ESD培训课程培训资料.ppt
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1、ESD培训课程,ESD培训课程,课程目的 ESD是电子可靠性工程的重要组成部分,本教材全面系统介绍了ESD基本知识、ESD控制标准、ESD防护技术等ESD知识 通过学习可以理解ESD对电子产品的危害,明白ESD控制的重要性.,ESD静电培训课程,一、ESD基本知识二、ESD标准和测试三、ESD控制,ESD基本知识,静电及静电放电 静电:就是物体的表面一种处于相对稳定状态的电荷。静电放电(ESD)带有不同静电电位差,在物体或表面之间的静电电荷转移。分接触放电和电场击穿介质放电。静电过栽(EOS)导致电子元件损坏的结果。,ESD基本识识,静电标识,静电敏感区域警示标志,静电敏感标识,静电防护标识,
2、喷防静电液标识,ESD基本知识,静电的产生a)摩擦带电:物质相互摩擦时,由于摩擦发生接触位置的移动和电荷分离而放出静电。b)流动带电:用管路输送液体产生的静电。c)喷出带电:由粉体、液体和气体从截面小的开口部位喷出,发生摩擦而产生静电;液体和粉体本身相互之间的撞击,以及小的飞沫摩擦产生大量的静电。d)剥离带电:互相密切结合的物体被剥离时引起电荷分离而产生静电,ESD基本知识,静电的特性 在3000伏时,你能通过皮肤感知 在5000伏时,你能听见 在10000伏里,你能看见高电位:可达数万至数十万伏,人员操作时常达数百和数千伏(人通常对3.5KV以下静电不易感觉到)低电量:静电流多为微安级(尖端
3、放电例外)作用时间短:微秒级 受环境影响大:特别是湿度,湿度上升则静电积累减少,静电压下降.,ESD基本知识,作业与静电 人体活动产生典型的静电电压(V),ESD基本知识,ESD的危害 1、吸附灰尘缩短产品寿命在旦夕 3、放电损伤产品失效 4、电磁干扰过程中断(不良数据、软件错误、校准失误、处理器停止运作)硬损伤(致命损害):表现为器件电参数突然劣化,失去原有功能。软损伤(隐性损害):受到软损伤的器件,虽然当时各类电参数仍合格,然而其使用寿命却大大缩短了 ESD失效:热熔化、介质击穿、ESD引发EOS,ESD基本知识,静电放电三要素 QM D=ESD“Q”:一定积累的静电荷“M”:放电途径,如
4、金属接触、对地或低阻的泄放路径“”:静电第三器件“”就是放电()放电途径,静电荷,ESD敏感器件,ESD基本知识,电子产品失效情况 根据RAC的统计,在所有硬件故障中,ESD失效率占15%,而高静电敏感的器件EOS/ESD失效率高达60%左右.ESD引起半导体器件操作,使器件立即失效的机率约10%(短路、开路、无功能、参数不符合要求),而90%的器件则是引入潜在性损伤,损伤后电参数仍符合规定要求,但减弱了器件抗过电应力的能力,在使用现场容易出现早期失效,ESD基本知识,器件的ESD失效特征静电损伤是一种偶然事件,一般讲是与时间无关的,所以不能通过老化筛选方法加以剔除,相反,在老化过程中,由于器
5、件接地不良,老化设备不适当的连接等,反而会提高失效的百分比。,ESD静电培训课程,一、ESD基本知识二、ESD标准和测试三、ESD控制,ESD标准和测试,器件ESD敏感因素 ESD对半导体器件和电子产品都存在严重危害,ESD对电子产品和器件的可靠性影响的主要因素有:电场强度、放电电流、电磁干扰。影响器件ESD敏感程度的因素包括:器件设计(结构和工艺)、ESD电流、能量包裹、电场强度、放电的上升时间、制造工艺和器件的封闭类型等。能量型敏感器件的损伤是由于流过双极型结构电阻、保护电阻、薄膜电阻、金属连线等的过电流引起。即电流过大烧坏 电压敏感性器件的损伤是由于ESD电压超过了器件内部氧化层、MOS
6、管的栅极抢救无效的击穿电压引起。即击穿,ESD标准和测试,器件ESD敏感度测试分析标准,ESD标准和测试,人体模式(HBM:Human Body Model)该模型表征人体带电接触器件放电,ESD STM5.1和JEDEC EIA/JESD22-A114-B的器件ESD电压阈值水平 Class 0:250V Class 1A:250V to 500V Class 1B:500V to 1000V Class 1C:1000V to 2000V Class 2:2000V to 4000V Class 3A:4000V to 8000V Class 3B:8000V,ESD标准和测试,人体模型(
7、HBM)静电损伤最普遍的原因之一是通过人体或带电材料,到静电放电敏感器件(ESSD)发生静电电荷的直接转移。当人走过楼面时,静电电荷就在人体上积累。手指与ESSD器件或组件表面的简单接触就可使人体放电,可能造成器件损坏。用以模拟这类事件的模型就叫人体模型(HBM),其等效电路如图所示。E 高压直流电源(05kV)Rb 人体等效电阻(1.5k1%)Cb 人体等效电容(100PF10%)Rs 充电限流电阻(110M)DUT 被试器件 K1 高压继电器,ESD标准和测试,机器模式(MM:Machine Model)机器模型的等效电路与人体模型相似,但等效电容(Cb)是200pF,等效电阻为0,机器模
8、型与人体模型的差异较大,实际上机器的储电电容变化较大,但为了描述的统一,取200pF,由于机器模型放电时没有电阻,且储电电容大于人体模式,同等电压对器件的损害,机器模式远大于人体模型。,ESD标准和测试,机器模式()ESD STM5.2 器件ESD电压阈值 Class M1:100V Class M2:100 to 200V Class M3:200 to 400V Class M4:400V,ESD标准和测试,机器模式(MM)EIA/JESD22-A115A器件ESD电压阈值 Class A:200V Class B:200 to 400V Class C:400V,ESD标准和测试,充电器
9、件模型(CDM:Charged Device Model)半导体器件主要采用三种封装形式金属陶瓷塑料).它们在装配、传递、试验、测试、运输及存贮过程中,由于管壳与其它绝缘材料(如用的塑料袋、传递用的塑料窗口等)相互摩擦,就会使管壳带电。器件本身作为电容器的一个极板而存贮电荷。CDM模型就是基于已带电的器件通过管脚与地接触时,发生对地放电引起器件失效而建立的.JEDEC JESD22-C101-B器件ESD电压阈值如下:Class:200V Class:200 to 500V Class:500 to 1000V Class:above 1000V,ESD标准和测试,充电器件模式(CDM)ESD
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