芯片装架工（一级）职业鉴定考试题库-上（单选、判断题汇总）.docx

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1、芯片装架工(一级)职业鉴定考试题库-上(单选、判断题汇总)一、单选题1 .环焊主要是由于产生了瞬时的大()产生局部熔化。A、电压B、电流C、压力Dv压强答案：B2 .金硅合金共晶焊接的最大缺点是()。A、耗金量大Bx导热性好C、粘结牢Dv欧姆接触小答案：A3 .下列焊剂活性最强的是()。A、松香B、合成树脂C、松香轻度活化Dx有机焊剂答案：C4 .军用混合电路贯彻国军标,通用规范标准号是()。A、 GJB548AB、 GJB2438AGGJB597D、QZJ840616答案：B5 .在堆叠组装等工艺中,要求操作人员()。A、必穿防静电工作服、带手镯和防静电鞋B、人造纤维工作服C、纯棉工作服D、

2、一般套袖和手套答案：A6 .面键合技术是对下列哪种器件的键合方法()。A、倒装器件B、梁式引线器件C、载带器件D、芯片载体答案：A7 .组装过程中,H1级芯片和衬底之间的粘接要求()oA、芯片周长50%可见焊料B、芯片周围75%可见焊料C、芯片周长40%可见焊料D、芯片周长45%可见焊料答案：B8 .用6235高强度聚酷漆封装由于其与硅铝丝的线膨胀系数不匹配,在-55125C温度冲击试验条件下,内引线容易()造成失效。A、蜕焊B、接断C、弯曲Dx互连答案：A9 .晶体三极管共发射极电流放大系数三()oAxlcIeB、Ie/IcC、lcIbD、leIb答案：C10 .混合电路内部发现的污染物主要

3、来源0。Av原材料Bv外观检验C、工艺加工Dv大气11 .混合微电路发现的内部多余物最主要来源于()oA、三防B、元件C、组装工艺Dv传递工具答案：C12 .()是电子组装中最普通的合金焊料。AxU-SnBxSn-PbC、Sn-CuDxSn-Ag答案：B13 .在芯片检验中下边()情况可以接收。A、在任何固定元件和基片边缘之间的距离大于75mmB、在工作金属化层和基片边缘之间的距离小于原有设计间距的50%的衬底C、长度超过125m的裂缝D、不起源于边缘的任何裂缝答案：A14 .丝印缺陷对厚膜电路会产生严重影响，当导体印刷分辨率低时,给成品率带来的影响是0A、图形不美观B、电路产生开路C、与电路

4、性能无关D、电路产生短路答案：D15 .超声键合时,对键合表面要求()。A、清洁度较高B、清洁度较低C、清洁度一致D、清洁度不要求答案：A16 .一个阻值为IKQ的电阻,允许加的最高电压为100V,则其额定功率为()。Av1W;Bv10W;C、100W;答案：A17 .两个或两个以上的电阻以一定的方式连接后,总电阻值等于各个电阻值的总和,这是()。Av串联B、并联C、混连Dv其它答案：A18 .1000级净化间是在1立方英尺的空气中有()个尺寸为05m的颗粒物。Bv10C、100Dv1000答案：D19 .易于制造高压、大电流和功率电路的是0A、半导体电路B、薄膜电路C、厚膜电路Dv1.TCC

5、答案：C20 .质量管理体系文件包括()。A、质量手册,程序文件B、相关的运行,控制文件C、作业规范,质量记录DxAxB和C答案：D21 .阻镀包胶后至少放置()可进行下工序操作。Ax4hBx0.5hC、12h22 .焊料焊时,焊接压力通常()重量祛码。A、不采用B、采用C、必须使用Dv随意采用答案：A23 .为了获得更细的线条印刷效果,应采用下列哪种丝网()Av100目B、 200目C、 300目D、 400目答案：D24 .低熔玻璃是很好的低温()。A、非密封材料B、密封材料C、半密封材料D、密封和粘接材料答案：D25 .塑封的递模成型工艺中注塑压力过大,产生()。Ax气水D、缺料答案：C

