波导型介电谐振器第2部分应用于振荡器和滤波器的使用指南_SJT11457.2-2022.docx

《波导型介电谐振器第2部分应用于振荡器和滤波器的使用指南_SJT11457.2-2022.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《波导型介电谐振器第2部分应用于振荡器和滤波器的使用指南_SJT11457.2-2022.docx（30页珍藏版）》请在课桌文档上搜索。

1、ICS31.140CCSL21中华人民共和国电子行业标准SJ/T11457.22022波导型介电谐振器第2部分：应用于振荡器和滤波器的使用指南Waveguidetypedielectricresonators-Part2:Guidelinesforoscillatorandfilterapplications(IEC61338-2:2004,MOD)2023-01-01 实施202270-20发布中华人民共和国工业和信息化部发布前言引言范围规范性引用文件术语和定义IIIIV技术概述用说明6.16.26.36.4屏谐谐振器电谐揭波导型介电谐振器的a5.1 工作原理5.2 基本结构介电谐振器好振荡

2、器应A7.17.27.3附录A（城参考文献3456131414151719211,1刖三本文件按照GB1.1-2020标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则的规定起草。SJ/T11457波导型介电谐振器分为如卜几部分：第1部分：总规范；第一3部分：综合性信息和试验条件；微波频段介电谐振器材料复相对介电常数的测量方法；j出端连接;11X57才应关系的我F加口卜：空白详2SJ/T111201EC61338-4-玄些差外侧页边空白，第2构不承担识别专利的责任。11570.12016w,表A.1弓牌介质谐振器第IT部分：一般信息和试验条件本文件第2章和帖A提1的条款已61338-212)进

3、行酬电谐振器也分：振源器工器第1-4部分：综合性信痣港振器材料复相对介电常数的测量方法；第2部分：N第3部分第4第4本文件：本文与本第4-1部/澧器应用指南。1:2005,本文位置的垂嵬工这些IEC6IEC613382波导型介导型介电谐振S1-2部分：一般信息和试验条件-试验条件口经部总规范代替。因此,和“1EC61338-1、”改谐振器第1部分：总本文件作了下列编611jj2004,IDT）删去了IEC标准的砂请注意本文件的某些内容可能更的引用文件中,!IEC61338-1-CZ1338-1:2004波uTEC61338-1-1*57X2013波导型介电本文件由全国频率控制和选择用压电器件标

4、准化技术委员会(SAC/TC182)归口。本文件起草单位：张家港保税区灿勤科技有限公司、深圳麦捷微电子科技股份有限公司、嘉兴佳利电子有限公司。本文件主要起草人：朱汇、梁启新、胡元云。本文件给出了在电信和雷达系统中使用的波导型介电谐振器的使用指南（有关要求见SJ“11457的其他部分。）.介电谐振器的特点是体积小，重量轻，品质因数稳定，可靠性高及温度性能好。介电谐振器适用于具有高性能的小型化振荡器和滤波器。本文件是应用户和制造商的共同要求而编制，使得谐振器在应用中可以处于最佳工作状态。为此,本文件给出了谐振器的工作原理和基本特性。波导型介电谐振器第2部分：应用于振荡器和滤波器的使用指南1范围示准

5、通用性能，适用时，用户可以稍08品基本环境试验规程FT部分：试验方法 试验Eb和导则：碰撞（IEC的引用文件, 单）适用于本IDT）电工电子产品环本文件为应用于振荡器和滤波器的波导型介电谐振器的使用指南。这类谐振器H前广泛应用于直 播及卫星通讯系统用压控振荡器和滤波器。DT)(IEC 60068-下列 仅该日期 文件.GBGB容通j适用2008200860068-1法试好（包括本文件的目的不在于解释原 的问题，也就是用户为新型应米008性能。本文件发布的忧 含了广泛应用的 器，但不能过J2规范性弓2-1： 2007GB/T2-2： 2007,GBZT 24278： 2012, IDT) GB/

6、T 2423. 460068 -2-30： 2005GB/T 2423. 51995(IEC60068-2-27： 1987,GB/T 2423.61995以血构成本文件必，的所有可能性，本文件着眼于更为基本 文件是为保证用户得到满意的1度系数等。这些规范包 以便能采用标准滤波I用文件，其局温(IEC 60068-环境试验 第2部分：试验方法 试验Cab：/S定布隙试验（EEC 60068-2-热（12h+12h循环）（IEC方法试验Ea和导则：冲击60068-2-29：1987,IDT）GB2423.10-2008,电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Fc：振动（正弦）（正C60068

