2023-2024年中国光伏产业发展路线图.docx

《2023-2024年中国光伏产业发展路线图.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《2023-2024年中国光伏产业发展路线图.docx（71页珍藏版）》请在课桌文档上搜索。

1、JUu1.1.国赢氤办丁、步产*护肝346/步。.c,图320102024年殳国附片产及情况（单位：GW）晶硅电池片方面，2023年,全国电池片产累约为545GW同比增长64.9%.预计2024年全国电池片产砒将出过820GW60祉/图42OKMO24年全IB电池片生产情况（轲维GW）组件方面.2023年,全国组件产Ift达到49GW.同比增长69.3%以晶硅组件为主.预计2024年组件产量将超过750GW.初3种护耕护丁应35/手样：/图52OIO2O24年全国太阳能机件生产情况（单也IGW）光伏市场方面，2023年全国新增光伏井网装机容用2I6.88GW累计光伏并网装机容城超过600GW,

2、新增和累计装机容量均为全球第一。预计2024年光伏新增装机录将超过20W.G1喷机有望超过810GW.图620102023年全田太阳健光伏发电装机累计容中中位,Gw)产品效率方面.2023年,规模化生产的P型单晶电池均采用PERC技术.平均转换效率达到23.4%：n型产品已在市场中崭露头角.TOPCon电池片行业平均转换效率达到25%.HJT电池片行业平均转换效率达到25.2%.14。%20082920102011201220132014201520162017201820192020202120222023-a-名AA电池片1生晶电池片黑社拿品-ERC黑创多AATMPERC制品inTOPCQ

3、n电湎片TfHJT电池片图72008-2023国内电池J；微产转换效率发联总势人才方向.2022年中国光伏从业人员总计353.4万人.其中直接从业人员总数约为58.9万人：预计到2025年，中国光伏直接从业人员需求将达到81.3T6.8万人，中国光伏从业人员需求总ht将达到4875580.8万人,20232025年:年均新增需求42.173.2万人.三、产业链各环节关键指标（一）多晶硅环节II、还原电耗多晶健还原是指二氯级H：和氯气发生还原反应牛.成而纯硅料的过程，其电耗包括硅芯预热、沉积、保温、结束换气等工艺过程中的电力消耗，2023年n型硅料占比逐月增加，年初到年底n型产品的硅料占比从20

4、%提升到50%左右，不同企业差别较大,多品硅还原电耗的下降有定减镁,平均还原电耗较2022年下降3.4%,为43.0kWh1kg-Sit未来随着气体配比的不断优化、大炉鞭的投用和枪定生产，还原电耗仍将呈现持续下降趋势,到2030年还原电耗有里卜降至38.2kWhzkg-Si44.042.040.038.036.0202理2024年2025年202弹202瞬20305图82023-2的0年还厚电耗变化趋势（单位：KWhkg-Si）2,冷狙化电耗冷融化技术是把多晶硅生产过程中的副产物四氯化硅（SiCI,用化为：氯氢碎（SiHQJ的技术.其电耗包括物料供应、辄化反应系统、冷凝分禹系统和初循系统的电力

5、消耗.各企业在物料供应环节使用不同的加热方式,如电加热、导热油加热、蒸汽加热等，因此各企业冷氧化电耗存在基异.2023年，冷氧化平均电髭在4.0kWhkg-Si左右，同比下降7%,到2030年有的下降至3.5kWh,kg-Si以下，技术进步的手段包括大炉型的使用、反应催化剂的开发、提福工艺环节中热能回收利用率、提而反应效率等。木苧”并无特殊注引.均为：柔辄起法棒状玩的生产指标.多晶移生产各环IY工序划分能源消耗种类.计M和计也方法按（多晶硅企业中位产丛能源消耗仪即GB2M47执行，4.1图92O232O3O年冷工化电耗交化Ia为单位IkWhAgSi)3、综合电耗综合电耗是指工厂生产胞位多晶硅产

6、品所耗用的全部电力.包括合成、电解制乳、精帽、还原、尾气创收和乳化等环节的电力消耗.H1.干各家生产工艺不同因此统合电耗有一定差异.2023年,为例圭平均综合电耗己降至57kWhkg-Si,同比卜降5%,未来随着生产装招技术提升、系统优化能力提高、生产观模埴大等，预计至2030年有里卜降至S2.SkWh/kg-Si.51.048.0202理2024年2025年2026年202解2030图102O232SO年探介电就变化治的I革位：KWIvkg-Si)4、水耗水耗是指生产单位多晶硅产品所需要补充的水业，水的消耗主要包拈蒸发、清洗等，2023年.多晶硅平均水耗在0.08Ukgsi的水平,同比下降1

