材料物理性能 干货【ppt】 .ppt
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1、1、材料磁性分类,(1)抗磁性1)磁化强度M与H方向相反;2)磁化率 0,10-5的数量级;3)与磁场、温度无关。(2)顺磁性 1)磁化强度M与磁场H同方向;2)其磁化率 0,10-3一10-6数量级3)多数顺磁性物质 与温度T服从居里定律 pCT(3)反铁磁性(4)铁磁性(5)亚铁磁性,2、铁磁性的微观本质,物质磁性起源于原子磁矩原子的总磁矩=电子轨道磁矩+电子自旋磁矩电于轨道运动产生电子轨道磁矩;电子自旋产生电子自旋磁矩。核磁矩非常小,几乎对原子磁性不起作用,3、铁磁性产生的条件,1、原子内部要有未填满的电子壳层必要条件(原子固有磁矩 不为零)2、电子交换积分A0 充分条件(具有一定晶体结
2、构)为什么温度升高铁磁性转变为顺磁性?1)温度升高,原子间距最大,交互作用降低;2)温度升高,热运动破坏了磁矩的同相排列(自发磁化);3)当温度升高到TTc,自发磁化不存在,铁磁性转变为顺磁性。,4、铁磁性物质的基本特征,铁磁性物质的特性:自发磁化 磁畴 居里温度 磁滞回线,1、自发磁化:通过物质内自身某种作用将磁矩排列为有序取向的现象,称为自发磁化。2、磁畴:磁性材料内部自发磁化的小区域。3、磁致伸缩:铁磁性物质在磁场中磁化,伴随着磁化,它的长度和体积同时发生变化。这种现象称为磁致伸缩。,铁磁体的磁化曲线,磁化曲线的三种形式,开始M的增加比较缓慢后来增加较快最后达到Ms(饱和磁化强度)纵坐标
3、改为磁感应强度B,对应于平衡值Ms的磁感应强度值称为饱和磁感应强度(Bs),磁导率随H的变化磁导率是B-H曲线上的斜率在B-H曲线上,当H0时的斜率称为初(起)始磁导率i初(起)始磁导率是磁性材料的重要性能指标之一,M(B)与H的变化关系,磁导率随H的变化,c,起始磁化曲线为 oc,当外磁场减小时,介质中的磁场并不沿起始磁化曲线返回,而是滞后于外磁场变化,磁滞现象。,Hc,Br,Hc,当外磁场为 0 时,介质中的磁场并不为 0,有一剩磁 Br;矫顽力加反向磁场Hc,使介质内部的磁场为 0,继续增加反向磁场,介质达到反向磁饱和状态;改变外磁场为正向磁场,不断增加外场,介质又达到正向磁饱和状态。,
4、磁化曲线形成一条磁滞回线。,结论,铁磁质的 不是一个常数,它是 的函数。,B的变化落后于H,从而具有剩磁,即磁滞效应。,铁磁体的磁化曲线,铁磁体的磁化曲线,磁滞回线与 磁畴的关系磁滞现象的本质磁畴的迁移运动受到阻力,磁性流体指的是吸附有表面活性剂的磁性微粒在基载液中高度弥散分布而形成的稳定胶体体系。磁性流体不仅有强磁性,还具有液体的流动性。它在重力和电磁力的作用下能够长期保持稳定,不会出现沉淀或分层现象。磁性流体由磁性微粒、表面活性剂和基裁液组成。,图525 磁性液体的组成 a)磁性流体 b)吸附表面活性剂的磁性微粒 1-基载液 2-表面活性剂 3-磁性微粒,磁性微粒子功能材料,5.4 铁磁性
5、物质的基本特征,铁磁性物质的特性:自发磁化 磁畴 居里温度 磁滞回线一、自发磁化,铁磁性物质内的原子磁矩,通过某种作用,克服热运动的无序效应,都能有序地取向,按不同的小区域分布。通过物质内自身某种作用将磁矩排列为有序取向的现象,称为自发磁化。,铁磁性基本特征,磁性材料内部自发磁化的小区域。每个区域内包含大量原子,这些原子的磁矩都象一个个小磁铁那样整齐排列,但相邻的不同区域之间原子磁矩排列的方向不同。各个磁畴之间的交界面称为磁畴壁。宏观物体一般总是具有很多磁畴,磁畴的磁矩方向各不相同,结果相互抵消,矢量和为零,整个物体的磁矩为零,不对外显示出磁性。磁性材料在正常情况下并不对外显示磁性。只有当磁性
