霍尔传感器.doc
《霍尔传感器.doc》由会员分享,可在线阅读,更多相关《霍尔传感器.doc(18页珍藏版)》请在课桌文档上搜索。
1、word摘要随着新器件和新的控制技术的使用,控制系统中的电流信号不再局限于传统的50Hz正弦波,而可能是各种形状复杂的脉动信号,且主电路和控制回路之间要隔离。传统的电流检测方法已经不能满足这些波形的控制和测量要求,因此必须结合实际需求研究和开发新的电流测量方法和检测设备,其中霍尔电流传感器正是在此背景下诞生的一种性能优越的电流测量装置。 本文以HEC公司的产品为主线,介绍霍尔电流传感器原理,并对HEC各型号的电流传感器的主要性能作了一定的分析,并且列举了霍尔电流传感器的具体应用实例。关键词: 霍尔效应 霍尔电流传感器 车载应用原理将一块半导体或导体材料,沿Z方向加以磁场,沿X方向通以工作电流I
2、,如此在Y方向产生出电动势,如图1所示,这现象称为霍尔效应。称为霍尔电压。 (a) (b)图1 霍尔效应原理图实验明确,在磁场不太强时,电位差与电流强度I和磁感应强度B成正比,与板的厚度d成反比,即(1)或 (2)式1中称为霍尔系数,式2中称为霍尔元件的灵敏度,单位为mv / (mAT)。产生霍尔效应的原因是形成电流的作定向运动的带电粒子即载流子N型半导体中的载流子是带负电荷的电子,P型半导体中的载流子是带正电荷的空穴在磁场中所受到的洛仑兹力作用而产生的。如图1a所示,一快长为l、宽为b、厚为d的N型单晶薄片,置于沿Z轴方向的磁场中,在X轴方向通以电流I,如此其中的载流子电子所受到的洛仑兹力为
3、 (3)式中为电子的漂移运动速度,其方向沿X轴的负方向。e为电子的电荷量。指向Y轴的负方向。自由电子受力偏转的结果,向A侧面积聚,同时在B侧面上出现同数量的正电荷,在两侧面间形成一个沿Y轴负方向上的横向电场即霍尔电场,使运动电子受到一个沿Y轴正方向的电场力,A、B面之间的电位差为即霍尔电压,如此 (4)将阻碍电荷的积聚,最后达稳定状态时有即得 (5)此时B端电位高于A端电位。假如N型单晶中的电子浓度为n,如此流过样片横截面的电流 I=nebdV得 (6)将(6)式代入(5)式得 (7)在测量霍尔电压时,会伴随产生一些副效应,影响到测量的准确度,这些副效应是:1. 不等位效应由于制造工艺技术的限
4、制,霍尔元件的电位极不可能接在同一等位面上,因此,当电流IH流过霍尔元件时,即使不加磁场,两电极间也会产生一电位差,称不等位电位差U。显然,U0只与电流I,C有关,而与磁场无关。2. 埃廷豪森效应Etinghausen effect由于霍尔片内部的载流子速度服从统计分布,有快有慢,由于它们在磁场中受的洛伦兹力不同,如此轨道偏转也不一样。动能大的载流子趋向霍尔片的一侧,而动能小的载流子趋向另一侧,随着载流子的动能转化为热能,使两侧的温升不同,形成一个横向温度梯度,引起温差电压UE,UE的正负与IH、B的方向有关。3. 能斯特效应Nernst effect由于两个电流电极与霍尔片的接触电阻不等,当
5、有电流通过时,在两电流电极上有温度差存在,出现热扩散电流,在磁场的作用下,建立一个横向电场EN,因而产生附加电压UN。UN的正负仅取决于磁场的方向。4. 里纪-勒杜克效应Righi-Leduc effect由于热扩散电流的载流子的迁移率不同,类似于埃廷豪森效应中载流子速度不同一样,也将形成一个横向的温度梯度而产生相应的温度电压URL,URL的正、负只与B的方向有关,和电流IH的方向无关。由于附加电压的存在,实测的电压,既包括霍尔电压UH,也包括U0、UE、UN和URL等这些附加电压,形成测量中的系统误差来源。但我们利用这些附加电压与电流IH和磁感应强度B的方向有关,测量时改变IH和B的方向根本
6、上可以消除这些附加误差的影响。具体方法如下:当+B,+IH时测量,U1UHU0UEUNURL 1当+B,-IH时测量,U2UHU0UEUNURL2当-B,-IH时测量,U3UHU0+UEUNURL 3当-B,+IH时测量,U4UHU0UEUNURL4式1234并取平均值,如此得) 这样处理后,除埃廷豪森效应引起的附加电压外,其它几个主要的附加电压全部被消除了。但因UEUH,故可将上式写为 霍尔元件可用多种半导体材料制作,如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以与多层半导体异质结构量子阱材料等等。 InSb和GaAs霍尔元件输出特性见图2(a)、图2(b).图2霍尔元件的结构和输
7、出特性霍尔电路它由霍尔元件、差分放大器和射极跟随器组成。其输出电压和加在霍尔元件上的磁感强度B成比例,它的功能框图和输出特性示于图3和图4。 这类电路有很高的灵敏度和优良的线性度,适用于各种磁场检测。霍尔线性电路的性能参数见表3。图3 霍尔线性电路的功能框图图4 霍尔线性电路ugn3501的磁电转换特性曲线HEC霍尔电流传感器的分类霍尔电流传感器是根据霍尔原理制成的。它有两种工作方式,即磁平衡式和直式。霍尔电流传感器一般由原边电路、聚磁环、霍尔器件、次级线圈和放大电路等组成。 HEC的A B C XL几个系列的传感器属于该类型直放式电流传感器开环式众所周知,当电流通过一根长导线时,在导线周围将
8、产生一磁场,这一磁场的大小与流过导线的电流成正比,它可以通过磁芯聚集感应到霍尔器件上并使其有一信号输出。这一信号经信号放大器放大后直接输出,一般的额定输出标定为4V。HEC的A B C XL几个系列的传感器属于该类型。磁平衡式电流传感器闭环式磁平衡式电流传感器也称补偿式传感器,即主回路被测电流Ip在聚磁环处所产生的磁场通过一个次级线圈电流所产生的磁场进展补偿, 从而使霍尔器件处于检测零磁通的工作状态。磁平衡式电流传感器的具体工作过程为:当主回路有一电流通过时,在导线上产生的磁场被聚磁环聚集并感 应到霍尔器件上, 所产生的信号输出用于驱动相应的功率管并使其导通,从而获得一个补偿电流Is。 这一电
9、流 再通过多匝绕组产生磁场 ,该磁场与被测电流产生的磁场正好相反,因而补偿了原来的磁场, 使霍尔器件的输 出逐渐减小。当与Ip与匝数相乘 所产生的磁场相等时,Is不再增加,这时的霍尔器件起指示零磁通的作用 ,此 时可以通过Is来平衡。被测电流的任何变化都会破坏这一平衡。 一旦磁场失去平衡,霍尔器件就有信号输出。经 功率放大后,立即就有相应的电流流过次级绕组以对失衡的磁场进展补偿。从磁场失衡到再次平衡,所需的时间理论上不到1s,这是一个动态平衡的过程。HEC的D E两个个系列的传感器属于该类型。2.技术性能分析电流传感器特性参数1、标准额定值IPN和额定输出电流ISNIPN指电流传感器所能测试的
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 霍尔 传感器

链接地址:https://www.desk33.com/p-17974.html