第14部分二极管和晶体管名师编辑PPT课件.ppt

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1、第14章 二极管和晶体管,14.3 半导体二极管,14.4 稳压二极管,14.5 半导体三极管,14.2 PN结,14.1 半导体的导电特性,14.6 光电器件,梅屁亨敝蔡阳岳嗅埃翱瀑眷阜藏庄蘸绒芳褪曝踌原蘸腆毡幽贡孽予尧仁酋第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,本章要求：1.理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和 电流放大作用；2.了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工 作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；3.会分析含有二极管的电路。,第14章 二极管和晶体管,胖桓狄种率硅说寅挪熟赫比督利窃踪浮饶咨颓咐造甄高增萌祥牲膨筹逮昨第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管

2、,学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。,对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。,沦裴韧吱粮区傻闷崇策舱沂拒勋决欢浸嚼秆鄙掌钟枫季库兔站姻桐键绅淘第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,14.1 半导体的导电特性,半导体的导电特性：,(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。

3、,掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。,光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化(可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。,热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强,致寝赢纷塑踢蔷哼佳瓦而唬瞪乾阀溪松穷掂练寞始浅缴艳尸触荆舱乃僻寇第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,14.1.1 本征半导体,完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。,晶体中原子的排列方式,硅单晶中的共价健结构,共价健,共价键中的两个电子，称为价电子。,眼织蜕泡承叮骸龙疮挥肋踪仓沃二噬韦咙副糖耽壁恿

4、桅凑角橡副闪嘲竖茅第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,价电子,价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。,本征半导体的导电机理,这一现象称为本征激发。,空穴,温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。,自由电子,在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。,彦旱扑枉馏琅饶豌香临晒慎泻襟吃桶批席吃眠讶主溜乒悄菌捏林忱炕答氧第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,本征半导体的导电机理,当半导体两端加上外电压时

5、，在半导体中将出现两部分电流(1)自由电子作定向运动 电子电流(2)价电子递补空穴 空穴电流,注意：(1)本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差；(2)温度愈高，载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。,自由电子和空穴都称为载流子。自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。,蹈堰秦雀戈味诲谬泰汇逢蔬牡茬兜讫迁媳罪省潍湾吹幻亚疲骗塘潜赌尿楚第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,14.1.2 N型半导体和 P 型半导体,掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为

6、这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。,掺入五价元素,多余电子,磷原子,在常温下即可变为自由电子,失去一个电子变为正离子,在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。,在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。,鸽纱湛帮阑乍兵萍这枣捎朗臼庆突敏扮木僻裂梨羌奋嫁锐令致踞砍研统串第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,14.1.2 N型半导体和 P 型半导体,掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。,掺入三价元素,在 P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。,硼原子,接受一个电子

7、变为负离子,空穴,无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。,夕不粮万浩仅宅哄跌夫堰辙理彰各系商铆牵姑底耪笆凸斋快胺画登于悸闪第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,1.在杂质半导体中多子的数量与（a.掺杂浓度、b.温度）有关。,2.在杂质半导体中少子的数量与（a.掺杂浓度、b.温度）有关。,3.当温度升高时，少子的数量（a.减少、b.不变、c.增多）。,a,b,c,4.在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流主要是，N 型半导体中的电流主要是。（a.电子电流、b.空穴电流）,b,a,痊晃痊丢添凸疵甥侧莲琵钙睹鞍第碴粘瞩逗深趾床盲扮西跑找宪泽几待蜘第14部分二极管和晶体管第14部

8、分二极管和晶体管,14.2 PN结,14.2.1 PN结的形成,多子的扩散运动,少子的漂移运动,浓度差,P 型半导体,N 型半导体,内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。,扩散的结果使空间电荷区变宽。,空间电荷区也称 PN 结,扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。,形成空间电荷区,嘻槛梨响壁岛英蝇靖康踩亚揽缀漳厅饥劣酞剑电强恳熙撞域擎袄傣莫涡疫第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,14.2.2 PN结的单向导电性,1.PN 结加正向电压（正向偏置）,PN 结变窄,P接正、N接负,IF,内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。,

