集成电路技术集成电路技术综合练习试卷(练习题库)(2023版).docx

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1、集成电路技术集成电路技术综合练习试卷（练习题库）1、 什么叫半导体集成电路？2、 按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写。3、 按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？4、 按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？5、 什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？6、 简述四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用。7、 在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响是？8、 简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤。9、 简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤。10、 以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？11、以N阱CMOS

2、工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。12、 简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？13、 什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？14、 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？15、 什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响？16、 如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？17、 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？18、 双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪 些？19、 集成电路中常用的电容有哪些？20、 为什么基区薄层电阻需要修正？21、 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线？22、 电压传输特性23、 开门电

3、平24、 关门电平25、 逻辑摆幅26、 静态功耗27、 在四管标准与非门中，那个管子会对瞬态特性影响最大，并分析原因以 及带来那些困难。28、 两管与非门有哪些缺点，四管及五管与非门的结构相对于两管与非门在 那些地方做了改善，并分析改善部分是如何29、 相对于五管与非门六管与非门的结构在那些部分作了改善，分析改进部 分是如何工作的？30、 四管与非门中，如果高电平过低，低电平过高，分析其原因，如与改善 方法，请说出你的想法。31、 为什么TTL与非门不能直接并联。32、OC门在结构上作了什么改进,它为什么不会出现TTL与非门并联的问题？33、 什么是器件的亚阈值特性，对器件有什么影响？34、

4、 MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？35、 请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈 值电压和漏源电流的影响。36、 什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响？37、为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？38、 采用MOSFET作为nM0S反相器的负载器件有哪些优点？39、 耗尽型负载nMOS反相器相比于增强型负载nMOS反相器有哪些好处？40、 举例说明什么是有比反相器和无比反相器。41、 简述CMOS静态逻辑门功耗的构成。42、 降低电路的功耗有哪些方法？43、 简述动态组合逻辑电路中存在的常见的三种问题，以及

5、他们产生的原因 和解决的方法。44、 解释静态存储和动态存储的区别和优缺点比较。45、 阐述静态存储和动态存储的不同的的存储方法。46、 哪一年在哪儿发明了晶体管？发明人哪一年获得了诺贝尔奖？47、 世界上第一片集成电路是哪一年在哪儿制造出来的？发明人哪一年为此 获得诺贝尔奖？48、 什么是晶圆？晶圆的材料是什么？49、 目前主流集成电路设计特征尺寸已经达到多少？预计2023年能实现量产的特征尺寸是多少？50、 晶圆的度量单位是什么？当前主流晶圆的尺寸是多少？51、 摩尔是哪个公司的创始人？什么是摩尔定律？52、 什么是SoC?英文全拼是什么？53、 一套掩模一般只能生产多少个晶圆？54、 什

6、么是有生产线集成电路设计？55、 什么是集成电路的一体化（IDM）实现模式？56、 什么是集成电路的无生产线（FableSS）设计模式？57、 一个工艺设计文件（PDK）包含哪些内容？58、 设计单位拿到PDK文件后要做什么工作？59、 什么叫“流片”？60、 什么叫多项目晶圆（MPW） ? MPW英文全拼是什么？61、 集成电路设计需要哪些知识范围？62、 对于通信和信息学科，所包括的系统有哪些？63、 RFIC MMIC 和 M3IC 是何含义？64、 著名的集成电路分析程序是什么？有哪些著名公司开发了集成电路设计工具？65、 从事逻辑电路级设计和晶体管级电路设计需要掌握哪些工具？66、

7、为了使得IC设计成功率高，设计者应该掌握哪些主要工艺特征？67、 SSK MSK LSI、VLSI、ULSl的中文含义是什么？英文全拼是什么？68、 电子系统特别是微电子系统应用的材料有哪几类？69、 集成电路制造常用的半导体材料有哪些？70、 为什么说半导体材料在集成电路制造中起着根本性的作用？71、 半导体材料得到广泛应用的原因是什么？72、 Si、GaAs、InP三种基本半导体材料中，电子迁移率最高的是哪种？最 低的是哪种？73、 O. 13UmCMOS工艺制成的CPU运行速度已达多少？74、 硅基最先进的工艺线晶圆直径已达到多少？75、 为什么市场上90%的IC产品都是基于Si工艺的？

