武汉理工大学《材料科学基础》考研核心题库及答案.docx

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1、武区理工大学材料科学与工程学院一、填空题OoOL烧结过程的主要传质机制有、,当烧结分别进行四种传质时，颈部增长x/r与时间I的关系分别是、。OoO2.晶体的对称要素中点对称要素种类有、,含有平移操作的对称要素种类有、OOOo3.晶族、晶系、对称型、结晶学单形、几何单形、布拉菲格子、空间群的数目分别是、OOo4.晶体有两种理想形态,分别是和OOOo5.晶体是指内部质点排列的固体。Ooo6.以NaCl晶胞中(Ool)面心的一个球(CI-离子)为例，属于这个球的八面体空隙数为，所以属于这个球的四面体空隙数为。OO07.与非晶体比拟晶体具有自限性、和稳定性。OoO8.个立方晶系晶胞中，-晶面在晶轴X、

2、Y、Z上的截距分别为2a、l2a、23a,其晶面的晶面指数是。(X)09.固体外表粗糙度直接影响液固湿润性，当真实接触角。时，粗糙度越大，外衣接触角，就越容易湿润：当&那么粗糙度，越不利于湿润。(X)Io.棚酸盐玻璃中，随着NazO(R2O)含量的增加，桥氧数，热膨胀系数逐渐下降。当NazO含量到达15%16%时，桥氧又开始，热膨胀系数重新上升，这种反常现象就是硼反常现象。(X)II.晶体结构中的点缺陷类型共分、和三种，CaCk中Ca?+进入到KCI间隙中而形成点缺陷的反响式为。0012.固体质点扩散的推动力是。0013.本征扩散是指,其扩散系数D=,其扩散活化能由和组成。0014.析晶过程分

3、两个阶段，先后。0015.晶体产生Fmnkel缺陷时，晶体体积，晶体密度：而有SChtIy缺陷时，晶体体积,晶体密度。一般说离子晶体中正、负离子半径相差不大时，是主要的；两种离子半径相差大时，是主要的。(X)】6.少量CaC12在KeI中形成固溶体后,实测密度值随Ca2+离子数ZK+离子数比值增加而减少，由此可判断其缺陷反响式为C(X)17.Tg是,它与玻璃形成过程的冷却速率有关，同组分熔体快冷时Tg比慢冷时,淬冷玻璃比慢冷玻璃的密度,热膨胀系数.(X)18.同温度下，组成分别为：(l)0.2Na20-0.8Si02；(2)0.INa2O-0.1CaO-0.8SiO2;(3)0.2CaO-0.

4、8SiO2的三种熔体，其粘度大小的顺序为=0()19.三T图中三个T代衣,和o0020.粘滞活化能越,粘度越o硅酸盐熔体或玻璃的电导主要决定于0021.0.2Na20-0.8Si02组成的熔体，假设保持Na2O含量不变，用Cao置换局部SiO2后，电导。0022.在Na2O-SiO2熔体中参加A12O3(Na2OA12O3l),熔体粘度。0023.组成Na2O.12A12O3.2SiO2的玻璃中氧多面体平均非桥氧数为=(X)24.在等大球体的最紧密堆积中，六方最紧密堆积与六方格子相对应，立方最紧密堆积与相对应。0025.在硅酸盐晶体中，硅氧四面体之间如果相连，只能是方式相连。0026.离子晶体

5、生成SChttky缺陷时，正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随的增加。0027.多种聚合物同时并存而不是一种独存这就是熔体结构的实质。在熔体组成不变时，各级聚合物的数量还与温度有关，温度升高，低聚物浓度增加。0028.系统中每一个能单独别离出来并的化学均匀物质，称为物种或组元，即组份。例如，对于食盐的水溶液来说，Nael与H2O都是组元。而Na+、Cl-.H+、OH一等离子却不能算是组元，因为它们都不能作为独立的物质存在。0029.在弯曲外表效应中，附加压力AP总是指向曲面的,当曲面为凸面时，AP为正值。0030.矿化剂在硅酸盐工业中使用普遍，其作用机理各异，例在硅砖中参加l-3%

