第07章存储器.ppt

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1、第7章 存储器 实训 EPROM7 的固化与擦除 71 概述 72 存储器的种类 73 存储器的应用 74 常用存储器IC简介 本章小结 习题7 返回主目录,第 7 章存储器,实训7 EPROM的固化与擦除 1 实训目的(1）掌握EPROM 2764的基本工作原理和使用方法。(2）学会使用ALL07编程器对EPROM进行数据的存入。(3）弄懂EPROM擦除的工作过程。,2 实训设备和器件 实训设备：80386电脑、ALL07编程器、紫外线擦除器、直流电源、示波器、单脉冲发生器各一台。实训器件：EPROM 2764一片、74LS161一片、发光二极管8个、510 电阻8个、导线若干、面包板一块。

2、3 实训电路图 实训电路图如图7.1所示。,图 7.1 实训 7 电路图,4 实训步骤与要求 1）插入芯片 在编程器中插入2764并固定，注意芯片一定要按照编程器上的标识插在正确的位置。打开编程器的电源开关。2）进入EPROM编程软件 打开计算机，执行ACCESS命令，即可进入编程程序，选择“EPROM”，执行EPROM的操作程序，进入到下一个界面，选择生产厂家和芯片型号。其中芯片的编程电压是一个重要的参数。所选择芯片的编程电压必须和所使用的2764的编程电压相同，一般有21 V，12.5 V和25 V几种。,3）检查2764的内容 选好合适的芯片类型并回车后，就进入到编程界面，在此选择“M”

3、和“T”也可以修改芯片的生产厂家和类型。键入“B”，可以检查2764的内容是否为空（BLANK CHECK）。检查后若显示“OK”，则说明2764的存储内容为空，可以进行步骤4）。否则说明2764中有信息，不能写入，需要擦除后再进行写入操作。擦除操作见步骤6）。,4）向2764写入内容 键入“4”，执行编辑缓冲器操作（EDIT BUFFER），回车后出现编辑界面。在该界面下可以显示2764的所有存储单元00001FFF的内容，未写入时全为1。可以根据自己的需要在相应的单元写入内容。为了测试写入以下内容：0000000F单元：FE FF FC FF F8 FF F0 FF E0 FF C0FF

4、80FF 00 FF 1000100F单元：FE FF FD FF FB FF F7 FF EF FF DF FFBF FF 7F FF 其他单元的内容不变，全为FF。这里0F代表十六制数。,5）2764内容测试 按照图7.1连接线路，接好电源，注意一定不要接错线。然后按照以下步骤进行测试：（1）2764的2脚接地。根据单脉冲发生器产生的脉冲可以看到，电路中的发光二极管的点亮规律为：1亮；全灭；1、2亮；全灭；1、2、3亮；全灭；，全亮；全灭，16个脉冲后又重新按照上述规律循环。,（2）2764的2脚接+5V。根据单脉冲发生器产生的脉冲可以看到，电路中的发光二极管的点亮规律为：1亮；全灭；2亮

5、；全灭；3亮；全灭；，8亮；全灭，8个发光二极管依次点亮，16个脉冲后又重新按照上述规律循环。,6）擦除2764中的内容并测试 取下电路中的2764，放进紫外线擦除器中，设定10min左右的定时时间，插上电源，开始对2764中的内容进行擦除。擦除结束，重复步骤1），2），3），可以看到2764中的内容为空。再插入实训电路中，所有发光二极管均不会点亮。,5 实训总结与分析（1）74LS161是一个 4 位二进制计数器，它的工作原理已在前面有关章节进行了介绍。2764是一个8 K8的存储器，共有8 K个字节，每个字节8位。有A0A12共13根地址线。当A0A12从0 0000 0000 00001

