高真空磁控溅射薄膜沉积系统技术指标.docx
《高真空磁控溅射薄膜沉积系统技术指标.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《高真空磁控溅射薄膜沉积系统技术指标.docx(3页珍藏版)》请在课桌文档上搜索。
1、高真空磁控溅射薄膜沉积系统技术指标一、系统的主要组成及技术指标溅射室极限真空度:W6.6xl0-spa(经烘烤除气后);(洁净真空环境)系统从大气开始抽气:溅射室40分钟可达到6.6x10-4Pa;(抽速快,缩短实验准备时间)系统停泵关机12小时后真空度:5Pa;膜厚均匀性:优于5%,铜膜,200nm1、溅射真空室真空室为圆筒形前开门结构,尺寸e450mmx400mm,全不锈钢结构。可内烘烤到IOO150,选用不锈钢材料制造,氮弧焊接,表面进行电化学抛光国内首家钝化处理,接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封;手动前开门结构;靶安装在上盖,基片转台安装在下底盘(靶台与样品台可以实现上下互换)。真空
2、室组件上焊有各种规格的法兰接口与功能部件相连接2、磁控被射系统:3套2.1 靶材尺寸:60mm;2.2 提供靶材:不锈钢、钛、铁各一块(仅供测试靶材用);2.3 强磁靶可溅射磁性材料,射频溅射与直流溅射兼容,靶内水冷;2.4 每个靶都配备气动控制挡板组件1套;2.5 靶在上,向下溅射,具有单独溅射、轮流溅射、共溅射功能(靶与样品台的位置可以调换;2.6 暴露大气下,磁控靶可手动调节共溅射角度;2.7 磁控靶与基片的距离可调,调节距离为:90730mm。3、旋转加热基片台3.1 基片尺寸和数量:最大可放置1片6英寸圆形样品;4英寸范围内膜厚均匀性:优于5%,铜膜,200nm(注:工艺部分在乙方现
3、场完成,甲方现场只做安装、调试本机);3.2 基片通过进口加热丝加热方式,样品加热温度:700oC,连续可调;加热装置在真空室上法兰上,对基片托板进行加热,通过热电偶控制控温电源实现闭环控制,系统由加热器和1个加热控温电源组成,加热电源配备控温表,控温方式为PlD自动控温及数字显不;3.3 基片自转速度520转/分连续可调;3.4 气动控制样品挡板组件1套;3.5 样品台安装-200V偏压电源(辅助沉积)。4、窗口及法兰接口部件4.1 DgIOO玻璃窗口:1块,带衬玻璃;Dg35外照明玻璃窗口:1块,带衬玻璃;4.2 Dgl6陶瓷封接引线法兰:1个(内烘烤引线);4.3 盲法兰:Dgl6:1个
4、;Dg35:2个。5、工作气路5.1 Ar,100SCCMVN2,1OOSCCMv02,1OOSCCMv质量流量控制器、Dgl6截止阀、管路、接头等共2路;经过混气室,由Dgl6进气阀往真空室内充入工作气体。5.2 Dgl6放气阀、管路、接头等:I路(解除真空充入氮气);5.3 配空气压缩机一台6、抽气机组及阀门、管道(此配置抽速快、真空度高)6.1 脂润滑分子泵及变频控制电源(1300IS):1台;6.2 旋片真空泵(8L/S):1台;6.3 插板阀CF200:1台(用于复合分子泵与真空室隔离);6.4 旁抽角阀DN40:1台;6.5 高真空挡板阀DN40:1台;6.6 电磁压差式充气阀DN
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 真空 磁控溅射 薄膜 沉积 系统 技术指标
链接地址:https://www.desk33.com/p-373389.html