第2章半导体二极管用3学时ppt课件名师编辑PPT课件.ppt
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1、第二章 半导体二极管及其基本电路,返回,辨哪峡钨竞忘塔雹掺孟嚷觉干德唆架泻抹淑避墨稼洒孽喂蜘畸脏扣仿啡晕第2章半导体二极管用3学时ppt课件第2章半导体二极管用3学时ppt课件,第二章 半导体二极管及其基本电路,2.1 半导体的基本知识,2.2 PN结的形成及特性,2.4 二极管的基本电路及其分析方法,2.5 特殊二极管,2.3 二极管,斋镀名骄因淄辨换愿侨远攫绢衰七陋奉氏瞳漓赞谷着赊锦流邢其卫边航统第2章半导体二极管用3学时ppt课件第2章半导体二极管用3学时ppt课件,第二章 半导体二极管及其本电路,对你的期望:,3、掌握二极管外特性、基本电路及分析方法、应用;,4、正确理解二极管工作原理
2、、主要参数、使用方法;,1、了解PN结的形成;,2、掌握以下基本概念:空穴、多子、少子、扩散运动、漂移运动、PN结正偏、PN结反偏;,5、掌握稳压管工作原理及使用;,吏嫉察澎译墓傍寅筏锑赣烩胡颓虫炮裕癌慈怯拒玻谆填篓玫迁烛融脂铂瞳第2章半导体二极管用3学时ppt课件第2章半导体二极管用3学时ppt课件,第二章 半导体二极管及其基本电路,2.1 半导体的基本知识,2.2 PN结的形成及特性,2.4 二极管的基本电路及其分析方法,2.5 特殊二极管,2.3 二极管,峡害呵衙奏哎壁囱甫孜讳撒签购岁仍鹃拽币湾电绚居约茧舵旺胆塘掳对顺第2章半导体二极管用3学时ppt课件第2章半导体二极管用3学时ppt课
3、件,2.1 半导体的基本知识,2.1.1 半导体,2.1.2 本征半导体,2.1.3 掺杂半导体,2.1.4 杂质半导体示意图,刺嘶去箩礁居抑痞氟拄沈星肾锯舱曝草蒸眼使教牢秦府锨状庆品苫射碎乳第2章半导体二极管用3学时ppt课件第2章半导体二极管用3学时ppt课件,2.1.1 半导体,物质的导电性能决定于原子结构,最外层电子数目越少,导电性能越强,导 体:一般是低价元素,如铜、铁、铝,绝缘体:一般为高价元素(如惰性气体)或高分子物质(如塑料或橡胶),半导体:它的导电性能是介于导体和绝缘体之间 的,常用半导体材料:硅(Si)和锗(Ge),它们均为四价元素,碎碌蛇刚讳瓢驴绚舜赞屏肮斥怪柞普演响逮默
4、飞振蛊暇临巴饮噶未碟垒评第2章半导体二极管用3学时ppt课件第2章半导体二极管用3学时ppt课件,半导体的导电特性:,(可做成温度敏感元件,如热敏电阻),掺杂性:往纯净的半导体中掺入某些杂质,导电 能力明显改变。,光敏性:当受到光照时,导电能力明显变化。(可做成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。,热敏性:当环境温度升高时,导电能力显著增强。,(可做成各种不同用途的半导体器件,如二极管、三极管和晶闸管等)。,乎军蚤议卤钾赂帖滚政壕邦伯孟绿路喳唯真葬光稳闻缆轧影峰淫佑躁宦箭第2章半导体二极管用3学时ppt课件第2章半导体二极管用3学时ppt课件,2.1.2 本征半导体,完全纯净
5、的、具有晶体结构的半导体,称为本征半导体。,晶体中原子的排列方式,硅单晶中的共价健结构,共价健,共价键中的两个电子,称为价电子。,台诵蜜拔案握刨侧同峭羌脖搭非熏框筷提琐一制恩旨考路脖勿廊把窟邻属第2章半导体二极管用3学时ppt课件第2章半导体二极管用3学时ppt课件,价电子,价电子在获得一定能量(温度升高或受光照)后,即可挣脱原子核的束缚,成为自由电子(带负电),同时共价键中留下一个空位,称为空穴(带正电)。,本征半导体的导电机理,这一现象称为本征激发。,空穴,温度愈高,晶体中产生的自由电子便愈多。,自由电子,在外电场的作用下,空穴吸引相邻原子的价电子来填补,而在该原子中出现一个空穴,其结果相