6、 1111 1111 1111变化时，对应于0000H1FFFH（H表示十六进制）单元，每个单元8位。2764的每个单元写入内容后，通过地址线选中某单元，可读出其中的8位信息。,（2）分析步骤4）所写入的内容。在0000H单元写入的内容为11111110（FEH）。当读出该单元内容时，由实训电路可知，1发光二极管的负极接低电平，因此1发光二极管点亮。对0000H000FH和1000H100FH单元，按照同样的方法分析，可以得出其点亮规律。（3）对于步骤5）的第（1）种情况，A12和A4A11都接地，当74LS161对脉冲计数时，2764的A0A3地址线状态按照00001111的规律循环，因此依

7、次选中2764的单元为00000000000000000000001111，,即2764的0000H000FH单元，所以按照步骤5）的第（1）种规律点亮。（4）对于步骤5）的第（2）种情况，A12接Vcc，A4A11仍然接地，当74LS161对脉冲计数时，使2764的A0A3地址线状态按00001111的规律循环，因此依次选中2764的单元为10000000000001000000001111，即2764的1000H100FH单元，所以按照步骤5）的第（2）种规律点亮。,（5）将EPROM中的内容擦除后，所有单元都为1，即所有单元的内容全部都为FFH。再将2764接入实训电路中，由于发光二极管

8、负极接的都是高电平，所以均不亮。由以上分析可知，EPROM是一种可改写的只读存储器，通过地址线的选择，可选中相应的存储单元并读出其中数据，同时也观察到EPROM的数据是可以通过紫外线擦除，并重新写入的。,7.1概述,在实际应用中，存储器也是数字系统和计算机中不可缺少的组成部分，用来存放数据、资料及运算程序等二进制信息。若干位二进制信息（例如实训中所使用的2764就是8位的存储器）构成一个字节。一个存储器能够存储大量的字节。实训中2764能够存储8 K个字节，其存储容量为8 K8=64 KB。“2764”中的“64”就代表了存储器芯片的容量。,72 存储器的种类,721 随机存取存储器RAM 7

9、22 ROM,7.2存储器的种类,按照内部信息的存取方式，存储器通常可以分为随机存取存储器RAM和只读存储器ROM；RAM按刷新方式可分为静态存储器SRAM和动态存储器DRAM；ROM按数据输入方式可分为掩膜ROM、可编程PROM和EPROM等。,7.2.1 随机存取存储器RAM 随机存取存储器RAM用于存放二进制信息（数据、程序指令和运算的中间结果等）。它可以在任意时刻，对任意选中的存储单元进行信息的存入（写）或取出（读）的信息操作，因此称为随机存取存储器。其结构示意图如图7.2所示。,图 7.2 RAM结构示意图,1.RAM的结构 随机存取存储器一般由存储矩阵、地址译码器、片选控制和读/写

10、控制电路等组成，见图7.2所示。1）存储矩阵 该部分是存储器的主体，由若干个存储单元组成。每个存储单元可存放一位二进制信息。为了存取方便，通常将这些存储单元设计成矩阵形式，即若干行和若干行若干列例如，一个容量为2564（256个字，每个字4位）的存储器，共有1 024个存储单元，这些单元可排成如图7.3所示的32行32列的矩阵。,图 7.3车RAM存储矩阵,员图7.3中，每行有32个存储单元（圆圈代表存储单元），每4个存储单元为一个字，因此每行可存储8个字称为8个字列。每根行选择线选中一行，每根列选择线选中一个字列。因此，该RAM存储矩阵共需要32根行选择线和8根列选择线。2）地址译码器 由上

11、所述，一片RAM由若干个字组成（每个字由若干位组成，例如4位、8位、16位等）。通常信息的读写是以字为单位进行的。,为了区别不同的字，将存放同一个字的存储单元编为一组，并赋予一个号码，称为地址。不同的字具有不同的地址，从而在进行读写操作时，便可以按照地址选择欲访问的单元。地址的选择是通过地址译码器来实现的。在存储器中，通常将输入地址分为两部分，分别由行译码器和列译码器译码。例如，上述的2564 RAM的存储矩阵，256个字需要8根地址线（A7A0）区分（28=256）。,其中地址码的低5位A4A0作为行译码输入，产生25=32根行选择线，地址码的高3位A7A5用于列译码，产生23=8根列选择线

