第三代半导体及硅功率器件先进封测项目.docx
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1、第三代半导体及硅功率器件先进封测项目国家行业规划及产业政策的大力支持。半导体产业是电子信息产业的基础和核心,是科技创新的先驱,在世界经济发展中占据越来越重要的地位。在新一轮科技和产业革命的背景下,云计算、大数据、5G、人工智能、工业互联网、智能网联汽车、新能源汽车等新需求、新应用不断涌现。无论这些新兴领域如何发展演变,都离不开半导体的支撑保障,并将进一步扩大对功率半导体的应用需求。为贯彻国家半导体产业发展战略部署,抢抓半导体产业发展重大机遇,广东省政府先后制定一系列鼓励与支持的产业政策。2021年7月广东省政府印发广东省制造业高质量发展十四五规划提出:以广州、深圳、珠海、佛山、东莞、惠州、江门
2、等市为依托,重点发展5G器件、5G网络与基站设备、5G天线以及终端配件等优势产业,补齐补强第三代半导体、滤波器、功率放大器等基础材料与核心零部件产业,打造万亿级5G产业集群。2022年8月东莞市发展和改革局印发的东莞市发展半导体及集成电路战略性支柱产业集群行动计划(2022-2025年)提出积极推动氮化钱(GaN)、碳化硅(SiC)、图形化蓝宝石(PSS)等第三代半导体材料在衬底、外延、器件、制备设备等方面的研发、产业转化,加快第三代半导体芯片应用推广。重点发展应用于新能源汽车、智能电网、智慧电源等领域的中高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(大功率绝缘栅双极型晶体管)等
3、SiC电子电力器件;应用于5G通信的GaN高功率射频器件、GaN功率放大器、GaN微波集成电路芯片等GaN微波射频器件;应用于新型显示Mini/Micro-1.ED、激光器等领域的GaN光电器件。推动建设48英寸SiC和GaN衬底、外延及芯片/器件生产线,打通SiC/GaN材料-SiC/GaN芯片/器件-SiC/GaN应用的完整产业链,加快实现进口替代。功率半导体拥有广阔的市场前景。功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来,随着国民经济的快速发展,功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电
4、、5G等诸多市场,市场规模呈现稳健增长态势。功率半导体是工业控制及自动化的核心元器件,IGBT等可广泛用于交流电动机、逆变焊机、变频器、伺服器、UPS等,以实现精密控制,提高能量功率转换的效率和可靠性,实现节约能源的目标。随着工业4.0、智能制造等理念的普及,功率半导体在工业控制方面的需求持续增长。功率半导体器件在通信领域,尤其是5G通信领域,需求仍不断上涨。5G相较于4G速度大幅提升,带来功率、功耗较大幅度的增长。在基站端,5G采用大规模天线阵列,对功率器件性能要求更高,同时基站电源供应功率加大,增加了高压功率器件的用量;在接收侧,5G毫米波等应用使得接收端功率密度相应增大,增加了功率器件升
5、级化的需求;到下游数据中心,则面临扩容与降耗的需求,UPS(不间断电源)向高功率、低损耗迈进,增加了UPS用功率器件的总体需求,同样也驱动功率器件向更优性能升级,数据中心用功率器件市场有望快速成长。受益于新能源汽车和5G产业的高速发展,充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加,高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1.项目概况本次投资项目为第三代半导体及硅功率器件先进封测项目,实施主体为广东气派科技有限公司,本项目建成后用于功率器件封装测试,项目产品主要应用于5G通讯设备、医疗电子、物联网、智能电网、自动化生产、汽车电
6、子、消费电子市场和家用电器市场。2、项目建设的必要性(1)有利于推动国内功率半导体产业的发展根据中国半导体产业发展状况报告(2021年版),2020年我国半导体分立器件市场需求2z924.6亿元,较2019年增长5.0%,预计到2023年我国半导体分立器件市场的需求将达到4z393.2亿元。随着云计算、物联网、大数据、5G、新能源汽车等新兴产业的快速发展,功率半导体器件的需求越来越大,但高端半导体分立器件仍处于国外垄断局面,功率半导体器件国产化关系到功率半导体在各个应用领域是否实现核心零部件供应自主可控。近年来,国内芯片设计公司逐步在功率器件芯片中有所突破,功率半导体器件国产化指日可待。建设功
7、率器件封装测试项目,顺应我国功率半导体需求快速增长趋势,利用公司现有技术和管理优势发展我国功率半导体封装测试产业,进而推动我国功率半导体产业链的健康发展,提高我国功率半导体的产品自给率。(2)有利于公司的可持续发展,实现战略目标公司致力于打造成具有先进技术水平、领先的产销规模和完善管理体系的国际一流的封装测试企业。本项目通过购置先进的功率器件封装测试生产设备,通过功率器件封装测试生产线的建设,扩大功率器件封装测试的产销规模,优化公司产品结构,提高盈利能力。本项目的实施,是为了进一步扩大公司规模经济效应和技术创新优势,整合公司积累的宝贵技术成果、生产经验和客户资源,最终从整体上大幅提升公司的综合
8、实力,是公司向国际一流的封装测试企业战略目标前进而迈出的重要一步。因此,为满足公司整体规划和战略发展的需要,本项目的实施具有必要性。(3)有利于公司完善产品种类,优化产品结构,增强市场竞争力一个完整的可靠度耐用度较高的半导体产品是通过芯片和封装互相结合才能完成,而封装质量直接影响功率器件的质量及可靠性。本项目的实施能够提升公司在功率器件方面的封装测试技术,实现产品自主封装,丰富了公司封装测试产品种类和产品结构,产品将覆盖更广的领域,形成多领域、广覆盖的多样化优势,进一步提高公司的市场竞争力。3、项目建设的可行性(1)功率半导体市场前景广阔功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类,其中功率
9、分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、晶体管(含MoSFET、IGBT)等产品。在功率半导体发展过程中,20世纪50年代,功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪70年代末,平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期,沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世,半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代,超级结MOSFET逐步出现,打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而言,功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化,而功率MOSFET特别是超级结MOSFE1.IGBT等高端分立器件产品,由于其技术及工艺复杂
10、,还较大程度上依赖进口,未来国产替代空间巨大。功率半导体也是工业控制及自动化的核心元器件,IGBT等可广泛用于交流电动机、逆变焊机、变频器、伺服器、UPS等,以实现精密控制,提高能量功率转换的效率和可靠性,实现节约能源的目标。随着工业4.0.智能制造等理念的普及,功率半导体在工业控制方面的需求持续增长。功率半导体器件在通信领域,尤其是5G通信领域,需求仍不断上涨。5G相较于4G速度大幅提升,带来功率、功耗较大幅度的增长。在基站端,5G采用大规模天线阵列,对功率器件性能要求更高,同时基站电源供应功率加大,增加了高压功率器件的用量;在接收侧,5G毫米波等应用使得接收端功率密度相应增大,增加了功率器
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- 第三代 半导体 功率 器件 先进 项目
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