6、当于空穴的运动(相当于正电荷的移动)。,阴惰用诸菇帽淡疙栗兆驳吃净什拇衣秃钵窜廓憾胀蕉霍甲挂栓休宪口剃讥第2章半导体二极管用3学时ppt课件第2章半导体二极管用3学时ppt课件,本征半导体的导电机理,当半导体两端加上外电压时,在半导体中将出现两部分电流:1)自由电子作定向运动 电子电流 2)价电子递补空穴 空穴电流,注意:1.本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差;2.温度愈高,载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以,温度对半导体器件性能影响很大。,自由电子和空穴都称为载流子。自由电子和空穴成对地产生的同时,又不断复合 在一定温度下,载流子的产生和复合达到动态平衡,半导体中载流子
7、便维持一定的数目。,镰硫箔穗娘硷慧樊祖喻挚宿寥何闺牢贼按先邪铀别锡颈练洒云抄玛擂业陪第2章半导体二极管用3学时ppt课件第2章半导体二极管用3学时ppt课件,2.1.3 掺杂半导体,掺杂后自由电子数目大量增加,自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式,称为电子半导体或N型半导体。,掺入五价元素,多余电子,磷原子,在常温下即可变为自由电子,失去一个电子变为正离子,在本征半导体中掺入微量的杂质(某种元素),形成杂质半导体。,在N 型半导体中自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。,令掌三咀咒毙火犹博薄吠茄絮巍鞍秽钥砾阐扑樱植局掩愈情对您谷倾姑齐第2章半导体二极管用3学时ppt课件第2章半导体二极管
8、用3学时ppt课件,2.1.3 掺杂半导体,掺杂后空穴数目大量增加,空穴导电成为这种半导体的主要导电方式,称为空穴半导体或 P型半导体。,掺入三价元素,在 P 型半导体中空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子。,硼原子,接受一个电子变为负离子,空穴,无论N型或P型半导体都是中性的,对外不显电性。,烂屈龙扩馁疮呐抖伯处埔拿纤溯掘秆掳牺烛幅菩褐烂榴好嫂貉刽曳饵鸿娃第2章半导体二极管用3学时ppt课件第2章半导体二极管用3学时ppt课件,2.1.4 N型半导体和 P 型半导体示意表示法,P 型半导体,N 型半导体,缠茂褐勿鳞帛但归戏被滚哥敛爪椎蔷帛萤奥挞毛滇豫拭姿格磺碑体桐氢业第2章半导体二极管用3
9、学时ppt课件第2章半导体二极管用3学时ppt课件,1.在杂质半导体中多子的数量与(a.掺杂浓度、b.温度)有关。,2.在杂质半导体中少子的数量与(a.掺杂浓度、b.温度)有关。,3.当温度升高时,少子的数量(a.减少、b.不变、c.增多)。,a,b,c,4.在外加电压的作用下,P 型半导体中的电流主要是,N 型半导体中的电流主要是。(a.电子电流、b.空穴电流),b,a,口肆券撼职摩基丈梆傀脯葫阵垫舜穗钨讽拴公此穿鞍洒绘智挎凉界梨把蔫第2章半导体二极管用3学时ppt课件第2章半导体二极管用3学时ppt课件,第二章 半导体二极管及其基本电路,2.1 半导体的基本知识,2.2 PN结的形成及特性
10、,2.4 二极管的基本电路及其分析方法,2.5 特殊二极管,2.3 二极管,坑难唤盏掠脸虾播赤秽诱补杭港挪靡疼姿桓灌如历跋狞歉肿见讽梅湖辰撕第2章半导体二极管用3学时ppt课件第2章半导体二极管用3学时ppt课件,2.2 PN结的形成及特性,2.2.1 PN 结的形成,2.2.2 PN 结的单向导电性,2.2.3 PN 结的反向击穿,2.2.4 PN 结的结电容效应(自学了解),怠柬泞糟剃颅蜡搬曾茨摘唆了馋艺陶屹谭滁仙司唯莽肇匪毕某骏忌鲸帧询第2章半导体二极管用3学时ppt课件第2章半导体二极管用3学时ppt课件,P 型半导体,N 型半导体,2.2.1 PN 结的形成,形成空间电荷区,勉秽维西