6、材料被磁化以后,它才能对外显示出磁性。,二、磁畴,对于所有的磁性材料来说,并不是在任何温度下都具有磁性。一般地,磁性材料具有一个临界温度Tc,在这个温度以上,由于高温下原子的剧烈热运动,原子磁矩的排列是混乱无序的。在临界温度Tc温度以下,原子磁矩排列整齐,产生自发磁化,物体变成铁磁性或亚铁磁性。所以,居里温度 是铁磁体或亚铁磁体的相变转变点,铁磁态或亚铁磁态 顺磁态,Tc,三、铁磁性材料的居里温度,铁磁性基本特征,四、铁磁性自发磁化的起源,铁磁性自发磁化起源于电子间的静电交换相互作用。静电交换相互作用主要由电子自旋磁矩产生 1)铁磁性产生的必要条件:原子的电子壳层有未被电子填满的状态。Fe 3
7、d 4个未填满的状态 4Ni 3d 2个未填满的状态 2 产生较大磁矩Co 3d 3个未填满的状态 3Mn 3d 5个未填满的状态 5 不是铁磁性原子中存在未被电子填满的状态只是必要条件。不是充分条件,2)铁磁性产生的充分条件,根据键合理论,当原子相互接近形成分子时,电子云相互重叠,电子要相互交换位置。对于过渡金属,3d 状态与 s态能量相差不大,电子云相互重叠时,将引起s、d 状态的电子云重新分配。交换相互作用铁磁性产生的充分条件,铁磁性产生的条件,1、原子内部要有未填满的电子壳层必要条件(原子固有磁矩 不为零)2、电子交换积分A0 充分条件(具有一定晶体结构)为什么温度升高铁磁性转变为顺磁
8、性?1)温度升高,原子间距最大,交互作用降低;2)温度升高,热运动破坏了磁矩的同相排列(自发磁化);3)当温度升高到TTc,自发磁化不存在,铁磁性转变为顺磁性。,铁磁体的磁化曲线,磁化曲线的三种形式,开始M的增加比较缓慢后来增加较快最后达到Ms(饱和磁化强度)纵坐标改为磁感应强度B,对应于平衡值Ms的磁感应强度值称为饱和磁感应强度(Bs),磁导率随H的变化磁导率是B-H曲线上的斜率在B-H曲线上,当H0时的斜率称为初(起)始磁导率i初(起)始磁导率是磁性材料的重要性能指标之一,M(B)与H的变化关系,磁导率随H的变化,常用技术磁化量 B=0(H十M)=(1+x)=B/0H,起始磁导率最大磁导率
9、 拐点K 处的斜率剩磁剩余磁化强度M r(磁感应强度Br)矫顽力Hc磁滞现象:在退磁过程中,磁化强度落后于磁场强度的现象。磁滞损耗:磁滞回线所包围的面积(磁化一周所消耗的功),三、磁各向异性与磁致伸缩,同一铁磁物质的单晶体,其磁化曲线随晶轴方向不同而有所差别,即磁性随晶轴方向而异。这种现象称为磁晶各向异性。,沿铁磁体不同晶轴方向磁化的难易程度不同,磁化曲线也不相同。,铁磁单晶体在磁性上是各向异性的,1、磁各向异性,磁各向异性能,从能量角度,铁磁体从退磁状态磁化到饱和状态,M-H曲线与M轴之间所包围的面积等于磁化过程做的功(537)磁各向异性能:饱和磁化强度矢量在铁磁体中取不同方向而改变的能量。
10、磁晶各向异性能与磁化强度矢量在晶体中相对晶轴的取向有关。在易磁化轴方向上,磁晶各向异性能最小,而在难磁化轴方向上,磁晶各向异性能最大。,2、磁致伸缩,铁磁性物质在磁场中磁化,伴随着磁化,它的长度和体积同时发生变化。这种现象称为磁致伸缩。磁致伸缩现象有三种:1)沿着外磁场方向尺寸大小的相对变化称为纵向磁致伸缩;2)垂直于外磁场方向尺寸大小的相对变化称为横向磁致伸缩。3)铁磁体被磁化时其体积大小的相对变化称为体积磁致伸缩。由磁致伸缩导致的形变一般比较小,其范围在10-510-6之间,虽然磁致伸缩引起的形变比较小,但它在控制畴结构和技术磁化过程中是一个很重要的因素。TbFe2 机器人、传感器、驱动器