6、26 .产品质量的好坏包含0。A、技术性能指标B、可靠性指标C、经济指标DxAxB和C答案：D27 .氧化皱的热导率约是氧化铝(96%)基片的()倍。Av2Bv610C、 1015D、 1520答案：B28 .Au-Sn合金焊料的最大缺点是()。Av不耐腐蚀B、工艺复杂C、机械强度差D、成本高答案：D29 .无氧的氮化铝基片的热导率与()基片相当。A、硅片B、微晶玻璃C、氧化铝Dx氧化钺答案：D30 .方块电阻R0oA、只与电阻率P有关系Bv只与薄层厚度d有关系C、与P和d有关系D、还与薄层宽度W有关系答案：C31 .单相交流电源的安全电压是()。A、小于36VBv120VG220VDx大于2

7、20V答案：A32 .用滴管把液体树脂滴涂到键合后的芯片上,经加热固化成型,此方法称()oA、浇铸法B、递模成型法C、填充法Dv滴涂法答案：D33 .环焊前应用。打磨电极。A、水砂纸B、粗砂纸G锂刀D、纱布答案：A34 .两个或两个以上的电阻以一定的方式连接后,总电阻值等于各个电阻值的总和,这是()。Av串联Bx并联C、混连D、其它答案：A35 .电阻率的国际单位为O。AvB、cmCmDxcm答案：B36 .军用电路生产线产品质量要具有可追溯性,必须O。A、填写流程卡,工序原始记录B、填写工作日记C、记重要事件D、所做工作全部记录答案：A37 .完成灌封后环氧灌封胶必须充分加热,以便引起环氧固

8、化的()OA、加成反应Bv交联反应C、分解反应D、水解反应答案：B38 .金睇合金的低共熔点为360C共晶焊时应采用()。A、400450CBx380410CCx420440CD、420450C答案：B39 .1.TCC无法埋置()A、电容Bv电阻C、电感D、芯片40 .检验文件中所说的“低倍显微镜”是指()A、1030倍Bv2030倍C、1060倍Dv1O1OO倍答案：C41 .电阻升温测量后,阻值较常温时小,则电阻具有()电阻温度系数。Av正Bv负C、零D、下降答案：B42 .形成虚焊的原因是0。A、元器件引线有污物、氧化,未搪锡Bv焊盘有污物C、助焊剂不足或质量差DvA、B、C都有可能答

9、案：D43 .薄膜导体应具备的性质0。Av电阻率低B、与基片、介质附着力强C、电性能稳定Dxab和C答案：D44硅属于()。A、川族元素BvIV族元素CvV族元素DxVl族元素答案：B45 .当设计要求把基片外引线键合区固定在一起时,围绕外引线键合区的周长,合金或焊料的焊接轮廓可接收的是O。A大于50%B、小于50%C大于40%D小于40%答案：A46 .当晶体三极管处于饱和状态时,则其发射结、集电结分别处于0。A、正偏、正偏Bv正偏、反偏C、反偏、正偏D、反偏、反偏答案：A47 .键合用的超声压焊劈刀,时间长劈刀上的结垢除去的方法为0。Av20%NaOH溶液浸泡超声B、用水冲洗C、用乙醇清洗

10、D、用浓HNO3清洗答案：A48 .下列条件中，最适合厚膜电阻浆料烘干的是0A、50,15minB、125,15minG150,15minDv150C,30min答案：C49 .密封工艺中的热过程对电路的性能有一定的影响。电阻焊、冷焊、激光焊和塑封对器件和电路的影响(),钎焊和玻璃熔封对器件和电路的影响()。Av较小较大B、较大较小C、较小较小Dv较大较大答案：A50 .塑封中常用的填充剂0。A、硬脂酸B、洛巴蜡G苯甲酸D、石英粉答案：D51 .扁平结构的外壳引线间距常用的是()。A、5.4B、0.3Cv0.8Dv2.7答案：D52,不燃烧的化学试剂是0。Av甲苯B、四氯化碳Cv丙酮Dv乙醇答

