HENENCKE培训资料分享.ppt

《HENENCKE培训资料分享.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《HENENCKE培训资料分享.ppt（12页珍藏版）》请在课桌文档上搜索。

1、Hennecke分选机培训资料分享,Hennecke分选机个模组介绍,1、geometry：尺寸/翘曲测试模组（包含两种翘曲类型：Bow、sori）2、NVCD：隐裂、裂纹检测模组3、Stain：脏污检测模组4、Contour：崩边、缺角检测模组5、Saw mark：线痕检测模组6、E+H：TV、TTV、P/N、R（电阻率）检测模组,101 主控制服务器,Measuring server&PLC：1、模组屏蔽功能：Measuring server界面中ExtrasOptions Einstellungen stations 选择需要关闭的模组，将Activate（激活按钮）关闭点击SET按钮即

2、可。2、模组状态查看：Measuring server界面中I/O Signals Analog I/O Show analog data（后面勾选上）chanel1、chanel2、chanel3分别对应E+H三个厚度探头状态，有硅片经过时，后面框内数值应接近与0。另外，此界面中Input框内00、07前面的选择项应全部选择上，说明各个模组正参与工作。3、E+H模组调试：正常状态下使用万用表直流档测试E+H模组控制柜上VASUE+GND电压值应该为0，不对时可以用螺丝刀调节右边黑色旋钮即可。（待续）,E+H模组控制柜上BIO控制板，其中B215控制3个厚度控制板、B218是P/N导电型号控制

3、板、B264是电阻率测试探头控制板，如有厚度模组异常故障，可以将B215中3个厚度控制板对换查看、排除异常情况。4、E+H模组电阻率校准：校准前需要将“Res.use temp使用温度常量”选择项选择上。zero point measuring 设置为90-120范围内，K1值可以设置为出厂值（如遇异常状态）、K2值常量为-2（不可以更换，是仪器定制参数），温度设置为23。5、PLC界面：server激活状态下点击空白处，出现的界面1、5对应上料台（测量模组）2、6对应一号下料台2、7对应二号下料台。7、PLC界面：server激活状态下点击server界面，Node模块中选择关闭对应三个模块

4、，off/on：关闭/开启（可以用于模组故障解决）、Lamp：对应报警装置Bell、signal lamp、Box alarm Wafer quality模拟器：Simulation后面勾选择上，将硅片调至对应片盒，按顺序Class 硅片、片盒，可以将硅片跑至设定好的片盒中（该功能不常使用）,102 Saw marks线痕测试模组,线痕未计算报警检查方式：1、查看图片（处于图中缺失部分，共计11张image图片）2、查看设备相关IP地址：camera camera options IP地址修改（注意不要改动）3、Node值（线痕修正）：将待测硅片放置在探头底部，放置中心调节位置，打开四个相机进

5、行测试。线痕模组校正：点击102线痕模组服务器中“A”operator Calibration for all wafer 框内值在校准时可以根据窗口的线痕值更改，use spline、use linefitt这两个选项平常需要打开，step wafer（阶梯状线痕片）时需要将这两个选项去除。注意：线痕校准时中心线要调节在线痕会合处测量，如有测量值与线痕值不相符，点击“A”operator Calibration all for wafer后面框内值，将实际数值调节与实际显示数值一致即可。“A”中maintenance后面不需要勾出及parmer参数不用改动。VisioBox左侧界面Wavin

6、ess filter选择出，是提示图形线痕超标位置。线痕校准时需要VisioBox左侧界面Centerline选择出，是提示中心线选项。上述选择项等全部修改完成后，点击测量F3（重新计算）：calculate image。,104 崩边、缺角测试模组,崩边、缺角调试、验证：1、首先明白分选机两条皮带间距60mm，调节模组时，用铅笔画出中心线和对边个30mm线，放置硅片在对应位置把界面viveimage（相机即时影像），点击Ctrl+C、Ctrl+D鼠标左键在硅片表面拉出一条线，查看曲线亮度数值是否在150。2、将硅片图形放大，查看边缘像素值，灰色部分是否在三个像素（如异常调节相机）。3、图形位

