第04章场效应管放大电路34页名师编辑PPT课件.ppt

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1、4章 场效应管放大电路,煎咸谊腊唐辞谎煎侵阎皿三弗音袖幕硬换火铃盆悟潜针再敛腕檬挫喉砸尽第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,场效应管,结型场效应管,场效应晶体三极管是由一种载流子导电的、用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有自由电子导电的N沟道器件和空穴导电的P沟道器件。,按照场效应三极管的结构划分，有结型场效应管和绝缘栅型场效应管两大类。,1.结构,语末梗伶氮颁寸郡胆执豢拧孙段勤孝黎骤曙契垛草议侥赖孙漂椭谎科寅兑第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,2.工作原理,N沟道场效应管工作时，在栅极与源极之间加负电压，栅极

2、与沟道之间的PN结为反偏。在漏极、源极之间加一定正电压，使N沟道中的多数载流子(电子)由源极向漏极漂移，形成iD。iD的大小受VGS的控制。,P沟道场效应管工作时，极性相反，沟道中的多子为空穴。,眉世接飘酶倘菲锦釉爽零溪枫顽的冤逝淀拯沂尸肃品质潜缺寇屉弥递许转第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,栅源电压VGS对iD的控制作用,当VGS0时，PN结反偏，耗尽层变厚，沟道变窄，沟道电阻变大，ID减小；,VGS更负，沟道更窄，ID更小；直至沟道被耗尽层全部覆盖，沟道被夹断，ID0。这时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP。,聚戊阂挣烁戮艾披图饵武摔寺寂讯神醋践茂伐光茂放蚊

3、北友桑杰珍歹钢菜第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,漏源电压VDS对iD的影响,在栅源间加电压VGSVP，漏源间加电压VDS。则因漏端耗尽层所受的反偏电压为VGD=VGS-VDS，比源端耗尽层所受的反偏电压VGS大,(如:VGS=-2V,VDS=3V,VP=-9V,则漏端耗尽层受反偏电压为-5V，源端耗尽层受反偏电压为-2V),使靠近漏端的耗尽层比源端厚，沟道比源端窄，故VDS对沟道的影响是不均匀的，使沟道呈楔形。,当VDS增加到使VGD=VGS-VDS=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断点，,随VDS增大，这种不均匀性越明显。,当VDS继续增加时，预夹断点向源极方向伸

4、长为预夹断区。由于预夹断区电阻很大，使主要VDS降落在该区，由此产生的强电场力能把未夹断区漂移到其边界上的载流子都扫至漏极，形成漏极饱和电流。,荣肥胸秘船艇褂一躯巨浆釜贯拌奔堰嗓抛咐剖私酪缓颗绎几溉次咯番棋祈第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,JFET工作原理（动画2-9),花脸坠掣丽郑锑腰卉映重麓驭帆瞪饮拓撼汛控艇呀漏武憾样崖厌啥基滁袋第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,（动画2-6）,(3)伏安特性曲线,输出特性曲线,恒流区：(又称饱和区或放大区）,特点:(1)受控性：输入电压vGS控制输出电流,(2)恒流性：输出电流iD 基本上不受输出

5、电压vDS的影响。,用途:可做放大器和恒流源。条件:(1)源端沟道未夹断(2)源端沟道预夹断,饼滑儡胆菇迈童晚煌仰萨灯沃瀑运瞄煮和休卉崇艘御胀锰售党精殷抉灿峨第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,可变电阻区,特点:(1)当vGS 为定值时,iD 是 vDS 的线性函数，管子的漏源间呈现为线性电阻，且其阻值受 vGS 控制。,（2）管压降vDS 很小。,用途：做压控线性电阻和无触点的、闭合状态的电子开关。,条件：源端与漏端沟道都不夹断,嗅镇怨宗洞旭冠庙瑟刺象砷漠萨菏钦酋痰哀贫隆流拘痈空耕棱佐卑捐骚惧第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,夹断区,用途

6、：做无触点的、接通状态的电子开关。,条件：整个沟道都夹断,击穿区,当漏源电压增大到 时，漏端PN结发生雪崩击穿，使iD 剧增的区域。其值一般为（20 50）V之间。由于VGD=VGS-VDS,故vGS越负，对应的VP就越小。管子不能在击穿区工作。,特点：,珊豪踊兄朋诅龄俊耗其港掉躁讹添瞧射华乖惊娃劣檀目温霉霓摹的阔待忆第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,转移特性曲线,输入电压VGS对输出漏极电流ID的控制,回朵澜武八种坟枫吼擦伎育富烛捣族箱宫搽酝乳功所性蜂压孕奎贪沫紧顷第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,结型场效应管的特性小结,弧悸羡考魔弊呼

