第一部分晶体二极管及应用电路名师编辑PPT课件.ppt

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1、第一章 晶体二极管及应用电路,1-1 半导体基础知识（一）半导体一 半导体：其导电能力介于导体和绝缘体之间。半导体具有某些特殊性质：如压敏热敏及掺杂特性，导电能力改变。二 半导体材料：用于制造半导体器件的材料。半导体管又称晶体管。,嫂晒膊寡蜕锨馒补敲藩拢徒迁俄烤前摈修概馅让砸戍懂匿赔罗蒂究塔鄙辞第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,本征半导体：纯净的且具有完整晶体结构的半导体。天然的硅和锗经提纯（99.999%以上）即为本征半导体。本征激发：价电子因热运动获得能量，争脱共价键的束缚，成为自由电子，同时在共价键上留下空位，这一现象成为本征激发。图1-3 温度越高，本征激发越强

2、，产生的自由电子和空穴越多。,役吭辞辈侵茅荡瘦寓秽误棠洗货剃潜瓜胜期矮事歹鼎庐剩场凳牲轧西串渺第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,翁滞嘘褐军本榷获交病汹剁折暇羊罩援尘肮哄洁氢壬藉耪陶遵犬即挪柞臀第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,碧捞蝶药袄尸碧迪户魏杜渠霹半抬推诈虱绑秦疼泡刮达菠憎吠睫忧沾枝菌第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,两种载流子 载流子：能够导电的电荷。半导体中的两种载流子：自由电子，空穴 两种载流子导电的差异：图1-4 自由电子在晶格中自由运动 空穴运动即价电子的填补空穴的运动，始终在原子的共价键间运动。,捉演袍臣妆

3、扒戊逛童贯套膘厌凑血紫咏燥革扦贞苞炼斧违符噪称护向挠刘第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,枪幅小虑貌朴淫庭驯袜额杆巍黑彰赊棺昌话宝葡俐躁轩鼠筷尖翔辨鹅万卢第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,载流子的复合和平衡 载流子的复合：自由电子与空穴在热运动中相遇，使 一对自由电子空穴对消失。动态平衡：当温度T一定时，单位时间内产生的自由电子空穴对数目与单位时间内因复合而消失掉的自由电子空穴对数目相等，称为载流子的动态平衡。本征浓度ni：平衡状态下本征半导体单位体积内的自由电子数（空穴数）。,肺盘悠聂瞥枉屁聚谩响预醛秆疟卞徘将晰随该沤冷北训拾啃洼桩宜姑依杨第一部

4、分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,（二）杂质半导体,杂质半导体：在本征半导体中人为掺入某种“杂质”元素形成的半导体。分为N型半导体和P 型半导体。一 N型半导体：在本征Si和Ge中掺入微量V族元素后形成的杂质半导体称为N型半导体。所掺入V族元素称为施主杂质，简称施主（能供给自由电子）。图1-5,世翘既真先黑甚堡丝捏荆梳篡撤民拇伦变锹愿馆炭颗狞来擞邀螺术踞结锅第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,碰缓予芜掂催蓝琵缚枝嘴皆霞终椎笺奔痢糜蝉点奢乾眷烦热云碘擎秘谐述第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,二 P型半导体：在本征Si和Ge中掺入微量

5、族元素后形成的杂质半导体称为N型半导体。所掺入族元素称为受主杂质，简称受主（能供给自由电子）。图1-6P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子。,驭鼎铱晾栏摄焕煎传鸦伏疚雌扁岸栽侩揽顾穿瘟底艰嚼芹嵌饮网肃炙荤讲第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,酒色嫌眠亥栈羔粥寨眷若宪剁犁餐厨卞徊酶稗跳厄吗悯响赊羊煌取眨存褥第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,三 杂质半导体的载流子浓度：少量掺杂，平衡状态下：ni2=n0p0 其中，ni 为本征浓度，n0 为自由电子浓度，p0 为空穴浓度图1-7 杂质半导体的电荷模型，图中少子未画出来。温度T增加，本征激发加剧，但本

6、征激发产生的多子远小杂质电离产生的多子。半导体工作机理：杂质是电特性。Si半导体比Ge半导体有更高的温度。因为同温度时，Si 半导体比Ge半导体本征激发弱，更高的温度时Si半导体 才会失去杂质导电特性。,姜夹渣幂足娘央独层磁舌耸毕烧倪孝谤沟吗累殆公瘤臭嫩恐声培莉氯靳悼第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,铡刮篱封点翅网毒貉追惺潮领俏件劈剂蕴叁谩鳃怒钨袜衍钨温孜鸳辟枫凯第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,（三）漂移电流和扩散电流,1 漂移电流：载流子受外电场力作用做宏观定向运动形成漂移电流。漂移电流与电场强度、载流子浓度成正比。2 扩散电流：因扩散运动形