7、1%.新疆地区气候干燥,蒸发贵大，水耗较行业邛均值而，数据综合了柠海、内蒙、四川、新明等各大产区的数据.我计到2026年，通过余热利用降低蒸发m相僧塔排出的物料再网收利用降低残液处理水耗等措施,可拘耗水量控制在0.07UkS-Si的水平并维持到I20%）年.0.090.062023年202卿2025年2026年2028年2030年图I1.2022030年水化势（单位：IASSD5、蒸汽耗量蒸汽耗量是指生产单位多品徒产品外购蒸汽量，不考虑还煤炉余热利用所产生的蒸汽（该能琏己通过电力的形式计入。蒸汽的补充主要用于精慵、冷级化、尾气回收等环节.2023年企业蒸汽耗量均值为9.IkgZkg-Si左右，

8、同比卜降39.3%,在新疆等灾冷地区蒸汽耗量较其他地区制。随笥企业还原余热利用率提升、提纯、精饰系统优化等，2030年企业蒸汽耗量将降至5.1.kgkg-SioH122O232GJO年蕤汽年此变化基势（单（MkgSi）6,综合能耗多品硅综合能髭包括多晶睢生产过程中所浦髭的天然气、燥炭、电力、蒸汽、水等.综合各大区域和新建产能的情况.2023年三纨级硅法多晶硅企业踪介旎耗平均值为8.1kgcekg-Si,同比卜降8.99%,随着技术进步和能源的综合利用，到2030年预计可降到7.2kgceg-Si.i10.0图”2023-2030年综合fit耗攵化给势举位：kgcc1.g-Si)7、硅单耗硅单耗

9、指生产单位高纯硅产品所耗费的硅6t主要包括合成、氧化工序，外解硅粉、三氯乳硅、四筑化硅等含硅物料全部折成纯硅计算，外仰制硅烷等按含硅比折成纯硅计切.从总依中扣除.2023年.硅耗在1.O8kg,kg-Si水平,同比下降0.92%,且未来5年内变化幅度不大.他若氮化水平的提升,副产物网收利用率的增强.预计到2030年招降低到1.07kgkg-Si.1.111.091.071.052023年2024年2025年2026年2028年2030年图142023-2030年破华耗攵化冷势8、还原余热利用率还原余热利用率是指回收利用还原工艺中热城占还原工艺能耗比，2023年，多晶硅还原余热利用率平均水平在8

10、1.9%,较2022年提升了0.5个百分点.他着多品碎工厂大炉型的使用，节能技术的进步.以及低品位热的利用，余热利用率有望进一步提升，但考虑设品本身散热和尾气带走热等影响.还原余热利用率有一定上限位计2030年还原余热利用率将会达到83%.84%81%80%202瑾2024年2025年2026年2028年203阵图152O232O5O年运地氽热利用率变化均势9、棒状睢和颗粒硅市场占比当前主流的多晶硅生产技术主要有一氟氯硅法和睢烷流化床法，产品形态分别为棒状徒和歌粒硅。一氯氮硅法生产工艺相对成熟，随着2023年硅烷法赖校硅产能和产辰的增加，颗粒硅市场占比有所上涨，达到17.3%,棒状硅占82.7

11、%.图162023.2030年棒状年和顿粒硅市场占比变化财势10、三然氢硅法多晶硅生产线投资成本多晶硅生产线投资主要包含土建、设备、安装供用，其中设备投资成本占比6O%7O%,2023年投产的万吨娘多品硅生产线投资成本为0.9亿元/千吨，较2022年有小幅下降，但防着生产装饴技术的进步、单体规模的提岛和工艺水平的提升,三维乳硅法多晶硅生产线投资成本仍有下降空间.预计到2030年,千吨投资可下降至（）.80亿元.1.01.00.80.72023年2024年2025年202御202僻2030年W1720232（130,三瓶氢硅法多品/生产及投资成本变化心作（单位:亿用千吨）II、多品畦人均产出量叨