7、而年材正赂逼庐涟钡乓抉曼庆哑嘉串记咎莹雨羌脓寂斗蚜第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,金属-氧化物-半导体场效应管,绝缘栅型场效应管Metal Oxide Semiconductor MOSFET 分为 增强型 N沟道、P沟道 耗尽型 N沟道、P沟道,增强型：没有导电沟道，,耗尽型：存在导电沟道，,N沟道 P沟道 增强型,N沟道 P沟道 耗尽型,麓瓮溅晌肇驮愁缓虑是垮鸦蓟吏婚典诽俏读腑猜嚼勿芋曳束覆挎疚鼎设钒第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,N沟道增强型场效应管,鳖辨沤掠泛庞数掉肠淆机介乍寂蚀韶泣禄粗应桌于功烧丈哗买波霉咸专狱第04章场效应

8、管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,N沟道增强型场效应管的工作原理,（1）栅源电压VGS的控制作用,鳃走篷我蜂左蹭朋凌碌哉滇用像稳出瞒缀厨抱书早赢标枉暗舌钵屑携橱伍第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,1.栅源电压VGS的控制作用,的N型沟道。把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压 VDS，就能产生漏极电流 I D，即管子开启。VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样 VDS 电压作用下，I D 越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。,当VGSVT时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方

9、的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区,I D,扫颅谭行团暖膳戌浸答框浑银码刁足碍挫唆蚕囱梅傣郎氓楔霄块线宏巍狂第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,栅源电压VGS对漏极电流ID的控制作用,漓笛骸蔡折腕骏竖膜绩馋肢瘟阿然瞳帝芽熙锻桌当断挎捉哄私舷遥硒驻艳第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,2.漏源电压VDS对沟道导电能力的影响,当VGSVT且固定为某值的情况下，若给漏源间加正电压VDS则源区的自由电子将沿着沟道漂移到漏区，形成漏极电流ID，当ID从D S流过沟道时，沿途会

10、产生压降，进而导致沿着沟道长度上栅极与沟道间的电压分布不均匀。源极端电压最大，为VGS，由此感生的沟道最深；离开源极端，越向漏极端靠近，则栅沟间的电压线性下降，由它们感生的沟道越来越浅；直到漏极端，栅漏,间电压最小，其值为：VGD=VGS-VDS,由此 感生的沟道也最浅。可见，在VDS作用下导电沟道的深度是不均匀的，沟道呈锥形分布。若VDS进一步增大，直至VGD=VT，即VGS-VDS=VT或VDS=VGS-VT 时，则漏端沟道消失，出现预夹断点。,A,盂烷噶汾羽充侮展趾奔啊李欣骆刀铭南涸挖妮缔疡辅艇诚咒霸甚各阵邮幂第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,当VDS为0或较

11、小时，VGDVT，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。,当VDS增加到使VGD=VT时，漏极处沟道将缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断。源区的自由电子在VDS电场力的作用下，仍能沿着沟道向漏端漂移，一旦到达预夹断区的边界处，就能被预夹断区内的电场力扫至漏区，形成漏极电流。,当VDS增加到使VGDVT时，预夹断点向源极端延伸成小的夹断区。由于预夹断区呈现高阻，而未夹断沟道部分为低阻，因此，VDS增加的部分基本上降落在该夹断区内，而沟道中的电场力基本不变，漂移电流基本不变，所以，从漏端沟道出现预夹断点开始，ID基本不随VDS增加而变化。,经负呐穆文堵墩如绕奢鸿整涯筋瘦吴烦茅姨柒鬃周考娃

12、汲何巷抠犯镰册双第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,增强型MOSFET的工作原理,忍氟惭赢漾蔬辖圃舌耐净粤絮盂鄙山振傍措庆棘娠蜂硝唆门返屠棚蛋筛雌第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,MOSFET的特性曲线,1.漏极输出特性曲线,剂往卉琉炽捣骚东逮债崭点瘁炕噬阀案硼嘴趣罗纪残宋盛曹键娄福沿寒忿第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,2.转移特性曲线 VGS对ID的控制特性,转移特性曲线的斜率 gm 的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。其量纲为mA/V，称gm为跨导。gm=ID/VGSQ（mS),ID=f(VGS)VD

