《硅材料生产技术》实验教学大纲.docx
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1、硅材料生产技术实验教学大纲一、课程基本情况课程代码:101145223201课程名称(中/英文)硅材14生产技术/Techno1.ogyofSi1.iconMateria1.Production课程类别:专业方向特色课程课程性质:专业选修课程课程类型;课程实骁总学分:3.5总学时:56实脸/实践学时:16适用专业:材料物理适用对象:本科先修课程:半导体物理与案件,材料研究马测试方法开课学院:材料科学与工程学院二、课程茴介硅材料生产技术3实验课程是材料物理专业的一门课程实验.f史学生埋解和掌握半导体硅材料常规电学参数(电阻率和少数我流于寿命)的物理刈试方法和检测晶体缺陷的化学腐蚀法的原理及分析方
2、法,理耨纯水的制品流程及高纯水分析检测方法.通过本实验课程内容的学习,提高学生在硅材料性能检测、生产工艺等方面综合能力,培养学生的实践能力和创新能力。三、实验破学目标通过本课程的学习,使学生掌握行关硅材料的常规仪器设备的工作原理和操作规范,培养学生使用仪器、观察现望、正确记录数据、处埋数据和分析实验结果的能力.同时培养学生团队精神、创新能力和一定的科研能力.四、实验项目及学时安排序号实验项目名称实验学时实验类型实验要求每组人数备注1硅单晶电阻率的测试4绘合性必做4-62化学腐蚀法检冽晶体缺陷4验证性必做443硅的晶少数载流于寿命的测试4绘合性必做4-64健子交换法制在纯水以及海纯水的检测4演示
3、性必做44五、实3内容实验一硅单晶电阻率的测试实验实勘目的:学习单品碎电阻率性能测试仪器-四探针电阻率测试仪的原理与构造以及通过四探针法测试硅单晶的实脸步臊、实脸原理和性质分析.实裟设在:KDY-I型四探针电阻率/方阳测试仪实验内容及步骤:实验内容半导体硅单晶电阻率的测1.it:熟悉四探针电阻率冽试仪的原理构造,旎够钻练操作四探针电阻率测试仪设备并能鲂通过分析测试结果判定单晶硅的物理性能.实般步骤(1主机面板、背板介绍仪器除电源开关在行板外其它控制部分均安装在面板上,面板的左边集中了所有与测玳电漉有关的显示和控制部份,电流入DMVI)显示各档电流位,电流选择按钮供电流选档f1.-22OV电淑接
4、通后仪/自动选择在常用的IQmA档,此时1.0上方的红色指示灯亮.的若选择开关的按动,指示灯在不同的档位亮起,直选到档位合适为止.打开恒流派.上方指示灯亮,电流表整示电流值,调节相调旋钮使前三位数达到目标值,再调细同掂钮使后两位数达到目标值,这样就完成了电流调节工作,此时我们可以把注意力巢中到右边,面板的右边集中了所有电压冽依有关的控制部件,电压表DMV2)显示各档(NR手动/自动)的正向、反向电压测量值.NR城必须选对,否则测玳他会相差IO倍:同样手伸动档也必双选对,否则仪器拒绝工作(2)使用仪零前将电源线、测试架联接线、主机与微控制器的连接线(如使KDY测此系统)取接好,并注意一下冽试架上
5、是否已接好探针头。电源战插头插入22OV座插后,开启背板上的电源开关,此时前面板上的数字表、发光:极管都会亮起来。探针头压在被测单晶上,打开恒流源开关,左边的表显示从I、4探针流入总岛的刈麻电波,右边的我显示电阻率(测单晶淀时)或2,3探针间的电位差.电流大小通过旋转前面板左下方的两个电位潺旋钮加以调节,其它正、反向测肽、pR选择、自动/手动测出都通过前面板上可自锁的按钮开关控制,(3)仪器测量电流分五档:O-OhnA(IOgA),0.1mA(100A).ImAsIOmAx100mA.读数方法如下:电流表显示1.0000时为本档满档电流,在0.0ImA档显示:1.0000表示电流为:O.O1.