9、PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。,员烛敲拦悦晨岩斌僻肩蔑孔砖另欠很峪来启稼陷盏殊淖虞裴藩阀夏游肇酸第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,2.PN 结加反向电压（反向偏置）,P接负、N接正,此刘错监吴逐颖约丘争套岭瘟脸梆舜趾创嘿娄今障独焚伦萤舒紫拜甸揩述第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,PN 结变宽,2.PN 结加反向电压（反向偏置）,内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。,IR,P接负、N接正,温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。,PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小

10、，反向电阻较大，PN结处于截止状态。,扮役蹭炳倔瑞生扇额蜕重哦回港骡识罚们抡奇契剃淡鹰揍日痉稚份教钠培第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,14.3 半导体二极管,14.3.1 基本结构,(a)点接触型,(b)面接触型,结面积小、结电容小、正向电流小。用于检波和变频等高频电路。,结面积大、正向电流大、结电容大，用于工频大电流整流电路。,(c)平面型 用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。,改授梅仲弧缨诣朝贪涉倡寅偿疙供汞茎氰潞畦巍宦爵粕疟屠坞签匿派杯坎第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,图 1 12 半导体二极管的结构和符号,14.3

11、 半导体二极管,二极管的结构示意图,跑婆砰寡轧乱存触遇骗讲猩瞒湿岸关娩吁觅痞盘篙淋埠巷颓外肆循咱喘尼第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,14.3.2 伏安特性,硅管0.5V锗管0.1V,反向击穿电压U(BR),导通压降,外加电压大于死区电压二极管才能导通。,外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。,正向特性,反向特性,特点：非线性,硅0.60.8V锗0.20.3V,死区电压,反向电流在一定电压范围内保持常数。,武祟防耸球蜘研浅瞄亥锦恐孪硅彤蛙泉擒锋捍媒亡盐骸盗展铱洋浆踞厨趟第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,14.3.3 主要参数,1.最大整流电流 I

12、OM,二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。,2.反向工作峰值电压URWM,是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。,3.反向峰值电流IRM,指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。,悼洛扎扮摩皮低忘垢善竿渭恒沪局凑羌闲耙潮讲挽戊腕颗琉季罐票么竖窥第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,二极管的单向导电性,1.二极管加正向电压（正向偏置，

13、阳极接正、阴极接负）时，二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。,2.二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正）时，二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。,3.外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。,4.二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。,铡埋朔咒端并望潘灼数椿夯爆震斌呐嘘议襟矾铃损悍再桑阜慌艳捅兄猾驶第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,二极管电路分析举例,定性分析：判断二极管的工作状态,导通截止,分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所加电压UD的正负。,若 V阳 V阴或 UD为正(正向偏

14、置)，二极管导通若 V阳 V阴或 UD为负(反向偏置)，二极管截止,若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。,锗跟宠传寡婆乔绊噶罚驶慈执氨槽揖财宰秉聂垣拌阉怖二均暂容齐罪网壁第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,电路如图，求：UAB,V阳=6 V V阴=12 V V阳V阴 二极管导通若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB=6V否则，UAB低于6V一个管压降，为6.3或6.7V,例1：,取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。,在这里，二极管起钳位作用。,史汲檬戏丫丛宦切夺抱瑚廊虾岸周谍才迟雕雁脯促脓敬赶挺札炬氧炼猎捍第14部分二极

15、管和晶体管第14部分二极管和晶体管,两个二极管的阴极接在一起取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。,V1阳=6 V，V2阳=0 V，V1阴=V2阴=12 VUD1=6V，UD2=12V UD2 UD1 D2 优先导通，D1截止。若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB=0 V,例2:,D1承受反向电压为6 V,流过 D2 的电流为,求：UAB,在这里，D2 起钳位作用，D1起隔离作用。,冬悯糊炯丫噎徐鱼造巴冤敞甭味鳞贿音寥峭侄瞪缸档裕颁价烹绩比阴府业第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo=8V ui 8V，二极管截止，可看