12、带多晶硅工艺技术瓶颈不断突破，工厂智能化制造水平的不断提升,多晶硅工厂的人均产出也逐步提升，2023年多晶硅生产践人均产出业为60吨（人年），同比提升3.4%.这与单线产能提升、系统集成化、以及产线满产等因素有关。随存多晶硅新投产线单线现模增大，自动化程度提升，人均产出M将会有较大幅度的增长，到2030年提高到80口眄（人年1.图182O22O3O年多Ift硅生产战人均产出量变化总将单位：电（人年（二）硅片环节式1、拉棒/铸锭电耗单晶拉棒电耗是指Ii1.拉法生产单位合格单品珪棒所消耗的电量，可以通过改善热场、保油性能、提升设备自动化、智能化程度、提高连续拉棒技术等方法,降低拉棒生产电耗.202

13、3年.拉棒平均电耗水平从2022年24.4kWhkg-Si下降至234kWh*g-Si（方棒）.由于邦端M版的不稳定以及客户对从质要求的提高,2024年-2026年能耗预测数据较2022年预测数据略高.铸标电耗是指通过定向凝冏技术生产硅锭（大方检）所消耗的电fit2023年,多晶产品巾场需求卜降，铸院产品提升需求不大,铸锭电耗为7.8-8.0kWhkg-Si,较2022年变化不大。图192023-2030年拉怫虫衽变化期势（单位KWIvkg-Si）2、切片电耗切片电耗是指通过切片工序，从方体/方块到成品硅片所消耗的电量2023年，切片电耗约为8.0万kWh/仃万片,较2022年小幅卜降，主要原

14、因是n型硅片市场占比有所增加，切片装备技术提升，碎片减薄速度增加。未来，i棒棒长增长、产线切速提升、细线化和薄片化带来的单次出片Ift增加等都将促进切片电耗继续下降.若无特殊说明.本环巾指标均以生产IGnm尺寸Irt片为倒I.由于仔能市场缩M,因此本年收*j的能相关指斥不做预料.8.28.02023年2024年2025年202弹2028年2030年一切片电耗图202022030年切片电变化妗势（单位：万kWhi万片）注：本Ifi标以IShnm尺寸切片为Mi,包JYp用和n咱.3、拉棒堆炉投料量/储锭投料量拉棒单炉投料状是指一只用烟用于多次控棒生产的总投料,其中坨期使用时间为关键因素之一.202

15、3年，技棒电炉投料此约为3300kg,较2022年的310Okg有小幅提升，主要是由于热场尺、J增大以及拉棒数增加。未来随着川烟制作工艺、拉棒技术的不断提升以及地期使用的优化，投料量仍有较大增长空间,或向着连续投料的方向发展。传淀投档员是指用于饰彼的瑕只坨蜗的最大装档从.2023年多品产品市场需求继续降低，铸锭投料城为1200kg,与2022年基本持平。4,5004,0003.5003,000m212O232Q川年拈杵仙炉我朴fit变化由劣（袱位：kg）5,0004、耗硅量耗徒量是指生产年公斤方棒（含边皮双投料）所消耗的多晶硅原料埴（按年收统计）。2023年铸锭耗磔量为1.08kgkg,拉棒耗

16、硅量为1.061kgig,fJ2022年基本持平。清洗、破碎环节的根耗降低，生产环节环境控制.降低粉底料比例,优化机加环节精度控制.减少加工余量,提升降级硅料的分级和处理技术箸,都符促使拉棒耗硅量继续下降.121.1.1.00.92023年2024年2025年202弹2028年2030年拉棒耗Wre222（n*2O3O年拉林耗注nt变化总奶O1.tR:%，“）5、耗水量切片工序取水房包括脱胶、清洗、切片等所有环节的生产设备、辅助设备、污水处理设备等取水收或分推Ik不包含办公区域及生活用水（纯水量应折兑成新鲜水质.2023年切片环节耗水收为870U百万片，主要原因是片厚减薄,单刀切片蛾提升，同时

17、配合了其他节水措施,未来通过循环用水、水的回收再处理再应用、工艺水平提升、清洗剂的性能优化等方法，耗水量将逐步下降.图2320231030年变化趋势（单位,U百万H）6、睢片厚度薄片化有利于降fEU耗和碎片成本，但会影响碎片率。目前切片工艺完全能消足时片化的需要.但硅片厚度还要满足下游电池片、组件制造端的需求.硅片厚度对电池片的自动化、良率、转换效率等均有影响.2023年，多晶硅片平均厚度为I7（）m.山干市场终端需求眼较小.无维续战薄的动力，因此按测2024年之后厚位维持I7m不变，但不排除后期仍有变薄的可能.P型球晶硅片平均厚度在I5m左右，较2022年下降51.m.为保持nSt产品比争力

