知识点练习射线（最终）.docx

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1、1 .E?F列第一特征，不是X射线管的IE材料所要求的（D）0.高原子序数0.高熔点0.高热传导率Q.高质量吸收系数2 R二当两台相同型号的X射线机的千伏值和充安值均相同时，则（D）口产生的X射线的强度和波长一定相同：目.产生的X射线的波长相同，强度不同：H产生的X射线的强度相同，波长不同：口产生的X射线的强度和波长不一定相1可。3 .宓高压变压器直接与X射线管相连接的X射线机叫做（B）0.全波整流X射线机艮自整流X射线机0.交流X射线机0.恒电压X射线机4 m射线管对真空度要求较高,其原因是（D）口.防止电极材料辄化：口使阴极与阳极之间绝缘：日使电子束不电离气体而容易通过：目.以上三者均是。

2、6 .国二决定X射线机工作时间长短的主要因素是（D）口工作电压KV的大小；旦工作电流mA的大小；0.工件厚度的大小；值阳极冷却速度的大小。7 .国二X射线机中循环油的作用是（C）口.吸收散射线日滤去一次射线中波长较长的射线；H散热：旦增强一次射线8 .工大焦点X射线机与小焦点X射线机相比，其缺点是（D）口射线的能量低穿透力小；旦射线不柒中，强度小：日照相黑度不易控制：日照相清晰度差。&H二一般X射线机调节管电压的方法通常是（B）艮调节灯丝的加热电压；口调节阴极和阳极之间的电压：口调节阴极和阳极之间的距离；口调节灯丝与阴极之间的距尚。9 .Emx射线管中的阴极常见的是（B）0.冷阴极日热阴极Q旋

3、转阴极0.固定阴极10 .E一提高灯丝温度的目的是使（B）口.发射电子的能量增大；砰发射电子的数量增多；日发出X射线的波长变短：且发出X射线的波长变长。11 尔!二大功率X射线管阳极冷却的常用方法是（D）0.辐射冷却对流冷却Q传导冷却0.液体强迫循环冷却12 .口2二Y射线探伤机与X射线探伤机相比，其优点是（D）0.设备简单日不需外部电源Q.射源体积小日以上三者都是13 .W探伤所用的放射性同位素,都是（B）1天然同位素口人造同位素日稳定同位素以上三者都是14 .JM射性同位索的制射强度与时间的关系是（C）0.随时间增大口与时间无关口随时间减小口三者都不对16.国二利用y射线探伤时，着要增加射

4、线强度可以采用（B）&增加焦距减小焦距0.减小曝光时间0.三者均可16 .CE二下列四种放射性元素中，半价层最反的是（八）JCo6Csl370.Irl920.Tml7017 .国二下列四种放射性元素中，半衰期最长的为（B）口.Co6Cs1370.Ir19Tml7018E3Se76源发出的主要射线的能量为；（八）.0.265MeV和0.136MeVq0.IlMeV和0.15MevQ.1.33MeV和1.17MeV0.0.3IMeV和0.47MeV19 .E31800三厚的制试件射线照相，可能使用的Y射线源是（八）Q.钻600.铁17.钺1920.艳13720 .迎二可使用做192时相的钢试件厚度

5、范围是（D）JlOO-2OOm110.860用4151120-100mm21 .HZ决定材料对X射线吸收H要的因索是（C）0.材料皿度材料密度0.材料原子序数0.材料晶粒度22 .国二下面有关X射线管焦点的叙述，哪一条是错误的？（D）口有效焦点总是小丁实际焦点；日焦点越小，照相几何不清晰度越小：目管电压、管电流增加，实际焦点会有一定程度的增大；日焦点越大，散热越困难.23 .HZ放射性同位H的比活度取决于（D）口核反应堆中照射的中子流：口材料在反应堆中的停留时间：口.照射材料的特性（原子量、活化截面）：目.以上全是。24盅二下列四种放射性同位素中，可用来透照厚度为5IOB的薄壁管，相射特性类似

6、200250KVX射线的是（D）Q.Ir1920.Cs1370.Co6O0.Se7525UWTft放射性比活度高的源其自吸收（B）0.较高0.较低Q两者无关口无自吸收26.H二决定X射线管IE材适用性的两个因素是（D）0.拉伸强度和屈服强度姓硬度和磁导率日电阻和抗氧化性能日原子序数和熔点272工以下关于便携式X射线机操作使用的叙述，哪条是错误的（八）JX射线机停用超过3天，才需要训机：回.送荏压前应预热灯丝；口机内SF6气机过低，将膨响绝缘性能：口应保持工作和问歌时间1:1.28 .以下哪一条不是Y射线探伤设备优点（D）口不需用电和水日可连续操作.可进行周向曝光和全景曝光口曝光时间短、防护要求