7、置调节方法：、硅片在图形中上下偏离，点击101服务器PLC界面，打开service，点击下部空白处：TRIGGER Delay后面对应值来调节硅片图像上下位置、硅片在图形中左右偏离，调节相机顶部螺丝来查看图形是否正中。,105 Geometry尺寸、翘曲测试模组,尺寸测试及校正：1、visio Box左侧框内，将Wafer Size勾打上，Result框内出现数值，查看数据的准确性。2、校正时点击101服务器，点击PLC服务界面，Service激活后，点击空白处，选择06159 FLASH_MODE IDX_FLASH_MODE 3,正常测试状态选择06159 FLASH_MODE IDX_F

8、LASH_MODE 2，回到105主界面中，将测试过的图形，选择Ctrl+A、B、C、D，、选择B-A或者D-C，将156000（B-A）值或者156000(C-D)值、例A=（Top+Bottom）值 2，156000 A=？输入“A”中的校正因子即可。翘曲测试及校正：1、校正时点击101服务器，点击PLC服务界面，Service激活后，点击空白处，选择06159 FLASH_MODE IDX_FLASH_MODE 4,校正时悬着8寸单晶晶圆片（在105中的图像），在“A”中bending Calibration选择上、Sori/Bow Equalisation内勾去掉，点击“OK”即可，查

9、看左侧信息输出界面应都为零。2、校正方法：和上述一样Ctrl A、B、C、D两个差距值得出，利用片厚（156000）两个差距值=？得出结果输入border laster line 1、2，保存即可。,106 NVCD隐裂测试模组,隐裂模组调试：1、硅片到相机距离为285mm（在水平位置）2、单晶测量时Diagaram蓝色曲线要光滑圆弧形（用于验证）3、查看4个CCD间图形无阶梯4、单晶测试时，请关闭“Camera”中白平衡功能，具体路径：Camera options use flat fidd corection 勾去掉即可隐裂模组校正：1、Cracks areas 缺陷位置标注，delta值

10、一般不用更改，RGB亮度在150（100-180范围内）2、使用156mm标准片，“A”Calibration parameters Calibration factor horizontal（横值）、vertical（纵值）一样，数值计算方法：156000（Top+bottom）值2,107 Stain脏污测试模组,Stain脏污模组调试：在“A”中Stain multiplication parameter（比例尺）：100000，脏污两种类型：Bright Stain（亮的类型）和Dark Stain（暗的脏污）各个模组服务器图形保存界面介绍：1、mark defects（缺陷显示）、S

11、tretch defects（完全显示）、A（参数显示）、Save image after snapshot（保存图像类型）,Hennecke分选机各模组参数设置,1、尺寸模组：“A”中Cabliation parameles校正因子更改：100 125 156 三组更改即可。尺寸、对角线测量异常：“A”Geomety dagnad 前一个（对角线计算）边缘部分测量（对角）2、Chip/Breakage：“A”目录中、Horizontal Chip/breakage垂直方向下都是尺寸图形位置像素值，测出不同像素值说明异常（崩边、缺角等异常）Veritical chips/breakage 水平

12、方向和上部内容一样 RGB值正常150左右，如小于78时就需要更换光源“A”选择BOW(翘曲)Sori/BOW Transter（2 Values）（框内计算公式）增加至公式“计算方法”即可。,Hennecke分选机各模组参数设置,1、NVCD隐裂模组：“A”中Cabliation parameles校正因子要一致。2、SAW Marks线痕模组：Connected 线痕四个窗口顶部目录是否连接上，检查ID地址。3、Edge模组：Calibration Chips areas“对应硅落小检测不出”单晶：“A”Hodes surfac defects（单晶穿孔测试）X step、Y step 框

13、内值需要改动，查看测试图像缺陷亮度，“A”中Open 文件夹，单多晶测量文件切换，Edge模组在单晶测试时气孔一定要开，其余可以正常打开。4、E+H模组：标准温度值：23，一般范围20-25，温度每升高一度，电阻率测量值会产生-0.7%的偏差。,Hennecke分选机结果简代码,1、TH:厚度 2、TV:TTV 3、SM：Sam mark 4、S：BOW(翘曲)5、CH：Chips（崩边）6、BR：Breskage(缺角)7、HO：Holes（穿孔）8、CR:Cracks（裂纹）9、GL：Glue（胶水）10、NC：Non Visible Cracks（隐裂）11、IN：Inclusions（杂质、硬质点）12、SI:Size（尺寸）13、DS：Diagonal Size(对角、尺寸线)14、CL：Chamfer Length（倒角长度）15、RE:Resistivisty（电阻）16、SC：Stain（脏污）,