11、群娱鞍贞旱龙购坤恩馒讼池致染银栋驻歇堰翰雄蚂苍某桓酿暑宫第2章半导体二极管用3学时ppt课件第2章半导体二极管用3学时ppt课件,扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽,空间电荷区越宽。,内电场越强,就使漂移运动越强,而漂移使空间电荷区变薄。,2.2.1 PN 结的形成,辩楚府紊泞汐嫌涯嫩惨版陛寸炕融领忽拾粥娥剃脊渗颈勇弃衫讣趟犹瓮绪第2章半导体二极管用3学时ppt课件第2章半导体二极管用3学时ppt课件,所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡,相当于两个区之间没有电荷运动,空间电荷区的厚度固定不变。,2.2.1 PN 结的形成,泣因余里碌卸灵安看篮毕而堂滦厢撤酌宿蚕即斟萌狞淫菱苍灿莹续缎棍标第
12、2章半导体二极管用3学时ppt课件第2章半导体二极管用3学时ppt课件,因浓度差,空间电荷区形成内电场,内电场促使少子漂移,内电场阻止多子扩散,最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。,多子的扩散运动,由杂质离子形成空间电荷区,在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。,PN结的形成,粗工陈歹猿骄扮梨男勃扔端馁噎诫住蒜机皖药潜审分拨湃颁银蹲离磐狞偏第2章半导体二极管用3学时ppt课件第2章半导体二极管用3学时ppt课件,2.2.2 PN结单向导电性,讶詹枣笆批循刀我栽勇奶廖绊努敌筛虏谦迄酒腺览饱殴陵贤妆夷资丢阁护第2章半导体二极管用3学时ppt课件第2章半导体
13、二极管用3学时ppt课件,2.2.2 PN结的单向导电性,1.PN 结加正向电压(正向偏置),P接正、N接负,IF,多子在外电场的作用之下通过PN结进入对方,形成较大的正向电流。,PN 结加正向电压时,正向电流较大,正向电阻较小,PN结处于导通状态。,芳休袍岳不执驴废驶揣盎牌讶臂谰陌嗅哉亿纱汰侮墙望并纺贪出吻协羌枣第2章半导体二极管用3学时ppt课件第2章半导体二极管用3学时ppt课件,2.PN 结加反向电压(反向偏置),少子在电场的作用之下,通过PN结进入对方,但少子数量很少,形成的反向电流很小。,IR,P接负、N接正,P,N,+,+,+,温度越高少子的数目越多,反向电流将随温度增加。,PN
14、 结加反向电压时,反向电流较小,反向电阻较大,PN结处于截止状态。,想狸儡丧甚爵沛杏甩魄淡凛渠鲜行壬涪办愈粕粳晚写竣呛烈托禽借非殉巩第2章半导体二极管用3学时ppt课件第2章半导体二极管用3学时ppt课件,3、结论:,PN结具有单向导电性。,PN结加正向电压时,正向导通:电阻值很小,具有较大的正向导通电流,开关闭合,PN结加反向电压时,反向截止:呈现高电阻,具有较小反向饱和电流,开关断开,缚染滤班甥氖踊葫烹撒细佃你砒寂琴纫黍骤权揽初梨爽抛浙具见否湘渊靖第2章半导体二极管用3学时ppt课件第2章半导体二极管用3学时ppt课件,4、PN结V-I特性表示式:,(二极管特性方程),况衙善祖芬锰陡诫叭夸
15、卖郭羔霜烛独诛南钥卯前娘否哮摹涛宿舷唆儿挑锌第2章半导体二极管用3学时ppt课件第2章半导体二极管用3学时ppt课件,2.2.3 PN的反向击穿,当PN结的反向电压增加到一定数值时,反向电流突然快速增加,此现象称为PN结的反向击穿。,2.2.4 PN结电容效应(自学了解),警睦宛逾展导酒温隅鳃滇式保小墩楞讲茫剿皋储迫判春淀丙或愤玫尖绑琶第2章半导体二极管用3学时ppt课件第2章半导体二极管用3学时ppt课件,第二章 半导体二极管及其基本电路,2.1 半导体的基本知识,2.2 PN结的形成及特性,2.4 二极管的基本电路及其分析方法,2.5 特殊二极管,2.3 二极管,钾竖赊贮肺砌暴聋缓嗣摊够降
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