模拟电子技术基础-中国大学mooc.docx
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1、模拟电子技术基础-中国大学mooc第二章常用半导体器件原理常用半导体器件原理1、N型半导体是在纯净半导体中掺入A、带正电的离子B、三价元素,如硼等C、五价元素,如磷等D、带负电的电子参考答案:C2、用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示,试判断+9V+3.吧心+3V这些晶体管处于什么状态。A、放大B、饱和C、截止D、损坏参考答案:C3、用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示,试判断这OV些晶体管处于什么状态。TVA、放大B、截止C、饱和D、损坏参考答案:B4、图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管A、N沟道结型B、
2、N沟增强型MOSC、N沟耗尽型MOSD、P沟耗尽型MOS参考答案:B5、图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管A、N沟道结型B、P沟道结型C、N沟道绝缘栅型增强型MOSD、P沟道绝缘栅型耗尽型MoS参考答案:A6、图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什A、P沟道结型B、N沟道结型C、P沟道耗尽型MOSD、P沟道增强型MOS参考答案:C7、晶体管工作在放大区时,发射结为A、正向偏置B、反向偏置C、零偏置D、无参考答案:A8、晶体管工作在饱和区时,集电结为.A、零偏置B、正向偏置C、反向偏置D、无参考答案:B9、用直流电压表测
3、得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示,试判断这些晶体管处于什么状态。A、放大B、截止C、饱和D、损坏参考答案:A10、用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示,试判断+2.3V这些晶体管处于什么状态。+2.5VA、饱和B、放大C、截止D、损坏参考答案:B11、用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示,试判断-12VF纥E储这些晶体管处于什么状态。TVA、饱和B、截止C、损坏)D、放大参考答案:D12、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于A、温度B、杂质浓度C、掺杂工艺D、无参考答案:B13、电路如图所示,Ui=OJsinwt(V),当直流电源电压V增
4、大时,二极管rd的动态电阻将.A、保持不变B、增大C、减小D、无参考答案:C14、随着温度升高,晶体管的共射输出特性曲线将.A、上移B、下移C、左移D、右移参考答案:A15、在某放大电路中,测得晶体管的三个电极、的流入电流分别为一1.22mA、0.02mA、1.2mA。由此可判断电极是A、发射极B、基极C、集电极D、无参考答案:A16、设图中的二极管和三极管均为硅管,三极管的均为100,试判断三极管的工作状态A、饱和B、截止C、放大D、倒置参考答案:B17、在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于.A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、无参考答案:A18、电路如图1所示,ui=5sinwt(V
5、)二极管可视为理想二极管。分析以下情况中UO的波形,从以下四种波形中选择正确答案填空。UDC=OV,波形如图19、场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流A、大B、小C、相等D、无参考答案:B20、在某放大电路中,测得晶体管的三个电极、的流入电流分别为一1.2mA、-0.03mA、1.23mA电极是A、发射极B、基极C、集电极D、漏极参考答案:C21、设图中的二极管和三极管均为硅管,三极管的均为100,试判断三极管的+6V1110)(lk工作状态A、截止B、饱和C、放大D、倒置参考答案:C22、在保持二极管反向电压不变的条件下,二极管的反向电流随温度升高而A、不变B、减小C、
6、增大D、无参考答案:C23、在保持二极管的正向电流不变的条件下,二极管的正向导通电压随温度升高而OA、减小B、增大C、不变)D、无参考答案:A24、电路如图1所示,3=5SinWt(V)二极管可视为理想二极管。分析以下情况中uo的波形,从以下四种波形中选择正确答案填空。UDC=-IOV,波形如图所示。A、Q)t25、电路如图1所示,ui=5sinwt(V)二极管可视为理想二极管。分析以下情况中UO的波形,从以下四种波形中选择正确答案填空。UDC=10V,波形如图VDA、参考答案:A26、稳压管是一种特殊的二极管,它通常工作在反向击穿状态,它不允许工作在正向导通状态参考答案:错误27、P型半导体
7、带正电,N型半导体带负电。参考答案:错误28、场效应管的优点是有很高的输入电阻和很低的输出电阻。参考答案:错误29、在P型半导体中,掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。()参考答案:正确30、PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。参考答案:正确31、PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性,又描写了PN结的反向击穿特性。参考答案:错误32、掺杂半导体因含有杂质,所以在制造半导体器件时是没有用处的。33、本征半导体在温度升高后,自由电子和空穴数目都增加,但增量相同。参考答案:正确34、小功率场效应晶体管在使用中,其源极和漏极可以互换参考答案:正确35、双极型晶体管具有N