6、Fe2O3+Ca2(OH)2做矿化剂，能使大局部a-石英不断溶解同时不断析出a-磷石英，从而促进a-石英向磷石英的转化。水泥生产中用作矿化剂，可以降低熟料中液相生成温度和降低液相粘度，提高离子扩散速率，加速CaOSiO2的形成。0031.一级相变是指体系由一相变为另一相时，两相的化学势相等但化学势的不相等，有相变潜热，并伴随有体积改变。0032.在固体介质中，做无规那么布朗运动的大量质点的扩散系数取决于质点的和迁移自由程r平方的乘积。0033.烧结的推动力是,它可凭以下方式推动物质的迁移：蒸发-凝聚传质，扩散传质，流动传质，溶解沉淀传质。0034.固体质点扩散的推动力是O0035.固相分解反响

7、的特点是：(1)；(2);(3)。0036.在MoO3+CaCO3CaMoO4+CO2反响中，当CaCO3：MoO3=15,时，由于产物层和扩散阻力反响由控制，并随减小而加速。0037.本征扩散是指：,其扩散系数D=其扩散活化能由和组成。0038.杂质原子在其它晶格中扩散时的推动力为,同种原子在自己晶格中自扩散的推动力为。0039.晶体中五种扩散机制为一、一、一和一,其中是离子晶体中最常见的扩散机制，其扩散活化能包括_和O0040.析晶过程分两个阶段，先后。在析晶作用曲线上速率曲线在高温区。0041.玻璃分相的两种机理是机理和机理。前者分相时质点作扩散，分相速率一;后者分相后具有结构，分相开始

8、界面一突变。0042.将下面四个概念的序号a、b、c、d分别填入各分相特点前的括号内。a.稳定分相b.介稳分相c.成核-长大分相d.旋节分相(C)第二相组成不随时间变化；(a)分相区在液相线上；(d)分相开始界面呈弥散状，并逐渐明显；(C)分相后具有液滴状孤立结构；(C)分相速度慢；(b)分相后的两相均为热力学介稳相：(C)有分相势垒；(d)分相时质点作负扩散；(d)f2G(af.p3)(1)0019.时间一温度一相转变0020.大(小)大(小)结构参数丫0022.降低0024.立方面心格子。0025.共顶方式。0026.晶体体积。0027.远程无序。0028.独立存在。0029.曲率中心。0

9、030.萤石。0031.一级偏微商。0032.有效跃迁频率。0033.外表能的降低。0034.化学位梯度0035.(1)屈非均相反响，参与反响的固相相互接触是反响发生化学作用和物质输送的先决条件。(2)固相反响开始温度远低于反响物的熔点或系统低共熔点温度。(泰曼温度)。(3)存在多晶转变时，此转变也常是反响开始变得明显的温度。(海德华温度)0036.变薄，减少，MoO3的升化过程，MoO3粒径0036.由晶体内本身的热缺陷引起质点迁移的扩散,D=D0exp(-QRT),空位形成能，空位迁移能0038.缺陷浓度，00039.易位，环形扩散，空位扩散，间隙扩散，准间隙扩散，空位扩散，空位形成能，空

10、位迁移能0040.成核，生长，生长一成核，调幅分解，正，慢，连续非球形，不稳定0043.,减少，G*=l2G0044.NaCl,m3m,Fm3m,高级，立方，6,40045.AgClKClCa;+200+Cdzr,Ca2AziTo2，Cao*l。；+。.+%QvZiGf二、判断题0001.Na2-Si02系统中随Si2含量的增加，熔体的粘度将降低。()0002.扩散的推动力是浓度梯度，所有扩散系统中，物质都是由高浓度处向低浓度处扩散。()0003.晶粒正常长大是小晶粒吞食大晶粒，反常长大是大晶粒吞食小晶粒。()0004.固溶体是在固态条件下，一种物质以原子尺寸溶解在另一种物质中形成的单相均匀的

11、固体。()0()05.在热力学平衡条件下，二元凝聚系统最多可以3相平衡共存，它们是一个固相、一个液相和一个气相。()0006.纯物质在一定压力下的熔点是定值。()07.纯液体在一定温度下的蒸汽压为定值。()0008.纯物质在一定温度下，固、液、气可以三相平衡共存。()OOO9.粉状物料的外表能大于多晶烧结体的晶界能，这是烧结过程的推动力。()0010.烧结过程中，如果晶界移动速率等于气孔扩散速率，可到达烧结体致密化。()OolL逆扩散的推动力是浓度梯度.()0012.成核-生成相变亚稳区Gv,斯宾那多分解的不稳区G0.()0013.分开单位面积的粘附外表所需的功。粘附性越好，粘附功越小。()0