11、案：B53 .外壳引线的矩形截面引起的电感要比圆形截面引起的电感()。Av大B、小C、相等D、不一定答案：B54 .芯片背面减薄的目的主要是()。A、装焊时有良好的浸润性Bx增大欧姆接触C、增加强度D、压焊要求答案：A55 .可见到下层介质的金属化层孔隙,下列。情况可以接收。A、金属化层中的孔隙小于原来金属宽度的50%B、键合区中的孔隙,使得未被破坏的部分小于最大可允许键合尺寸的两倍C、键合区包括嵌条区的孔隙,它使连接键合区和互连金属化层的通路中，未被破坏的宽度大于最窄进入互连金属条宽的50%D、孔隙使金属化层面积减小25%以上答案：C56 .下列光的波长中属于紫外的是()A、 10640nm

12、B、1064nmCx532nmDv355nm答案：D57.现有1.TCC印刷条件下,能达到的最佳线条宽度为()Ax50mB、 100mCx150mDv200m58 .对金属化划伤,哪种情况的划伤可以接收()。A、金属化层中的划伤未被划伤的部分大于原有金属化层宽度的75%B、多层金属化层中的划伤沿长度方向的任何位置上暴露出下层金属,并使未受破坏的顶层金属的条宽,不到原有宽度50%C、在金属化层中的划伤,它暴露出淀积薄膜电容器或交迭的介质材料D、键合区域或嵌条区中的划伤,它暴露了下层介质或衬底,使进入的互连金属化层与键合区的金属通路宽度小于最窄进入互连金属条宽的50%答案：A59 .真空焊接是0生

13、产。Ax连续式大批量B、连续式小批量C、间歇式大批量D、间歇式小批量答案：D60 .在室温升高时,晶体三极管的电流放大系数0oA、增大Bv减小C、不变D、具变答案：A61.1000级净化间是在1立方英尺的空气中有()个尺寸为05m的颗粒物。Bv10C、100Dv1000答案：D62 .产品质量的好坏包含0。A、技术性能指标B、可靠性指标C、经济指标DxAxB和C答案：D63 .模块除湿温度及时间()A、80dC24hB、105C48hG125C24hD、150C24h答案：C64 .用左手定则判断()。A、感生电流的方向B、通电导体产生的磁场的方向C、通电导体在磁场中的受力方向D、通电螺线管产

14、生的磁场的方向65 .下列导体中，导电率最高的是()A、uB、AlCuD、Ag答案：D66 .GJB548B-2005为以下哪份规范的标准号OAx微电子器件试验方法和程序B、半导体集成电路总规范C、混合集成电路通用规范D、半导体分立器件试验方法答案：A67 .下列几种键合系统中()键合质量可靠性最好。A、U-Al系统B、Al-Al系统GAu-Ni系统D、Al-Cr系统答案：B68 .用粘结剂装配的元件,对于H1级其接触面积要求是()oA、大于75%B、小于50%G大于40%D、小于40%答案：A69 .混合电路内部多余物的最主要来源于()oA、管壳B、元件C、装架工艺D、传递答案：C70 .厚

15、膜电阻膜越厚,则其阻值相对()A、越大B、越小C、不变D、与厚度无关答案：B71 .薄膜微晶玻璃片可使用()进行划片工艺。A、激光B、金刚刀C、砂轮D、钢刀答案：B72 .集成电路按其功能可以分成两类,即()。A、数字集成电路和功率集成电路B、模拟集成电路和功率集成电路C、线性集成电路和模拟集成电路D、数字集成电路和模拟集成电路答案：D73 .在半导体器件制造工艺中，芯片的合金烧结法是采用（）做焊料的一种钎焊方法。A、银浆B、导电胶C、共晶合金D、聚合物答案：C74 .绝缘胶膜为了有更长的保存期,一般在O温度下保存。Ax25Bx50C、5D-40答案：D75 .双列封装结构的引线间距通常用的是

