专业英语第一讲.ppt
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1、Physics of Semiconductor Devices(双语),课程简介,关于名称Physics of Semiconductor Device(双语)微电子专业英语大学英语科技英语专业英语课程目的培养阅读能力写作能力听说能力掌握专业词汇基本语法专业知识,课程简介,授课形式阅读理解难句解析多媒体课堂作业翻译做报告考核方式课堂作业(20%)、考试(80%)1,单词英译中;2,单词中译英;3,句子英译中4,句子中译英;5,英文回答问题。,教材,微电子技术专业英语(Microelectronics English)吕红亮、李聪 编著贾新章 审校电子工业出版社 出版出版中,教材目录1,Ses
2、sion 1 Introduction to SemiconductorSession 2 Crystal StructureSession 3 Band ModelSession 4 The Semiconductor in EquilibriumSession 5 Carrier TransportSession 6 Nonequilibrium Excess Carriers in SemiconductorSession 7 The pn Junction(I)Session 8 The pn Junction(II)Session 9 Metal-Semiconductor Cont
3、actsSession 10 HeterojunctionsSession 11 The Bipolar Junction Transistor(I)Session 12 The Bipolar Junction Transistor(II)Session 13 Basics of MOSFETsSession 14 Nonideal effects of MOSFETsSession 15 Advanced MOSFET Devices,教材目录2,Session 16 Introduction to Integrated CircuitsSession 17 Analog Integrat
4、ed Circuits DesignSession 18 Digital Integrated Circuits DesignSession 19 Radio Frequency Integrated Circuits DesignSession 20 Simulation and Verification of Integrated CircuitsSession 21 Introduction to the Semiconductor technology(I)Session 22 Introduction to the Semiconductor technology(II)Sessio
5、n 23 Bipolar Technology and GaAs Digital Logic Process Session 24 CMOS TechnologySession 25 Reliability,参考教材,The physics of semiconductor devices,Third EditionFraser,D,AClarendon Press,Oxford1983Semiconductor physics and devices:basic principlesDonald A.NeamenMcGraw-HillPhysics of semiconductor devi
6、cesS.M.Sze and Kwok K.NgWiley,推荐采用合适的字典,“英汉科学技术词典”清华大学外语系“英汉科学技术词典”编写组编国防工业出版社“Longman Dictionary of Contemporary English”朗文当代英语词典外语教学与研究出版社,专业英语学习的三要素,专业词汇基本语法关系结合专业内容,1、专业词汇特别注意行业内的普遍认可的名称。,Wafer;Die;Chip,晶片(晶圆);裸片;芯片,1、专业词汇特别注意行业内的普遍认可的名称。,The majority of bipolar transistors used in ICs are of th
7、e npn type because the higher mobility of minority carriers(electrons)in the base region results in higher speed performance than can be obtained with pnp types.翻译1:IC中所用双极晶体管大多数是NPN型的,因为它在基区中少数载体(电子)的更高移动性产生比PNP型所能得到的更高速度的性能。翻译2:IC中所用双极晶体管大多数是NPN型的,因为基区中少数载流子(电子)具有较高的迁移率,使NPN晶体管的速度性能高于PNP晶体管。,1、专业词
8、汇特别注意行业内的普遍认可的名称。,Next,a high-temperature(1100C)drive-in step forms the n+-buried layer,which has a typical sheet resistance of 20/.翻译1:接着,一个高温(约为1100)驱入步骤形成N+埋入层,它具有典型的平板电阻20/。翻译2:然后采用高温(约为1100)再分布步骤形成N+埋层,其方块电阻典型值为20/。Figure 2.33b shows a cross-sectional view of the device after the epitaxial proc
9、ess.翻译1:图2-33b示出了外延过程之后,器件的交叉区视图。翻译2:图2-33b显示的是经过外延工艺之后的器件剖面图。,1、专业词汇特别注意行业内的普遍认可的名称。,The conventional MOS isolation process has some disadvantages that make it unsuitable for deep-submicrometer(0.25m)fabrication.翻译1:传统MOS隔离过程具有一些劣势,这使之不适合于深度次微米(0.25m)制造翻译2:传统MOS隔离工艺具有一些缺点,使其不适合于深亚微米(0.25m)制造To cont
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