7、高29 .通射线管中，电子表击IC时能,转换的主要形式是产生（D）0.连续X射线0-标识X射线B-短波长X射线0-热30 .尔匚IX射线管管电流大小主要取决于（B）0.靶材料巨灯丝电流日阳极到阴极的距离县以上都是31 .EJc射线管中轰击纪的电子运动的速度取决于（B）0.靶材的原子序数日管电压Q.管电流网.灯丝电压32 .E二在管电压、管电流相同的情况下，下列哪种线路产生的射线质较硬、照射剂重率较大？（C）0.半波整流全波整流0.稳恒直流0.线路种类与射线的质和剂量率无关33 .国二在管电压、管电流相同的情况下，焦点尺寸越小，其焦点的温度（B）日越低R越高日不变日不一定34C工表示胶片受到一定

8、量X射线照射，显影后的底片黑度是多少的曲线叫做（C）0.曝光曲线艮灵敏度曲线.特性曲线目.吸收曲线35 .T肢片的片基常用的材料是（C）Q.聚氯乙烯薄膜R聚会脂薄膜.涤纶薄膜且聚乙烯薄膜36 .ETl保存射线胶片的环境相对湿度应为（B）110-2550-57085越干燥越好37 .工二JR片特性曲线上，过两个特定黑度点的直线的斛率叫做（C）口.胶片宽谷度0.梯度）.平均梯度0-感光度38 .22由胶片特性曲线可以得到胶片的技术叁数是（D）胶片的反差系数胶片的本底灰雾度0.正常的曝光范国0.三者均是39. 养一因素变化,会使胶片特性曲线形状明显改变？（D）0.改变管电压0.改变管电流0.改变焦距

9、0.改变显影条件40. 23二实际使成片卤化钊及粒感光的因索是（C）IX或丫光量子口粒子日电子且中子41. M下面有关胶片的四种叙述中，唯一正确的是（错选B）正确：C口胶片颗粒度大，感光速度就快，底片图象清晰；目.胶片颗粒度小，感光速度就快，底片图象模糊；口胶片颗粒度大，感光速度快，底片图象模糊：口胶片颗粒度小，感光速度快，底片图象清晰。42H片的黑度范BS限制在胶片特性曲线的直线区域内，这是因为在此区域透照出的底片（D）0.黑度大口感光度高.本底灰穿度小口对比度斑43.03二已过光的X胶片，不能在高温高湿的环境内保持时间过长，否IH会引起（D）口药膜自动脱落日产生白色斑点日产生静电感光网潜象

10、衰退、黑度下降44H1.片分类的依据主要是（八）0.成像特性0.镇光特性感光度和梯度0.灰雾度和宽容度46 .H11X胶片乳剂中与射线作用产生光化学作用的成份是（八）JABbO20.gAgBr247 .盅二用含悌5%的铅合金代售龄作增感屏其原因是这种增感屏（C）口.清晰度好0.斑点效应好日比较耐用0.增桃系数高48 .国二与非增感型胶片配合使用的增感屏是（B）0.荧光增感辨0.铅箔增感屏0.荧光铅箔增感屏Q.稀土荧光增感屏49 .淡光增感屏与铅箱增感屏相比，荧光增感屏的主要优点（C）口.图象的清晰度高回.可提高灵敏度日可缩短曝光时间0.能屏蔽散射线50 .明|各种胶片成像的粒度（八）正IlA0

11、.随干伏值提高而增大性随干伏（ft提高而减小与干伏值无关口变化服从朗伯定律50,巨1&箱地感屏的最主要优点是（八）口.可加速胶片感光同时吸收部分散射线；口可提高照相清晰度；口可减小照相颗粒度：目.以上都是。61 .32二使用铅箱增感屏可以缩短光时间，提高底片的黑度，其原因是铅箱受X射线或Y射线照射时（D）口能发出荧光从而加速胶片感光；日能发出可见光从而使胶片感光：日能发出红外线从而使胶片感光：且能发出电子从而使胶片感光。62 .笈工射线爆相中，使用像质计的主要目的是（B）口.测量缺陷大小且评价底片灵敏度.测定底片清晰度日以上都是63 .通二什么是使用像质计的局限性？（C）0.不能提供射线照相检

12、验灵敏度的永久性证据；0.不能比较两种不同透照技术的质量高低；Q不能提供可检出缺陷尺寸的度改指示；目.不能验证所用透照工艺的适当性。54.1金属丝型像质计应具有的标志有：（D）目像质计标准编号日线材代号Q.岐粗线与坡细线的编号0.以上都是55. E1.T对母材厚度为16充米的双面焊接的焊缝进行射线探伤时，在底片上能发现直径为0.32充米的钢丝履像质计，其像质计相对灵敏度为（C）0.闻.1.5电,咆2.5%56. ET1厂平板焊缝照相时,下面四种关于像质计摆放的叙述，唯一正确的摆放位Jt是（D）近胶片一侧的工件表面，并应靠近胶片端头；耳近射源一侧工件表面，金属丝垂直焊健，并位于工件中部；。近胶片