7、-2-6：1995,IDT）GB/T2423.152008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Ga和导则：稳态加速度（IEC60068-2-7：1986,IDT）GB2423.212008电工电子产品基本环境试验规程试验M：低气压（IEC60068-2-13：1983,IDT）GBZT2423.22-2012电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验N：温度变化（IEC60068-2-14：2009,1DT）GBfT2423.282005电工电子产品基本环境试验规程试验T：锡焊(IEC60068-2-20：1979,IDT)GBZT2423.602008电工电子产品环境试验第2部分：试验

8、方法试验U：引出端及整体安装件强度(IEC60068-2-21：2006,1DT)SJ/T11457.12013波导型介电谐振器第1部分：总规范(IEC613387:2004,1DT)SOT11457.1.3-2021波导型介电谐振器第1-3部分：综合性信息和试验条件；微波频段介电谐振器材料复相对介电常数的测量方法(IEC61338-1-3:2004,IDT)SJZ11570.12016介电滤波器第1部分：总规范IEC60068-2-58：2004环境试验第2-58部分：试验方法试验Td:表面贴装(SMD)元件可焊性、金属化层耐熔蚀性和耐焊接热试验方法(EnVirOnmentalteSting

9、Part2-58:Tests-TestTd:Testmethodsfbrsolderability,resistancetodissolutionofmetallizationandtosolderingheatofsurfacemountingdevices(SMD)正C61338-4-1:2005波导型介电谐振器第4-1部分：空白详细规范3术语和定义本文件没有需要界定的术语和定义.4技术概述用户最关注的是谐振器特性应满足特定规格。振荡电路、介电谐振器选择和适用的规范应由用户和制造商达成一致。谐振器特性通常用谐振频率，品质因数等表示。这些特性与5.3条中的介电特性有关。产品应在规定的最低及最

10、高工作温度范围内和试验前及试验后均满足规范的要求。5波导型介电谐振器的基本原理5.1 工作原理当电磁波通过相对介电常数为/的介质波导时，如果入射角大于临界角。=QrCSin(I/V?),则空气和电介质之间的界面是一个理想的反射器，如图1。空气图1电磁波通过相对介电常数的介质波导在非常粗略的近似中，空气与电介质界面可以被认为是作为磁性壁(开路)起作用的，式中电场的法线分量和磁场的切向分量消失了。因此，由于在空气与电介质界面处的电磁波的内部反射，形成了一个具有谐振器功能的有限长度介电柱。介电谐振器的尺寸可以比相同频率下的空谐振腔小得多。这是因为当谐振器尺寸为电磁波波长的一半时，谐振频率即可被确定，

11、并且根据公式（1）可知在电介质中波长会缩短：=式中g和为在介电常数为H的介质内及真空中的波长。微波元件的这种尺寸缩小效应是介电谐振器的最大优点。5.2 基本结构介电谐振器通常是具有有限长度的介质柱波导，通常形状为盘片或圆柱体。尽管空气与电介质界面被近似认为是磁壁，但是电磁场实际上会有 为了防止这种辐射损耗，谐振器！如在传统的金属腔中， 些模中，在具有一定直J 谐振器的主模。Q ,特别是在端面处，此处入射角小于临界角。b) - TMqio和四分种结构中可以存在多种模。这 示出了三种最常用的介电TE01模介电谐振器的 种模谐振器由盘或圆柱形介电谐 蔽导体组成。此模可以实现高无载品质因数。广电场在波

12、使播方向上泄漏。这 以及高导电性金属如铜或根制成的屏TM010模介电谐振器的特征在于TM（横向磁场）模场分布.该模式谐振器在TE0l和TEM模谐振器之间具有中等水平的无载Q值和尺寸缩小效应。因其结构有助于释放热量，TM010模谐振器通常用于大功率应用，如蜂窝基站用滤波器。TEM（横向电磁场）模介电谐振器的模场分布为TEM模，具有1/4波长的驻波，在圆柱形介电谐振器的壁的内部、外部和一端被烧制或镀覆高导电性金属如铜或银。该模式介电谐振器有显著的缩小效应。6介电谐振器特性6.1 介电谐振器的材料特性用于制造介电谐振器的材料应具有较高的相对介电常数（）,低损耗因数（tn5）和最小谐振频率温度系数（T