8、76、 与Si材料相比，GaAS具有哪些优点？77、 基于GaAs的集成电路中有哪几种有源器件？78、 为什么说InP适合做发光器件和OEIC?79、 IC系统中常用的几种绝缘材料是什么？80、 什么是欧姆接触和肖特基接触？81、 多晶硅的特点是什么？82、 在MOS及双极型器件中，多晶硅可用来做什么？83、 什么是材料系统？84、 半导体材料系统？85、 异质半导体材料的主要应用有哪些？86、 什么是半导体/绝缘体材料系统？87、 晶体和非晶体的区别？88、 什么是共价键结构？89、 什么是本征半导体和杂质半导体？90、 本征半导体有何特点？91、 杂质半导体中，多子和少子是如何形成的？92

9、、 什么是扩散运动？什么是漂移运动？93、 PN结的主要特点是什么？94、 双极型三极管三个区有什么不同？95、 双极型三极管有几种工作状态？每个状态PN结偏置情况如何？96、 在放大状态下，三极管内部载流子传输过程是怎样进行的？97、 为什么晶体管的反向工作状态一般不用，尤其是在集成电路中更是如此?98、 MOS管的核心结构是什么？99、 根据形成导电沟道载流子类型的不同，MOS管有几种类型？100、 简述PMOS管的具体结构。IOk 简述MOS管的导电沟道是如何形成的。102、 什么叫阈值电压？阈值电压是否可变？阈值电压为负时称为什么电压?103、 对NMOS晶体管，注入何种杂质使阈值电压

10、增加或降低？104、 根据阈值电压不同，常把MOS器件分为几种？105、 在CMOS电路里，MOS管一般采用何种类型？106、 为什么说MOS晶体管是一种电压控制器件？107、MoS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外,还与哪些因素有关？108、 一个MOS管的正常导电特性可分为几个区域？109、 用什么参数衡量MOS器件的增益？110、 外延生长的目的是什么？111、 外延生长的方法有哪几种？112、 什么是卤素传递生长法？它属于4种生长方法中的哪一种？113、 液态生长有什么优缺点？114、 金属有机物气相外延生长和一般的气相外延生长的最大区别是什么？115、 分子束外延生长有什么特

11、点？116、 什么是掩模？掩模与集成电路制造有什么关系？制做掩模的数据从哪儿来？117、 什么是整版接触式曝光？118、 光刻的作用是什么？119、 什么是光刻？光刻的主要流程有哪些？120、 负性和正性光刻胶有什么区别和特点？121、 光刻的曝光方式有几种？各有何特点？122、 接触曝光方式的关键技术有哪些？它的主要优缺点是什么？123、 什么是非接触曝光方式？124、 氧化的目的是什么？125、 为什么说栅氧化层的生长是非常重要的一道工序？126、 淀积的主要作用是什么？127、 什么是湿法刻蚀？128、 湿法刻蚀有什么缺点？129、 什么是刻蚀？130、 什么是干法刻蚀？干法有几种刻蚀方

12、法？131、 掺杂的目的是什么？掺杂在何时进行？惨杂方法有哪几种？132、 离子注入法有哪些优点？133、 说明用硅材料采用CMOS工艺可形成哪些元件、电路形式以及可达到的电路规模？134、 集成电路特别是逻辑集成电路技术的类型有哪些？135、 为什么说速度和功耗是每一种工艺两个最重要的特性？136、 在各种工艺中，哪种工艺的速度最高？哪种工艺的功耗最小？137、 双极型硅工艺的特点是什么？有哪些主要应用？138、 典型双极型硅工艺中的硅晶体管存在哪些问题？139、 双极型晶体管的最高速度取决于哪些因素？140、 超高频Si双极型晶体管的截止频率fT已达多少？141、 什么是异质结？按照两种材

13、料的导电类型不同，异质结可分为哪些类型？异质结形成的条件是什么？制造异质结的142、 异质结有什么特点？它适宜于制作哪些器件？143、 为什么GaAs同质结双极型晶体管的性能很难达到或超过硅基BJT的性能？144、 为什么采用lGasGaAs异质结结构制造的双极型晶体管(HBT)具有好的性能？145、 InPZInGaAsHBT具有什么特点？146、 目前，IH/V族化合物构成的高速HBT可达到哪些性能？147、 Si/SiGe材料系统的HBT工艺取得了哪些长足进步？148、 HBT的主要优点是什么？适于何种应用？149、 MESFET的有源层是如何形成的？它的导电沟道是如何控制的？150、