13、一侧的工件表面，并应处在有效照相范图一端的焊上，金属丝垂直于焊细丝在外：Q近射源一Wl有效照相范困一端的焊缝上，金属丝垂直于焊健，细丝在外。67.E快对射线的吸收系数小于纲,在透照钦试件时采用了纲丝像质计，如果底片上显示的像属指数刚好达到标准要求，则该底片的灵敏度（B）0.刚好符合标准要求日达不到标准要求.远远超过标准要求0.无法判断58.国二已知入射光强3200cd,则底片黑度为2.5的区域透过的光强为：（C）目.5cdm且8cdrf.10cdm.30cd/m69.02二一个电压调节卷由铁芯变压器组成，变压器只有一个绕组，绕级上有许多抽头.这种变压卷叫做：（C）口高压变压器；口灯丝变压器；口

14、自耦变压器；.脉冲变压器。60. 口2二以下关于周向幅射X射线管阳极IE的叙述，第一条是错误的：（D）口周向辐射X射线管的阳极靶有平面靶和锥形靶两种：目平面靶多用于300KVX射线管：H平面靶散热效果比锥形靶好；畦使用平面靶X射线管的探伤机照相要注意横向裂纹漏检问网。61. *&在其他参数不变的情况下，若显影时间延长，胶片特性曲线会出现（错选D）正确A口梯度增大，感光速度提高：口梯度减小，感光速度提高口.梯度减小，感光速度降低；日梯度增大，感光速度降低62. CEIIrl92所发出的主要丫射线能量为（B）Q.0.66MeV,0.84MeV,0.91MevQ.0.31MeV,0.47MeV,0.

15、60Mef.0.08MeV,0.05MeW0.66Me0.15MeV.1.12MeV、0.18MeV63. W使用“真空暗盒”的主要优点是（B）提高主因对比度0.减小固有不清晰度0.减小底片颗粒度0.以上都是64忠二成片系统分类中所指的胶片系统包括（C）胶片、增桃屏、暗盒口胶片、增感屏、暗盒、背防护铅板H胶片、增燃屏、冲洗条件目.源、胶片、增感屏、冲洗条件66,国二适宜检测厚度630m的钢试件的放射性同位素是（D）目.Ir192.Tm17.Yb16Se7566 .翻矗黑度计的光传感善要求线性好，主要是为了（错选C）正确D0.减少背景光的影响.抑制零点漂移口.扩大量程范围Q.提高测域精度67 .

16、113Z“S”通道型丫射线机与直通道型Y射线机相比，其优点是（C）Q.筑址轻日体积小。.输源管弯曲半径可以更小目.以上都是68 .盅二金属陶登X射线管的特点是：（D）口抗震性强，一般不易破碎姓管内真空度高，各项电性能好，管子寿命长容易焊装被窗口口以上都是69CIZ在增感型胶片的特性曲线中，黑度值随光量对数的增加而呈线性增大的区段叫做：（C）0.曝光过度区日.曝光迟钝区Q.曝光正常区0.反转区70 .通3&箱地感屏铅箱表面沾了油污后，会造成：（.C）0.底片上出现类似裂纹的黑线日底片上产生黑影R底片上产生白影目以上都是71 .盅二从可检出*小缺陷的意义上说，射线照相灵敏度取决于（D）口.底片成像

17、颗粒度：目底片上缺陷图象不消晰度；0底片上缺陷图皇对比度：县以上都是。72 .区匚射线底片上两个不同区域之间的黑度差叫做（B）1主因反差；耳底片反差；清晰度；口胶片反差。73.2二影哨主因对比度的是（D）0.射线的波长0.散射线H工件的厚度差0.以上都是74.1.H射线底片上缺陷轮廓鲜明的程度叫做（C）0.主因对比度0-颗粒度0-清晰度B.胶片对比度76.迎二几何不清晰度也可称为（D）0.固有不清晰度几何放大Q照相失真目半账76 .二二二射线透照的几何不清淅度（C）1与工件厚度成正比，与焦点尺寸成反比；碎与工件厚度成反比，与焦点尺寸成反比；H与焦点尺寸成正比，与焦距成反比:日与焦点尺寸成反比，