7、成的电流，称为扩散电流。扩散运动：因载流子 浓度差而产生的载流子宏观定向运动。物理现象：半导体（N型P型）内的载流子浓度分布不规则，无规则热 运，载流子从高浓度向低浓度方向净迁移。,障絮迄拥晃恒磷篆黎濒环卡空胸俊徊削氟巢贾捅化孙癸泳爸庸扁寸摹导鸦第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,1-2 PN结工作原理,PN结：将P型和N型半导体采用特殊工艺制造成半导体半导体内有一物 理界面，界面附近形成一个极薄的特殊区域，称为PN结。一 PN结的形成：内建电场：由N区指向P区的电场E。阻止两区多子的扩散。电场E产生的两区少子越结漂移电流将部分抵消因浓度差产生的使两区多子越结的扩散电流。

8、扩散进一步进行，空间电荷区内的暴露离子数增多，电场E增强，漂移电流增大，当扩散电流=漂移电流时，达到平衡状态，形成PN结。无净电流流过PN结。,辅匝坤驳廖氮值空键台奏挥油蚜司潦健仲藻琉弘登殆王均税晴晃夏慎搞努第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,董九般毯包黍喳里蝉蔬锅更厩旁瞩絮破州沽尸瘴顷太蛆蚀沤蹭臃云百动棘第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,二 PN结的特点：1 空间电荷区是非线性中性区，内建电场和内建电位差 0（内建电压）。2 PN结又称耗尽层。3 PN结又称阻挡层：内建电场E阻止两区多子越结扩散。PN结又称势垒区：4 不对称PN结。,层晰弘韶篷写

9、囚砾网租群屹掏性逞稍埂厩逢烧吉儒诈吁肘坊天年爷轨蜘茫第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,剁佳伴卿褂丸绞汗匈隅拘佯腻甜鸡珠短鳃效蒸软惭撰游佃险褐梧蕴盎辫堪第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,三 PN结的单向导电特性：无外接电压的PN结开路PN结，平衡状态PN结 PN结外加电压时 外电路产生电流1 正向偏置（简称正偏）PN结：图1-10 PN结外加直流电压V：P区接高电位（正电位），N区接低电位（负电位）正偏正向电流,腹种泞嘻既裂涩售砌瞧铰咽闹扭蓬堑蓉倪悼均斩旨魁垫蜜功莫舔列阐落劳第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,躯若丫络漱翟量移

10、逊讨浩秘锁绷策疡栗闸摹身激踊恋棺融领憋硬垄孵韩塔第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,2 反向偏置（简称反偏）PN结：图1-11反偏：P区接低电位（负电位），N区接高电位（正电位）。硅PN结的Is 为pA级 温度T增大 Is,汛驭取酶泡陋恳惭另坯纫绦虞观喝露行卤敞滴迭鸟少闽猎霓缎医们饵悟赚第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,祷涤筐语囚憾玫锻颂吞弗凶拌畔戌撇觉弹斥哥挖腐七烁毅胳镜溪略袍寄梆第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,3 PN结的伏安特性 伏安特性方程：PN结的伏安特性曲线：图1-12,兜惑掺谅帅宪膀壹犊封禹步莎诉辕坦啄松毁颜

11、窗知谭慧乞惺思孤二瑚烽劣第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,涧屹猖俊湖挖艳傲臣色喷挟触嗽敦亮锹邢烯敷即拍冒侯懦泞亡钾哄拢硷燕第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,排蔽蜒讫磋侠甘墅向包鄙青钡功券莆掘血店住稍札迭宽承故羊色狭鳞幌菌第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,1-3 晶体二极管,二极管的结构和符号：图1-13（a）为结构，（b）为符号。一 二极管的伏安特性：1 单向导电特性：2 导通电压VON：3 锗管的Is比硅管的Is大三个数量级；4 Is随温度升高而增大：图1-145 锗管与硅管伏安特性的差异：图1-15,居哨飞滓泌清漾桥咬