12、014.问：螺位错可以攀移。()0015.浓度差会引起扩散，扩散总是从高浓度处向低浓度处进行。()0016.多晶转变点一定不会是析晶终点，过渡点一定不会是析晶终点。()0()01.答：不正确。粘度增加。0002.答：不正确。扩散也可以从低浓度向高浓度进行。OoO3.答：不正确。都是晶界移动的结果。正常长大是晶粒平均尺寸增加，反常长大是个别大晶粒尺寸异常增加。0004.答：正确。OOO5.答：不正确。两个固相和一个液相。0006.答：正确。根据相律F=C-P+2,C=Io熔化时P=2,F=l-2+2,当压力确定后温度就确定了。0007.答：正确。0008.答：不正确。固、液、气可以三相平衡时，自

13、由度F=O,这是外界条件(温度和压力)都是确定的特定值，不能随意变化，因此温度不能任意指定。0009.答：正确。0010.答：不正确。晶粒正常生长时，晶界移动受到杂质或气孔的牵制，为了利用晶界作为原子移动的快速通道，希望气孔维持在晶界或三个晶粒的交汇点上，晶界移动速率等于气孔扩散速率，晶界在牵制气孔移动的同时，气孔作为空位源而快速向烧结体外排除。随着烧结进行，气孔率逐渐减小，气孔内气压不断提高，当内气压增至2r时，即其孔内气压等于烧结推动力，烧结就停止了，继续升高温度，气孔内气压2r,气孔膨胀而出现反致密化过程。OOII答：不对，是化学位梯度。0012.答：不对。相反。0013.答：不对。WA

14、B=AB-AB,粘附性越好，粘附功越大。0014.答：不正确。螺型位错只能滑移。螺型位错运动时，螺型位错的移动方向与位错线垂直，也与柏氏矢量垂直。对于螺型位错，由于位错线与柏氏矢量平行，故它的滑移不限于单一的滑移面上。对于螺型位错，另一滑移面上去继续滑移，这一过程称为交滑移。0015.答：不正确。扩散的根本推动力是化学位梯度，只不过在一般情况下以浓度梯度的方式表现出来；扩散是从高化学位处流向低化学位处，最终系统各处的化学位相等。如果低浓度处化学势高，那么可进行负扩散，如玻璃的分相过程。0016.答：正确。三、名词解释01晶体Ooo2等同点0003空间点阵OoO4结点0005晶体定向OOo6晶体

15、常数0007对称0008对称型(X)O9晶类0010单形(X)H聚形0012布拉菲格子0013晶胞0014空间群015单键强0016分化和缩聚0017网络形成体、网络中间体、网络改性体0018凝聚系统0019介稳平衡0020低共熔点0021双升点0022双降点0023马鞍点0024连线规那么0025切线规那么0026三角形规那么0027重心规那么0028稳定扩散与不稳定扩散0029本征扩散与非本征扩散0030自扩散与互犷散0031扩散系数与扩散通量0032配位数与配位体0033同质多晶与多晶转变0034位移性转变与重建性转变0035弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷(X)36刃型位错和螺型位错0037晶

16、子学说和无规那么网络学说0038晶体场理论0039配位场理论0041类质同晶和同质多晶0040萤石型和反萤石型0042二八面体型与三八面体型0044尖晶石与反尖晶石0045米勒指数0049压电效应0053无序扩散0046离子晶体的晶格能0050硼反常现象0054烧结宏观定义0047离子极化0048铁电效应0051熔体、玻璃体0052界核半径0055非均相成核0056矿化剂0043同晶取代与阳离子交换0057晶界结构0058桥氧离子(X)59吸附0060外表能:0063晶粒长大0061初次再结晶0062二次再结晶名词解释参考答案0001.晶体是内部质点在三维空间成周期性重复排列的固体。或晶体是具