14、为什么说栅长是MESFET的重要参数？123 15k进一步提高MESFET性能的措施是什么？152、 高电子迁移率晶体管(HEMT)速度高的主要原因是什么？153、 二维电子气是如何形成的？154、 亚微米、深亚微米和纳米的具体范围是多少？155、 什么情况下器件的栅极通常要考虑采用蘑菇型即T型栅极？156、 什么是魔晶或鹰配HEMT?157、 由Si/SiGe材料系统研制的HEMT取得了哪些进展？158、 HEMT有更高截止频率更高跨导和更低噪声的原因？它的主要应用领域是什么？159、 与Si三极管相比，MESFET和HEMT存在哪些缺点？160、 MOS工艺包括有哪几种？ MOS工艺的重要

15、参数是什么？什么是特征尺寸？161、 铝栅MOS工艺的缺点是什么？162、 铝栅重叠之间串扰的措施有哪些？245、 “干净”的地是什么样地？246、 为什么在敏感模拟信号线周围插入了接地的同层金属线就可防止电磁干扰？247、 采用屏蔽技术会带来哪些缺点？248、 通过滤波电容进行抗干扰，滤波电容一般加在哪些地方？249、 在集成电路芯片中，寄生效应会降低电路的哪些性能？250、 对于晶体管来说，降低寄生效应的版图设计技术有哪些？251、 对于接触孔进行寄生优化的措施是什么？252、 芯片的可靠性问题一般指哪些？253、 什么是天线效应？254、 什么是Latch-Up效应？255、 什么是静电

16、放电过程（ESD） ?256、 集成电路中的什么部位最需要ESD防护？257、为什么说ESD防护电路的设计是集成电路设计中一个非常重要的问题?258、 电学设计规则与几何设计规则的区别是什么？259、 电学设计规则的作用是什么？260、 Cadence公司的EDA产品有哪些功能？261、 一个完整的全定制设计环境包含哪些部分？262、 一个设计一般需要Cadence中的哪些工具？263、 在正式用Cadence画版图之前要先构思或想一想哪些问题？264、 对于差分形式的电路结构在版图布局时一般注意哪些问题？265、 为什么一般都将输入和输出分别布置在芯片两端？266、 什么是“电徙”效应？26

17、7、 什么是裸片？268、 在晶圆上（Onrafer）或在芯片上（On-Chip）测试有什么优点？269、 在晶圆或在芯片测试需要什么条件？270、 基本的芯片测试台由哪几部分组成？271、 通过什么工具与芯片上的焊盘（Pad）相接触？272、 探头有哪些类型？它的主要特性是什么？273、 芯片封装的载体通常有哪些？274、 利用导体作为芯片封装的载体有什么优点？275、 对于低速ICs,可用的标准封装载体主要有哪些？276、 什么是芯片键合？277、 集成电路封装工艺流程有哪些？278、 利用金（铝）丝进行绑定的缺点是什么？279、 什么技术可以最大限度地减小由引线产生的寄生电感？对哪些电路

18、最具吸引力？280、 倒装式连接技术的优点有哪些？281、 利用什么进行绑定是最简单和最容易实现的技术？282、 为什么对于高速和微波ICs常采用黄铜板块为基座进行封装？283、 什么是混合集成？284、 什么是微组装技术？285、 什么是多芯片组件CMC技术？286、 在高频和超高速微组装设计过程中必须要考虑哪些问题？287、 可测试性的3个重要方面是什么？每一种的含义是什么？288、 什么是数字电路的完全测试和功能测试？289、 何时需要考虑进行完全测试和功能测试？290、 集成电路按电路规模可以分为哪些？291、 晶向指数表示什么？292、 物理气相淀积主要有哪三种技术？293、 化学气

19、象淀积是什么？294、 从刻蚀工艺上可以将刻蚀分为什么种类？295、 光刻工艺分为哪些步骤？296、 掺杂是什么意思？有哪些常见的技术？297、 金属布线按照在集成电路中的作用可以分为哪些？298、 Mold材料有哪几种？目前最常用的是哪种？299、 溅射法的含义是什么？300、 集成电路常用的材料有哪些？分别举例。301、 如何衡量集成电路的制造水平？302、 什么是集成电路？303、 施主杂质和受主杂质的含义是什么？304、 二氧化硅膜在集成电路中有哪些用途？305、 具体描述CMOS集成电路的工艺流程是怎样的？306、 化学气相淀积薄膜的生长过程是怎样的？307、 掺杂在半导体生产中的作