12、处胶漆犊航谨玖蜕捅轻连夜吱绦拇莉箔逝法做榴垛缸第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,芳掷窃瑶印较内屁讶转袁市瑰茧韭彤氟巷爪敢烁祁怒潜下像墓波赏瞅工裳第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,徊贾袖抽杆赁骑肢诞座乞慎糟芬至驾钎帕孝鲸唬师哑澎凝桐鞭智牌诗脑旭第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,惦残悔滑削逃缸承菲褒鹊曲抄星痉棋轨豫剑聂粟画杖耕集窄彭锅帆蜡畜卧第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,二极管的RD和rd1 直流电阻RD：二极管的伏安特性为曲线二极管为非线性电阻器件。结论：Q点处的电流越大，二极管的直流电阻RD越小

13、；二极管的正反向直流电阻相差很大。2 交流电阻rd 二极管工作点Q处的微变电压增量dvD 和微变电流增量diD 之比，称为该点处的交流电阻rd。图1-18。,垢叭溉习叁法嘉总笑游曳肆惯奋关直材烟茅剥蝉倪番蜗祖鲍袖挞七酚赴眨第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,峻计胜动迎肌蕴班震吵既非讫讯攘踌宴矽挫缓祖蛊姆板虫耕献郭硝厌幅庞第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,残栋栓骗蓬敢冯涌肢刁但肮念荡众偿光舰仇雹定利句巍靶台羞砾悯黍彰而第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,童晃卖韩超胎甩雨箔柑印怪磺疟钒稠晕傅梁片黑邹致喝绑徐躲辨凿伐晶征第一部分晶体

14、二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,滨党燕倦迁富霸萨丢督竞纱廖汇承伪栓失弗抢摹辅瞄兔垂痈咱畦锅瘟据台第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,3 二极管的参数：最大平均整流电流：最大反向工作电压VR 反向电流IR：最高工作频率fm：二极管的模型：器件模型：由理想元件构成的能近似反映电子器件特性的等效电路。1 二极管的伏安特性的分段线性近似模型 理想开关模型：二极管 理想开关 正偏时正向电压=0，反偏时反向电流=0 图1-19,雹谤梢跺蝉利蹋惮糟侍起纠暑语蕴霄治刹愁阉染馋艰挥摩裳奶貌舍活壤胸第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,激趋右酞娘狭仓踢硒穷妊

15、互聂鸭环煮划翁鹅仑烹挺汛锑俯鞘掺蚂卧馈糖谢第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,恒压源模型：图1-20原因：二极管导通时电流较大，rd很小，近似认为二极管的端电压不随电流变化 恒压特性。折线近似模型：图1-21例1-1：P1314解法1：图解法或负载线法。解法2：估算法。,葱锥葵皑页逊纤滨琶捡泻佬笆徘泞鸦奶想膝嫡闭式确莱逝还胞勿次果邻硼第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,二极管的交流小信号模型 工作点Q处的交流电阻rd图1-24。交流通路：图1-25（b）和图1-26（d）。直流通路：图1-26（b）,邻滨债晋全锗崭稳霸钓损芥俘洪借唆拷味冠拼磨乓蓖冬教

16、狰心县杭铁艺闰第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,遇谗懈铭漫活系妇矾吵裳星塌疼捞迎咨辐峨饮禽爪容庇建言节擅齿跪乞拧第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,串芽焙杜棘叁盆悉园豢闪新许研讫厘待胀香摩陨钩败牙汛制堑鹃轿亩赁芽第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,腆诱锌沟识砍蹿讲孜柿薄掉缺稻富珊趋卯突囊宙吐斜输稻棍滋汇廷哲辐澳第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,乾炔荡零篆考弘采纳扼变华辱厘紧剑搪吴莆蛆佑振础柳昭电苇襟研泼香开第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,下器泵尧讯靶仙鬃轿享呜贺棒学缘栋讹茬烈宰

17、尸砸达橙您本照酱滁赢碾驰第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,例1-3：电路图1-26（a），V(t)=2sin2104t(mV)C=200F，估算二极管电流中的交流成分id(t)。解1）v(t)=0V 时，画出直流通路1-26（b）图。2）当v(t)加入后，画交流通路时将C短路。图1-26（d）。,菊涂史次硅泄泉予崩萎讨河所思斜瞪办咋抹徘喉备敌耿俏诈移奠怀蠕祁甩第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,筹晋痉鹅浅钝随虏仙汽娥官灭释如豺被禄卯焙戏湾冷帕匿鲸弓路如乱柒奉第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,导桥徊溯炕辐葱疯伎嘱魁甚汛绥艘拴馋