18、与焦距成正比。77 .H决定细节在射线底片上可记录最小尺寸的是（C）0.对比度0-不清晰度0.颗粒度0.以上都是78 .二射线照相底片的Ii粒性是由什么因素造成的？（D）口.影像颗粒或颗粒团块的不均匀分布：口底片单位面积上颗粒数的统计变化；Q颗粒团块的重至段叠；目以上都是。79 .通下列四种因素中，不能充小几何不清惭度的因素是（错选D）正确C口.射源到胶片的距离；耳胶片到工件的距震；H射源的强度；口射源的尺寸。80跟减小几何不清嘴度的方法是（C）正确C口选用焦点较大射源：目使用感光速度较快的胶片：口增大射源到胶片的距离；增大工件到胶片的距岗。81.固有不清嘴度与下列算一因素有关（错选C）正确D

19、口源尺寸：砰胶片感光度；口胶片粒度：日射线能量82.选为了提高透照底片的清IK度，选择焦距时，应该考虑的因素是（错选C）正AD口射源的尺寸，射源的强度，胶片类型：目工件焙度，胶片类型，射源类型：H射源强度，胶片类型，增感屏类型：口射源尺寸，几何不清晰度,工件厚度。83.国二以下彝一条，不是金属南麦管X射线机的优点（D）0.体积小0.重量轻口故障小0.不需要训机M孰以下翳一因素，对胶片梯度不产生影响（八）正确A0.射线能量0.底片黑度0.胶片类型0.显账条件86.国二下列四种因索中对底片的清修度无任何影响的是（八）0.射源的焦点尺寸日增感屏的类型；0.射线的能址日底片的黑度86.盅下列哪一种情况

20、对胶片梯度和底片Ilwi度同时产生影响？（D）0.改变KV值日.改变焦距0.改变mA值0.改变底片的黑度87.国二在射线照相中，使缺陷影像发生畸变量要的原因是（D）0.射源尺寸0.射源到缺陷的距尚日缺陷到胶片的距离0.缺陷相对于射源和胶片的位置和方向盟MtF列影响几何不清嘴的是，（B）正确B0.透照厚度差耳焦距目射线能量.底片黑度W&使用铜增感屏比错箱增感屏能，（,错选D）正确A0.得到更小的固有不清晰度0,增大固有不清晰度fl.提高照相对比度Q.降低照相对比度川画通透照有余高的饵时，为使像项计金属丝在焊缝和母材部位得到相同显示，应（错选D）正确A口.根据焊的余高选择合适的射线能量；口尽量选择

21、较高能量射线；0尽量选择较低能量射线：旦以上都不对。91!W以下哪一个叁数不被认为是影响极检出的关健叁数（八）0.长度g开口宽度自身高度d裂纹与射线角度92 .画通透照板厚一定且有余高的库舞，散射比随有效能量的提高而（借选C）正确B增大日减小不变日不一定93 .瞄用单外透法透照同一筒体时，如不考虑焦点投影尺寸的变化，纵IlUg与环IlUg的区别是：在一张底片的不同部位（错选B）正确A口纵缝ig值各处都一样，而环维Ig随部位而变化：耳环健Ug值各处都一样，而纵Ug值随部位而变化；日无论纵缝、环缝，Ug值在任何部位都相同，不发生变化；目以上都不是。94 .22下列哪一因索的变化不会改变射线照相的主

22、因对比度（D）口试件的材质；目射线的能谱；口散射线的分布：目毫安分或居里分。95 .通TF列哪一因素对照相底片黑粒性无明显影响？（健选D）正确B&显影程度；目.使用铅培感屏；射线穿透力；口使用荧光增感屏。96 .国二工件中旅近射源一侧的缺陷图像，在下列哪种情况下清新度最差？（c）口.焦距增大；目.焦点尺寸减小；H工件厚度增大：目.胶片与工件距恩减小。97：二如何提高射线底片的信噪比？（八）口.增加曝光量；口提高管电压；H增大焦距：口胶片与工件距离减小。98*界下列哪一叁数不是影响小缺陷射线照相清甯度和对比度的共同因素？（错选A）正IIB口.焦点或射源尺寸：口黑度；日焦距；日射线线质。99*三在

23、什么条件下尺寸较大的源掇得的射线底片质量可与尺寸较小的源相当？（错选D）正确A口增大源到胶片距离；目.采用较厚的铅增感屏；Q使用速度快的胶片；目缩短曝光时间。100越Ml决定缺陷在射线透照方向上可检出最小厚度差的因素是（错选D）正确A口.对比度日不清晰度0.颗粒度Q.以上都是KH.蒙迪V成片与增感屏贴合不累，会明显影响射线照相的（错选D）正确B0.对比度0.不清晰度.颗粒度Q.以上都是102. 送H射线照相底片上所能发现的最小缺陷尺寸与透照厚度的百分比称为：（B）0.绝对灵敏度0.相对灵极度。对比度0.清晰度103. H尊下列有关射线照相清惭度的叙述是：（错选D）正确A0.影像轮廓边缘黑度过渡