11、(10-3),磁致伸缩与外磁场的关系,铁磁体的磁致伸缩随外磁场的增加而变化,最终达到到饱和值s磁性材料的饱和磁致伸缩系数。磁致伸缩产生的原因:由于每个畴内的晶格沿磁畴的磁化强度方向自发地形变,且应变轴随着磁畴磁化强度的转动而转动,从而导致磁体整体有一形变。,磁致伸缩的大小与外磁场的大小有关,饱和磁化状态下的磁致伸缩系数s作为磁性材料的一个磁性参数。不同的材料的磁致伸缩系数s也是不同的:s0的称为正磁致伸缩正磁致伸缩是指沿磁场方向伸长,而垂直于磁场方向缩短,例如铁就是属于这一类。s0的则称为负磁致伸缩。负磁致伸缩则是沿场磁化方向缩短,在垂直于磁化方向伸长,镍属于这一类。,软磁材料的特征具有较高的
12、磁导率和较高的饱和磁感应强度;较小的矫顽力(矫顽力很小,即磁场的方向和大小发生变化时磁畴壁很容易运动)和较低磁滞损耗,磁滞回线很窄;在磁场作用下非常容易磁化;取消磁场后很容易退磁化,软铁、坡莫合金、硒钢片、铁铝合金、铁镍合金等。由于软磁材料磁滞损耗小,适合用在交变磁场中,如变压器铁芯、继电器、电动机转子、定子都是用软件磁性材料制成。,磁性材料,(二)硬磁材料 硬磁材料又称永磁材料,难于磁化又难于退磁。主要特点 具有较大的矫顽力,典型值Hc104106A/m;磁滞回线较粗,具有较高的最大磁能积(BH)max;剩磁很大;这种材料充磁后不易退磁,适合做永久磁铁。硬磁性材料如碳钢、铝镍钴合金和铝钢等。
13、,磁性材料,习题,1、试述物质磁性的分类及其特点,并绘出磁化曲线。2、自发磁化的物理本质是什么?物质具有铁磁性的充要条件是哪些?3、根据居里-外斯定律,说明磁化率与温度的关系。并在磁化率温度曲线上标出其代表的相应磁性。4、简述磁性材料的主要应用领域,说明其应用对磁性能的要求。,材料的电性能的差别主要由其外层电子来决定,而外层电子由于受原子核和周围势场的影响,使电子分布在不同能带上,从而导致了不同材料电性能的差别。理想完整的晶体在绝对零度时的电阻为零.电阻的产生总是伴随着晶体的不完整性。为什么产生电阻?resistance(1)温度引起晶格的热振动加大,使晶格对自由电子的散射增大,产生电阻。th
14、ermal vibration(2)其它组元的加入及晶格畸变,引起晶格周期性势场的规律性和能带结构的改变等.crystal lattice aberrance,3-1材料的导电 性,1、载流子(carrier;charge carrier)导电性源于载流子在电场作用下迁移运动。电荷的定向运动产生了电流,电荷的载体称为载流子。载流子是具有电荷的自由粒子,在电场作用下可产生电流。载流子:电子、空穴、正、负离子、杂质。不同材料的载流子金属 自由电子(电导率高 导电性好)半导体自由电子、空穴离子固体自由电子、空穴、正负离子(室温绝缘体 T高 电导率大)(无机非金属)高分子材料 正负离子、杂质(导电性)
15、,1、材料的电导,在一定温度下,自由电子作无规则的热运动,没有定向的流动。当有电场E的存在时,电子产生定向运动,形成电流,电流的大小用电流强度I度量。根据导电性原理,可以用载流子的数量、迁移率及所带电量来反映电流的大小。电流强度I或电流密度J为(3-1)(3-2),如何理解材料的电导现象 必须明确几个问题 参与迁移的是哪种载流子有关载流子类别的问题 carrier sort载流子的数量有多大有关载流子浓度、载流子产生过程的问题 carrier density载流子迁移速度的大小有关载流子输运过程的问题 carrier transfer speed,2、决定电导率的基本参数 conductanc