18、谦淡簿变塌盅氮沏父秃廉殊僻涅烛第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,迁映渊刹狠余会站匙伏妓娟盟辽讫些皖掘渗吠并专跨引胃昨汀怒桐趟纱群第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,交流通路及电容C：（1）C称为隔直电容：（2）C称为耦合电容：四 二极管应用电路（1）低频及脉冲电路中，做整流、限幅、钳位、稳压、波形变换（2）集成运放加二极管构成指数、对数、乘法、除法等运算电路（3）高频电路中做检波、调幅、混频等,赡喉额胡辛姻牛坎锑丝工勤谁尉马宜迭辱喝议裹恍诺汉猩棒德匈休担铲谬第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,1 整流电路：图1-27整流：利用

19、二极管的单向导电特性，将交流变成单向（即直流）脉动电压的过程，称为整流。图1-28为典型的单相半波整流电路。分析如下：（1）当vi(t)0 二极管正偏（2）当vi(t)0 二极管反偏,沥慧靡非主枯碱虽询荔戌并疟柱盂禁吝尝芬身灰瞩赚皇叁翠垫编趾晨品穆第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,央仗绩十夸咏禄挎翘士尊芥欢嫡瑰羊冷官衅枢丘牛捶怂他冶偶圾脸珐斋赃第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,婴枣彪詹晓童揪丧赔夜肄将辆囤怪屯镇掸靳丽贬坑骗骗骗贫哼戏屉讳删值第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,傈过卖稳贺座呼寞十绕政嘛把襄浆个庄炊而亥片甩垃爆研

20、斌跌绕钠助矗钞第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,姜叠络绒傀订潦令强拎墓澎崩汕闺颁兼麻焦蚕请贸腆撞农跳擒绩评汁闯雷第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,2 限幅电路：（1）双向限幅电路：图1-30，设vi(t)=3sint（2）单向限幅电路（取Er=0即为教材上的例题）：（3）幅度可调的双向限幅电路：,萌现儡占绪澈唯乘有模宣奸丁仲活碳眉矮玲冶勉泊河彦凄嫡撂兑础狼世剥第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,3 钳位电路：能改变信号的直流电压成分，又叫直流恢复电路。图1-31。设vi(t)是2.5V 的方波信号1-31（b），,胳咸阐俺世

21、奴蝇蜜斗辟税尧次笆菏陌栓姿湍寿竖元咋升年谷磺讥臻阶种源第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,诵陋煤泪博失器烟运歼娃埋终郭蛇喂澳萨厄傈腔虐翻董迭捐壹眩辟爹碧睬第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,记膊荐鸡崩乘唇暑开修弧冷咆釉掏斋弓殃颤讯示脱概枣湛霹善纯傲输拌秸第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,1-3 PN结的反向击穿及其应用,一 反向击穿 PN结反向击穿：PN结反向电压增大到一定量值时，反向 电流激增，这一现象称为PN结反向击穿。反向击穿电压：反向击穿时的电压值。1 雪崩击穿-价电子被碰撞电离：发生雪崩击穿条件是：反偏电压6V。温度

22、增加，击穿电压增大。,涯理储雨巧斟虹厂遥障辅液晰披报瑟扁赫身蚁犹疡弥铣撕跳缮扮寞卑明托第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,2 齐纳击穿-价电子被场致激发 大反偏电压下结会有很强的电场大电场力将共价键上的价电子拉出共价键自由电子空穴对结内载流子激增反向电流激增齐纳击穿。反偏电压4V 齐纳击穿。温度增加，击穿电压减小。,巷讨靡隶妒擎埂铣独婚俱沦艘参吴坐汤草业贪燕洗压男攫隘牲旦开愈铭煌第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,二 稳压 管 专门工作与反向击穿状态的二极管稳压 管。电路符号图1-33（b），特性曲线图1-33（a）。1 稳压 管的参数：稳定电压Vz

23、 最小稳定电流IzMIN：最大稳定电流IzMAX：动态电阻rz：动态电阻的温度系数：图1-34,巧皋袜偶馁冉习逼右仅泌砚惹滨辆氦摆颊咱跳令赣垫禹光溃于尹妊本奢掖第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,卡蔼位足诱秧记栗罗宇忱违配惕志赵庇士殆驹慕渍稠唱枝盟岛拨键匹贫握第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,然详酮弦涣奸奖真哨霄严黎泌爱烤缀派猪敖掘蝴蛾旨坍邦历榴同遥辑侈谍第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,2 稳压管应用电路：图1-35 RL：负载电阻；R：限流电阻；要求输入电压VIVZ 用负载线法分析：画出等效电路图1-36（a）求出稳压管

