电子工程建设术语标准.docx
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1、电子工程建设术语标准1总则I.0.1为规范电子工程建设的基本术语及其定义,实现专业术语标准化,制定本标准。1. 0.2本标准适用于电子工程建设的规划、咨询、设计、工程监理、工程管理等工程服务以及教学、科研及其他相关领域。1. 0.3电子工程建设文件、图纸、科技文献使用的术语,除应符合本标准外,尚应符合国家现行有关标准的规定。2电子工程建设综合性术语2. 0.1电子工程electronicsengineering纳入工程项目管理的电子信息产品的制造厂、研发基地、教学、仓储、信息系统,以及信息技术应用设施等的建设工程。2. 0.2电子工业工程electronicindustrialproject电
2、子整机类、电子元器件类、电子材料类及电子专用设备类工程建设项目的统称。2. 0.3电子系统工程electronicsystemproject为独立运行或与各类工程中配套使用的电子信息系统进行设计、采购、集成、安装、调试等服务的建设工程。3整机类及电子系统工程3. 1计算机4. 1.1计算机computer一种能进行大量计算的功能单元,包括无需人工干预的算术运算和逻辑运算。5. 1.2硬件hardware信息处理系统物理组成部分的全部或部分。6. 1.3软件SOftWare信息处理系统的全部或者部分程序、流程、规则和相关文档。7. 1.4输入设备inputdevice将数据送入计算机的设备。8.
3、 1.5输出设备OUtPUtdeViCe将数据传出计算机的设备。3. 1.6存储器storage能放入、保存并可从中取出数据的功能部件。4. 1.7外存储器externalstoragedevice只能通过输入、输出通道访问处理器的存储器。又称辅助存储器,是内存储器的补充设备。3. 1.8计算机网络computernetwork一种由计算机和数据通信设备组成的各结点与由数据链接组成的分支所形成的网络。4元器件类工程4. 1微电子与集成电路4. 1.1微电子技术micro-electronicstechnology微小型电子元器件、元件和电路的研制、生产技术,以及实现预定电子系统功能的技术。5.
4、 1.2集成电路integratedCircuits(IC)通过一系列的特定半导体工艺或薄膜、厚膜加工工艺,将晶体管、二极管、电阻、电容等多个电子元件集成在一个衬底上,构成完整的、具有一定功能的电路或系统。4.1.3MOS集成电路metal-oide-semiconductorintegratedCircuits(MOSIC)以金属-氧化物半导体场效应晶体管为主要元件构成的集成电路。4.1.4CMOS集成电品各complementarymetal-oxide-semiconductorintegratedCircuits(CMOSIC)以P型沟道的NMOS晶体管和以N型沟道的PMOS晶体管互补
5、构成的集成电路。4.1.5BiCMOS集成电路bipolarcomplementarymetaloxidesemiconductorintegratedcircuits由双极型门电路和互补金属一氧化物半导体门电路共同构成的集成电路。4.1.6半导体整流器semiconductorrectifier由一个或者多个半导体PN结组成,用于将交流电流变成直流电流的装置。4.1.7晶体管transistor对信号有放大和开关等作用、有三个或四个电极的半导体器件。4.1.8可控硅整流管siliconcontrolledrectifier(SCR)由三个PN结的PNPN四层结构硅芯片及三个电极组成的半导体整
6、流或开关器件。4.1.9半导体光电子器件SemiCOndUCtorPhotoeIeCtrOniCdeViCe利用半导体的光电效应将光能转换成电能的器件。4.1.10不申化/光耦合器件GaAslightcoupleddevice以碑化钱做成的光耦合器件。4.1.11光电晶体管Phototransjstor把光电二极管和放大器集成在一个硅片上的光电器件。4.1.12红外探测器infrareddetector将入射的红外辐射信号转变成电信号输出的器件。4.1.13光电池photocell在光的照射下产生电动势的器件。又称光生伏打电池。4.1.14发光二极管lightemittingdiode(LED
7、)由一个PN结组成,具有单向导电性,可把电能转化成光能的一种半导体二极管。4.1.15线宽criticaldimension所加工的集成电路图形中的最小物理尺寸,是表述集成电路工艺的关键尺寸。又称最小特征尺寸。4.1.16硅片wafer用半导体材料制成的单晶硅圆片。5电子材料类工程5.1半导体材料5.1.1半导体材料Samiconductormaterials电阻率介于导体与绝缘体之间,范围在l105cml107cm的一种固体物质。5.1.2晶体材料crystalmaterials在三维空间中,由沿一定晶向、以一定周期性结构排列的原子、离子或分子组成的固体物质。5.1.3单晶材料singlec
8、rystalmaterials不含大角晶界或亦挛晶界的晶体材料。5.1.4多晶半导体材料polycrystalsemiconductormaterials由大量结晶方向不相同的单晶体组成的半导体材料。5.1.5多晶硅polySiljeon熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成晶核,晶核长成晶面取向不同的晶粒,晶粒再结晶形成的物质,是单质硅的一种形态。5.1.6非晶态材料amorphousmaterials具有可与晶态物质相比较的高硬度和高黏滞系数的刚性固体。又称无定形或玻璃态材料。5.1.7非晶硅amorphoussilicon熔融硅在过冷条件下凝固时,硅原子以无规则网络
9、形态排列成晶核,这些晶核长成晶粒,晶粒再结晶成的物质。5.1.8硅基材料silicon-basedmaterials以硅材料为衬底或基底,通过不同工艺过程生长制成的材料。5.1.9绝缘层硅silicon-on-insulator(SOI)在单晶硅片上形成绝缘薄层的硅单晶衬底材料。6电子专用设备类工程6.0.1真空设备VaCUUmeqUiPment产生、改善和(或)维持真空环境的装置。包括真空应用设备和真空获得设备。6.0.2真空镀膜设备VaCUUmCOatingeqUiPment在真空中用蒸发等方法将蒸发材料沉淀于工件上,形成均匀牢固的薄膜以完成镀膜工艺的设备。6.0.3溅射设备SPUtter
10、ingeqUiPment在真空中利用溅射方法制造薄膜的设备。6.0.4排气设备exhaustequipment对某一容器抽气进行一定工艺处理,使之达到所需真空度,并将其封离的设备。6.0.5电子束加工设备electronbeamprocessequipment利用电子束的特性进行切割、打孔、焊接、熔炼、蒸发、掺杂等工艺的设备,以及利用低能量电子束对某些物质的化学作用进行镀膜、曝光等加工的设备。6.0.6离子束加工设备ionbeamprocessequipment利用离子束的特性进行切割、打孔、焊接、熔炼、蒸发、掺杂等工艺的设备。6.O.7激光加工设备laserprocessequipment利
11、用激光的作用原理来进行打孔、切割、焊接、蒸发、光刻、曝光、掺杂、扩散等工艺的设备。6.0.8单晶炉crystalgrowingfurnace采用高温熔化方法,由原材料制备或提纯单质或化合物半导体单晶锭的设备。6.0.9切片机slicingmachine将半导体硅锭等脆硬棒材切割成规定厚度片材的设备。6.0.10波峰焊机flowweldingmachine将熔化的铅锡合金软钎焊料,经电动泵或电磁泵喷流成设计要求的焊料波峰的设备。6.0.11表面贴装设备surfacemountedtechnology(SMT)machine采用表面贴装技术,将传统的电子元器件压缩成为只有原来体积几十分之一的器件,
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