18、，用于TopCm电池片和异质结电池片的n型硅片产M片原减薄动力较强，用于TOPCon电池的n型硅片平均厚度为125m，用于舁质结电池的硅片厚度约I2m.分别较2022年下降I5m和5m.2023年2024年202得202坤202阵2030年f-单晶硅片,厚度p型硅片-n型硅片HJT单晶陡片像度n型硅片-TOPCon图24W232030仆碎片原境变化也劣（单位：n）注，单曲硅MB度0型皎片-Hrr也异域始华，上碇背为甚小.7、金刚线母线直径金刚线灯线F径及研磨介析粒度同硅片切期曲状及切削根耗V：相关，较小的线径和介质粒度有利于降低切削损耗和生产成本.金刚线主要分为高碳钢统线和铐统线,2023年主

19、流金刚城为高碳物统线,钙弹线已小范围进入市场,预计鸨统线大肚进入市场后，其母线电径将会进一步下降.2023年.用于单品硅片的高碳钢丝母纹出径为36m.降帼较大.且呈不断下降趋势。2023年,用于单晶硅片的馆丝母线宜径为35m,且1：着硅料继续降本+硅片薄片化、大尺寸化,双轮驱动铝丝母戏的应用渗透，铐丝母战直径也将不断下降,图25202b2030年金刖峻以妙直役变化&势（PJt1。娠的戊母戏门径及打光度Hi线伍在均方耶奴找径.8、堆位方棒在金刚线切割卜的出片量:1.存佥刚雄直径降低以及硅片厚度下降，等径方棒好公斤出片玳将增加。2023年P里182mm尺寸每公斤单晶方体出片球约为61片，P型21O

20、mm尺寸每公斤单晶方棒出片墩约为45片，n型I8211n尺寸ToPCon每公斤单品方棒出片量:约为69片，n鞭2IOrmn尺寸TOpCon每公斤单品方棒出片量的为52片，n蟹182mm尺寸HJT堤公斤单品方棒出片量约为71片n型21Omm尺寸HJ1.每公斤单晶方棒出片Itt的为53片.1002023年2024年2025年202解202解2O3O三三P型单晶182mm三P型单晶21Omm三三n型单晶182mmTOPConn型单晶21OmmTOPConH型单晶182mmHJT-n型单显2IOmm-HJT图262O232O3O年每公斤方棒在金刚线切；PJ下的出片!8变化趋势（单位H）注I本指标出片数

21、均以整片计棘.9、拉棒/切片雎位产能设备投资额2023年，拉棒环节单位产能设备投资额（包括机加环节为4.6万元/吨.的老单晶拉棒设备供应能力提高及技术迸步，设备投资成本呈逐年下降的势。切片环节单位产能设备投资是指从方棒/方锭到制成硅片的设备投资，2023年为23.6万元/百万片，未来呈逐渐下降的趋势，但是如果加入自动化设备，切片环节设备投资额的变化趋势可能持平甚至增加.2023年2024年202弹2026年202晤203阵5拉棒环节It1.272OB2O3O”:拉棒环英谀备投资成本变化趋势（单位:万元Mtj）242322212023年2024年2025年2026年2028年2030年f切片环节

22、图282023-2030年切片环节设备投资成本变化期玲（中位I万元值万片）10、硅片人均产出率硅片人均产出主要指产线员工的人均产出（包含产线直接和间接人员,不含管理人员）.Wi着工厂自动化水平的不断提升，总位产能逐步增加，硅片工厂的人均产出也快速提高.2023年，硅片产税晶体环节拉棒（方棒人均产出率为27.5V（A年），切片人均产出率为2.3百万片/（人年上陶着未来大尺寸产能的持续和放以及自动化水平的提升，预计品休拉棒（方棒）人均产出和切片人均产出均会有所埴1.,但考虑到企业为社会提供就业机会等因素，此指标的增速或将放缓.60402002023年2024年202弹202解2028年203眸-U