16、e parameters 载流子电量 电子、空穴、正离子、负离子 载流子数 charge carrier density-n,个/m3 载流子迁移率 electron mobility-(物理意义为载流子在单位电场中的迁移速度)=/E电流密度单位时间(1s)通过单位截面积的电荷量)Jnq电导率=J/E=nqE=nq,电导的宏观参数,1、电阻率2、电导率3、相对电导率(IACS%)工程中常用表示导体材料的导电性能。国际上把标准软铜在室温20。C下的电阻率=0.01724 mm2/m的电阻率作为100%,其他材料的电导率与之相比的百分数为该材料的相对电导率。,3.2 金属的导电性,金属的导电自由电
17、子的定向运动。金属的导体的载流子自由电子1、金属的导电机制 材料的导电性取决于能带的结构和电子填充情况。实际上对金属的导电有贡献的仅仅是费米面附近的电子,只有它们可以在电场的作用下进入能量较高的能级;能量比费米能级Ef低得多的电子,其附近的状态已被电子占据,没有空的状态而不能从电场中获得能量来改变状态,这种电子不参与导电。因此,金属的电导与电子在费米面处的能态密度和驰豫时间有密切关系。,影响金属导电性的因素,温度:thermal vibration杂质:solid solution塑性形变:dislocation缺陷,散射,3.2.2 本征载流子浓度,1)在绝对零度时,半导体的价带是被填满,导
18、带是全空 材料的电导率为零 2)温度的升高,价带中的部分电子跃迁到导带,并在价带中留下等量的空穴。导带中的电子和价带中的空穴具有相反的电荷,在电场的作用下沿着相反的方向运动,这种由本征热激发产生的载流子本征载流子。3)本征载流子不断由热激发成对产生,不断复合而成对消失,载流子电子和空穴的浓度是相等。载流子浓度与温度呈指数关系,施主能级,受主能级,杂质能级:杂质可以使电子在其周围运动形成量子态,34 离子电导,离子导电是带电荷的离子载流子在电场的作用下的定向运动。参与电导的载流子为离子和杂质。离子导电可分为两类:本征电导和杂质电导。1)本征电导源于晶体点阵的基本离子的热运动。离子自身随着热振动离
19、开晶格,形成热缺陷。这些热缺陷(离子、空位)在电场的作用下成为导电载流子,这种导电称为本征电导,在高温下本征电导起主要作用。2)杂质电导参与电导的载流子主要是杂质。由于杂质离子与晶格联系较弱,故在较低温度下杂质电导是作为离子电导的主要贡献者。,344 影响离子电导的因素,1温度 离子电导随温度升高,电导率迅速增大,并呈指数关系。随着温度由低温到高温,ln和1/T的曲线出现拐点A,把曲线分为两部分。1代表低温区域是杂质导电。2代表高温区域是本征导电。图3-10 杂质离子电导与温度的关系例如:NaCl在低温下,是杂质离子电导,在高温下主要为离子电导,也会出现转折点。,2、离子性质和晶体结构,离子性
20、质和晶体结构对离子电导的影响是通过改变导电活化能来实现的。活化能大小又取决于晶体间各粒子结合力。而晶体结合力受以下因素影响:1)熔点:熔点高的晶体,原子间的结合力大,相应的活化能也高。因此,熔点高的晶体离子载流子的迁移率低,电导率也就低。2)离子化合价:一价正离子的尺寸小,荷电小,相应活化能也小。因此,离子载流子的迁移率高,电导率也高。高价正离子的价键强,活化能高,电导率就低。3)晶体结构:晶体结构提供离子移动的通路,堆积越紧密,结合能越高,可供移动的离子数目就越少,而且移动也困难。因此,导致较低的电导率。体心立方结构的晶体比面心立方结构的晶体电导率要高。,3晶体缺陷,在离子晶体中,点缺陷是由