17、格子构造的固体。0002.等同点晶体结构中在同一取向上几何环境和物质环境皆相同的点称为等同点。0003.空间点阵是表示晶体结构中各类等同点排列规律的几何图形。或是表示晶体内部结构中质点重复规律的几何图形。0004.空间点阵中的阵点，称为结点。0005.晶体定向就是在晶体中确定坐标轴(称晶轴)及轴单位或轴率(轴单位之比)。0006.晶体常数：晶轴轴率或轴单位，轴角。表示晶体结构特征的参数(a、b、c,(bc),(ac),(ab)称为晶胞常数，晶胞参数也即晶体常数。(X)07.对称是指物体相同局部作有规律的重复。0()08.对称型晶体结构中所有点对称要素(对称而、对称中心、对称轴和旋转反伸轴)的集

18、合称为对称型，也称点群。(X)09.晶类将对称型相同的晶体归为一类，称为晶类。0010.单形是由一组同形等大的晶面所组成，这些晶面可以借助其所属对称型的对称要素彼此实现重复。也就是说，单形是由对称要素联系起来的一组晶面的集合。0011.聚形含有两个或两个以上单形的晶形称为聚形。(X)12.所有晶体结构的空间点阵可划分成十四种类型的空间格子，这14种空间格子称布拉菲格子。0013.任何晶体都对应一种布拉菲格子，因此任何晶体都可划分出与此种布拉菲格子平行六面体相对应的局部，这一局部晶体就称为晶胞。晶胞是能够反映晶体结构特征的最小单位。0014.空间群是指一个晶体结构中所有对称要素集合。0015.单

19、键强即为各种化合物分解能与该种化合物配位数的商。0016.分化过程：架状04断裂称为熔融石英的分化过程。缩聚过程：分化过程产生的低聚化合物相互发生作用，形成级次较高的聚合物，次过程为缩聚过程。0017.网络形成体、网络中间体、网络改性体网络形成体：正离子是网络形成离子，对应氧化物能单独形成玻璃。即凡氧化物的单键强度335kJmol者称为网络形成体，这类氧化物能单独行成玻璃。网络变性体：单键强度V250kJmol,这类氧化物不能形成玻璃，但能改变网络结构，从而使玻璃性质改变，即称为网络变形体。网络中间体：单键强度介于250335kJmol,这类氧化物的作用介于网络形成体和网络改性体之间，称为网络

20、中间体。0018.凝聚系统：不含气相或气相可以忽略的系统。0019.介稳平衡：即热力学非平衡态，能量处于较高状态，经常出现于硅酸盐系统中。0020.低共熔点：是一种无变量点，系统冷却时几种晶相同时从熔液中析出，或加热时同时融化。0021.双升点：处于交叉位的单转熔点。0022.双降点：处于共规位的双转熔点。0023.马鞍点：三元相图界线上温度最高点，同时又是二元系统温度的最低点。0024.连线规那么：将一界线(或其延长线)与相应的连线(或其延长线)相交，其交点是该界线上的温度最高点。0025.切线规那么：将界线上某一点所作的切线与相应的连线相交，如交点在连线上，那么表示界线上该处具有共熔性质；

21、如交点在连线的延长线上，那么表示界线上该处具有转熔性质，远离交点的晶相被回吸。0026.三角形规那么：原始熔体组成点所在副三角形的三个顶点表示的物质即为其结晶产物；与这三个物质相应的初初晶区所包围的三元无变量点是其结晶结束点。0027.重心规那么：如无变点处于其相应副三角形的重心位，那么该无变点为低共熔点：如无变点处于其相应副三角形的交叉位，那么该无变点为单转熔点；如无变点处于其相应副三角形的共规位，那么该无变点为双转熔点。0028.稳定扩散与不稳定扩散：扩散过程中任一点浓度随时间变化称为不稳定扩散。0029.本征扩散与非本征扩散：由此点缺陷引起的扩散为本征扩散，主要出现了肖特基和弗兰克尔点缺

22、陷。由不等价离子造成晶格空位，由此引起的质点迁移称为非本征扩散。0030.自扩散：互扩散：0031.扩散系数：扩散通量：0032.配位数：晶体结构中与一个离子直接相邻的异号离子数。配位体：晶体结构中与某一个阳离子直接相邻、形成配位关系的各个阴离子中心连线所构成的多面体。0033.同质多晶：同一化学组成在不同外界条件下(温度、压力、PH值等)，结晶成为两种以上不同结构晶体的现象。多晶转变：当外界条件改变到一定程度时，各种变体之间发生结构转变，从一种变体转变成为另一种变体的现象。0034.位移性转变：不翻开任何键，也不改变原子最邻近的配位数，仅仅使结构发生畸变，原子从原来位置发生少许位移，使次级配