24、区的宽度缺陷影像与其周围背景的黑度差Q影像黑度的不均匀程度0.以上都是）104. U二下列有知!粒性叙述正确的是，（D）0.随胶片粒度和感光速度的增大而增大0.随射线能量的增大而增大U随曝光量和底片黑度的增大而减小且以上都对105. H以下磬一种措施不能提高射线照相的值嗓比（错选B）正确D0.使用速度更慢的胶片0.增加曝光量Q.提高底片黑度0.提高射线能量1他H二计算总不清淅度常用的计算公式是（B）IU211=3l113+113U=Up+上UFUg十Uig3U&*107.惠粒的随机性表现在（D）Q.射线源发出的光量子到达胶片的空间分布是随机的日林光银盐颗粒大小和分布不均匀性是随机的口.胶片乳剂

25、层对光子吸收是随机的艮以上都是108超射线照相几何不清晰度与以下磬一因素无关（C）正确C0.增感屏&底片黑度0-源尺寸0.射线能量109.任匚射IWMfl中，提高底片反差有利于小缺陷的检出，但同时会产生：（D）0.厚度宽容度减小口喋光时间延长0.底片上有效评定区缩小日以上都对110下列关于皎片梯度的叙述，正确的是：（错选D）正确B口.增感型胶片比非增整型胶片梯度大风选择梯度较大的胶片可提高对比度胶片梯度随黑度的增加而减小目以上都是111切状小缺陷对比度取决于（错选D）正确C口.小缺陷高度H小缺陷截面积口.小缺陷体积0.以上都是112座工用量于潮鼠区中心附近的豹T双丝透度计可以从射线底片上测出一

26、定管电压下的（c）口.吸收系数；且散射因子；口固有不清晰度：目形状修正系数。113.R二几何不清IIf度与，（D）0.焦点尺寸成正比.工件厚度成正比H焦点至工件表面距熟成反比H以上都对IMtW按照“高灵敏度法”的要求，lrl92Y射线适宜透照铜的每度范围是（八）0.20-80m11;0.30-10011u:Q6700mm：2072Omnb115.RZj大的在变一*度上，IrlM射线配合微粒胶片照相的艮敏度与灵敏度大致相当（C）J10-202030用4050m80-90mm116J二射线透照工艺条件的选界包括：（D）口.射线源和能量的选择0.焦距的选择H曝光量的选择0.以上都是117. E-X射

27、线能量的选择应考虑:（D）0.在保证穿透力的前提下，选择较低能量目.合适的透照厚度宽容度口.适当的曝光量日以上都是118. 1.双双影宣透法一般多用于：（C）g.100幽的管子环焊缝的透照口100mm的管子环焊缝的透照射线配合中粒胶片照相的口T（壁厚）8mm或g（焊缝宽度）Do4的管子环焊缝的透照日以上都可以119 .盅二以相同的条件透照一工件，若焦距缩短20乐光时间可减小多少？（B）口64%；目.36%：.20%；0.80%120 .H用半衰期为75天的lrl92源在某时间对某工件透照时的光时间为40例，5个月后，用该源对同一工件透照，为得到同样黑度的射线底片，光时间应为：（错选B）正确C1

28、40分钟：目2小时；日2小时40分；目4小时。121.0二若做射线氢略不计，当遗照厚度的增加丝相当于1/2半价层时，则胶片接受的照射量将茂少多少？（D）口25%：70%：0.41%；目.30%。122. HZ光因子表达式表达了，（B）日射线能量、胶片类型和暗室处理之间的关系：回射线强度、曝光时间和焦距之间的关系；0.射线源种类、增感屏种类和曝光时间的关系：&射线强度、增那屏种类和雌光时间的关系。123. ffl腐于厚度差较大的工件进行透照时，为了得到黑度和层次比较均匀的底片，一般做法是（错选C）正确B日提高管电流：砰提高管电压：口增加曝光时间；目缩短焦距。121.R二在同一个暗盒中装两张不同感

29、光速度的放片进行光的主要目的是（D）口.为了防止暗室处理不当而重新拍片：目为了防止探伤工艺选择不当而重新拍片：H为了防止胶片上的伪缺陷而重新拍片；Q用于厚度差较大工件的射线探伤，这样在不同厚度部位都能得到黑度适当的底片。125. 工:用双成片进行射线照相，要装两张不同感光速度的胶片，其选片原则是：两种胶片的特性曲线：（C）应在黑度轴上有些重合；.在黑度轴上无需重合：0.应在IgE轴上有些重合：目在IgE轴上无需重合。126. 帼回的箱增感屏上的深度划伤会在射线底片上产生黑线，这是因为：（错选D）正确B口.铅箔划伤部位厚度减薄，对射线吸收减小，从而使该处透射线时增多；口划伤使铅箔表面增大，因而发