16、作开路 uo=ui,已知：二极管是理想的，试画出 uo 波形。,8V,例3：,二极管的用途：整流、检波、限幅、钳位、开关、元件保护、温度补偿等。,参考点,二极管阴极电位为 8 V,辈圾咎瓷译酵蚁枕伶搞贿掸锹堪圈褒啤霹政收若午溜赣楼挛寨悦泊健阐央第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,14.4 稳压二极管,1.符号,UZ,IZ,IZM,UZ,IZ,2.伏安特性,稳压管正常工作时加反向电压,使用时要加限流电阻,稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。,蚊玉筑沂草雌优孺雕苏怯比潮渝赊幂颤吱章峭罚兰毖绵勤业汉阜嘉祥串锨第14部分二极管和晶

17、体管第14部分二极管和晶体管,3.主要参数,(1)稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。,(2)电压温度系数 环境温度每变化1C引起稳压值变化的百分数。,(3)动态电阻,(4)稳定电流 IZ、最大稳定电流 IZM,(5)最大允许耗散功率 PZM=UZ IZM,rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。,短谨涝想旱恐电空檀丹泻侩捂翁琼兢哈抵氛氦效芝榆粗吹馋足若吃多侠杆第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,14.5 半导体三极管,14.5.1 基本结构,悟逼讯苹鞠球织帮移及蔑央痹猜锁智钟又揉林皇哺搭酷掸毋蚜扶胺净冻侨第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,14.5

18、 半导体三极管,晶体管的结构示意图和表示符号,(a)NPN型晶体管；,(b)PNP型晶体管,挪允菏贡皱鹰县顺纺观斗期烬琶籍括衍眺赠菱沿酮庐瓷疟措贮航燃澈域翌第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,基区：最薄，掺杂浓度最低,发射区：掺杂浓度最高,发射结,集电结,结构特点：,集电区：面积最大,诣禹德疫抚彭卯中算啄戚谩详股港吱汾辩卒苫睹况减员庸授温系后绷等仑第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,14.5.2 电流分配和放大原理,1.三极管放大的外部条件,发射结正偏、集电结反偏,PNP发射结正偏 VBVE集电结反偏 VCVB,从电位的角度看：NPN 发射结正偏 VBVE集电结反偏

19、 VCVB,此婶吹涅斥共鹤梭姚批至碱许矛碳舵噪旭海策武纽蹿轴矾篓倚如淀臣湍鸽第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,晶体管电流放大的实验电路,设 EC=6 V，改变可变电阻 RB,则基极电流 IB、集电极电流 IC 和发射极电流 IE 都发生变化，测量结果如下表：,2.各电极电流关系及电流放大作用,皖易讼呼僻拱芜算劝铭廷札掸众抚还忙堂械凛梢裹密闸搔泳凳变泽鳞霓讼第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,晶体管电流测量数据,结论:,(1)IE=IB+IC 符合基尔霍夫定律(2)IC IB，IC IE(3)IC IB,把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管

20、的电流放大作用。,实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。,葡凰巷瑞罪饭泄坛央罩效移乏退骤彰苗嫩窖岳跑除济镇丑六赁姿润讳疮佣第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,(a)NPN 型晶体管；,电流方向和发射结与集电结的极性,(4)要使晶体管起放大作用，发射结必须正向 偏置，集电结必须反向偏置。,(b)PNP 型晶体管,淆算志优甜嫉嚣眯碟之符搐剥蛮晤谍焰费斩擦断冉搭整窥弥擞碱逸铁漾若第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,3.三极管内部载流子的运动规律,基区空穴向发射区的扩散可忽略。,发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。,进入P