23、位有所改变的种多晶转变形式。重建性转变：破坏原有原/间化学键，改变原子最邻近配位数，使晶体结构完全改变原样的一种多品转变形式。0035.当晶体热振动时，一些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的间隙中，形成间隙原子，而原来位置上形成空位，这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。如果正常格点上原子，热起伏后获得能量离开平衡位置，跃迁到晶体的外表，在原正常格点上留下空位，这种缺陷称为肖特基缺陷。0036.滑移方向与位错线垂直的位错称为刃型位错。位错线与滑移方向相互平行的位错称为螺型位错。0037.晶子学说：玻璃内部是由无数“晶子”组成，微晶子是带有晶格变形的有序区域。它们分散在无定形介中质，晶子向无定形局部

24、过渡是逐渐完成时，二者没有明显界限。无规那么网络学说：但凡成为玻璃态的物质和相应的晶体结构一样，也是由一个三度空间网络所构成。这种网络是由离子多面体(三角体或四面体)构筑起来的。晶体结构网是由多面体无数次有规律重复构成，而玻璃中结构多面体的重复没有规律性。0038.晶体场理论：认为在晶体结构中，中心阳离子与配位体之间是离子键，不存在电子轨道的重迭，并将配位体作为点电荷来处理的理论。0039.配位场理论：除了考虑到由配位体所引起的纯静电效应以外，还考虑了共价成键的效应的理论。0040.萤石型：CaF2型结构中，Ca?+按面心立方紧密排列，F占据晶胞中全部四面体空隙。反萤石型：阳离子和阴离子的位置

25、与CaF2型结构完全相反，即碱金属离子占据F-的位置，03占据Ca?+的位置。(X)4l.类质同象：物质结晶时，其晶体结构中局部原有的离子或原子位置被性质相似的其它离子或原子所占有，共同组成均匀的、呈单一相的晶体，不引起键性和晶体结构变化的现象。同质多晶：同一化学组成在不同热力学条件下形成结构不同的晶体的现象。42.二八面体型：在层状硅酸盐矿物中，假设有三分之二的八面体空隙被阳离子所填充称为二八面体型结构。三八面体型：在层状硅酸盐矿物中，假设全部的八面体空隙被阳离子所填充称为三八面体型结构。0043.同晶取代：杂质离子取代晶体结构中某一结点上的离子而不改变晶体结构类型的现象。阳离子交换：在粘土

26、矿物中，当结构中的同晶取代主要发生在铝氧层时，一些电价低、半径大的阳离子(如K+、Na+等)将进入晶体结构来平衡多余的负电荷，它们与晶体的结合不很牢固，在一定条件下可以被其它阳离子交换。0044.正尖晶石：在AB2*尖晶石型晶体结构中，假设A?，分布在四面体空隙、而B3+分布于八面体空隙，称为正尖晶石；反尖晶石：假设A?+分布在八面体空隙、而B+一半分布于四面体空隙另一半分布于八面体空隙，通式为B(AB)O1.称为反尖晶石。(X)45.米勒指数0046.离子晶体的晶格能0047.离子极化：指正、负离子在电场作用下，使正，负电荷重心不重合，并产生偶极距的现象。(X)48.铁电效应(X)49.压电

27、效应0()5().当数量不多的碱金属氧化物同B203起熔融时，碱金属所提供的氧不像熔融SiCh玻璃中作为非桥氧出现在结构中，而是使硼转变为由桥氧组成的硼氧四面体。致使B2O3玻璃从原来二度空间层状结构局部转变为三度空间的架状结构，从而加强了网络结构，并使玻璃的各种物理性能变好。0051.熔体特指加热到较高温度才能液化的物质的液体，即较高熔点物质的液体。熔体快速冷却那么变成玻璃体玻璃体。0052.聚集的原子群超过一定尺寸能够稳定存在的最小的晶体颗粒半径。0053.无化学位梯度、浓度梯度、无外场推动力，由热起伏引起的扩散。质点的扩散是无序的、随机的。0054.粉体在一定温度作用下，发生团结，使气孔