30、射电子的面积增大，增感作用加强；口.深度划伤与胶片之间的间隙增大，散射线增加：Iil以上都对。127. HDt照有余高的焊虢，下面哪一条件的变化不会导致散射比显著增大？（B）日.射线能量从200KeV降低到100KeY；原照射场范图从中30OnUn增大到500e1.试件厚度从20三增加到40e：Q焊余高从2mm增加到4mn）。128. R二比较大的散射源通常是（D）1铅箔增感屏；口暗盒背面铅板：口地板和墙壁：口被检工件。129. HZ由被检工件引起的散射线是（C）口背散射：耳侧向散射：日正向散射；口全都是。130. H二射嫉探伤中屏蔽散射战的方法是D）1铅箔增感屏和铅罩；县港板和光阚：EI.暗

31、盒底部铅板：口以上全是。131. 任匚射线探饬时，在胶片暗盒和底部铅板之间放一个一定规格的的底片上出现B的亮图象，则认为（D）艮这一张底片对比度高，像质好；口这一张底片清晰度高，灵敏度而：0.这一张底片受正向散射影响严至，像质不符合要求：H这一张底片受背向散射影响严S1.像质不符合要求。B字铅符号，如果经过处理132. 盅二在射线机窗口加灌板，在工件上加补偿块减小厚度差，以及采用多胶片法，都是为了（D）口.校正不清晰度；旦校正低密度；建校正低对比度；日校正低宽容度。133. 32Z于工件和财源之间的浓板可以减少从工件边缘进入的散射线，其原因是潴板（八）口吸收一次射线束中波长较长的成份：目吸收一

32、次射线束中波长较短的成份；目吸收背敢射线：目降低一次射线束的强度。134. Ejt板的作用相当于（C）口增加充安；目.降低老安；日增加千伏：目降低千伏。135. 口注已知Co60源的半衰期为5.3年，用一个新源进行射钱照相得到满意的射线底片，两年后用该源对同一工件按同样条件进行射线照相，为得到同样的底片，光时间（C）0.不变；目约延长1而约延长30约延长60%136. H厂用帕箱增修,焦距1400BInlt光时间8分彷，得底片黑度2.5,现焦距为700m三,底片IM度不变，光时间应为（B）日1.6分钟厚2分钟0.1.25分钟0.4分钟137. R二光因子中的管电流、光时间和焦距三者的关系是（B

33、）口管电流不变，时间与焦距的平方成反比：口管电流不变，时间与焦距的平方成正比：口.焦距不变，管电流与曝光时间成正比：日曝光时间不变，管电流与焦距成正比。138. 超阅拄制透照厚度比K值的主要目的是（错选C）正确A口.提高横向裂纹检出率：目减小几何不清晰度；口.增大厚度宽容度：且提高底片对比度。139. H：选界遗照方式时，应综合考虑的因素有：（D）0.透照灵敏度0.缺陷检出特点口.透照悟度差和横向裂纹检出角Q.以上都是140. JZ:采用双片光和双片观察的技术，可以（C）口.增大对比度；目减小不清晰度：口增大宽容度；且减小颗粒度。141. 越通小径管环仰缝双双影选照时，适合的I光参数是（错选B

34、）正确A口较高电压、较短时间：口较高电压、较长时间：目较低电压、较短时间：口较低电压、较长时间.142. H函小径管柿圆透照的有效透照落围长度（错选B）正确D0.与焦距的平方成反比：与焦距的平方成正比；0.与焦距成正比：县与焦距无关。143. 明对纲工件，大致在后一透麻厚度值上，使用Co60的照相效果lrl92更好一些：（错选C）正确D406080m120mm144. H光因子衰达了哪几个参数的相互关系（错选B）正IiC口管电压、管电流、曝光时间性管电压、曝光S1.焦距日管电流、曝光时间、焦距日底片黑度、曝光量、焦距145. HZ穿过试件较曲K面的射线会在相邻厚蒙面下产生散射，从而对厚我面的彩

35、像产生影响，这种影响称为（C）0.康普顿散射蟀瑞利散射口边蚀散射口固有不清晰度146. 匚Zi小径管重叠成像法Tft用于透明（.D）口.直径小：Do:20m11四壁厚大：T811三fl焊健宽：gD”4日以上都是147. HZ透膜厚度为150的钢对接库缝，可选用的射线源是（D）Q.300KV携带式X射线机420KV移动式X射线机QIrl92射线源口Co60Y射线源148 .这口厚度为15，直径100o0的筒体的对接环缝照相，较理想的选算是（B）Jlrl92y源，中心透照法口锥靶周向X射线机，中心透照法日单向X射线机，外照法日平靶周向X射线机，中心透照法149 .膻在舞一种情况下，底片的有效娜定范

