推理、模拟的过程， 实验仪器，研究方法等无关信息.例如：“il算了 100300 MPa F的反应产率"4 XRD结果表明”推 导了模型燃料质量和放热量的变化关系”，均不合适. 可改为“ 100300 MPa下的反应产率介J' xx%-xx%"“产物以蜕钛矿Tio2为主要物相”“模型燃料质量和放 热量的变化关系（或公式）为”4结论石弟烯转移技术是实现石墨烯大面积应用不可或缺的环节，不同的转移技术得到的石墨烯性能也良药不齐。本文提出的改进的石墨烯转移方法一PMMA/PVA双支撑膜辅助铜刻蚀法，可以避免PMMA因溶解不彻底而残留在石墨烯表面，得到的石米烯残胶和破涧等缺陷极少、表面洁净，并且具有高的结晶特性。电学特性测试表明,石墨烯BGFET器件的电子迁移率与空穴迁移率分别为3468cm2VL5和4557cm?2LsL我们利用引入PVA这一简单的工序成功地替代了史杂的高温退火除PMMA残胶过程，不但简化了操作，同时也避免了高温退火给石墨烯造成新的缺陷。此外，这一石墨烯转移技术还有望为其他二维材料的转移提供借鉴。先考文献- -批注KlDB27:长目24、25、26为引用期刊文献之格式， 刊名使用斜体,之后标出年、卷、期、页码：对于因己 单篇网络发布但尚未整期出版而无法给出卷、期或页码 的文献，可以以Dol号来代替批注CLDB26:文越着景格式要求，按住Ctri并点击以访问）24ZhuM,LuZC.HuRZ.etal.Dielectricbarrierdischargeplasmaassistedballmillingtechnologyanditsapplicationsinmaterialsfabrication,14cruMetallurgicaSi，IiCA2016.52（10）,1239（inChinese）.朱敏，鲁忠臣，胡仁宗，等.介质阻挡放电等离子体辅助球磨及其在材料制备中的应用.金届学戒2016.52（10）,1239.25YoshihikoK,YoshikawaH,KunioA,e(al.Preparation,photocatalyticactivities,anddye-sensitizedsolar-cellperformanceofSUbmiCron-SCaIC710：hollowspheres.Langmuir.2008,24.547.26YangWS,ParkBW,JungEH,etal.Iodidemanagementinforrnamidinium-1ead-halide-basedperovskitelayerstorCfTicicntsolarcells.Science.2017.356:1376.27EnanderRT.Leadparticulateandmethylenechloriderisksinautomotiverenishing.Ph.D.ThesijjTuftsUniversity,USA,21.28TianH.FabricationandcharacterizationofhighlyporousSiOCceramicsfromsiliconeresin.Master'sthesis.批注KLDB28:条目27、28分别为引用博士学位论文和硕士学位论文之格式，注意：需用全称给出校名（机构名），并给出国别（中英对照时中文不需要国别）NationalUniversityofDefenseTechnology,China,2011（inChinese）.田浩.硅树脂转化制备高孔隙率SioC多孔陶谎研究.硕士学位论文，国防科学技术大学,2011.29AnastasPT.WarnerJC.3reelchemisiry:IheOryandPraClice,OXfordUniverSityPress.UK,1998.pp.139.批注KLDB29:条目29、30为引用书为之格式:书名使用斜体，且需给出国别（中英对照时中文不需要国别；注意这里页码的著录形式与期刊文献不同）30LiuGM.MaLL.Non-destnctivetestingtechnology.NationalDefenseIndustr>,Press.China.2010.pp.66(inChinese).刘贵民，马明朋.无损检溺技术,国防工业出版社,2010,pp66.31BarkerJ.Caalystdeaclivation,DdmonB.FromenlC.ed.Elsevier,NeIherland$.1987.pp.253.32 DomincD.BailatJ.StcinhauscrJ,etal.MicromorphsolarcelloptimizationusingaZnOlayerasintermediatereflector,taConferenceRCCordOfthe2006IEEE4thWorldConferenceQnPhotovoItaiCEnCrgyCOnVCrSiOIL_"Hawaii,2006,pp.1465.33 SchumannS.PEDOTinperovskitesolarcells.E.U.batenEP3024042,2(D7.批注【CLDB30:条目31为引用书籍中的个章节或篇目之格式（注蔻这里页码的著录形式与期刊文献不同fttt（CLDB31:条目32为引用会议论文之格式,须给出会议名称、会议举办地或组织机构所在地、年份（注意这里页玛的著录形式与期刊文献不同）34LxungWW.WangJC.YangLJ.CiySlalcontrolandstabilityforhigh-performanceperovskitesolarcell.U.S.patentapplication.US20150287852,2015.批注KLDB32:条目33、34为引用专利文Itt之格式.专利号、专利权人、公开时间等信息请在http:"WWW免冠彩包证件照或正装半身照铢4 20XX年X月、20XX年X月分别于XX大学和XX大学获得工学学士学位和硕士学位-现为 XX大学信息科学与工程学院博士研究生,在吴九教授的指导下进行研究.