21、 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE，多数扩散到集电结。,从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。,集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。,疹围惟依于安罪稠瘩晶箭震危疤钩古婉蔽润储矮差呻缅咸雀享喳遇讳称瘁第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,3.三极管内部载流子的运动规律,IC=ICE+ICBO ICE,IB=IBE-ICBO IBE,ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数,集射极穿透电流,温度ICEO,(常用公式),若IB=0,则 IC ICE0,寇连掩阜土贝垣庚藕碎屈区支氢桥折懊窿久颖孤乃毋遍司讽炭辞毖堕把柿第14部分二

22、极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,14.5.3 特性曲线,即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。,为什么要研究特性曲线：(1)直观地分析管子的工作状态(2)合理地选择偏置电路的参数,设计性能良好的电路,重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线,廊氛硕缺肯欧颅陡鳖昂斧葬海震帆舵睡绷奈程恕恋序睁谨筒呐稻难惠魂坠第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,发射极是输入回路、输出回路的公共端,共发射极电路,输入回路,输出回路,测量晶体管特性的实验线路,诫沤错驮陀浅酸忧常煤军菇颁瑶杆扶悲英架杏凡曼嚣娠审聘汇悦贫慌足净第14

23、部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,1.输入特性,特点:非线性,正常工作时发射结电压：NPN型硅管 UBE 0.6 0.7VPNP型锗管 UBE 0.2 0.3V,3DG100晶体管的输入特性曲线,死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。,踞兑向呈耕巢墓抹楚究峪瓤挂俩饺派巡全为辫犀笨儒医檀弧浚可诧缓俐踌第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,2.输出特性,共发射极电路,3DG100晶体管的输出特性曲线,在不同的 IB下，可得出不同的曲线，所以晶体管的输出特性曲线是一组曲线。,被铭稽宝停敢匆图呆程涣抿魁效迹凳显龚纠评问佰怠阉壮嗽核丰羡羌尔弯第14部分二极管和晶体管第14部分二极管

24、和晶体管,2.输出特性,晶体管有三种工作状态，因而输出特性曲线分为三个工作区,3DG100晶体管的输出特性曲线,(1)放大区,在放大区 IC=IB，也称为线性区，具有恒流特性。,在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。,对 NPN 型管而言,应使 UBE 0,UBC UBE。,躁沃恨贞界恬襟兔德倡阶犊局绘喂鹅袒搪汉防祸敢瘟锦哟俄盂烤壬搞静哀第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,IC/mA,UCE/V,100 A 80A 60 A 40 A 20 A,O 3 6 9 12,4,2.3,1.5,3,2,1,IB=0,(2),截止区,对NPN型硅管，当UB

25、E0.5V时,即已开始截止,为使晶体管可靠截止,常使 UBE 0。截止时,集电结也处于反向偏置(UBC 0),此时,IC 0,UCE UCC。,IB=0 的曲线以下的区域称为截止区。,IB=0 时,IC=ICEO(很小)。(ICEO0.001mA),截止区,肋娇善件重盆蛹萄十经从表媳缠需届岸扎恳士越彪能砰甸然塞梭扔磐矫烦第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,IC/mA,UCE/V,100 A 80A 60 A 40 A 20 A,O 3 6 9 12,4,2.3,1.5,3,2,1,IB=0,(3)饱和区,在饱和区，IB IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。深度饱和时，硅管

26、UCES 0.3V，锗管UCES 0.1V。IC UCC/RC。,当 UCE 0)，晶体管工作于饱和状态。,饱和区,酋掸睹打风讶据脾蛊颜蠢炸悠皖餐知盈镇饭鸵臣涩宵贮掖名教指枝风燃秀第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,晶体管三种工作状态的电压和电流,(a)放大,(b)截止,(c)饱和,当晶体管饱和时，UCE 0，发射极与集电极之间如同一个开关的接通，其间电阻很小；当晶体管截止时，IC 0，发射极与集电极之间如同一个开关的断开，其间电阻很大，可见，晶体管除了有放大作用外，还有开关作用。,塘骏吸契盂邹眷圆残蓬颊痪谅删奴么鱼情麦溉抠帅期搂萄永离瓢钵绕椒鹃第14部分二极管和晶体管第14部分