16、Orm1。Ax27B、54Cx3Dx08答案：B76 .关键过程是O。A、形成关键特性的主要过程B、指对形成产品质量起决定性作用的过程C、指关键工序的所有过程D、指生产过程中的衔接环节答案：B77 .采取()的方法可以最有效的去除灌封胶料里混入的气泡A、离心脱泡B、加热后离心脱泡C、抽真空D、真空下注胶答案：B78 .防止批次性不合格,应进行()。Av首件鉴定B、工艺评审C、工序评审D、设备评审答案：A79 .对金属化划伤,哪种情况的划伤可以接收().金属化层中的划伤未被划伤的部分大于原有金属化层宽度的75%)oA、金属化层中的划伤未被划伤的部分大于原有金属化层宽度的75%B、多层金属化层中的

17、划伤沿长度方向的任何位置上暴露出下层金属,并使未受破坏的顶层金属的条宽,小于原有宽度50%C、在金属化层中的划伤,它暴露出淀积薄膜电容器或交迭的介质材料D、键合区域或嵌条区中的划伤,它暴露了下层介质或衬底,使进入的互连金属化层与键合区的金属通路宽度小于最窄进入互连金属条宽的50%答案：A80 .软封装用的树脂俗称()。A、黑胶B、乳胶C、明胶D、白胶答案：B81 .厚膜浆料主要有()和保护介质浆料A、导体浆料B、电阻浆料C、隔离介质浆料DxAB和C答案：D82 .环焊电极发生打火应0。A、提高电压Bv降低电压C、改进电极形状Dv调整放电时间答案：D83 .共晶粘片时,通常采用()气体保护。A、

18、N2B、氮气C、HeD、在空气中答案：A84 .首件鉴定是鉴定()。A、过程能力B、批生产能力Cx产品质量D、生产效率答案：A85 .平行缝焊属于()。A、电阻焊B、钎焊C、贮能焊D、冷压焊答案：A86 .显微镜调焦时,应O。Ax从上往下调B、从下往上调C、随意D、先高倍后低倍答案：A87 .混合电路允许实施有限条件的返工,所返工必须()。A、执行规范,经主任批准B、经班长批准C、自行处理D、经线长批准答案：A88 .为了保证灌封质量,必须要特别注意O中混入的空气。A、胶膜B、灌封胶料C、灌封操作过程D、固化过程答案：B89 .下列合金焊料熔点最高的是()。Ax金-硅B、金-镀G金一错Dx银-

19、铜-锡答案：A90 .为了取得细线条的印刷效果,应采用哪种丝网0oAv100目B、 200目C、 300目D、 400目答案：D91 .现场质量管理是()。A、车间管理人员的任务Bv技术人员的任务C、生产工人的任务D、AxB和C答案：D92 .芯片共晶粘片工艺中所用金铸合金,共熔点是为()oA、320B、356C、380D、280答案：B93 .密封工艺中静电防护主要控制环节是()。A、管壳清洗B、工艺操作C、清点电路D、填写数据答案：B94 .下列几种合金焊料,熔点从高到低,正确排列顺序是()。金-硅合金金-睇合金金-铝合金银-铜-锡合金Av2314Bx3214C、 1234D、 1324答

20、案：C95 .电阻串联的特点之一是O。Av电流相等B、串联可以分压,每个电阻分得的电压与其阻值成反比C、总电压等于各分电压D、总电阻等于各分电阻答案：A96 .用粘合剂粘结的基片可以接收的是()。A、在基片安装柱上有粘合剂残余物B、器件装置图定位和定向不符C、在外引线键合区上有粘合剂残余物D、基片周界75%以上连续三侧周边能见到粘合剂材料97 .金铝键合系统之间会生成多种金属间化合物,造成键合失效,其“紫斑”的形成是()化合物引起。AxuAI2BxAuAICxAu2AIDxAu5AI2答案：B98 .当IVGI2IVTI时,增强型MOS管沟道中载流子的运动主要是()。A、扩散运动B、漂移运动C