13、CF）.表1示出了几种具有微波频率介电特性的谐振器材料。表2示出了基材的介电性能。介电谐振器安装在这些基板匕表1可用介电谐振器材料的特性材料，Qof值GHzTCF10tKMgTiO厂CaTiO3体系2150,000-10-10Ba(Mg,Ta)O?体系24300,000010Ba(ZntTa)O3体系30150,000-1010Ba(Zn,Nb)O3体系3485,000010(Zr,Sn)TiO.体系3850,000-10-10BaJTOw体系3840,000410BaOPbO-BiQ3-Nd2OiTi(体系9050,000-2020注：采用丁琦优模在：仃也测录。表2基板材料特性材料,tan1

14、GHzTCFo7xr聚四氟乙烯1.82.80.00020.0025环氧基树脂2.50.01-0.02玻璃聚四氟乙烯2.70.002BT树脂3.40.003玻璃-环氧基树脂2.64.20.01聚酰亚胺2.73.2(0.0050.008)玻璃-聚酰亚胺1.04.4(0.006-0.012)*氧化铝9.8OOIOoOO1-OC）-反应型造报器图3耦合到外部电路的介电谐振器的等效电路在图3中，Qft表示负载品质因数，它是谐振器系统的总品质因数，包括谐振器内部和外部电路中的能量损耗。Ql由公式（6）和公式（7）给出：（二在+十（反射型和反应型）（6）QlQuQe一+（传输型）（7）QlQuQegQei式

15、中：Qe.Qeg和Qd表示由谐振器和外部电路之间的耦合系数确定的外部品质因数;Qeg是激励侧的Qe，Qel是负载侧的Qe；QU表示带屏蔽导体的介电谐振器的无载品质因数。无载质量因数主要由介电谐振器材料的损耗因数和屏蔽导体表面的传导损耗决定。QU由公式（8）给出：(8)=+.QUQdQe式中：Qd是材料的品质因数；Qe是由于屏蔽导体的传导损耗引起的品质因数。材料的品质因数定义为Qo=I/S6oQo,Qd由公式（9）给出:Qd=（I+QQo恤和WZ分别是存储在电介质元件外皆振器的尺寸不。值谐振电元件尺寸TEOl163 mnX 22 mm10 mJQC确I模下，它们分6. 3. 2 TEig式中：A

16、是由介电谐振器的结构确方40,0(X)12,0001,010TMO 4TE 注： 如表别是Qd和值由的值）.1 (图4具有激励端子的TEOIS模谐振器剖面图部和内部的电能。当所有 Qc值与谐振模式 表3示出了*=38 且 Qo = Q种谐振器的尺勺三种介电谐振器的Qd、寸计算Qd和Ql铜作为屏蔽导体的聿。当介电谐振器材料的IO7 （S）-控制每TEow模谐振温特性皿: a）结构图4示出了具小英制成的低介电常:通常使用石墨、氧化铝或石 件固定在屏蔽导体的中心。b)谐振频率图5示出了TEom模谐振器尺寸。屏蔽导体的高度应小于4o2,式中;I。是真空中谐振频率的波长。图5TEon模谐振器的尺寸当d2

17、0至J3D,忍2乙到丸时，谐振频率由公式（三）)表示C京(10)式中C是真空中的光速。图6示出的是TEom模谐振器的振动模式。当a5时，TEOM主模与相邻较高模分离明显。因此，建议使用这个比例来获得理想的杂散响应。环形介质元件可进一步抑制杂散响应。图6模谐振器的振动模式c)品质因数该模的无载Q值由公式(11)表示：.=.+/=(Altan+A2tans+A3tana)+A4Rs(11)式中tan.tans和tana分别是介电元件、介电支架和胶粘剂的损耗因数，Rs是屏蔽导体的表面电阻，由公式(12)给出：(12)RS=悟式中:是角谐振频率；0是真空中的磁导率；是屏蔽导体的电导率。常数4至AI是由

18、介电元件的U和谐振器的尺寸确定的。d）谐振频率的温度系数选择材料的谐振频率-温度系数TCF,以补偿屏蔽导体的热膨胀对谐振器谐振频率-温度系数的影响.对于尺寸为d*2。到3。，*2L到3L的TE016模谐振器建议选取TCF3。6. 3.3TMolo模谐振器Moi。模谐振器特性如下：a）结构图7示出了具有激励端子的TM010模谐振器的剖面。柱状介电元件设置在屏蔽导体的中心,其两端与上导体和下导体电接触；b）谐振频率TMolO模谐振器的谐振频率由介电元件的直径决定。当/为30至40和Od=1/3时，其中D是介电元件的直径，d是屏蔽导体的内径，TMo】o模谐振器的谐振频率由公式（13）给出：外若解（c