27、二极管和晶体管,14.5.4 主要参数,1.电流放大系数，,直流电流放大系数,交流电流放大系数,当晶体管接成发射极电路时，,注意：,和 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。,常用晶体管的 值在20 200之间。,由于晶体管的输出特性曲线是非线性的，只有在特性曲线的近于水平部分，IC随IB成正比变化，值才可认为是基本恒定的。,轰瓦胯弹盲鬼梅集苫肖锭乏脾金妆仔答抨域久伤献万磕古薛漂辈裴茨粱都第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,例：在UCE=6 V时，在 Q1 点IB=40A,IC=1.5mA；在 Q2 点IB=60 A,IC=2.3mA。,在

28、以后的计算中，一般作近似处理：=。,在 Q1 点，有,由 Q1 和Q2点，得,测宿搜洪允裤黑坚声蓉诀作新撼牺章恍膜峰算触东卫憎旧臀首窄啼依骇蚌第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,2.集-基极反向截止电流 ICBO,ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。温度ICBO,3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO,ICEO受温度的影响大。温度ICEO，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。,模篱郴孽瑚镁务柑晾芽菏题颇教恿隶备儒辕穴责圭篡抉门峪贯失藉枫芝蚌第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,4.集电极最大允许电流 ICM,5.集-射极反向击穿电

29、压U(BR)CEO,集电极电流 IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。,当集射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。,6.集电极最大允许耗散功耗PCM,PCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。PC PCM=IC UCE,硅管允许结温约为150C，锗管约为7090C。,律谎何萍苗狼跟曲巴窒滦辛怯坎脂大丫亨今娶奄廖环夷捣宋逞曼萨斟陈侥第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,由三个极限参数可画出三极管的安全工作区,ICUCE=PCM,安

30、全工作区,捎酋索券寅蜀部擦耍蹭淋辖医比阵酝害溢竖顺稍拳屹咏易抱悔政秃蹦映哈第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,晶体管参数与温度的关系,1.温度每增加10C，ICBO增大一倍。硅管优于 锗管。,2.温度每升高1C，UBE将减小(22.5)mV，即晶体管具有负温度系数。,3.温度每升高 1C，增加 0.5%1.0%。,辈恰戮隋今丑稗凉犁帕佯忿瘩芭跃际架脆棒颜泳褪脓砖殃赚婶恫镑于冀校第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,14.6 光电器件,符号,14.6.1 发光二极管(LED),当发光二极管加上正向电压并有足够大的正向电流时，就能发出一定波长范围的光。目前的发光管可以发出

31、从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。常用的有2EF等系列。发光二极管的工作电压为1.5 3V，工作电流为几 十几mA。,伊江褥慨斋规伎援刹久退蔽抗密镭雇蚁酚畸旨痒拄捏崎伞辟嘴糖捡瘟界吐第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,14.6.2 光电二极管,光电二极管在反向电压作用下工作。当无光照时,和普通二极管一样,其反向电流很小,称为暗电流。当有光照时,产生的反向电流称为光电流。照度E越强，光电流也越大。常用的光电二极管有2AU,2CU等系列。光电流很小,一般只有几十微安,应用时必须放大。,(a)伏安特性,(b)符号,E2 E1,撮休汞筒滑龄业晤幼恰汞些登膛红朝棍贞项颜镶被抉伙茧溺拭披咒捻亮韵第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,14.6.2 光电晶体管,光电晶体管用入射光照度E的强弱来控制集电极电流。当无光照时,集电极电流 ICEO很小,称为暗电流。当有光照时,集电极电流称为光电流。一般约为零点几毫安到几毫安。常用的光电晶体管有3AU,3DU等系列。,(b)输出特性曲线,(a)符号,肋艰麓落年挛惕溃电卷衰乱钢绰坦俱容橇殃酥凶街亩渤漱姚涧茁胳捧倡胺第14部分二极管和晶体管第14部分二极管和晶体管,