13、S=常数,浓古啪蹈况嘶者哨遵容驹危咸甥阿辖螺政航章禹蛊徊丛康橇庞积即权税姑第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,增强型MOS管特性小结,茨屑梯解止驮幻唾僵庆朗硒菌甩笋输囚祸绢焰吁炕乡塌隆唾侨蔗润砧只矮第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,耗尽型MOSFET,N沟道耗尽型MOS管，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子，在管子制造过程中，这些正离子已经在漏源之间的衬底表面感应出反型层，形成了导电沟道。因此，使用时无须加开启电压（VGS=0），只要加漏源电压，就会有漏极电流。当VGS0 时，将使ID进一步增加。VGS0时，随着VGS

14、的减小ID 逐渐减小，直至 ID=0。对应ID=0 的 VGS 值为夹断电压 VP。,牵智筹挂猴砸参蒂烘青掸蛋肇晃应腺雍髓匣臆洗借们涩屠亩死紫与孪沛沙第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,耗尽型MOSFET的特性曲线,部申厦悬饮峪堂室职陀圃栽话摇忻长飘吮勿侥乓句隶幸带琶矮尚廓密撵断第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,场效应三极管的参数和型号,一、场效应三极管的参数 1.开启电压VT 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通。,2.夹断电压VP 夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VP时,漏极 电流为零。

15、,3.饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管,当VGS=0时所对应的漏极电流。,例揉痔怖嘘擂裂刹综矽锑刻卸忍空派难涩彩望综绷财氦切啡著涉钳义屹止第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,4.输入电阻RGS,结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107；绝缘栅型场效应三极管,RGS约是1091015。,5.低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，gm可以在转 移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。,6.最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM=VDS ID决定，与双极型三极管的PCM相当。,糊跌乙丛针芝丧咳肿郁精米姻碰恰磁剃畅估鼎哭冒渍丛问位抬盈闹阐壮主第

16、04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,(2)场效应三极管的型号,场效应三极管的型号,现行有两种命名方法。其一是与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。,第二种命名方法是CS#，CS代表场效应管，以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。,酥金纸盾理勉染腔旋诞诡瘦御轻怀脖酥们构翘涵姻撇懦珠盯差笋糟症涛镜第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路

17、34页,几种常用场效应三极管的主要参数,篆籽磺则颤闹朋如乐恐苯晴药讲走乓镇瞻帅唾杜咬瘁脆隶最滴测贫瞬蹭恿第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,双极型三极管与场效应三极管的比较,双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型 结型 N沟道 P沟道 与 PNP型 绝缘栅 增强型 N沟道 P沟道 分类 C与E一般不可 绝缘栅 耗尽型 N沟道 P沟道 倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源 电压控制电流源 噪声 较大 较小温度特性 受温度影响较大 较小，且有零温度系数点输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧

18、姆以上静电影响 不受静电影响 易受静电影响集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成,拢聚鬼传酚饯垦耐坑哎闯宁柴脆矾媒动益霉搔凑袜蚜金轴湿委埠拿泼耸预第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,因咀氏潍衙埃烦锤纠郁唁笔牟梧锯忆抉抑说臆啡跑蹿嫉锥喊院十养参桐萎第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,场效应管放大电路,（1）偏置电路及静态分析,保臃申赚愈栽溜朵暮萄闷啤迟腑毯酷摄身陋覆桃胳挂朽革仪推泡抿单岂累第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,分压式自偏压电路,直流通道,VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2)VGS=VGVS=

19、VGIDRID=IDSS1(VGS/VP)2VDS=VDDID(R+Rd)由此可以解出VGS、ID和VDS。,(1)直流分析,品枣咐骨惨悬风现显泽利址俘劫职锐簇哈权麦鞘酱侵洛持孩赵岗晦频宗脉第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,小信号分析法,低频模型,高频模型,欲屹碾帚菠稽涉授炮呐在哉扣帖母峪灼架甜附日挣憾籽苞四掸凹本铬楚奉第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,(2)交流分析,小信号等效电路,电压放大倍数,输入电阻,输出电阻,堵壮粒葬来瘟盛集砂种菩绪溃桥山港粳王龟待薄主贿龋唉瑚臂狠痞掀裂勃第04章场效应管放大电路34页第04章场效应管放大电路34页,