19、）无载品质因数无载Q值由公式（14）给出：高=卷+*=Almn6+&Rs（M）式中：tan介电元件的损耗因数；RS屏蔽导体的表面电阻。常数A1和%由介电元件的和谐振器的尺寸确定。TMOIO模谐振器的RS对Qu的影响比其在TEOI模谐振器内的影响要大。较长的介质元件拥有较高的无载Q值。（1）谐振频率温度系数电介质元件和屏蔽导体间的气隙会明显地改变谐振频率。因此，这两种材料的热膨胀系数必须一致，以防止产生气隙。6.3.4TEM模谐振器TEM模谐振器特性如下：a）结构图8是通过回流焊安装在PWB上的长方柱形4TEM模谐振器示意图。为了与传输线耦合，金属端子连接到谐振器的内壁。图9是在谐振器一侧需要电

20、容处，在金属端子和谐振器的内壁之间填入树脂。该模式的谐振频率由谐振器的长度决定按公式（15）定义:相邻的较高振动模响应出现在3另一个更高模式的频率由公式(16)给出。尸;1=2j(等)(16)图11是具有内孔台阶的4/4TEM模谐振器示意图。该台阶的存在使得与宜内孔谐振器相比长度缩短了10%至20%,但是较短的长度降低了无载品质因数。图11具有阶梯形内径的47TM模谐振器c)无我品质因数该模式的无载Q值由公式(17)给出：式中Qd=Ian3对于4圆柱型TTM模谐振器QC由公式(18)给出：Qc=2oao皿.。)二(18)YCyhola+lb+(2L)ln(ha)对于长方柱形谐振器，4H=2rd

21、的变换是可接受的。当尺寸a=3或6时获得最大QC值。d)谐振频率-温度系数该模式的谐振频率-温度系数近似于介电器件的谐振频率-温度系数。6.3.5微带谐振器微带谐振器特性如下：a)结构图12示出了微带谐振器示意图。当微带线的一端短路时，它作为，4谐振器工作，当微带线的两端开路或短路时，它作为“2谐振器工作。c)6.3.6带状线谐振器带状线谐振器特性如下：a）结构图13示出了带状线谐振器的示意图。当带状线的一端短路时，它作为A/4谐振器工作，当带状线的两端开路或短路时，它作为2谐振器工作；图13带状线谐振器b）谐振频率“4带状线谐振器的谐振频率由公式（22）给出：益=舟（22）c）无载品质因数该

22、模的无载Q值由公式（23）给出：卷=卷+联=（AItCm6+&RSI+3z）（23）式中：tn6是电介质基片的损耗因数；RSl和&2分别是微带线和接地平面电极的表面电阻。建议W/w之比大于3,以防止由带状线边缘的干扰引起无载Q值的降低。d）谐振频率-温度系数该模的谐振频率-温度系数近似于电介质基板的TCF。6.4应用示例表4示出了介电谐振器在微波滤波器和振蒲器中的应用。对于900MHz移动通信系统的泄波据，普遍使用高于90的BaO-Nd2O3-TiO2基陶瓷材料。该方法利用4TEM谐振模获得最大的尺寸缩减效应。表4应用示例频率范围谐振模材料应用实例0.2GHz3GHzTEol6010A/4TE

23、MBao-NdJoJFO?体系MgIIO3-CaHO3体系(ZrSn)TiO,体系BaiTijOio体系移动通信服务移动卫星通信业务3GIIz-30GHzTEoI6EHlliS4TEM(Zr,Sn)TiO4体系Ba2TieOse体系Ba(ZnjNb)O3体系Ba(ZnlTa)Os体系微波地面通信业务固定卫星通信业务广播服务广播卫星服务30GHz80GHzTEoMBa(MglTa)O3体系智能运输系统无线局域网(Zr,Sn)Ti4和BazTiQm材料的适用频率范围宽达0.2GHZ至IOGHz。它们具有较高的相对介电常数(三38)以及较高QO值，可用于蜂窝基站、多种通信系统的滤波器和卫星直播电视的