6、mAx1.OOOO=O.O1.mA在0.0ImA档显示I0.6282表示电流为:0.01mAx0.6282=0.006282mA(4)如果根据计算公式手动进行精确计算时,仪帮电乐表读数方法为:如电纸衣显示O1.(XK)(忽略小数点),则电压读数为10.0Omv,即当选择不同档位进行测炭时,不论小数点移动到哪我,读取电压侑时小数点相当于固定在OOO.00处,电流档的选择采用循环步进式的选择方式,在仪器面板上有一个电流选择按钮,好按一次进一档,仪器通电后自动设定在常用的1.OmA档,如果你不断地按下“电流选择”按电流档位按下列顺序不断电循环.1.OniA-IOmA-100mA-0.()1mA-*0
7、.1mA-*1.0mA1(hnA-Ur以快速找到你所需要的档位.(4恒流源开关是在发现探针带电压触被测材料影响测信数据(或材料性能)时,再使用,即先让探针头压触在被测材料上,后开恒流源开关,避免接触瞬间打火,为了提高工作效率,如探M带电压触单赭对材料及测收并无影响时,恒流源开关可一直处于开的状态.(5)正、反向测盘开关只有在手动状态下才旎人工操作,在自动状态下连接KDY测肽系统时使用因此在手动状态下正反向开关不起作用时.先检查手动,自动开关是否处于手动状态.相反在使用数据处理器溯K材料电阻率时,仪器必须处于自动状态,否则KDY测局系统无法正常工作。(6在使用KDY测向系统时,必须严格按照使用说
8、明操作,特别注意输入数据的单位.有关测收系统的操作详见其说明竹,实验二化学腐蚀法检测品体缺陷实验实验目的:学习化学腐蚀法的作用机理和化学,腐饨剂的选择原则:能蛤通过对化学腐蚀剂成分及组成能比的调节来控制并得到适宜的腐蚀速度:学习金相显微镜的操作方法并能观察分析缺陷的类型、数量和分布情况等.实验设备;金相显微镜实验内容及步探:实骁内容半导体晶体的化学,腐蚀机埋及常.用腐煎剂,半导体单晶中的法陷,硅总品中位错的检测,硅单晶中潴涡缺陷的检泅.金相显微镜简介:掌握化学腐蚀法检测单晶硅缺陷的方法.掌握化学腐蚀剂的选用原则并能够独立操作金相显微悔:能好独立分析缺陷的类型、数量及分布情况.实脸步骤(1单晶硅
9、片的电化学腐蚀利用半导体晶体在各种酸或碱性电解旗溶液中,表面构成了微电池,由于微电池的电化学作用使晶体表面受到糊蚀,其实旗是种氧化还原反应,在HNO)和HF溶液电解质溶液中的腐独负极:Si+2H,O+2p=SiO2+4/,+2eSiOi+6=H.SiF6+2HiO正极:HNQ+3H=NOT+2/0+3总反应:35r+4rO,+IS/-33浒;+4NOT+8,O在NaOH和KOH溶液电解侦溶液中的腐蚀负极:Si+f)H=SiO+34Q+4e正极:2Z,+2e-3T总反应:Si+6OH+4H=Sia-+3HQ+2%T(2)金相显微镜操作I将光源插头接上电源变压器,然后将变压器接上户内220丫电源即
10、可使用。照明系统在出厂前己经经过校正。2每次更换灯泡时,必须将灯座反复调校.灯泡插上灯座后,在孔径光栏上面放上谑色玻璃,然后招灯座转动及前后调节,以使光源均匀明亮地照射于沌色玻璃上,这样.灯泡已调节.正确,这时则将灯座的偏心环转动一个角衣.以便利灯座器固于底盘内.灯座及偏心环上有红点翻,如卸出时,只要将红点相对即可。3观察前原则上要装上各个物镜,在装上或除下物镜时,然把我物台升起,以免碰触透银。如选用某种放大倍率,可参照总倍率表来选择目镜和物镜,试样放上教物台时,使被观察灰面兔徨在我物台当中,如果是小试样,可用弹黄压片把它压猛.5使用低倍物僦观察酒焦时.注意避免镜头与试样撞击.可从例而注视接物
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