21、v热运动D、扩散运动和热运动答案：B99 .模块在三防涂覆时优先涂覆面为()。Av顶面B、功能面C、非功能面D底板答案：B100 .可以再次返工封装的是()。Av平行封焊Bx环焊C、焊料焊Dx塑封答案：A101 .列说法正确的是()A、浆料的组成一般由功能相、有机载体、绝缘材料三个重要部分组成B、浆料的组成一般由功能相、有机载体、玻璃黏结剂三个重要部分组成C、浆料的组成一般由功能相、玻璃黏结剂、绝缘材料三个重要分组成D、浆料的组成一般由有机载体、玻璃黏结剂、绝缘材料三个重要部分组成答案：B102 .半导体中的自由电子和空穴的数目相等,这样的半导体称为()。AvP型半导体B、N型半导体Cv本征半

22、导体D、P型和N型掺杂浓度相等的半导体答案：C103 .打印油墨至少应具有()的存放期。Av六个月Bv1年C、2年D、3年104 .常用的电容容值单位有F、F、nF、pF,其中InF二()pF。A、10Bx100C、 1000D、 10000答案：C105 .在机械图样中的直线尺寸规定的单位是()。Av毫米Bv厘米C、分米Dx米答案：A106 .共晶粘片的主要缺点是0。Av不可返工Bx传热快C、可以导通Dv可靠性好答案：A107 .粘合剂流向任何分离元件的距离,可以接收的是0oA、其间距不到25mBx大于25mG不到lOUmDx大于20m答案：B108 .关键工序三定表指的是。Av定设备B、定

23、人员C、定工艺Dv定流程答案：A109 .电阻率的国际单位为()。AvB、cmCmDxcm答案：C110 .理想电压源的特点之一是()。A、端电压固定不变,与外接电路无关Bx通过它的电流与外接电路无关C、端电压与电压源的内阻有关D、可以作为实际的电压源答案：A111 .塑封电路在模塑后还要对外引线进行()表面保护。A、光亮镀锡B、镀镖G镀暗镶D、镀金答案：A112 .环氧树脂具有良好的()。Av高频性能B、耐湿性C、电绝缘性D、机械性答案：C113 .6S和产品质量的关系是()Av工作方便Bv改善品质G增加产量D、没有关系答案：B114 .对于复合键合，()情况可以接收。Av一个键合点上有两根

24、引线Bx在原有的键合点上有多余一个键合C、第二次键合和原有键合的接触面积大于75%的键合D、非同一金属的键合答案：C115 .用粘合剂装配的元件,粘合剂流向任何分离元件的距离可接收的是OoA、其间距不到25mmB、其间距大于25mmCv其间距不到20mmDv其间距大于20mm答案：B116 .下列清洗设备清洗时不需溶剂的是()。Av蒸气去油器B、在线溶剂清洗机Cx等离子清洗机Dv超声波清洗机答案：C117 .Sn基焊料在低温时,Sn发生同素异型变化,产生()，所以Sn机焊料不适用于OoA、韧性高温B、脆性低温C、韧性低温D、脆性高温答案：B118 .下面。是可以接收的。A、焊料和金属材料剥落B

25、v基片上有多余物C、在基片周界能见到焊接轮廓D、焊料流到分离元件上答案：C119 .焊料焊时施加的温度应使焊料能够有足够的流动性和润湿性,这个温度大约高出焊料熔点O。A、30B、60G80CDv110答案：A120 .激光加工的优点是0A、速度快、效率高B、加工质量高、可控性好C、在剥除金属材料的同时减少对基底材料的损伤DxAxB和C答案：D121 .防静电手镯和地线之间应该()。A、直接导通B、接1M左右电阻Cv接IOQ左右电阻答案：B122 .激光调值方法一般只能将电阻的阻值。A、调大B、调小C、稳定D、不变答案：A123 .低熔玻璃焊属于O。A、冷焊B、有机树脂封装C、熔焊D、焊料焊答案

26、：C124 .金属圆形封装结构其引线的分布直径一般为O。Av54Bv27G08和5.84Dx0答案：C125 .两个或两个以上的电阻以一定的方式连接后,总电阻值等于各个电阻值的总和,这是()。Av串联Bx并联答案：A126 .产品质量是()oAv设计出来的Bv制造出来的C、检验出来的Dv多种质量因素的综合反应答案：D127 .()结构是目前国内外光电外壳最通用的封装形式。A、陶瓷熔封Bx塑封C、陶瓷平封Dv陶瓷扁平封答案：D128 .双极型集成电路硅单晶衬底一般选取的晶面为O。A、111面Bx110面C、011)面Dv100面答案：A129 .陶瓷基底的芯片内腔中烘渗有()层，以便芯片粘结。A