24、振荡器。当应用需要高无载品质因素时，使用TEOI6谐振模。对于诸如蜂窝基站的大功率应用，TMOlO谐振模具有帮助从电介质元件释放热量到屏蔽导体的优点。大功率应用的设计人员应注意避免低气压下在介质元件周围产生的放电。低的三次谐波失真电平是另一个要考虑的问题，用以避免信号之间的互相干扰。(Zr,Sn)TiO,材料具有较低的三次谐波失真电平。复合钙钛矿材料如Ba(Zn,Ta)O3和Ba(Mg,Ta)O3具有极高的Qo值。它们用于从10GHz到80GHz的较高频率。TTOn谐振模主要用于获得更高的无载品质因数。7振荡器应用指南7.1振荡器的使用说明谐范围的在压例上方的金属螺 I,并受到晶 响。的机械调

25、谐系,它振器的谐容二极海波振荡器的相场效应管(FET)用于Tf源元件。前者可CFET振荡器的y、二 ,i5通Q值的介电谭琳介电谐振器用于 0. 3 GHz 至 3.0 G硅双极型晶 后者可以在高 振荡器的相右 频率。图14 丝通常的 体管和电谐振器用于振荡频率为瓦16模谐振器用于频率高于3. 0GHz的频率使用， 硅双极型晶体管 T振步器的振荡频率主要由1振步器频率的温度稳定性主要取决于介电谐振器的谐振频率的温度系数(TCF),并受金属外壳的热膨胀系数的影响。金属壳体的热膨胀系数的影响是介电元件与金属壳体之间的距离的函数。为了获得稳定的振荡频率，选择合理的TCF介电谐振器，以补偿金属壳体的热膨

26、胀系数。诸如(Zr,Sn)TiO4,Ba(Zn,Ta)O3和Ba(Mg,Ta)Ch的介电谐振器材料的谐振频率与温度是线性关系，在-50至100。C内频率稳定度可以控制在100X1OY以内。有时还采用自动相位控制系统(锁相环系统)来获得更高的频率稳定性。相位噪声L(Josc)是评估振荡器的另一个重要参数。L(Josc)由公式(24)给出：心=1Iog卜（黑）2器（短）2於1（削HZ）（24）式中:fosc振荡频率；fm教波的频率偏移量；Qosc-不包括FET的负电阻振荡器的负载品质因数；PFET振荡晶体管的输出功率；闪烁噪声系数；FFET的噪声系数；k波尔兹曼常数；TFET的温度。为了在晶体管中

27、获得较低的相噪并具有最小的输出功率，需要更高的QoSC值。通过使用TEOI6模介电谐振器可获得更高的Qosc值。7.2 采用T&H6模谐振器的振荡器TE015模高Q介电谐振器用于稳定振荡频率并降低FM噪声.有两种类型的振荡器：反射型和反馈型。图15所示是使用介电谐振器作为窄带抑制滤波器的反射型振荡器。图16所示是介电谐振器用作窄带带通滤波器的反馈型振荡器。由于设计容易，通常使用反射型振荡器。图15反射型振荡器实例图16反馈型振荡器实例图17是用于分析反射型振荡器的振荡条件的简化图。振荡条件由公式(25)和公式(26)给出。匹配电路楹带线漏极反馈电抗Zin-Z。(27)Z(n+Zo1的年A反射网

28、(29)系数;(25)(26)6式中(28)表i式中：GI 是 FEr G是从E 小由公式中范围内获得式中：耳一 传输线的相拉rr由介电谐!尽值及和G用矢量网名调整耦合系数以在期望的频，给出了稔定的振荡和更宽的频率调谐源极m断ZE用公式(28)所期望的频率f = re-f0计应满足公式(25)和(26)。角以满足公式(26),更强的耦合 序会导致谐振器的低负载品质因数和较差的振荡性能。另一方面，较弱的耦合会导致较低的FM噪声特性。必须考虑上述俯况以确定0的强度。图18和19给出了反射型压控振荡器(VCo)和反馈型压控振荡器的示例。通过使用TE016模高Q值介电谐振器来获得高度稳定的振荡频率。通

29、过采用PLL技术获得低频范围内的低FM噪声。这些VCO可以通过变容二极管耦合到谐振器来实现。out信号稔出out信号编出图19反馈型压控振荡器实例7.3 采用TEM模谐振器的振荡器式中匕E是控制电乐，VCC是品图20所示是振荡频率为900MHZ的压控振荡器（VCo）的示例,体管的偏置电压，RFolu是输出信号。使用TEM模介电谐振器来稳定振荡频率。微带线6pF3.5pF2二：1SV2121OkQ/77该VCO使“900MHz时Qu/900MHz频新褒研渡话对于振根低Q值。1.5pFHlOOOPF/h2SC33561OOOpF2,5pFTI匚oRFout-j缓冲放大器信号谕出至22OaQDINF