28、率下降，致密度提高，强度增大，晶粒增长，这种现象即为烧结。0055.母液中存在某界面(空位、杂质、位错)，成核会优先在界面上进行，这种成核系统为非均相成核。0056.在固相反响中参加少量非反响物，反响过程中不与反响物起化学反响只起加速反响作用的物质。0057.晶界结构是指晶界在多晶体中的形状、结构和分布。0058.桥氧离子：指一个氧离子与两个硅离子的连结起来，此氧离子称为桥氧离子。0059.固体和液体外表存在大量不饱和键的原子和离子，它们都能吸引外来的原子、离子、分子的这一现象。0060.当T,P及组成不变的条件下，增加单位外表积对系统所做的功。0061.初次再结晶是指从塑性变形的、具有应变的

29、基质中，生长出新的无应变晶粒的成核和长大过程。0062.当坯体中有假设于大晶粒存在时，这些大晶粒边数较多，晶界曲率较大，能量较高，使晶界可以越过杂质或气孔而继续移向邻近小晶粒的曲率中心。晶粒的进一步生长，增大了晶界的曲率使生长过程不断加速，直到大晶粒的边界相互接触为止。这个过程称为二次再结晶或异常的晶粒长大。0063.在烧结中、后期，细小晶粒逐渐长大，而一些晶粒的长大过程也是另一局部晶粒的缩小或消失过程，其结果是平均晶粒尺寸增加。这一过程并不依赖于初次再结晶过程：晶粒长大不是小晶粒的相互粘接，而是晶界移动的结果。其含义的核心是晶粒平均尺寸增加。三、选择题OOol.材料科学的核心内容是：0024

30、.晶体的宏观时称要素中，映转轴的时称操作是。OOO2材料科学”的概念是什么时候明确提出的：C.旋转+反伸OoOO3.材料是人类文明进步的里程碑，按照材料的使D.旋转+反映用，人类文明阶段的顺序为：对称面。A.青铜器时代，石器时代，陶器时代，铁器时代。对称中心。B.石器时代，青铜器时代，陶器时代，铁器时代。0027.旋转反伸轴Li6可以等效表达为：C.石器时代，陶器时代，青铜器时代，铁器时代。A.L6+CD.陶器时代，青铜器时代，石器时代，铁器时代。B.P+COOO4.面角守恒定律中的守恒指：C.L3COoo5.晶面通常被面网密度大的晶面所包围，这称为D.L3+POOo6.晶体中不可能存在的对称

31、轴是：0028.旋转反映釉Ls3可以等效表达为：OoO7.晶体学中，3L4表示：C.L3+COoo8.在晶体结构中，种类、性质及其周围环境完全相D.L3+P同的质点位置称为：0029.旋转反映轴Ls6可以等效表达为：Ooo9.晶体的本质特征是：C.L3+COoIo.如果某晶体具有9个对称面，应表示为：D.L3+P0011.与Li2的对称操作等效的对称操作为：0030.对称型（点群可以划分出个晶族。D.P+C0031.四方晶系的晶体常数特征为：OA.abc,=900013.布拉维法那么认为，晶体通常被的晶面B.a=bc,=90o所包闱。C.a=b=c,=90o种.D.abc,900015.晶体的

32、宏观对称要素中，对称面的对称操作是0032.斜方晶系的晶体常数特征为：*A,abc,=90D.旋转+反映B.a=bc,=90o0016.晶体的宏观对称要素中，对称轴的对称操作是C.a=b=c,=90oD.abc,90C.旋转+反伸0033.下面的晶面指数是：D.旋转+反映A.(hkl)0017.晶体的对称轴除一次轴Ll外，允许存在的其它B.uvw轴次有种。C.hkl0018.旋转反伸轴Li2可以等效表达为：D.(hkl)C.L2+C0034.下面的晶带符号是：D.P+CA.(hkl)Ool9.旋转反伸轴Li3可以等效表达为：B.uvwC.L3+CC.hklD.L3+PD.uvw0020.旋转反