27、v金B、镇C、锡D、铝答案：A130 .平行缝焊机,滚轮锥顶角的大小与焊接压力的关系是()oAv锥顶角变小,压力增大B、锥顶角变小,压力变小C、锥顶角变小,压力不变D、锥顶角变大,压力不变答案：B131 .在检查陶瓷基片电容器中()情况的基片可以接收。Av基片中有裂纹Bx电容器板有脱离的痕迹C、金属化层基本完好D、金属化层材料沿边缘裂开答案：C132 .硅二极管的正向压降一般为()。Ax5VB、7VCv9VDxOV133 .由于封装气密性不好,在芯片键合点或管座压焊点常产生一种白色絮状物质,貌似白色绒毛,这种白色物质的主要成分为()。A、KOHB、NaOHGFe(OH)33D、Al(OH)33

28、答案：D134 .芯片共晶焊接工艺所用的金-锡合金熔点为()。Av280B、220C、320D、350答案：A135 .环焊电极由()制成。A、鸨铜或铝铜合金B、不锈钢C、工具钢Dv铜答案：A136 .厚膜混合电路中使用的96%氧化铝基片的翘曲度应小于最长基片边缘的0。C、1%D、3%答案：B137 .影响贮能焊气密性的主要原因是()oAv封焊电流B、封焊电压C、PINDDx封装条件综合因素调整不合适答案：D138 .构成计数器的基本单元是()。A、与非门Bx或非门C、与或门D、触发器答案：D139 .碳黑是()着色剂。Av绿色B、棕色C、黄色Dv黑色答案：D140 .用粘合剂装配的元件,在元

29、件周界粘合剂中的裂缝可接收的是()oA、大于接触周长的10%B、小于接触周长的10%Cv大于接触周长的15%D、小于接触周长的15%答案：B141 .金属与半导体形成欧姆接触的一种方式是使半导体的参杂浓度大于()OAv1015cm3Bx1017cm3C、 1019cm3D、 1021/cm3答案：C142 .以下材料中,可用于键合引线材料的是0。Av半导体材料Bx绝缘材料Cv铁镁合金Dv含1%硅的铝答案：D143 .堆叠组件烘烤除湿后,烘箱温度降至()方可取出。Ax50Bx60Dx80答案：D144 .哪项试验可以有效验证金属镀层的附着力？()A、“划格法”Bx“折弯法”C、“剪切法”Dv外观

30、目检法答案：A145 .易于制造高压、大电流和功率电路的是()Av半导体电路B、薄膜电路Cv厚膜电路答案：C146 .P型封装由俯视图方向观察，引出端识别标志处为()。Av1B、2CxnDvn-1答案：A147 .经过室温静置的湿膜,即可进行干燥,干燥的目的是()A、使将料中易挥发的有机溶剂蒸发掉B、使印刷好的浆料膜硬化C、使图形固定D、便于移动答案：A148 .粗铝丝键合的主要问题之一是:铝在压焊劈刀上的结垢,通常采用的最好方法是()。A、20%NaoH超声清洗B、水洗C、乙醇洗D、丙酮洗答案：A149 .通过专用工装模具对器件的()进行约束定位,可以实现精确堆叠。A、塑封外形B、器件正面标

31、识C、器件引腿Dv几何尺寸答案：C150 .单相交流电源的安全电压是0。A、小于36VB、 120VC、 220VDx大于220V151.共晶粘片采用的98Au2Sn之熔点应该是()。A、280B、356C、370Dv217答案：D152 .当集成电路温度超过环境温度IO(TC时，()的作用比较突出。A、热辐射和热对流Bv传导和对流Cv传导和辐射Dx传导答案：A153 .材料间一但发生接触,相互间就受到弱的。的吸引。Av原子力Bv分子力C、电子力D、中子力答案：B154 .产品质量是()oAv是设计出来的B、是制造出来的Cv是检验出来的D、是多种因素的综合反应答案：D155 .激光焊属于()焊