12、。只有当行选择线和列选择线都被选中的单元，才能被访问。例如，若输入地址A7A0为00011111时，位于X31和Y0交叉处的单元被选中，可以对该单元进行读写操作。,3）读/写与片选控制 数字系统中的RAM一般由多片组成，而系统每次读写时，只选中其中的一片（或几片）进行读写，因此在每片RAM上均加有片选信号线。只有该信号有效=0）时，RAM才被选中，可以对其进行读写操作，否则该芯片不工作。某芯片被选中后，该芯片执行读还是写操作由读写信号 控制。图7.4所示为片选与读写控制电路,图 7.4 片选与读写控制电路,当片选信号=1时，三态门G1，G2，G3均为高阻态,中不能进行读或写操作。当片选信号=0

13、时，芯片被选中。若=1，则G3导通，G1、G2高阻态截止。此时若输入地址A7A0为00011111，于是位于31，0的存储单元所存储的信息送出到I/O 端，存储器执行的是读操作；若=0，则G1、G2导通，G3高阻态截止，I/O端的数据以互补的形式出现在数据线D、上，并被存入31，0存储单元，存储器执行的是写操作。,2.RAM的存储单元 RAM的核心元件是存储矩阵中的存储单元。按工作原理分，RAM的存储单元可分为静态存储单元和动态存储单元。1）静态存储单元(SRAM)图7.5是六管CMOS静态存储单元。图中CMOS反相器V1，V2和CMOS反相器V3，V4交叉反馈构成基本RS触发器，用于存储一位

14、二进制信息。,图 7.5 六管CMOS静态存储单元,V5，V6管是由行线Xi控制的门控管，控制触发器与位线的接通与断开。上述 6 只MOS管构成了一个静态存储单元，故称为六管静态存储单元。另外，图中还画出了该单元所在列线Yj的列控制门Vj,Vj。它控制该列位线与D、的通断，因为Vj,Vj属列内各单元公用，故不计入存储单元的器件数目。,采用六管CMOS静态存储单元的常用静态RAM芯片有6116（2 K8）、6264（8 K8），62256（32 K8）等。这些芯片由于采用了CMOS，故它的静态功耗极小。当它们的片选端加入无效电平时，立即进入微功耗保持数据状态，这时只需2V的电源电压，540 uA

15、的电流，就可以保存原存数据不丢失。因此在交流电源断电时，可以用小型锂电池供电，以长期保存所存储的信息，从而弥补了其他半导体存储器断电后信息消失的缺点。,六管NMOS静态存储单元的电路结构与图7.5基本相同，只是两个反相器均改为NMOS反相器采用NMOS静态存储单元的常用静态RAM芯片有2114（1 K4）、2128（2 K8）等。NMOS静态RAM功耗极大，而且无法实施断电保护。2）动态存储单元DRAM RAM动态存储单元，是利用MOS管栅极电容的暂存作用来存储信息的，考虑电容器上的电荷不可避免地因漏电等因素而损失，为保持原存储信息不变，需要不间断地对存储信息的电容定时地进行充电（也称刷新）。

16、,动态RAM 8118是采用三管动态存储单元的一种,它的存储容量为16 K1位。动态存储单元比静态存储单元所用元件少、集成度高，适用于大容量存储器。静态存储单元虽然使用元件多，集成度低，但不需要刷新电路，使用方便，适用于小容量存储器。,随着新技术的开发，目前静态存储单元的集成度已大大提高，再加上采用CMOS，功耗和速度指标得以改善而倍受用户青睐。现在用的64 K静态RAM，每片功耗只有10 mW，其维持功耗可低至15 nW,完全可用电池作后备电源，构成不挥发存储器。,3 RAM的扩展 一片RAM的存储容量是一定的。在数字系统或计算机中，单个芯片往往不能满足存储容量的需要，因此就要将若干个存储器