21、于热振动产生的。由于热的活化作用,是晶体产生肖特基缺陷和弗朗克尔缺陷。随着缺陷中空位的增加,电导率提高。因此,离子电导与金属电导相反,缺陷越多,电导率越高。,1、超导体的基本特性,超导体有三个重要的特性:(1)超导体具有完全导电性(零电阻效应)对于超导体来说,当温度降至某一温度以下,电阻突然消失的特征,称为零电阻效应。(2)超导体具有完全抗磁性(迈斯纳效应)把处于超导状态的超导体置入磁场中,当磁场强度H不超过临界值Hc,磁力线就无法穿过试样,超导体中磁感应强度B始终为零,称为完全抗磁性。(3)超导体具有通量量子化(约瑟夫逊效应)当两块超导体之间的绝缘层薄至接近原子尺寸时,超导电子对可以穿过绝缘
22、层产生隧道电流,即超导体-绝缘体-超导体(SIS)具有超导电性。这就是所谓通量量子化。,2、超导体的临界参数,实际使用的超导材料中,有三个临界性能参数决定材料是否处于超导态。这三个性能指标是:第一个性能指标超导体的临界转变温度 Tc当温度低于临界转变温度时,材料处于超导态,当温度高于临界转变温度时,它会恢复正常态。第二个性能指标临界磁场强度Hc 当温度低于临界转变温度时(TTc),若磁场强度H大于某一个临界值Hc时,磁场将破坏超导态,使材料从超导态转变为正常态,此时的磁场强度称为临界磁场强度Hc。第三个性能指标临界电流密度Jc 除磁场强度影响超导转变温度外,电流密度也影响超导的状态。研究发现,
23、临界电流密度不仅是温度的函数,而且与磁场有密切关系。,FIGURE Critical temperature,current density,and magnetic field boundary separating superconducting and normal conducting states,超导电性在一定低温下材料突然失去电阻的现象,三个性能指标,三个性能指标超导转变温度Tc 愈高愈好 临界磁场Hc 破坏超导态的最小磁场。随温度降低,Hc将增加;当TTc时,临界电流密度Jc 保持超导状态的最大输入电流(与Hc相关),3、超导体材料种类,1、元素超导体 元素周期表中有28种元素
24、及合金(Ti,V,Nb,Mo,W,Zn,Cd,Al,Pb,In,及合金NbTi)。其中Nb的临界温度最高,为9.2K。2、合金超导体 最早发现的Nb-Zr和 Nb-Ti 二元合金,七十年代以后发现的三元超导合金 Nb-Zr Ti V-Zr-H等,已作为磁流体发电机的大型磁体。合金超导材料具有强度高、应力应变小、临界磁场强度高、成本低易于生产的优点。3、氧化物超导体 具有叫高的临界温度、临界磁场强度和临界电流密度,又称高温超导体。但这类材料较脆,加工困难。其中比较重要的有:YBa2Cu3O7(Tc=80K)、Bi2Sr2Ca2Cu3O10(Tc=110K)。,超导材料的分类,超导材料按其在磁场中
25、的磁化行为分成两类。1)第一类超导体 这类超导体在磁场中有不同的规律,磁矩与外磁场的关系如图3-27(a)所示。a)当磁场强度低于临界磁场强度时(H Hc),磁感应强度B=H,不具有超导电性。具有这一特性的超导材料称为第一类超导材料。非金属元素和大部分过渡金属(除Nb、V、Ru外)都属于此类超导体。,超导体磁化曲线 a)第一类超导体 b)第二类超导体,实验证明,第二类超导体的临界转变温度Tc、临界磁场强度Hc和临界电流密度Jc要比第一类超导体高得多。第二类超导体在应用技术上更为重要。,第二类超导体,该类超导体 a)H Hc1时,有部分磁场穿入导体内,此时0 Hc2时,磁感应强度B=H,磁场完全
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