32、。A、熔B、焊料C、冷Dx纤答案：A156 .超声压焊时选择的金属丝是O。Av铝丝Bv金丝C、硅铝丝Dv铜带答案：C157 .属于非气密性封装的是O。Av金属Bv玻璃C、陶瓷Dx塑料答案：D158 .一个阻值为100Q的电阻,允许加最高电压为10V,则额定功率为()。Av10WBx1WC、1WDv2W答案：B159 .薄膜电阻膜层越薄,则O越差。Av阻值Bv密度C、阻值均匀性D质量答案：C160 .晶体三极管的开关工作状态指的是()。Ax要么工作于截止区,要么工作于饱和区,不能工作于放大区B、要么工作于截止区,要么工作于放大区,不能工作于饱和区C、要么工作于饱和区,要么工作于放大区,不能工作于

33、截止区D、主要工作于截止区和饱和区,在这两个区域转换时暂时工作于放大区答案：D161 .半导体的电阻率0。Ax介于10710-2.cm之间B、介于10-210-4Q.cm之间C、介于10-4109Q.cm之间D、大于109Q.cm答案：C162 .ESD识别标志中的符号表示0;Ax1级0V1999VB、2级2000V3999VG3级400OV答案：A163 .用粘合剂装配的元件,其接触面积要求()。Av大于75%B、小于50%C、大于45%D、小于40%答案：A164 .打印油墨要求固化温度在()，以慢干为宜。Av12010CBx14010CG18010CDv20010答案：D165 .国内外

34、大功率管芯背面金属化普遍采用()OAxNi-Cr-SnB、Ni-Ag-AuC、r-Ni-AuDxCr-Ag-Au答案：CA、混合电路B、SMTC、PCBDv超大规范裸芯片、多层板预测试后组装成大于100条引腿的多功能组件答案：D167 .基片粘结过程中，()情况可以接收。A、焊料和合金材料剥落Bx基片上有残余焊剂C、在基片周界都能见到焊接轮廓D、焊料流向分离元件,使其间的间隔小于25m答案：C168 .材料之间弱的分子吸引力叫做()。A、作用力B、万有引力C、范德瓦斯力D、粘接力答案：C169 .柔软键合法的柔软材料通常是()。Av金B、铜G硅D、铝答案：A170 .制作刻线数据时,导电路径可

35、能会拐弯,下列哪一项导线拐弯的方式不建议Z-1.bVA.B.C.采用？()dAvBvC、Dv答案：C171 .一般的厚膜浆料高温烧结温度为()。A、500B、850G900答案：B172 .金-锡共晶焊工艺的最大缺点是()。Av耗金量太大B、不可靠C、导热性差D、接触不良答案：A173 .链式封装炉在炉端设有几道机械帘和氮气帘装置,是为了防止()。A、空气进入B、H22溢出C、热散失D、空气进入和H22爆炸答案：D174 .气密密封方法常用()和玻璃熔封工艺方法。非气密密封方法通常用胶粘法和塑封法。Av钎焊、熔焊、平行缝焊B、钎焊、激光焊、超声焊C、平行缝焊、点焊、激光焊D、平行缝焊、点焊、超

36、声焊答案：A175 .无氧的氮化铝基片的热导率与()基片相当。Av硅片B、微晶玻璃C、氧化铝Dx氧化被答案：D176 .在引线键合中下列。情况可以接收。A、不符合键合图要求的遗漏或多余的引线或条带Bx在引线和键合的接合处撕裂C、引线与引线交叉D、共用引线有交叉答案：D177 .单晶硅中的硼、磷和金杂质的作用分别为O。Av施主、受主和复合中心Bv施主、复合中心和受主Cv受主和施主、复合中心Dv受主、复合中心和施主答案：C178 .质量问题归零五条标准的根本任务是O。Av防止质量问题再发生B、处理应急质量事故C、完成型号生产任务Dv为了教育大家答案：A179 .厚膜印刷的导体膜厚一般为()。Ax5