23、一9()图292023-2030年拉格（方小）人均产出率变化。势（单位：吠人年）6.02023年2024年202辟202碎202弹203(Wf一切片图“202b2030年切片人均产出率变化野伊位I百万片H人年）II、不同类型睢片市场占比2023年.单晶硅片（P型+n型）市场占比已超过99%.随着n型产品的释放，P型单晶硅片落312023-2030年:不同突中挂片布场占比变化&协本环小巾场占比是各类产圈在国内破片企业总出货比（本出口）中的占比.12、不同尺寸硅片市场占比2023年市场上硅片尺寸种类多样，包括166mm及以下碎片、182mm方片、微矩形片、矩形片、210mm方片等,且各占行一定的巾

24、场份额.其中.166mm及以下、182mm方片以及徵矩形硅片占比分别为2.0%、47.7%、20.3%,但接下来几年占比都符逐步减少，预计166mm及以下尺寸硅片2026年左右判退出市场,而182mm方片和微矩形片2028年或将淡出市场：2023年，21Omm方片及矩形尺寸硅片市场占比分别为20%、10%,以目前来看，两苻可能成为未来的市场主流尺寸，市场占比或招迅速增长，但仍能要市场的不断验证.期322023-2030年小同尺、J计片市场占比变化第势注：1Mimm及以下尺寸硅片主要包括：M2电AA计片、标准名MnijIs7mm多出破片、161.7mm全方片、161.7mm类方片、163mm类方

25、片、166mm类方片硅片等；微矩形尺寸硅片主要包括:)S2un18175mn.182mm*1.8S.3mm等:矩形尺寸硅片上耍住括：矩形1.*2mm91.6m11I82mm5hnm、1S2m112IO11n等.(三)电池片环节5表1各种晶硅电池名琢绮耳及蚂义对照表名称播写各种晶硅电池释义AI-BSF将首场电池(AIUminiUmBackSurfaceFie1.d)为改善太阳能电池的效率，在p-n结制备完成后，在硅片的背光面沉积一层铝膜，制备P+层，称为铝背场电池。PERC发射极钝化和背面接触(PassivatedEmitterandRearContact)利用特殊材料在电池片背面形成钝化层作为

26、背反射器,增加长波光的吸收.同时增大pn极间的电势差,降低电子复合，提高效率。TOPCon隧穿氧化层钝化接触(Tunne1.OxidePassivatedContact)在电池背面制备一层超薄出化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了饨化接触结构。HJT具有本征非品层的异廉结(HeterojunctionTechno1.ogy)在电池片里同时存在晶体和非晶体级别的硅，非晶硅的出现能更好地实现钝化效果。IBC-交指式背接触(Interdigi1.atedBackC面,减少置于正面的电极反射一部分Contact)一把正负电极都置于电池背入射光带来的阴影损失。MWT金属穿透电极技术(Meta1

27、.-wrapthrough)通过在电池片上开孔并填充导电浆料而将电池正面电极引到背面.使得电池片的正、负电极均位于电池背面,从而发挥电池组件的低挡光、低应力衰减、不含铅等优势。HBC异质结背接触(HeterOjUnctiOnBaCkCOntacO利用异质结(HJT)电池结构与交指式背接触(IBC)电池结构相结合，形成的新型太阳电池结构。这种电池结构结合了旧C电池高的短路电流与HJT电池高的开路电压的优势.因此能获得更高的电池效率。TBC隧穿氧化层钝化背接触(Tunne1.ingOxidePassivatedBackContact)CS利用陛穿氧化层钝化接触(ToPCon)电池结构与交指式背接触

28、(IBC)电池结构相结合,形成的新型太阳电池培构。这种电池结构结合了旧C电池高的短路电流与ToPCOn优异的钝化接触特性，因此靛获得更高的电池效率。)若无特殊说明，本环节指标均以生产182mm尺寸电池为芟;隹。I、各种电池技术平均转换效率2023年，规模化生产的p型BSF多晶黑硅电池平均转换效率达到19.7%,较2022年提高0.2个百分点：p型PERC多晶黑硅电池平均转换效率达到21.4%,较2022年提高0.3个百分点：P里PERC铸锭单晶电池平均转换效率达到22.7%,较2022年提裔0.2个百分点.多品产品卜游需求不强，不能提供效率提升的动力，转换效率增长点主要由碎片痢量提升所带来，未来效率也将基本维持现状