8、PN或PNP对称结构,所以发射极和集电极也可以互换参考答案:错误36、场效应晶体管是电压控制电流器件参考答案:正确37、单极型晶体管交流输入电阻只和交流参数有关和直流参数无关参考答案:错误38、错管PNP管工作在放大状态时其集电结直流偏置电压大于O参考答案:正确39、错管PNP管工作在饱和状态时,其集电结直流偏置电压大于O参考答案:错误40、N沟道场效应管是靠空穴导电的参考答案:错误41、P沟道场效应管是靠空穴导电的参考答案:正确42、场效应管的电流放大系数是gm参考答案:错误第三章晶体三极管和场效应三极管及放大电路基础第三章晶体三极管和场效应三极管及放大电路基础单元测试1、共射、共基、共集三
9、种基本放大电路组态中,希望带负载能力强,应选用A、共基组态B、共集组态C、共射组态D、无参考答案:B2、在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中,希望从信号源索取电流小,应选用A、共射组态B、共集组态C、共基组态D、无参考答案:B3、共射、共基、共集三种基本放大电路组态中希望即能放大电压,又能放大电流,应选用;A、共基组态B、共射组态C、共集组态D、无4、共射、共基、共集三种基本放大电路组态中希望高频响应性能好,应选用A、共射组态B、共集组态C、共基组态D、无参考答案:C5、如下图,不用计算可以粗略估计电路(1)的输入电阻约为A、1MB、100kC、3kD、100参考答案:A6、如下图,不用计
10、算可以粗略估计电路(2)的输入电阻约为A、1MB、100kC、3kD、100参考答案:C7、如下图,不用计算可以粗略估计电路(3)的输入电阻约为A、1MB、100kC、3kD、100参考答案:B8、对于IkHZ正弦输入信号,图中哪些电路的电压放大倍数绝对值能大于1?(不必计算具体的数值,设晶体管J=IOO)5105105103 U 3MRlA、(a),(b)B、(a),(d)C、(b),(d)D、(a),(c)参考答案:D9、对于IkHZ正弦输入信号,图中哪些电路的电压放大倍数绝对值能小于1?(不必计算具体的数值,设晶体管3= 10A、(a),(b)B、(c),(b)C、(d),(b)D、(d
11、),(a)参考答案:C10、共基放大电路及其交流等效电路如图所示。在下面几种求输入电阻的公式中,哪个是正确的?(电容的容抗可忽略不计)A、c、1+2参考答案:C11、选择正确图号,用a、b、c、d填空,具有同相放大能力的电路有A、a,bB、b,dCb,cD、a,c参考答案:B12、选择正确图号,用a、b、c、d填空,具有反相放大能力的电路有A、aB、a,cC、a,bD、c,b参考答案:A13、已知图(a)的电路的幅频响应特性如图(b)所示。选择正确答案,影响fL大小的因素是,影响fH大小的因素是OA、晶体管极间电容,晶体管的非线性特性B、晶体管极间电容,耦合电容C、耦合电容,晶体管极间电容D、
12、晶体管的非线性特性,耦合电容参考答案:C14、电路如图所示,调整Rb,使得UCEQ=6V,判断以下说法的正误,随正弦输入信号幅度增大,输出电压SfA、首先出现顶部削平失真B、首先出现底部削平失真C、同时发生顶部和底部削平失真D、无参考答案:A15、电路如图所示,调整Rb,使得UCEQ=6V,判断以下说法的正误,随正弦输入信号幅度增大,输出电压粉A、首先出现截止失真B、首先出现饱和失真C、饱和失真,截止失真同时出现Ds无参考答案:A16、要求输入电阻大于10M,电压放大倍数大于300,第一级应采用()电路,第二级应采用()电路A、共射电路,共集电路B、共源电路,共射电路C、共集电路,共射电路D、
13、共漏电路,共射电路参考答案:B17、为了保证晶体管工作在线性放大区,双极型管的基、射极之间和场效应管的栅、源极之间都应加上正向偏置电压()。参考答案:错误18、直流放大器必须采用直接耦合方式(),所以它无法放大交流信号()参考答案:错误19、组成放大电路的基本原则之一是电路中必须包含直流电源,对于双极型晶体管放大电路来说,发射结必须加上正向偏置,集电结必须加上反向偏置,所以基极电源应为正电源,集电极电源应为负电源()。参考答案:错误20、图示放大电路具备以下特点:电压放大倍数接近于1,与晶体管的大小关系参考答案:正确21、图示放大电路具备以下特点:输入电阻比5.1k大得多;参考答案:正确22、
14、图示放大电路具备以下特点:输出电阻随晶体管的“增大而增大。参考答案:错误23、图示放大电路具备以下特点:电压放大倍数接近于1,负载是否接通关系不参考答案:正确24、晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻,所以它与静态工作点无关参考答案:错误25、放大电路的非线性失真表现为输入某一频率正弦信号时,输出信号中出现一定量的谐波成分。参考答案:正确26、当放大电路的输入端接上一个线性度良好的三角波信号时,输出三角波的线性不好,可以肯定该放大电路存在非线性失真。参考答案:错误27、某扩音器的高音不丰富,主要是因为其放大电路的非线性失真大参考答案:错误28、某扩音器的高音不丰富,主要是因为其放大电路的通频带
15、窄。参考答案:正确29、在共射放大电路中,当负载电阻RL减小,电压放大倍数下降,输出电阻也减小。参考答案:错误30、MOS场效应管的栅极输入电流几乎等于零,所以MOS管组成的放大电路的输入电阻总可以视为无穷大参考答案:错误31、欲使多级放大电路易于集成化,只能采用直接耦合方式。参考答案:正确32、放大电路的放大倍数是指输出与输入之间的变化量之比,因此它与静态工作点无关。参考答案:错误33、直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响,它只能放大直流信号。参考答案:错误第四章模拟集成电路第四章模拟集成电路单元测试1、1.差分放大电路中的差模输入信号是两输入端信号,共模输入信号是两输入端信号的OA、差,
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