37、-8mBx8-15mCx40mDx2030m答案：B180 .可动电荷Na+离子在()介质膜中容易移动。A、二氧化硅Bx氮化硅C、磷硅玻璃Dv氧化铝答案：A181 .楔形键合，（）情况可以接收。Av在芯片、基片和外引线键合区上的键合,其宽度大于1.2倍,或小于2.5倍的引线直径B、其键合长度小于1.5倍或大于5.O倍引线直径C、在芯片衬底或外引线键合区上的键合其宽度小于1.5倍或大于3.O倍引线直径D、其键合长度小于1.0倍或大于5.O倍引线直径答案：A182,平行封焊的每个焊点间（）重叠。Av不Bx有小于1/10C、有1314的D、有大于1/2的答案：C183 .使用灌封胶进行印制板型组件粘

38、接固化条件为：（）oAv125C1hBx1500C1hC、150C2hDx1250C2h答案：C184 .金铸合金装片时通常采用()。A、360410B、420460CG315350CD、310350C答案：A1.1 .1英尺等于()。Av30cmBx50cmC、30.48cmDx20cm答案：C186 .下列焊合方式属于固相焊合的是0。A、超声焊B、再流焊C、导电胶粘结Dv共晶焊答案：A187 .处于放大工作状态的晶体三极管,集电结中载流子的运动主要是0oA、扩散运动C、热运动D、扩散运动和热运动答案：B188 .军用混合电路贯彻国军标,通用规范标准号是O。AvGJB548AB、 GJB24

39、38AC、 GJB597D、 QZJ840616答案：B189 .H级芯片镜检的显微镜倍数要求为()倍。Av2550B、50100G75150D、5075答案：C190 .大功率管芯与铜管座烧结时,采用Mo垫片为的是()oAv减小热阻Bx减小热膨胀系数失配诱导的热应力C、提高平整度D、散热片191 .不燃烧的化学试剂是()。Av甲苯Bv四氯化碳Cv丙酮Dv乙醇答案：B192 .超声键合用硅铝丝材料,为方便拉丝和键合()。Av在Al中掺入1%的SiBv在Si中掺入3%的AlC、在Si中掺入1%的AlDv在Al中掺入3%的Si答案：A193 .一般丝网印刷过程可概括为绘图、照相、制版、()、流平五

40、个步骤。A、烘干B、印刷C、烧结D、检验答案：B194 .Au-Si共晶焊接时,最大的缺点是()。Av耗金量大Bv返修方便C、导热性差Dv接触不良答案：A195 .芯片共晶焊接工艺中所用的金-硅合金的熔点是OoAv22CB、323C、370D、390答案：C196 .质量管理体系文件包括O。A、质量手册,程序文件Bx相关的运行,控制文件C、作业规范,质量记录D、AB+C答案：D197 .8寸晶圆的直径长度约为OmAv200Bx250C、300D、100答案：A198 .薄膜导体应具备的性质O。Av电阻率低B、与基片、介质附着力强C、电性能稳定DxAB和C答案：D199 .得细线条的印刷效果,应

41、采用哪种丝网()。Av100目Bx200目C、300目Dx400目答案：D200 .单位面积的电阻上能承受的功率称为()。A、功率密度Bv额定功率Cv最大功率Dv最小功率答案：A201 .型号为1.SFN16G08VS4S1的三维存储器中16G代表存储器的()Av速度Bv存储容量C、位宽Dv类型202 .焊料焊时施加的压力应根据()而定。A、焊接面积B、焊料熔化温度C、金属厚度D、管壳种类答案：A203 .一般丝网印刷过程可概括为绘图、照相、制版、印刷、()五个步骤。A、烘干B、流平C、烧结D、检验答案：B204 .厚膜印刷的导体膜厚一般为()。Ax58mBx815mCx40mDx2030m答案：B205 .超声键合对键合表面要求清洁度为()。Av较高Bx较低C、不要求Dv无限制答案：A206 .非接触式厚膜电路丝网印刷时,丝网与基片之间的间隙通常为()Ax小于0.1mmB、