17、芯片组合起来，以扩展存储器容量，从而达到要求。RAM的扩展分为位扩展和字扩展两种。,1）位扩展 RAM的地址线为n条，则该片RAM就有2n个字，若只需要扩展位数不需扩展字数时，说明字数满足了要求，即地址线不用增加。扩展位数，只需把若干位数相同的RAM芯片地址线共用，线共用，片选 线共用，每个RAM的I/O端并行输出，即实现了位扩展。,例 7.1 试用1 0241 RAM扩展成1 0248存储器。解 扩展为10248存储器需要10241 RAM的片数为 N=8（片）只要把 8 片RAM的十位地址线并联在一起,线并联在一起,片选 线也并联在一起,每片RAM的I/O端并行输出到10248存储器的I/

18、O端作为数据线I/O0I/O7，即实现了位扩展，连接图如图7.6所示。,图 7.6 用1 0241 RAM组成1 0248存储器,2）字扩展 在存储器的数据位数满足要求而字数达不到要求时，需要字扩展。字数若增加，地址线需要做相应的增加，下面举例说明。例 7.2试用2564 RAM扩展成1 0244存储器。解 需用的2564 RAM芯片数为 N=4（片）,4片芯片的I/O线、线并联在一起使用。各芯片的8位地址线A7A0 也都并联在一起。因为字数扩展4倍，故应增加两位高位地址线A8、A9，可以通过外加译码器控制芯片的片选输入端 来实现。增加的地址线A8、A9与译码器的输入相连，译码器的低电平输出分

19、别接到4片RAM的片选输入端。当A9A8A7A0为00000000000011111111时，芯片1的=0被选中，可以对该片的256个字进行读写操作；,当A9A8A7A0为01000000000111111111时，芯片2的=0被选中，可以对该片的256个字进行读写操作；当A9A8A7A0为10000000001011111111时，芯片3的=0被选中，可以对该片进行读写操作；当0000001111111111时，芯片4的=0被选中，可以对该片进行读写操作，电路连接图如图7.7所示。,图 7.7 用2564 RAM组成10244存储器,3)RAM的字位同时扩展 例 7.3试把642 RAM扩展

20、为2564存储器。解2564 RAM需642 RAM的芯片数为 N=8（片）对于字、位同时扩展的RAM，一般先进行位扩展后再进行字扩展。先将642 RAM扩展为644 RAM，此位数增加了 1 倍，需两片642 RAM组成644 RAM；,字数由64扩展为256，即字数扩展了4倍，故应增加两位地址线。通过译码器产生4个相应的低电平分别去连接4组644 RAM的片选端。这样2564 RAM的地址线由原来的6条A5A0扩展为8条A7A0。电路连接图如图7.8所示。,图 7.8 642 RAM组成2564存储器,7.2.2 ROM 前面讨论的随机存取存储器，无论是静态的还是动态的，当电源断电时，存储

21、的信息便消失，具有易失性。而在计算机中，有一些信息需要长期存放，例如常数表、函数、固定程序、表格和字符等，因此需要一种存储器来长期保存信息，只读存储器ROM就是这样的一种存储器。其特点是在数据存入后，只能读出其中存储单元的信息，但不能写入，,断电后不丢失存储内容，故称只读存储器ROM（ReadOnly Memory）。实训中使用的2764就是一种ROM，其内容一旦写入就不会丢失，除非使用紫外线照射。只读存储器可分为以下几类：掩膜ROM：这种ROM在制造时就把需要存储的信息用电路结构固定下来，使用中用户不能更改其存储内容，所以又称固定存储器。,可编程ROM（PROM）：PROM存储的数据是由用户

22、按自己的需求写入的，但只能写一次，一经写入就不能更改。可改写ROM（EPROM、E2PROM、FlashMemory）：这类ROM由用户写入数据（程序），当需要变动时还可以修改，使用较灵活。根据逻辑电路的特点，ROM属于组合逻辑电路，即给一组输入（地址），存储器相应地给出一种输出（存储的字）。因此要实现这种功能，可以采用一些简单的逻辑门。,1.掩膜ROM 掩膜ROM，又称固定ROM，这种ROM在制造时，生产厂利用掩膜技术把信息写入存储器中。按使用的器件可分为二极管ROM、双极型三极管ROM和MOS管ROM三种类型。在这里主要介绍二极管掩膜ROM。图7.9(a)是44的二极管掩膜ROM，它由地址