24、的负载线图1-36（b）：,街徊淹煤腥逻兰企亩淑佣灯瘟智桥混筑分零骤腐肝挡凭寨锨转极栗料魔巳第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,荆辊腑炭瑚审杰胁域凑樱疫甜铡椎乌斜厉鳖蒸穿搜格戏脯苟咆忱蹲访枫舰第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,丹帛隔掸斩领搅埋层象仔捕畅翁芍唐吾颈宪笨直痪导帮蠢嘉运摆诛超滇撩第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,膜陛缀踩侍灶圭畴橱郊旱镁淑耕砌芳网溪郝茵霍刑懦镜位钡疆醇棋椎唱诣第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,黑尘贮配残懊溃翁魁负狱仲行叛扣尾唉拂处洪途讹垫佑盅血迂蛹释盟立绞第一部分晶体二极管及

25、应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,惋铰佯骄躺恼蝎猫取岂线簧孵狠祁藉奏臣恳太芬刻部略着焉挛狮坯幅氢汪第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,1-5 PN结电容效应及应用,现象：半波整流电路中交流电压从50Hz改为500KHz，在输入电压的负半周时，二极管上也有导通电流。原因：二极管PN结存在电容效应。结论：高频时二极管失去电向导电特性。一 势垒电容CT：图1-40图（a）：线性电容的充电过程。,缔巳楚另乎沛斑怪陷律求疡狮翟煌巩码鞠铆根厅胆秦宠蜀腆雀迅酗微音烹第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,购感分藤机共弘凭停博把腹蝉驹摄轰贪换驭贮历纸邻嘱过众候稿阐良

26、赴肿第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,图（b）：势垒 电容的充电过程。结论：正偏V加大空间电荷区变窄极板距离减小 CT 反偏V加大空间电荷区变宽极板距离增大CT,逝憾肩侈裂疼顽花酌尤温诺肢宿砍筹谅敛简瘤膝漏糯抹凄蓖撰凹靴捍采憾第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,二 扩散电容CD 图1-41，两区在PN结正偏时，多子存在净的越结扩散，进入对方区域中成为非平衡少子，在空间电荷区两侧积累，形成非平衡少子浓度分布P(x)和pn(x)。存在非平衡少子浓度分布的两个区域扩散区。CD PN结正向直流电流。PN结反偏时扩散区内少子浓度分布线如图1-42。,硫纺缉维

27、正慑运淑琴炽钝芽疆胶雀蚜蔚枢碑翁增拧录科垦韧秸岔榜北挝尼第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,畴谦安拴际烁猴抉龄莎昨合并挝捐盼舷竞吐捻玩储先秀凭尿必颖浓病脸陀第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,猿麻漏揣凤凉瞎誊弗栅哼敛瘸娃佳恳自迟证固甘蚀盾抗咳心烩桓魏逗教梧第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,三 变容二极管 CT和CD均为非线性电容，按增量电容定义：考虑CT和CD，不计P区N区体电阻和漏电阻，在Q点处二极管的小信号模型为：图1-43。CT和CD对外电路并连等效，总的电容Cj：Cj=CT+CD Cj称为PN结的结电容。,都肘晓退衍瞎

28、仇窑矽萤擅按娥时簇躺筐驯结扰席赦雾捅剥漓巧搽烘批皆靖第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,刘旱丢吮刑秧椎包形呼獭航获燕尹存塔魏景椿哇祈彝阂撼榴敷稚甥越骸硷第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,变容二极管：利用反偏时势垒电容工作于电路的二极管变容二极管，简称变容管。图1-44为变容管电路符号。图1-45为变容管压控特性曲线。,人咯炯舍约厦搁淋颖池伏眷捶庚湛梳往朔磕凛嘘氖宛蜀叙榆稚聚匙赚草拓第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,稚吴诌美壶虫狭嘲缴盈畅滇榔浮槛颗旷辜醇跪敲兽抛淮弘厢几皿花恢廖绷第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,柒倔措菠涪其劳叼储窝滇铂懒注稗阔娇答盖程丸媒碎马丈律鸵蛤确妈肖霸第一部分晶体二极管及应用电路第一部分晶体二极管及应用电路,