第5章放大电路的频率特性.ppt
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1、5.1概述,第5章,5.2 放大电路的高频小信号模型,5.3 单管共射放大电路的频率特性,5.4 放大电路的增益带宽积,5.5 多级放大电路的频率特性,5.1放大电路的频率特性,5.1.2 放大电路频率特性的研究方法,5.1.3 单时间常数RC电路的频率特性,5.1.1 放大电路频率特性的基本概念,5.1.1 放大电路频率特性的基本概念,Rs,Us,+,-,Uo,+,-,1.频率特性,Au(f)幅频特性,(f)相频特性,0.707Aum,f L 下限截止频率,f H 上限截止频率,2.频带宽度(带宽)BW(Band Width),BW=f H-f L f H,3频率失真,幅频失真:,通频带不够
2、宽,而输入信号的频谱分布又很广,那么输入信号的不同频率成分,就会得不到同倍数的放大,输出波形就会产生失真,放大倍数模的不同所造成的失真.,相频失真:,附加相移不同而造成的失真,两种失真总称频率失真,电路中由于线性的电抗元件,,引起的频率失真,,叫做线性失真。,4.波特图(1)用分贝(dB)表示放大倍数(2)波特图 画频率特性曲线时,为了缩短坐标,扩大视野,简化分析,代表频率的横坐标采用对数刻度。此时,每一个十 倍频率范围在横坐标轴上所占的长度是相等的;用分贝 表示放大倍数和用角度表示相位的纵坐标采用线性分度。,(dB),5.1.2 放大电路频率特性的研究方法,1.三个频段的划分,(1).中频区
3、(段),特点:Aus与f无关,与f无关,原因:不考虑电路中,电容的影响,(2).低频区(段),特点:Aus与f有关(f下降Aus也下降,与频率有关),原因:由于C1和C2的存在,在频率比较低时,电容所产生的容抗不可忽略,使输出电压下降.,所以Aus下降,(3).高频区(段),特点:Aus与f有关(f增大Aus下降,与f有关),原因:由晶体管的极间电容的存在,分布电容的存在引起,2.研究方法,分频区用等效电路法分析计算,(1)中频区前边已经讲过用H参数微变等效电 路分析计算,(2).低频区用中频区的等效电路并把C1和C2的影响考虑进去,画出等效电路,进行分析计算,(3).高频区晶体管的H参数模型
4、不能采用,因为没有考虑晶体管的极间电容的作用.所以首先介绍晶体管的高频小信号模型.,5.1.3 单时间常数RC电路的频率特性,1RC低通电路,2RC高通电路,3.时间常数的估算,(1)单个电容多个电阻,(2)单个电阻多个电容,(3)多个电阻多个电容,5.2 晶体管的高频物理模型-混合等效电路,5.2.1混合等效电路的引出,用晶体管物理模型引出,基极 B,集电极 C,发射结,集电结,基区,集电区,base,发射极 E,r bb-基区电阻几欧几百欧,r be-发射极电阻与工作点Q有关,r bc-集电极电阻 一般在几兆以上,可以看作无穷大,r c和re可以忽略不计,Cbc-集电结电容 可以用C来表示
5、,Cbe-发射结电容可以用C 来表示,r ce-输出电阻一般在几百K以上,可以看作,gmUbe-发射结电压控制集电结电流,gm-跨导,5.2.2混合参数和H参数的关系,5.2.3混合等效电路的简化,5.2.4 三极管电流放大系数的频率响应,=0.7070,f 共发射极截止频率,fT 特征频率,=1,同样可求得:,可见:,5.3 单管共射放大电路的频率特性,1.画出全频段的微变等效电路,2.中频区的频率响应 ffH ffL,(1).微变等效电路,C1看作短路 C看作开路,(2).写出Ausm的表达式,(3).写出表达式的模和相位,3.高频区的频率响应 ffH,(1).微变等效电路,C1看作短路,
6、(2).写出表达式,=,=,(3).写出表达式的模和相位,4.低频区的频率响应 ffL,(1).微变等效电路 C看作开路,(2).写出表达式,(3).写出表达式的模和相位,5.波特图的画法,(1).坐标轴的选择,1).幅频响应 纵轴用分贝 横轴用对数表示的频率,2).相频响应 纵轴用度 横轴用对数表示的频率,(2).中频区的画法,设:,(3).高频区的画法,(4).低频区的画法,将前面画出的单管共射放大电路频率特性的中频段、低频段和高频段画在同一张图上就得到了如图所示的完整的频率特性(波特)图。,共射电路完整波特图,实际上,同时也可得出单管共射电路完整的电压放大倍数表达式,即,(5).完整的单
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- 放大 电路 频率特性

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