《集成电路测试工程师》高级培训课程试题.docx
《《集成电路测试工程师》高级培训课程试题.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《《集成电路测试工程师》高级培训课程试题.docx(7页珍藏版)》请在课桌文档上搜索。
1、集成电路测试工程师高级培训课程试题一、单选题(每题3分,共60分)1、通过仿真、形式验证等,检查设计的正确性,确定电路是否符合所有的设计规范属于()A.设计验证B.工艺监控测试C.特性测试D.生产测试2、接触测试是通过测量保护二极管的电压实现的,若测与电源连接的二极管,则应给电流()AJOOmAB.-100mAC.100A-D.-100A3、以下哪项是内建自测试的优点?()A.可以减少对ATE的依赖B.不能减少对ATE的依赖C.需要修改被测设计D.需要增加硬件开销4、电压-电压型理想运算放大器的增益为()A.0B.无穷大(正确答窠)C.106D.1055、测量集成运算放大器,首先要测量的参数为
2、()A.开环增益AVOB.功耗PsC.失调电压Vos(1D.失调电流Ib6、深度负反馈的条件是()A.AF=OB.AF=1CAE1(正确答案)D.AFO7、在使用直方图统计法测试ADC时,一般选用()作为输入波形。A.三角波B.斜波C.锯齿波D.正弦波8、在ADC测试中,如使用了窗函数,可以杜绝频谱泄露吗?()A.可以B.不可以d。59、WhichoneisnotbelongtoVolatilememory?()AsynchronousDRAMB. FIFOC. FRAM(l-D. RAMBUSDRAM10OneSRAMdevicehaveAO-Al1addresspinsand100-IO1
3、5datapins.What,sitsmemorysize?()A.32KbB.64KbC.128KbD.256KbIkBITeSt是通过给DeViCe施加热、电负荷,模拟缩短()发生时间。A.Wear-outfailureperiodB. RandomfailureperiodC. Earlyfailureperiod12、memory测试中,KGD的测试频率和()一致。A.CoreTestB. InterfaceTestC. Bum-In13、存储器测试中允许有failbit的有()A.NORFlashB.NANDC.DRAM14、EVM的结果范围是0%100%()A.正确B.错误15、下
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 集成电路测试工程师 集成电路 测试 工程师 高级 培训 课程 试题
链接地址:https://www.desk33.com/p-575374.html