33、映轴Ls2可以等效表达为：种C.L2+C种。D.L2+P种。0021.对晶体进行宏观对称要素组合分析，可得到O种。种点群。0022.晶体的宏观对称要素中，对称中心的对称操作是。0040.对晶体所有对称要素进行组合分析，可得到D.旋转+反伸种空间群。0023.晶体的宏观对称要素中，倒转轴的对称操作是。004L假设有n个等大球体作最紧密堆积，将有C.旋转+反伸个八面体空隙存在。D.旋转+反映B.2n+1C.n+10042.时称型（点群）可以划分出个晶系。0043.立方晶系的晶体常数特征为：A.abc,=90B.a=bc,=90oC.a=b=c,=90oD.abc900044.三斜晶系的晶体常数特征

34、为：A.abc=90B.a=bc,=90oC.a=b=c,=90oD.abc,90o0045.下面的晶向指数是：A.（hkl）B.uvwC.（hkl）D.uvw种。种.种。0049.属于等大球体最紧密堆积的方式是：种。B.20051.假设有n个等大球体作最紧密堆积，将有个四面体空隙存在。B.2n+1C.n+1大类。种种最应。次方成反比。0056.对于稳定的晶体结构，可能存在的配位数有个。0057.当配位多面体为四面体时,正负离子半径比为：B.0.155-0.2250058.当配位多面体为八面体时，正负离子半径比为0077.ZrO2（高温型）晶胞中含有个分子。0078.TiO2（金红石）属于晶系

35、。B.六方层重复而得到。个分子。A.1晶系。特性。套等同点。个分子。0085ZrO2（高温型）晶胞中有套等同点。0086.TiO2（金红石）晶胞中含有个分子。晶系。特性.套等同点。种多面体形式。种变体。种。大通性。0094.单键强335kJmol,这类氧化物属于。0（）95.单键强298KC.0KD.XTC0113.晶体结构缺陷按照其尺度范闱（即按照偏离理想结构的周期性有规律排列的区域大小）来分类，可分为类。类。类。0116.在书写晶体结构缺陷符号时，上标表示带个电荷。B.+2D.+10117.对于离子化合物，晶体中总共有种点缺陷根本形式。0118.温度越高，热缺陷生成能cB.不变0119.生

36、成固溶体时，在固溶限度以内固溶体是相。0120.对于二元体系生成固溶体时，当超过固溶限度时，固溶体是。0121.固溶体按溶质质点在溶剂晶格中的位置来划分，可以分为类。类。0123.在书写晶体结构缺陷符号时，上标表示带个电荷。A.+1D.+3种分类方法。0125.对于置换型固溶体仅从离子尺寸考虑，当A=(rlr2)rl15%时，生成。0126.对于无机化合物，当=(rl-r2)rl15%,晶体结构类型相同、电价不等，那么生成O0127.置换型固溶体中的“组分缺陷”有种。0128.对于金属材料，设D为实验测定密度值，DO为计算的理论密度，假设D30%时，生成种缺陷形式。D.50138.对于无机化合

37、物，当=(rl-r2)rl04那么生成。0141.对于金属材料，设D为实验测定密度值，DO为计算的理论密度，假设DD0,那么固溶体为0142.般情况下，液体的外衣张力随温度的升高会A.增大0143.一般情况卜.，固体的外表能随温度的升高会0144.弯曲外表的附加压力P总是曲面的曲率中心。凹形曲面上的蒸气压。0146.相同环境条件下，相同物质小晶粒的溶解度会大颗粒的溶解度。的过程.C.不变组成的。组成的。引起的。A.阴、阳离子的空位形成能不同B.阴、阳离子的填隙形成能不同0151.在稳态扩散中，任一点的不随时间变化。0153.在间隙固溶体中，溶质原子的扩散方式一般为0154.在柯肯达尔效应中，惰

38、性标记移动的主要原因是0155.通常情况卜.，间隙扩散的激活能要比空位扩散的激活能o0160.一级相变的特点是，相变发生时，两平衡相的相等，但其一阶偏微分不相等。0162.根据相变过程的温度条件，假设相变过程是放热过程，那么该过程必须。0163.晶体的外表能与所显露的那个晶面有关，密排的晶面外表能oA、最低B、最高C、适中确定(XX)6.D0012.ACD(X)13.AOO16.A(X)17.B0020.AB0022.B0023.C0025.ACD0026.AD0027.D0028.BD0029.BC0030.BOO32.AOO33.ADOO35.A0036.D0040.C0042.C0043.C0044.D0045.BD0047.C(X)48.B(X)49.BD(X)50.BOO53.C56.B0059.A0060B0063.B0064.C0065.A0066