23、译码器、存储矩阵和输出电路 3 部分组成。,地址译码器采用单译码方式，其输出为 4 条字选择线W0W3。当输入一组地址，相应的一条字线输出高电平。存储矩阵由16个存储单元组成，每个十字交叉点代表一个存储单元，交叉处有二极管的单元，表示存储数据为“1”，无二极管的单元表示存储数据为“0”。输出电路由 4 个驱动器组成，四条位线经驱动器由D3D0输出。,例如，当输入地址码A1A0=10时，字线W2=1，其余字选择线为0，W2字线上的高电平通过接有二极管的位线使D0、D3为1，其他位线与W2字线相交处没有二极管，所以输出D3D2D1D0=1001，根据图7.9的二极管存储矩阵，可列出对应的真值表如表

24、7.1。所示这种ROM的存储矩阵可采用如图7.9(b)所示的简化画法。有二极管的交叉点画有实心点，无二极管的交叉点不画点。,显然，ROM并不能记忆前一时刻的输入信息，因此只是用门电路来实现组合逻辑关系。实际上，图7.9(a)的存矩矩阵和电阻R组成了 4 个二极管或门，以D2为例，为例二极管或门电路如图7.9(c)所示，D2=W0+W1，因此属于组合逻辑电路。用于存储矩阵的或门阵列也可由双极型或MOS型三极管构成，在这里就不再赘述，其工作原理与二极管ROM相同。,图79 44 二极管掩膜ROM,表71 二极管存储器矩阵的真值表,2.可编程PROM 可编程PROM封装出厂前，存储单元中的内容全为“

25、1”（或全为“0”），用户可根据需要进行一次性编程处理，将某些单元的内容改为“0”（或“1”）。图7.10是PROM的一种存储单元,它由三极管和熔丝组成。存储矩阵中的所有存储单元都具有这种结构。出厂前，所有存储单元的熔丝都是通的，存储内容全为“1”。,图 7.10 一种PROM存储单元,用户在使用前进行一次性编程。例如，若想使某单元的存储内容为“0”，只需选中该单元后，再在EC端加上电脉冲，使熔丝通过足够大的电流，把熔丝烧断即可。熔丝一旦烧断将无法接上，也就是一旦写成“0”后就无法再重写成“1”了。因此PROM只能编程一次，使用起来很不方便。可改写ROM（EPROM）则克服了这一缺点。,3.紫

26、外线可擦除EPROM EPROM是另外一种广泛使用的存储器。EPROM可以根据用户要求写入信息，从而长期使用。当不需要原有信息时，也可以擦除后重写。若要擦去所写入的内容，可用EPROM擦除器产生的强紫外线，对EPROM照射20分钟左右，使全部存储单元恢复“1”，以便用户重新编写。常用的EPROM有2716、2732 27512等，即型号以27打头的芯片都是EPROM。实训中使用的2764就属于这一类型。,4.E2PROM E2PROM是近年来被广泛使用的一种只读存储器，被称为电擦除可编程只读存储器，有时也写作EEPROM。其主要特点是能在应用系统中进行在线改写，并能在断电的情况下保存数据而不需

27、保护电源。特别是最近的+5 V电擦除E2PROM，通常不需单独的擦除操作，可在写入过程中自动擦除，使用非常方便。以28打头的系列芯片都是E2PROM。,5.Flash Memory 闪速存储器Flash Memory又称快速擦写存储器或快闪存储器，是由Intel公司首先发明，近年来较为流行的一种新型半导体存储器件。它在断电的情况下信息可以保留，在不加电的情况，信息可以保存10年，可以在线进行擦除和改写。Flash Memory是在E2PROM上发展起来的，属于E2PROM类型，其编程方法和E2PROM类似，但Flash Memory不能按字节擦除。,Flash Memory既具有ROM非易失性

