电工学与电子技术B复习题及参考问题详解_1.doc
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1、word一、 选择题6、欲使放大器净输入信号削弱,应采取的反应类型是DA串联反应;B并联反应;C正反应;负反应。7、由一个三极管组成的根本门电路是BA与门;B非门;C或门;异或门。8、在脉冲门电路中,应选择B的三极管。A放大能力强;B开关速度快;C价格廉价;集电极最大耗散功率高。9、数字集成门电路中,目前生产最多且应用最普遍的门电路是DA与门;B非门;C或门;与非门。24、对半导体而言,其正确的说法是CAP型半导体多数载流子为空穴,所以它带正电;BN型半导体多数载流子为自由电子,所以它带负电;CP型半导体和N型半导体本身都不带电; D在型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子25、在放大电路中,
2、假如测得某晶体管3个极的电位分别为9V、4V、3.7V,如此这3 个极分别为AA C、B、E; BC、E、B; CE、C、B。26、在放大电路中,假如测得某晶体管3个极的电位分别为-6V、-2.3V、-2V,如此这-2.3 V的那个极为BA集电极;B基极;C发射极。27、在放大电路中,假如测得某晶体管3个极的电位分别为6V、1.2V、1V,如此该管为CANPN型硅管;B PNP型锗管; CNPN型锗管;D PNP型硅管。28、对某电路中的一个NPN型硅管测试,测得UBE0,UBC0,UCE0,如此此管工作在BA放大区;B饱和区;C截止区。29、对某电路中的一个NPN型硅管测试,测得UBE0,U
3、BC0,如此此管工作在CA放大区;B饱和区;C截止区。30、对某电路中的一个NPN型硅管测试,测得UBE0,UBC0,如此此管工作在AA放大区;B饱和区;C截止区。31、晶体三极管的控制方式为BA输入电流控制输出电压;B输入电流控制输出电流;C输入电压控制输出电压。32、场效晶体管的控制方式为CA输入电流控制输出电压;B输入电压控制输出电压;C输入电压控制输出电流。33、射极输出器AA有电流放大作用,没有电压放大作用;B有电流放大作用,也有电压放大作用;C没有电流放大作用,也没有电压放大作用。34、某测量放大电路,要求输入电阻高,输出电流稳定,应引入BA并联电流负反应;B串联电流负反应;C串联
4、电压负反应;D并联电压负反应。35、与相等的为CA;B;C。36、与相等的为BAA+B;BA+BC;C。37、假如,如此CAABC=001;BABC=110;CABC=100。38、函数,如此它的“与非与非表达式为 B 。 A. B. C.AB BC39、组合逻辑电路的分析是指C。A逻辑图,求解逻辑表达式的过程;B真值表,求解逻辑功能的过程;C逻辑图,求解逻辑功能的过程。图 446、如图4所示的晶体管,测得三电极的电位分别是,如此该晶体管的的的类型与各电极的名称为: A ANPN型,是集电极、是基极、发射极BPNP型,是发射极、是基极、集电极CNPN型,是集电极、发射极、基极DPNP型,是集电
5、极、发射极、基极47、PNP型晶体三极管处于放大状态时,各极电位关系必须满足: B AUCUBUE; BUCUB UE UB;50、共集电极放大电路的电压放大倍数Au( B )A大于1; B小于并接近1 ; C等于1 ; D远大于151、如下哪一个不是逻辑函数的表示方法 C 。A真值表; B逻辑图;C波形图;D逻辑表达式.53、P型半导体中的多数载流子是 B A自由电子; B空穴; C正离子。三、填空题6最常用的半导体材料有 硅 和 锗 两种。7晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为 0.60.7 V,锗管约为 0.20.3 V。通常硅二极管的死区电压约为 0.5 V,锗二极管的死区电压约为 0
6、.1 V。=1AB8逻辑代数的三种最根本的运算关系有 与 、或 、 非 ;写出异或逻辑函数表达式Y=(其输入变量为A、B),其逻辑符号为: PN结 作为管芯,其最主要的电特性是 单向导电性 :加正向电压时PN结处于 导通 状态,加反向电压PN结处于 截止 状态。10.晶体三极管有两个PN结,即 发射 结和 集电 结;要具有电流放大作用必须具备的外部条件是:发射结正偏和集电结反偏 。11.晶体三极管有三种工作状态: 放大 状态、 饱和 状态和 截止 状态。12.某放大电路中正常工作的三极管各极对地电位分别是:U1=2V,U2=2.7V,U3=10V,如此该管1脚是 E 极,2脚是 B 极,3脚是
7、 C 极,该管采用 硅 材料,类型是 NPN 型。13、在本征半导体掺入微量的3价元素,可形成P型杂质半导体。其中的多子是空穴。14、射极输出器的特点是输入电阻高大 ,输出电阻低小。19根据晶体管的结构特点, 基 区的掺杂浓度最低。 发射 区的掺杂浓度最高。20就单管共发射极放大电路而言,当静态工作点过低基极电流I B过小时,输出波形易发生 截止 失真。21就单管共发射极放大电路而言,当静态工作点过高基极电流I B过大时,输出波形易发生 饱和 失真。 22整流电路是直流稳压电源的重要组成局部,整流电路的作用是 将正弦交流信号转变为脉动直流信号 ,该电路由 二极管 元件组成。 23逻辑函数的表示
8、方法有三种: 逻辑状态表真值表 、 逻辑函数表达式 和逻辑图。26电子电路包括 模拟电路 和 数字电路 两大局部。27低频功放电路一般有三种工作状态: 甲 类、 乙 类和 甲乙 类。28理想运放工作在线性区时的两个重要结论是:1u+ =u,这种情况称为“ 虚短 ;2i+ =i=0,这种情况称为“ 虚断 。五、简答题7、二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?答:当外加正向电压很低时,正向电流很小,几乎为零。当正向电压超过一定数值后,电流增大很快。这个一定数值的正向电压称为死区电压。通常,硅管的死区电压约为0.5V,锗管的死区电压约为0.5V。8、为
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