金属有机化学基础过渡金属有机化合物的基元反应.ppt
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1、金属有机化学基础,第5章 过渡金属有机化合物的 基元反应,第5章 过渡金属有机化合物的基元反应,配位体置换反应 氧化加成和还原消除 插入和脱出(反插入)反应 过渡金属有机化合物配体上的反应,5.1 过渡金属有机化合物的配体置换反应,配位饱和的过渡金属有机配合物的配体置换是它们的重要化学性质,也是它们实现催化作用的首要条件。原有配体被另一个配体-反应底物置换,使底物进入配位圈,改变了底物的化学键状态而得到活化,并接着在配位圈内发生反应。这是配位催化中第一种反应底物进入配位圈的途径。,5.1.1 解离和络合反应,与一般有机化合物相比,金属与配体之间的键要弱很多,因此配体的解离是比较容易发生的。,1
2、9e,17e,配位饱和的18e过渡金属有机化合物容易发生配体的解离;而配位不饱和的过渡金属有机化合物才能进一步结合配体;一般配体的解离和络合只发生在L型配体上,X,LX,L2X通常不能发生;当有Lewis酸存在并能攫取X-,LX-,L2X-时,也能实现X,LX,L2X配体的“解离”;采用外部辅助手段,如光化学、超声、微波,能加快解离过程。,配位饱和的18e过渡金属有机化合物容易发生配体的解离;而配位不饱和的过渡金属有机化合物才能进一步结合配体;一般配体的解离和络合只发生在L型配体上,X,LX,L2X通常不能发生;当有Lewis酸存在并能攫取X-,LX-,L2X-时,也能实现X,LX,L2X配体
3、的“解离”;采用外部辅助手段,如光化学、超声、微波,能加快解离过程。,配位饱和的18e过渡金属有机化合物容易发生配体的解离;而配位不饱和的过渡金属有机化合物才能进一步结合配体;一般配体的解离和络合只发生在L型配体上,X,LX,L2X通常不能发生;当有Lewis酸存在并能攫取X-,LX-,L2X-时,也能实现X,LX,L2X配体的“解离”;采用外部辅助手段,如光化学、超声、微波,能加快解离过程。,配位饱和的18e过渡金属有机化合物容易发生配体的解离;而配位不饱和的过渡金属有机化合物才能进一步结合配体;一般配体的解离和络合只发生在L型配体上,X,LX,L2X通常不能发生;当有Lewis酸存在并能攫
4、取X-,LX-,L2X-时,也能实现X,LX,L2X配体的“解离”;采用外部辅助手段,如光化学、超声、微波,能加快解离过程。,5.1.2 取代反应,平面四边形结构过渡金属有机配合物中的一个配体在发生配体置换反应时,对位配体的性质对反应有明显影响,这一现象称为“反位影响”,是一个热力学概念。它是指过渡金属有机配合物处在基态时,一个配体削弱对位配体与金属之间化学键的程度。在反应过程中这种影响表现为“反位效应”。这是一个动力学概念,是指过渡金属有机配合物中的某一配体对处于它对位配体的置换反应速度的影响。,常见配体“反位效应”的强弱次序:H2O,OH-,NH3,Py Cl-,Br-SCN-,I-,NO
5、2-,C6H5-CH3-,SC(NH2)-H-,PR3 C2H4,CN-,CO。,配体电子效应的量度,Tolman合成了70多个 Ni(CO)3L配合物(L=叔膦)。然后研究了不同叔膦对配合物中羰基IR伸缩振动频率变化的影响。,配体空间影响的量度,表5-5 NiL4中膦配体的空间角与离解常数的关系,5.2 氧化加成和还原消除,中性分子加成到配位不饱和的低价过渡金属有机配合物上,使过渡金属的氧化态和配位数均升高的反应称氧化加成反应。氧化加成反应的逆反应称为还原消除反应。,又分为两种情况:1.氧化加成反应使氧化态和有效原子序数都增加“2”(1)中性的A-B分子间化学键断裂,加成到一个过渡金属 原子
6、上。(2)环状化合物开环加成到一个过渡金属原子上。(3)不饱和化合物与金属原子形成环状金属配合物。,5.2.1 氧化加成,2.氧化加成反应使氧化态和有效原子序数都增加“1”:(1)中性的A-B分子间化学键断裂,分别加成到两个 过渡金属原子上。(2)中性的A-B分子间化学键断裂,加成M-M键之间,,氧化加成是反应底物进入过渡金属有机配合物配位圈的第二种途径。,Vaska配合物的氧化加成反应 Vaska配合物IrCl(CO)(Ph3P)2中铱是正一价,即d8,采取dsp2杂化,具有平面四边形结构。它的EAN=16,是配位不饱和的,是研究氧化加成反应的典型实例。,卤代烃为反式加成,图 5-5 Vas
7、ka配合物的氧化加成反应,C-O键与过渡金属有机配合物的氧化加成反应,含C-C键的有机化合物与过渡金属有机配合物的氧化加成反应,醛基C-H键与过渡金属有机配合物的氧化加成反应,活泼C-H键与过渡金属有机配合物的氧化加成反应,饱和C-H键与过渡金属有机配合物的氧化加成反应,氧化加成的机理 1)三中心加成机理,涉及非极性键的加成,如H2,R3Si-H,RH,ArH,R3Sn-H,RSH,Ph-P-Ph2,B-H,加成的容易程度取决于与M-X、M-R相比,R-X键的相对强度;H-H H-Si H-C C-C 快 慢,需要金属中心有2e-的空配位,可以本身具有或通过失去部分配体产生;配体通过其s-键电
8、子作为给体与金属作用;金属通过p-反馈键贡献电子云密度给配体;如果贡献了足够的电子云密度,H-X键断裂:H-X从侧边配位,造成的结果是顺式加成。,氧化加成的机理 2)氧化加成的SN2反应机理-卤代烃的加成,立体化学翻转;R-X的立体位阻越大,反应活性越低:Me 伯 仲 叔X的类型对反应活性有显著影响:-OSO2(C6H4Me)I-Br-Cl-极性溶剂对反应有利,可以稳定带电的中间体;金属上的电子密度越高,碳原子上电子密度越低反应就更容易。,3)氧化加成的的SN1反应机理,4)氧化加成的自由基机理,(a)非链式自由基机理,主要针对卤代烃的氧化加成;金属碱性越强,对反应越有利;RI RBr RCl
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