28、的优点，又具有存取速度快、可读可写，具有集成度高、价格低、耗电省的优点，目前已被广泛使用。Flash Memory的型号也以28打头。6 串行E2PROM 上述介绍的存储器都是并行的，每块芯片都需要若干根地址总线和8位的数据总线。为了节省总线的引线数目，可以采用串行总线的E2PROM，即不同于传统存储器的串行E2PROM芯片。,对于二线制总线E2PROM，它用于需要I2C总线的应用中，目前较多的应用在单片机的设计中。器件型号以24或85打头的芯片都是二线制I2C串行E2PROM。其基本的总线操作端只有两根：串行时钟端SCL和串行数据/地址端SDA。在SDA端根据I2C总线协议串行传输地址信号和

29、数据信号。串行E2PROM的优点是引线数目大大减少，目前已被广泛使用。,7.3 存储器的应用,存储器用于存放二进制信息（数据、程序指令、运算的中间结果等），同时还可以实现代码的转换、函数运算、时序控制以及实现各种波形的信号发生器等。1.存储数据、程序 在单片机系统中，都含有一定单元的程序存储器ROM（用于存放编好的程序和表格常数）和数据存储器RAM图7.11是以EPROM 2716作为外部程序存储器的单片机系统。图7.12是用6116组成的单片机外部数据存储器。,图 7.11 单片机系统的外部程序存储器（用2716）,图 7.12 单片机系统的外部数据存储器（用6116）,2.ROM实现逻辑函

30、数 ROM除用作存储器外，还可以用来实现各种组合逻辑函数。若把ROM的n位地址端作为逻辑函数的输入变量，则ROM的n位地址译码器的输出，是由输入变量组成的2n个最小项，而存储矩阵是把有关的最小项相或后输出，即获得输出函数。例 7.4 用PROM组成一个码制变换器把 4 位二进制码转换成格雷码，如表7.2所示。,表7.2,续表（2）,解把表中的B3、B2、B1、B0定义为地址输入量，格雷码G3、G2、G1、G0定为输出量，存储矩阵的内容由具体的格雷码决定，则该PROM的容量为164。按表7.2给定的输出值对可编程的存储矩阵进行编程，烧断应该存“0”的单元中的熔丝。例如B3B2B1B0=0010时

31、，字线W2为高电平，输出为G3G2G1G0=0011，故应保留W2和G1G0交叉点上的熔丝“”，,烧掉W2和G3G2交叉点上的熔丝点。根据这种方法，实现如图7.13所示的PROM编程图，这也是表7.2的一种熔丝图表示。从上述例子看出，用PROM能够实现任何与或标准式的组合逻辑函数。方法非常简单，只要列出该函数的真值表，使其有关的最小项相或，即可直接画出存储矩阵的编程图。,图 7.13 ROM实现码制转换,3.用ROM（2716）实现的信号发生器 将各种复杂的电压波形，例如三角波、正弦波等数据存入2716，然后再周期性的顺序取出某一波形的数据，就可获得这种波形。下面以三角波为例说明其实现方法。三

32、角波如图7.14所示。在图中我们取256个值代表波形的变化情况。在水平方向的256个点顺序取值，按照二进制送入EPROM 2716（2K8位）的地址端A0A7，地址译码器的输出为256个；垂直方向的取值也转换成二进制数。,由于2716是8位的，所以要将其转换成8位二进制数。将这256个二进制数通过用户编程的方法，写入对应的存储单元，如表7.3所示。将2716的高三位地址A8A9A10取为0，则该三角波占用的地址空间为 000 0000 0000000 1111 1111，共256个。,图 7.14 三角波,表 7.3 三角波存储表,三角波发生器的电路图如图7.15所示。2716的低8位地址码A