目前主要研窕领域为 XXXXXXXXXXo免冠彩之证件照或正装半身照孙七，XX大学信息科学与工程学院教授、博士研究生导师,1986年XX大学物理系光学专业本科毕 业，1989年中国科学院XXXX所XXXX专业硕士毕业后到XX大学工作至今，2005年XX大学电磁 场与微波技术专业博士毕业。目前主要从事超材料、手征介质波导等方面的研究工作。发表论文100 余篇，包括 Optics Express, Physical Review 8, Applied Physics Letters, Pmgress In Electromagnetics ReSearCh （PIER）嗡.批注CLDB33: 1、作者简介相关要求：1）第一作者和通信作者的简介必须给出，其他作者的 简介尽量不给出2）只需中文，无需双语著录2、作者简介的内容：1）何时何地取得本硕博学位2）现任教情况/取得职称情况，若未任教、未取得职称 但正在从事博士后研究也应写出3）主要研究方向/科研领域1）发表论文、专著情况（获授权专利情况也可列出）5）如有获国家级成果/人才奖项,可写出以上1） 一5）之外的内容，包括承担项目、行政职务、 非现任的教学科研（包括博士后研究）及其他工作、国 外访学、非国家级成果/人才奖项和其他奖励荣誉，等 等，原则上均不列出法，以下为文章的补充信息部分.一批注CLDB34:投稿时请注蔻删去这部分灰底的文字）批注M35:文章整期出版时,文章主体部分会被印刷 在纸政版期刊上，补充信息将被放在期刊官网的文章展 示页面并提供下毂为方便编辑部的工作，清不要修改以下部分的字体、字 号、版式、贞眉、贞脚等批注M36:清在页加处修改通信化看 email地址I补充信息/PMMA/PVA双支撑膜辅助铜刻蚀法：一种改进的石墨烯转移技术张三l2,李四S且王五I,赵六31中国科学院微电子研究所，制电子仪器设备研究中心，北京IooO292北京交通大学，理学院，北京Ioo(M43中国科学院微电子研究所，微电子器件与集成技术重点实验室，北京I(X)O294中国科学院大学.北京101407SupplementaryInformationAnImprovedCopperEtchingMethodthatInvolvesPMMA/PVADualSupportMembranesandServestoTransferGrapheneZHANGSan12,LISiWANGWu,.ZHAOLiuh4IMicroelectronicInstrunwntandEquin>enResearchCenter,InstituteofMicroelectronics.ChineseAcademyofSciences.Beijing100029,China2 CollegeofScience.BeijingJiaotongUniversity.BeijingIoo(M4.China3 KeyLaboratoiyofMicelec(ronicsDevicesandIntegratedTechnology.InstituteofMicroelectronics.ChineseAcademyofSciences,Bcijing100029»China4 UniversityofChineseAcademyofSciences,Beijing101407.China实验试剂与仪制批注M37:请根据您文章和补充信息的内容来拟定标遨，以及编辑内容本实验中用到的过硫酸胺、过硫酸钾、氯化铁、硝酸铁为分析纯，PVA的醉解度为98%,从阿拉丁试剂有限公司购买。过氧化氢、浓硫酸、酒精、丙酮、异丙醇为MOS纯，从天津市风船化学试剂科技有限公司购买石墨烯采用常压化学气相沉积技术制备，生长基底为表面预氧化的铜箔(25m,AlfaAesar#046365),在1078。C温度下，通入800SCCmH2Ar(2%)和5seemCH4/Ar(0.2%),生长2h。转移的目标衬底为30OnmSiO”Si衬底。PMMA光刻胶型号为AHgSiStAR-P679.04,从北京汇德信公司采购。反应离子刻蚀(RIE)设备为自主研发的RIE-Io0。表面形貌测试采用OlymPUS光学显微镜(OM)和ZEISSSigma扫描电子显微镜。结晶特性表征采用Renishaw公司的InViaReiIeX型激光共聚焦拉曼测试仪，激发源为He-Ne激光器，激发波长为514nm,选取的激光能量为总能量的5%,避免局域能量过高造成的热效应导致石墨烯产生损伤。背栅石鬓烯晶体管的源漏电极Ti/Au(20/100nm)的制备采用电子束光刻、电子束蒸发和LiR-Off工艺，CV曲线使用安捷伦BI500A半导体参数测试仪测定。传统PMMA铜刻蚀转移法传统的PMMA铜刻蚀法转移石墨烯的具体步骤为：在平整的GraphcncZCu结构表面旋涂PMMA膜,自然晾干24h,将PMMA/Graphene/CU结构漂浮在铜刻蚀液中除去铜箔，刻蚀液可以为氟化铁、过硫酸铉、材*得报.20xx,xx(×x):xxxxx×xxDOI:10.11896cldb.×xx×xxxxhup:/WWW.mater-过硫酸钾，浓度为0.15molL铜箔去除后将PMMA/Graphene结构贴合在目标衬底上，晾干12h,150条件下加热固化IOmin,用丙酮和异丙醇去除掉PMMA,转移完成。BrokenholesooCPMMAresiduesGraphenefragmentsSiO7Graphene批注M38):补充信息中的图，表,请命名为图SL表Sl等，这出盲、表,要丛量在文章主体部分有所提及，以引导 作者通过杳看补充信息中的内容来加强对全文工作的 了解BHSil传统的PMMA铜刻蚀法转移所得石瞿烯的OM照片：Go过碱酸胺刻蚀过程会产生较多氮气气泡,导致大虫破损：向氧化铁刻蚀得到的石墨笳存在人世残胶：(C)过酸酸钾得到完整、少残皎的石墨烧：(d)铜箱背面未经等肉子体处理时转移所得石墨烯样品表面吸附有较多的石墨烯碎片Fig.SlTheOMimageofagraphe