30、OQPXI?M?嬴藁询忸超必.谐振器构成共基型振荡电路、INK4基驾a路士现1,舌缪II逑凝豳用.1.炉为90的为200闹介电谐振器来燃？三31HMF了低相噪，变容Ij渣常数/为90并在W可调谐频率范围。短，并且会降&NDZZ附录A(规范性)介电谐振器规范检验一览表以下的检验一览表是为制造厂提供的指南，它对于实际的介电滤波器提供了完整的技术规范，包括参数和工作环境特性，并且对漉波器的使用及起草技术规范也非常有用。此外潜在用户也能够更准确地评估预定用途的滤波器的适用性。该一览表也有助于用户在实际应用中对介电滤波器新品提出规定，使用户意识到需要规定的不同的工作条件和性能参数。当标准项目能满足要求时

31、,规定相应的技术条件就足够了。当现成的详细规范不能全部满足要求时，应将已知的差异添加到详细规范的一览表中。极少情况下，当差异太多不适于引用现成的详细规范时，应按照己使用过的标准详细规范的格式起草新的详细规范。很明显，不必每个应用都规定全部参数，仅需要加入对实际应用重要的那些参数。规定非关键参数和不必要的闭合公差将导致额外的成本。表A.1给出了各参数对应标准(GBzr2421.1,GBZT2423.SOT11570.1)的章条号。表A.1介电谐振器规范检验一览表相关标准章条号介电特性相对介电常数(U)损耗因数(tan5)品质因数(Qo)介电常数的温度系数(TCe)线性热膨胀系数(a)SJ/T11

32、570.12016,2.2.3SJ/T11570.12016,2.2.6,SJ/T11457.1.32021SJzr11570.12016,2.2.7,SJ/T11457.1.32021SJTr11570.12016,2.2.8,SJZT11457.1.32021SJ/T11570.12016,2.2.9,SJ/T11457.1.32021电性能品质因数(Q)无我品质因数(QU)外部品质因数(QC)有就品质因数(QL)谐振频率(fo)谐振频率温度系数(TCF)SJ/T11570.12016,2.2.25SJ/T11570.12016,2.2.26,SJ/T11570.12016,2.2.27S

33、J/T11570.12016,2.2.28SJ/T11570.12016,2.2.29SJ,11570.12016,2表A.1（续）相关标准章条号环境特性SJfT11570.12016,4.6. 1Sjrr11570.12016,4. 6.2SJ11570.12016,4.6. 5, GB/T 2423.222012SJZT11570.12016,4. 6. 6, GB/T 2423.61995SJ/T11570.12016,4. 6. 7, GBrr 2423. 102008SJ/TJ 1570.12016,4.6. 8. GB/T 2423. 51995115）.J-20167h GB/T

34、 2423. 152008O,0. 12016, 4. 6,疆l20086 2423. 115701 -2016.1EC 6006812016,16.iB/T 2423.b,IH4-200824212008 第 7 条23. 2 -2008SJ/T 11570. 12016, 4.6：SJ/T 11570. 12016, 4. 6. 13.11570. 12016, 4.6Q存高温老化快速温度变化碰撞振动冲击稳定加速度气候试验高温试验交变湿热低温试验恒定湿热低气压其他机械特性引出端强度耐焊接热N可焊性I金属化电q标志I其他检验要事引用文件（相飞检验机构、质量评定程序可接受的质量水平其他参考文献

35、1 KAJFEZ,D.ANDGUILLON,P.eds,DielectricResonators,ArtechHouseInc.,Dedham,MA,1986.2 KONISHI,Y.MicrowaveIntegratedCircuits,MarcelDekkerInc.,NewYork,Basel,HongKong,1991.3 KOBAYASHI,Y.andNAKAYAMA,S.DesignChartforShieldedDielectricRodandRingResonator,IEEEMTT-SDigest,p.241244,1986.4 SOARES,R.,GRAFFEUILJ.andOBREGON,J.ApplicationsofGaAsMESFETs,ArtcchHouseInc.,Ch.6,1983.5 1.ESSON,DB.SimpleModelofFeedbackOscillatorNoiseSpectrum,ProC.LettersIEEE,p.329-330,1966.