33、0A7，由两片T1161构成的8位二进制计数器提供,使该地址码按自然数的顺序，从0变到255，然后再从0开始，不断循环。同时，与其对应的三角波函数值也就顺序地从D0D7输出，并不断循环。在经过数字/模拟转换器（参见第9章）后，即可在u0端获得周期性重复的三角波。图中A8A9A10分别通过开关S1、S2、S3接地。改变开关的通断，可以得到8个不同的地址空间。若在这8个空间分别写入8种波形的数据，则可显示8种不同的波。,图 7.15 波形发生器电路图,7.4常用存储器IC简介,在集成电路中，有多种类型的RAM和ROM。它们主要在存储容量、工作方式和编程电压等方面有所不同，其他方面基本相同。本节主要

34、介绍常用的随机存取存储器6116和可编程EPROM 2764集成电路。,1.6116芯片 6116是一种典型的CMOS静态RAM,其引脚如图7.16所示。图中A0A10是11条地址输入线，D0D7是数据输入/输出端。显然，6116可存储的字数为211=2 048（2 K）字长为8位，其容量为2 048字8位/字=16 384位；为片选端，低电平有效；为输出使能端，低电平有效；为读/写控制端。电路采用标准的24脚双列直插式封装，电源电压为5 V，输入、输出电平与TTL兼容,图 7.16 6116引脚图,图 7.17 2764引脚图,6116有 3 种工作方式：（1）写入方式。当=0，=1，=0时

35、，数据线D0D7上的容存入A0A10相应的单元。（2）读出方式。当=0，=0，=1时，A0A10相应单元的内容输出到数据线D0D7。（3）低功耗维持方式。当=1时，芯片进入这种工作方式，此时器件电流仅20 A左右，为系统断电时用电池保持RAM内容提供了可能性。,2.EPROM 2764芯片简介 2716（2 K8位）、2732（32 K8位）、27512（64 K8位）等EPROM集成芯片，除存储容量和编程高电压等参数不同外，其他参数基本相同。2764是一个8 K8位的紫外线可擦除可编程ROM集成电路。其引脚图如图7.17所示。2764共有213个存储单元，存储容量为8 K8位。2764有13

36、根地址线A0A12，8根数据线D0D7，3 条控制线、和，以及编程电压VPP、电源VCC和地GND等。764有5种工作方式，如表7.4所示。,表 7.4 EPROM 2764的工作方式,表 7.5 常用集成存储器,存储器是现代数字系统中重要的组成部分，主要分为RAM和ROM两大类。RAM是随机存取存储器，其存储的信息随电源断电而消失，因而是一种易失性的读写存储器。其存储单元主要有静态和动态两大类，静态RAM的信息可以长久保持，而动态RAM必须定期刷新。ROM是一种非易失性的存储器，它存储的是固定信息，只能被读出，常见的有固定ROM、PROM、EPROM、EEPROM等，而EPROM、EEPRO

37、M更为常见。,本章小结,习题7,7.1 RAM 2114（1 0244位）的存储矩阵为6464，它的地址线、行选择线、列选择线、输入/输出数据线各是多少？7.2 现有容量为2568 RAM一片，试回答：（1）该片RAM共有多少个存储单元？（2）RAM共有多少个字？字长多少位？（3）该片RAM共有多少条地址线？（4）访问该片RAM时，每次会选中多少个存储单元？,7.3 试用2114（1 0244）扩展成1 0248的RAM，画出连接图。7.4 把2564 RAM扩展成1 0244的RAM，说明各片的地址范围。7.5 把2562 RAM扩展成5124的RAM，说明各片的地址范围。7.6 ROM和PROM、EPROM及E2PROM有什么相同和不同之处。7.7 已知ROM的阵列图如图7.18所示，请写出该图的逻辑函数表达式，并说明其逻辑功能。,7.8 试用83 PROM实现下列逻辑函数的阵列图：F1(A,B,C)=F2(A,B,C)=(2,4,5,7)F3(A,B,C)=,图 7.18 题7.7用图,