单晶硅电池生产工艺.ppt
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1、电池工艺流程,1 化学清洗,原片分拣,去损伤层,制作绒面,盐酸清洗,2 扩散刻蚀,扩散制结,刻蚀去边,去PSG层,3 制减反膜,PECVD设备,4 印刷电极,5 烧结,6 分选,印刷正极,印刷背场,印刷负极,把正负极和硅片烧在一起以便导电,APCVD设备或手工喷涂,印刷视频,清洗工艺,1 原片分拣(1)根据电阻率把电池分类。硅片常见电阻率分类0.5-6,0.5-3,3-6。(2)把藏片,厚片,薄片,缺损片,厚度不均匀片取出2 去损伤层:Si+2NaOH(30%)+H2O Na2SiO3+2H2,原叫减薄(原来硅片太厚,300m,目前18020 m)。思考:为什么硅片厚度会由300降低到180?
2、3 制绒 Si+2NaOH(0.8%-1.3%)+H2O Na2SiO3+2H2,溶液中加有酒精或异丙醇,增加各向异性引子,加速形成金字塔。85左右,时间10-50分钟 4 盐酸洗(V浓盐酸:V水=1:6)或盐酸(37%)双氧水(30%)混合洗(II号清洗液)(V浓盐酸:V双氧水:V水=1:1:6)85左右,清洗5-20分钟。盐酸具有酸和络合剂的双重作用,氯离子能与 Pt 2+、Ag+、Cd2+、Hg2+等金属离子形成可溶于水的络合物。5 HF洗(VHF:V水=1:10),室温,5-10分钟。有些厂家不用。,返回首页,两张多晶硅绒面显微照片,扩散,POCl3在高温下(600)分解生成五氯化磷(
3、PCl5)和五氧化二磷(P2O5),其反应式如下如果氧气充足,PCl5能和氧继续反应生成Cl2和P2O5。为了避免产生PCl5,应通入适量氧气。等离子刻蚀硅扩散后硅片表面有磷硅玻璃产生。SiO2混合P和P2O5。用HF清洗掉表面的磷硅玻璃。HF和水体积比1:10 偏磷酸 P2O5+H2O-2HPO3H3PO4-HPO3+H2O,返回首页,钛酸丁酯(Ti(OC2H5)4)无色至浅黄色液体。在-55时为玻璃状固体,置空气中易固化成透明细片。遇水分解。形成TiO2膜层的主要物质。,氮化硅膜的颜色与厚度的对比表,返回首页,返回首页,红外加热灯管 卤钨灯纵向温度分布曲线 横向温度的稳定性连续和非连续放片
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