20、用有哪些？308、 简述化学机械平坦化的工作原理。它的抛光速率受哪些因素的影响？309、 芯片封装工艺的基本流程是什么？310、 多层电极有哪几种？分为几层，每一层各有什么作用？31k 单晶硅与多晶硅的区别？312、简述直拉法生长单晶硅的工艺过程，并说明每个步骤各自有什么作用？313、 双极型集成电路的工艺流程具体有哪些？314、 常用的CVD哪几种？说明各自的优缺点以及应用领域。315、 湿法刻蚀和干法刻蚀的区别？316、 离子注入机的主要部件以及它们的主要任务分别是什么？317、 摩尔定律的内容是什么？318、 摩尔定律得以保持的途径是什么？319、 图形的加工是通过什么工艺完成的？320

21、、 在场区中，防止出现寄生沟道的措施是什么？321、 形成SOl材料的主要技术是什么？322、 在氧化层上形成所需要的图形的步骤是什么？323、 版图设计规则可以用什么形式给出？324、 开发多晶硅技术解决了什么问题？325、 怎样实现四选一多路器？326、 摩尔分析了集成电路迅速发展的原因，他指出集成度的提高主要是什么贡献？327、 缩小特征尺寸的目的是什么？328、 N阱CMOS主要工艺步骤是什么？329、 解决双极型晶体管纵向按比例缩小问题的方法是什么？330、 为什么正胶在显影时很容易被去掉？331、 先进的双极晶体管结构的基本特征是什么？332、 存储器的总体结构包括哪些？333、

22、怎样才能使电路正常工作？334、 制作硅栅具体步骤是什么?335、 随机存取存储器RAM的种类有哪些？336、 常用掺杂方法是什么？337、 PN结隔离SBC结构工艺流程是什么？338、 集成电路的加工过程的基本操作是什么？339、 NMOS晶体管可分为哪种类型？340、 N+埋层的作用是什么？341、 输入缓冲器的作用是什么？342、 形成SOl材料的主要技术有哪些？343、 MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容？ MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容？344、 连线寄生效应对集成电路性能的影响。345、 小尺寸MOS器件中的二级效应包括哪些？346、 将硅单晶棒制成硅片的过程包

23、括哪些工艺？347、 切片可决定晶片的哪四个参数？348、 简述硅单晶研磨清洗的重要性。349、 什么是低K材料？350、 与Al布线相比，CU布线有何优点？351、 硅片表面吸附杂质的存在状态有哪些？352、 硅片表面吸附杂质清洗顺序是什么？353、 硅片研磨及清洗后为什么要进行化学腐蚀？354、 硅片研磨及清洗后腐蚀的方法有哪些？355 CMP (CMP-chemical mechanical polishing)包括哪些过程？356、 Si02按结构特点分为哪些类型？热氧化生长的Si02属于哪一类？357、 何谓掺杂？358、 何谓桥键氧，非桥键氧？它们对Si02密度有何影响？359、

24、Si02中杂质有哪些类型？360、 氧化硅的主要作用有哪些？361、 热氧化工艺有哪些？362、 影响氧化速率的因素有？363、 影响热氧化层电性的电荷来源有哪些类型？降低这些电荷浓度的措施?364、 为何热氧化时要控制钠离子含量？降低钠离子污染的措施有哪些？365、 热氧化常见的缺陷有？366、 氧化膜厚度的测定方法？367、 热扩散机制有哪些？368、 扩散源有哪些存在形态？369、 与扩散源相比，离子注入有哪些优点？370、 如何降低沟道效应？371、 什么是沟道效应？372、 有哪些损伤类型？373、 什么是离子注入损伤？374、 离子注入后退火的作用是什么？375、 离子注入后为何退

25、火？376、 离子注入主要部件有哪些？377、 离子注入工艺需要控制的工艺参数及设备参数有哪些？378、 何为分辨率、对比度、IC制造对光刻技术有何要求？379、 光刻工艺包括哪些工艺？380、 影响显影的主要因素？381、 显影检查内容有哪些？382、 显影为何要进行检查？383、 什么是负光刻胶？384、 什么是正光刻胶，负光刻胶？385、 常见的曝光光源？386、 常见的光刻对准曝光设备有？387、 什么是光敏度，移相掩膜，驻波效应？388、 何谓氧化增强扩散，发散区推进效应？产生机理是什么？389、 IC对金属材料特性有何要求？390、 Al膜制备方法有？391、 金属在IC中的作用有哪些？392、 A1/S1接触中的尖楔现象？