36、围会超出搭按标记以外（错选D）正确B口.环缝双壁单影透照，搭接标记放在胶片恻；日.环健单壁外透法，搭接标记放在胶片侧：.纵缝单壁外透法，搭接标记放在射源侧：艮环健中心透照法搭接标记放在胶片Wh150 .二做件法兰对按焊Ii射线照相，提高时相质量最重要的措施是（C）0.提高管电压增大宽容度0.使用梯噪比高的胶片H.使用屏蔽板减少“边蚀”Q.增大焦距提高小裂纹检出率161. H二下列不需计算一次透照长度的透照方式是：（B）0.环缝单壁外透法园.小径管双壁双影法0.纵健双壁单影法0.环SI内透偏心法162. RZ球Y射线全景光时，安全距离的计算不需要考虑下列哪个因素（八）0.焊缝余高B球罐壁厚H安全

37、剂量限值Q.半值层163. H二下列有关光曲线制作的叙述，正确的是：（D）口其它条件一定，管电压作为可变参数目.其它条件一定，曝光量作为可变参数口.其它条件一定，工件厚度作为可变参数目以上都是154H颤下冽有关光曲线使用的叙述，正确的是：（错选D）正确C0.只要X射线机的规格相同，其曝光曲线都是通用的日曝光曲线一定后，实际使用中可对暗室冲洗温度作修改H曝光曲线一般只适用于透照厚度均匀的平板工件同以上都是165.盅二制焊缝透照常规工艺需遵循的原则是：（D）口应符合有关法规、标准、设计文件和管理制度的要求W.应考虑缺陷检出率、照相灵敏度和底片质量日.应考虑检测速度、工作效率和检测成本日以上都是1脓

38、盅二一制焊较造照专用工艺卡必须明确的是：（D）g.工件情况透照条件参数Q.注意事项和辅助措施0.以上都是157. 施下列关于小径管椭圆透照像质要求叙述正确的是：（借选D）正确BQ.为达到透照灵敏度，可以不考虑厚度宽容度性椭圆开口度太小，会使源侧与片侧焊根部缺陷产生混满日椭圆开口度大，有利于焊健根部面状缺陷的检出Q以上都是158. R二星影的目的是（B）日.使曝光的金属银转变为浜化银：砰使嗥光的浜化银转变为金属银：日去除未曝光的澳化银：口去除已曝光的澳化银.159. 圆显影液的主要成份是（借选C）正确D口还原剂和促进剂：性保护剂：。抑制剂；目以上全是。160. R二还原剂通常采用（C）库亚硫酸钠

39、；原溪化钾：日米吐尔和对米二阶目碳酸钠。161. H二星影液中的促进剂通常采用（D）口亚硫酸钠：日.澳化钾：.菲尼铜：.碳酸钠.162. R二星影液中的保护剂通常采用（八）日亚硫酸钠；县溪化钾：日菲尼铜：县碳酸钠。163. H二星影液中的抑制剂通常采用（B）口亚硫酸钠：县澳化钾：H菲尼铜：日.氢辄化钠“164. y屋影掾作时，不研携动底片的目的是（错选D）正确B艮使未曝光的澳化银粒子脱落；原驱除附在底片表面的气孔，使显影均匀，加快显影；口.使曝过光的浪化银加速溶解：艮以上全是。165. H二在显影过程中应翻动胶片或携动显影液，其目的是（B）口保护胶片，使其免受过大压力：W使胶片表面的显影液更新

40、；口使胶片表面上未曝光的银粒子散开；口防止产生网状皱纹.166. R二星彩时，算一条件的变化会导致影像凄粒粗大？（D）&显影液活力降低：H显影液搅动过度；H显影时间过短：且显影温度过高。167. m以下关于显影剂性朋的叙述，鼻一条是正确的（错选D）正确C对紫二酚显膨反差小：日菲尼酮可取代对紫二酚与米吐尔组成显影剂：0.当温度降低时，对紫二酚显膨能力显著降低，米叶尔则不明显：H当碱度增大时，米叶尔显影能力显著提高，对茉二酚则不明显。168. 匚EE定彩液中的定影剂通常采用（八）&硫代硫酸钠；口冰醋酸；日明矶：日亚硫酸钠。169. 任匚嵬影液使用一定的时间后会失效，其原因是或（D）R主要起作用的成

