常用半导体器件复习题.doc

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1、-第1章 常用半导体器件一、判断题正确打“，错误打“，每题1分1在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。 2在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。3本征半导体就是纯洁的晶体构造的半导体。 4PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。 5使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏，且集电结也是正偏。 6晶体三极管的值，在任何电路中都是越大越好。( )7模拟电路是对模拟信号进展处理的电路。( )8稳压二极管正常工作时,应为正向导体状态。( )9发光二极管不管外加正向电压或反向电压均可发光。( )10光电二极管外加适宜的正向电压时，可以正常发光

2、。( )一、判断题答案：每题1分1； 2； 3； 4； 5； 6； 7；8； 9； 10。二、填空题每题1分1N型半导体中的多数载流子是电子，P型半导体中的多数载流子是 。2由于浓度不同而产生的电荷运动称为 。3晶体二极管的核心部件是一个，它具有单向导电性。4二极管的单向导电性表现为：外加正向电压时，外加反向电压时截止。5三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结偏置。6场效应管与晶体三极管各电极的对应关系是：场效应管的栅极G对应晶体三极管的基极b，源极S对应晶体三极管，漏极D对应晶体三极管的集电极c。7PN结加正向电压时，空间电荷区将。 8稳压二极管正常工作时，在稳压管两端加上一定

3、的电压，并且在其电路中串联一支限流电阻，在一定电流围表现出稳压特性，且能保证其正常可靠地工作。 9晶体三极管三个电极的电流IE、IB、IC的关系为： 。10发光二极管的发光颜色决定于所用的，目前有红、绿、蓝、黄、橙等颜色 。二、填空题答案：每题1分1空穴2扩散运动3PN结 4导通5反向6发射机e 7变薄8反向9IEIBIC10材料三、单项选择题将正确的答案题号及容一起填入横线上，每题1分1在本征半导体中参加元素可形成N型半导体，参加三价元素可形成P型半导体。A、五价 B、四价 C、三价 D、二价2在本征半导体材料中，有目的的掺入杂质后，改变了。A、多子的浓度B、少子的浓度C、半导体的体积D、P

4、N结的导电性能3当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。A、增大 B、不变 C、减小 D、为零4设二极管导通电压UD0.7V，图示电路的输出电压值U0为。A、0V B、2V C、1.3V D、-1.3V5晶体二极管具有 。A、单向导电性B、双向导电性 C、对信号有放大作用 D、负载特性6要使发光二极管正常发光，其两端需外加： 。A、正向电压 B、反向电压 C、 正、反向电压均可 D、零偏置电压7稳压二极管一旦被反向硬击穿，将 。A、保持原导电性能不变 B、绝对不能再使用C、性能变坏，可以继续使用D、对原电路没有影响8工作在放大区的*三极管，如果当IB从12A增大到22A时，IC从1mA变为2m

5、A，则它的约为。 A、83 B、91 C、100 D、10009极限参数是为了晶体管平安工作对它的电压、电流和功率损耗的限制，属于晶体管极限参数的为。A、共射极电流放大倍数值 B、特征频率fTC、最大集电极耗散功率PCMD、静态工作点的电压值10图示电路中VB=0V，二极管的管压降可以不计，当VA由0V跳到3V后，Y的电位应为。 A、3V B、0V C、12V D、没法确定三、单项选择题答案：(每题1分1A、五价2. A、多子的浓度3. A、增大 4. A、0V5. A、单向导电性6. A、正向电压7. B、绝对不能再使用8. C、1009C、最大集电极耗散功率PCM10B、0V四、简答题每题

6、5分1.怎样由本征半导体得到P型半导体？2. 怎样由本征半导体得到N型半导体？3.硅三极管BE结的导通电压为多少伏？4. 锗三极管BE结的导通电压为多少伏？5.二极管的主要参数有哪些？6.为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？四、简答题答案：每题5分1.答：在本征半导体中掺入三价元素如硼可得到P型半导体。2.答：在本征半导体中掺入五价元素如磷可得到N型半导体。3.答：硅三极管BE结的导通电压为0.50.7伏。4. 锗三极管BE结的导通电压为0.20.3伏。5.答：二极管的主要参数有：最大整流电流IF；最高反向工作电压UR；最大瞬时值反向电流 IR；最高工作频

7、率fM。6.答：因为在把半导体中存在两种运载电荷的粒子，即载流子。外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于载流子数目很少，故导电性很差。温度升高，热运动加剧，本证激发加剧，使少数载流子浓度增大，但掺杂浓度不变，相对增加较多的是少数载流子，使导电性增强，产生较大的噪声。所以少子是影响温度稳定性的主要因素。五、画图题每题5分1.电路如下图，设二极管正向导通时的电压可忽略不计，10sint(v)，试画出与的波形注意时间坐标的对应关系。2.电路如下图，5sint (V)，二极管导通电压UD0.7V。试画出与的波形，并标出幅值注意时间坐标的对应关系。3.现测得*放大电路

8、中两只三极管的两个电极的电流如下图。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子符号。4.测得*放大电路中六只晶体管的各电极直流电位分别如下图，这些管子均处于放大状态。在圆圈中画出管子符号，并分别说明它们是硅管还是锗管。五、画图题答案：每题5分1.解：根据的表达式10sint(v)，可画出输入信号波形如图中的所示；正半周期时二极管正向偏置而导通，又因二极管正向导通时的电压可忽略不计，所以。负半周期时二极管因反向偏置而截止，回路中无电流，所以输出电压0。画出与的对应波形如下图。2.解：假设考虑二极管导通电压UD0.7V，由电路可以看出，当-3.7V+3.7V时，二极管D1和D2均截止

9、，回路中无电流，所以；正半周期且高于3.7V时，二极管D1正向偏置而导通，D2因反偏而截止，所3V+0.7V=3.7V。负半周期时且低于-3.7V时，二极管D2因正向偏置而导通，D1因反偏而截止，所以-3V+0.7V=-3.7V。画出与的对应波形如下图。3.解：根据基尔霍夫电流定律和晶体管三个电极的各电极电流关系，对于a图，第三个电极流出的电流I=10A+1mA=1.1 mA，且这个电极应为发射极Ie符合Ie=Ib+IC，根据电流的流向，该管应为NPN型管；对于b图，第三个电极流出的电流I= 5.1 mA - 100A= 5 mA，且这个电极应为集电极 IC符合IC=IE-IB，根据电流的流向，该管应为PNP型管。分别画出两只管子的符号如下图。4.解：由于硅管BE结的导通电压为0.50.8V，锗管BE结的导通电压为0.10.3V；NPN管正常放大应为正电压，即VCVBVE，而PNP管应为负电压，即VCVBVE；根据晶体管的放大条件，综合上述特点，得出各晶体管三个电极分别为上、中、下管脚及管型和材料得出如下结论：管号T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe画出各管子的图形如下列图所示：. z.