半导体分立器件S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范_SJT11851-2022.docx

《半导体分立器件S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范_SJT11851-2022.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体分立器件S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范_SJT11851-2022.docx（18页珍藏版）》请在课桌文档上搜索。

1、ICS31.080.30CCSL42中华人民共和国电子行业标准SJfT118512022半导体分立器件S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范2022To-20 发布SemiconductordiscretedevicesDetailspecificationforsiliconNPNlowpowerswitchingtransistorpairofS3DK57942023-01-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布-XX.-A-刖百本文件按照GB1.1-2020标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构

2、不承担识别专利的责任。本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SACrrC78)提出并归口。本文件起草单位：石家庄天林石无二电子有限公司、中国电子技术标准化研究院、北京微电子技术半导体分立器件S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范1范围本文件规定了S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管（以下简称器件）的详细要求。243.；15部分:21部分：可墀性（引线牢固度）器件的耐焊接00693201,15201987999要界定的术语和定义。电路第7部部分：分立器f气候试验方法口气候试验方2规范性引用文件下列文件中的内仅该H期对应的文件。;不注日期的引用文件,：。其中,注日期的引

3、用文件,有的修改单）适用于本GB/TGBZTGBZrGBGBGBGBGBGB术语和本文件没要求4.1总则题候试验方法”120Ia僚体器件器件应符合本文件的所有规定。质量评定类别符合GB/T4589.12006和GB“125601999的规定。质量评定类别为Il类。4.2设计、结构和外形尺寸4.2.1器件设计、结构芯片采用硅外延平面结构，将两个独立工作的芯片封装在同一管壳，并实现电性能的独立，封装采用金属气密式封装。4. 2.2外形尺寸外形采用T0-78型的要求。外形图见图b外形尺寸见表Ie1：集电极,2：基极,3：发射极,4：发射极,5：基极，6：集电极图1外形图表1外形尺寸单位为亳米符号尺寸

4、数值最小标称最大A3.814.70a一5.08b0.41一0.53D8.519.60Di7.758.51j0.710.86K0.741.14L12.7025.00Li一1.274.3最大额定值和电特性4. 3.1最大额定值最大额定值见表2。除非另有规定，n=25,C0表2最大额定值参数符号数值单位最小值最大值工作环境温度n-55125贮存温度65200最大集电极-基极直流电压Vcbo75V最大集电极-发射极直流电压Vceo40V最大发射极-基极直流电压bo6V最大集电极直流电流Icm600mA最大总耗散功率PW(单芯片。/%(双芯片一-_-500600mWmW最高结温200结环境热阻350、2

5、90/W/w注：未单独标呷，左塞诩臂L-1指双芯片澳求.4.3.2电学7/电特血L3。4非-y-11f称E,*,*条件单位数值三T*最大值正向电力传班5?tV,q霆91-I正向电X传箍I一.-jj察If8二正向电叫岑/黎.：B-氐问电流*输可以:：.300正向电流彳整叼m/k正向电流传*比之fecFcb=IVb=150mA)Zo正向电流传眼i4A)加FEj1/Afe?1Pce=IOV,Zb=ImA/-,91.11正面电流传输t(S3BK579AfbI/fF3IFce=IOV,fc=10mVf0.91.11基极-发射极电压缰fe对值(S3DK5794A)d04IyBEl-fejFce=IO810

6、集电极-发射极饱和电送、!LV0.3集电极-发射极饱和电压、fNB=a*0.9越极-发射极饱和电压V0.1.2基极-发射极饱和电压mAV1.8集电极-基极截止电流ZcBOi=0,F=75VA10集电极-基极截止电流/CBO;=0.Fcb=50VA0.01发射极基极戕止电流lFOfc=0,P=6VA10发射极-基极截止电流DOjC=O,PEB=4VA0.01高温下的集电极-基极截止电流CBO17150oC=0,K=50VA.一10正向电流传输比Afe：n=-550C%e=10V,fc=150mA40.一小信号共发射极短路正向电流传输比幅值IEce=20V,Ic=2QmA户100MHz210导通时

7、间MIb15mA.L=150mAns45关断时间/offb-5mA,7c=150mAns310电特性名称符号条件单位值最小值最大值共基极输出电容CdboFcb=IOV,Ie=Q,100kHzlMHzPF8共基极输入电容GboPEB=O.5V,Ic=Q,100kHzylMIfePF33注：未单独标明时，为单个芯片指标.4.4电测试要求电测试应符合GB“45871994及本文件的规定。4.5标志器件上的标志包括以下几部分：产品型号，S3DK5794； 质量评定类别标志11,即S3DK579411; 制造厂商标； 检验批的识别代号。5质量评定程序5.1 抽样抽样方案按GB125601999和本文件的

8、规定，5.2 试验条件和检验要求试验条件和检验要求按表4表6的规定。表4A组逐批检验或试验符号引用标准条件除非另有规定，A=25C5C(见GBZT4589.12006的4.1)检验要求极限值单位LTPD最小值鳌Al分组外部目检一GB/T4589.120064.3.1.1标志清晰，表面无机械损伤、破损5A2a分组不能工作器件集电极-基极截止电流正向电流传输比CBOAfeGB/T45871994IV,1,2.1GBTT45871994IV,2,7k=Q,Fcb=75VFce=IV.fc=10mA短路：ao100A开路：ra51.0检验或试验符号引用标准除非另有规定，A=25C5C极F艮值(见GWr

9、4589.1-2006的最小值最大值单位条件检验要求1.IPDGB“4587Ie=O,Fcb=75V1994Ib=O,Fcb=50VIV,1,2.1Jc=Q,Keb=6VGB/T4587-ArO,Keb=4VIc=Q.1mAKck=IOIV,b12GB“45871994IV,1,122b分级集电极-其极截止电流集电极基极截止电流发射极-基极截止电流发射极-基极截止电流正向电流传输比正向电流传输比正向电流传输比正向电流传输比正向电流传输比正向电流传输IV,2,7355075100401111-Ix44-II；-L|44.-LI-I/DT:C.3安全工作区曲线安全工作区曲线见图C.5。图C5安全工作区曲线（双芯片工作）