41、份已挥发：口主要起作用的成份已沉淀；日主要起作用的成份已变质；目定影液里可溶性的银盐浓度大高。1.1 .1小轻管环焊Ii黑相的透照厚度比的用途是（C）0.为焦距选择提供参考依据：0-为偏移距离选择提供参考依据：Q.为管电压选择提供参考依据：0.为曝光域选择提供参考依据。171 .H二在定影掾作时，定彩时间一般为（c）.20分钟限底片通透即可：口通透时间的2倍回.30分钟172 .QZ定影液是一料（八）&酸性溶液日碱性溶液：口中性溶液；目三者均不是。173 .在定影液中能抑制质代破酸劲被分解析出磷的化学药品是（D）CH3COOH20.H3BO3目.Na2SO40.Na2SO3174 .解阖以下关

42、于定影液配制的叙述，第一条是错误的（错逸A）正确B口亚疏酸钠应在加酸之前溶解：目硫代硫酸钠应在加酸之后溶解；口.硫酸铝钾应在加酸之后溶解：口酸性剂除加入酶酸外还应加入硼酸。175 .国二以下第一种材料不适宜用作盛放洗片液的容卷（D）口塑料性不锈钢口.搪瓷日铝176 .4二息影速度变慢，反差减小，灰雾增大，引起上述现象的原因可能是（D）0.显影温度过高g.显影时间过短日显影时搅动不足0.显影液老化177. 任匚硼砂在显影液中的作用是（B）0.还原剂0.促进剂0.保护剂0.抑制剂178. H二磷三M8%在定影液中的作用是（C）0.定账剂日保护剂Q坚膜剂日酸性剂179. CHjE制定影液时，如果在加

43、酸之前就加入破酸铝仰，则会发生磷酸铝钾被（D）口氧化日还原口抑制R水解180. 为了使原子呈中性，原子核中的质子数必须等于核外的电子数.（V）181. 当原子核内的中子数改变时，它就会变为另一种元素.（）182. 当一个原子增加一个质子时，仍可保持元素的种类不变.（）183. 原子序数相同而原子,不同的元素，我们称它为同位素.（V）184. 不稳定同位素在衰变过程中，始终JMi射Y射线.（.）185. 原子是元素的具体存在，是体现元素性用的最小毒粒.（V）186. 放射性同位素的半衰期是指放射性元索的能盘变为原来一半所需要的时间.（）187. 各种丫射线源产生的射线均是单能福射.（）188.

44、在化学反应中，原子的种类和性质都会发生变化.（.）189. 以中子作为炮洋轰击原子核，可以使稳定的同位索变为不稳定的同位素.（V）190. 不稳定的核素会自发蜕交，这种现象称为放射性衰变.（V）191. 与lrl92相比，Se75放射性同位素的半衰期更短，因此其衰变常数人也更小一些.（）192. 射线能量超高，传播速度越快，例如Y射线比X射线传播快.（）193. X射线或Y射线强度越高，其能量就越大.（）194. X射线或丫射线是以光速传播的微小的物质粒子.（.）195. 当X射线5过2个半价层后，其能量仅仅需下初的1/4（）196. Y射线是原子核由低能级跃迁到高能级而产生的.（）197.

45、标识X射线具有高能量，那是由于高速电子同IC原子核相t撞的结果.（）198. 连续X射线是高速电子同IE原子的轨道电子相磁撞而产生的.（）199. 原子序数Z等于原子核中的质子Idt（V）200. 连续X射线的波长与管电压有关.（V）201. X射线的产生效率与管电压和IE材料原子序数成正比.（V）202. 一种同位素相当于多少千伏或光伏能力的X射线机来做相同的工作，这种关系叫做同位素的当量能.（203. 同能的丫射线和X射线具有完全相同的性项.（V）204. X射线的强度不仅取决于X射线机的管电漉而且还取决于X射线机的管电压.（V）205. 与Co60相比，Csl37发出的Y射线能北较低，半

46、衰期较短.（）206. 光电效应中光子被完全吸收，而康普顿效应中光子未被完全吸收.（V）207. 光电效应的发生几率随光子能*增大而减小.（V）208. 光电效应的发生几率随原子序数的增大而增加.（V）209. 光电子又称为反冲电子.（）210. 光子能,必须大于电子的结合能是发生光电效应的前提条件.（V）211. 当射线能猫在1.02YeV至IOMeV区间，与物质相互作用的主要形式是电子对效应.（）212. 连续X射钱穿透物质后，强度减弱，线属不变.（.）213. 射线通过材料后，其强度的9/10被吸收，该厚度即称作1/10价层.（V）214. 当射线穿过三个半价层后，其强度仅剜下最初的1/8.（V）216.所有丫射线的能*都是相同的.（）216. 放射性同位素的衰变常数入值越大，说明该物质越稳定.（）217. X射线和Y射线都是电蝴射，而中子射线不是电磁制射.（V）218. 放射性同位素的当:能总是高于其平均能.（V）219. X射线与可