直流无刷电机硬件设计文档.doc
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1、word硬件电路设计说明书V11. 引言本文档是无刷直流电机风机盘管电源电路与控制驱动电路的硬件设计说明文档,它详细描述了整个硬件模块的设计原理,其主要目的是为无刷直流电机控制驱动电路的原理图设计提供依据,并作为 PCB 设计、软件驱动设计和上层应用软件设计的参考和设计指导。Datasheet:Kinetis KE02Datasheet:MKE02Z16VLC2Datasheet:MKE02Z64M20SF0RMDatasheet:FSB50760SFTDatasheet:TNY266Datasheet:FAN75272. 硬件电路概述电源局部主要功能是提供400V直流电供应电机,另外提供15
2、V直流电给电机驱动芯片供电。采用反激式开关电源设计。设计一款 100W驱动开关电源。给定电源具体参数如下:1输入电压:AC 85V265V2输入频率:50Hz3工作温度:-20+705转换效率:85%6功率因数:90%7输出电压精度:5%系统整体框架如下如下列图为电源的整体架构框图,主要目的是在输入的85265V、50Hz交流电下,输出稳定的恒压电机驱动直流电。由图可知,电源电路主要包括了前级保护电路模块、差模共模滤波模块、整流模块、功率因数校正模块、DC/DC模块。其中EMI滤波电路能够抑制自身和电源线产生的电磁污染,功率因数校正电路采用Boost有源功率因数校正,用电压环、电流环双环闭环进
3、展控制。DC/DC模块采用光电耦合将原边和副边进展反应,控制了开关管的开通和关断,保持电压稳定在15V。接口描述对应原理图接口形式电源输出接口输出400v,15v以与调速电压P2控制驱动电路主要用于控制电机转速,使直流无刷电机按照设定速度平稳安静运行。控制方案采用开环控制,驱动方式采用方波驱动。2.2.1控制系统整体框架如下:控制电路模块控制芯片采用飞思卡尔半导体公司的32位微控制器MKE02Z16VLC2,该芯片基于 ARM 结构体系的 Cortex-M0+内核,其中的FlexTimer/PWM FTM模块为电机控制提供了很方便的接口,方便控制输出pwm控制电机转速。控制方案采用有传感器开环
4、控制,传感器采用霍尔传感器检测电机转速。驱动电路芯片采用FSB50760SFT,该芯片将MOSFET集成在芯片内,减少了控制电路的大小,同时,芯片内部还集成了温度传感器,当温度过高时,控制芯片将停止输出PWM信号,电机将自动停机。控制驱动板上留有5个接口,分别是VM,GND,VCC,VSP,FG,其中VM是310V输入接口,VCC为15V输入接口,VSP为调速接口,根据VSP输入电压大小来调节电机转速,FG为电机转速输出接口。接口描述对应原理图接口形式UART串口通信J12.54mm 间距插针SWD程序下载调试J22.54mm 间距插针Power电源接口PIN62.54mm 间距插针3硬件系统
5、详细设计PFC电路详细设计电源电路总体电路图见附件1。分析各电路模块,进展具体设计并分析其工作原理,具体电路包括输入端保护电路、EMI滤波电路、AC/DC 整流桥、Boost PFC 电路、高频变压器的设计、反应控制电路模块、恒压输出电路等,并设计元器件参数和型号选择。设计输入保护模块如图 4.1 所示,主要有过流保护、过压保护。图中 F1 为熔丝管,熔丝管熔点低,电阻率高,熔断速度快,本钱低廉,当开关电源产生短路,电流要是超过了熔断电流,熔丝管将会熔断。起到过电流保护的作用,选用 3A/250V。图中 VTR 为压敏电阻,压敏电阻值随端电压而变化,对过电压脉冲响应快,耐冲击电流能力强,漏电小
6、,温度系数低,吸收浪涌电压,防雷击保护,起到过电压保护的作用,选用 14D471K。图中 NTC 是负温度系数热敏电阻器,热敏电阻器电阻值随温度升高而降低,电阻温度系数一般为-(1-6)%/,采用热敏电阻,瞬间限流效果好,由于电源的启动并运行,电阻发热量较大,热敏电阻器的阻值能够迅速减小,功耗能够降低。其主要作用是防止通电瞬间出现过流现象,选用 T5D-11。3.1.2 EMI 滤波器设计一般抑制电磁干扰主要为差模和共模干扰。差模干扰产生于两条电源线之间,信号相对参考点大小相等,方向相反;共模干扰产生于电源线和大地之间,信号相对参考点大小、方向都一样。由于两种干扰是同时存在的,并且共模比差模更
7、容易引起电磁干扰,所以在开关电源设计 EMI 滤波器主要还是抑制共模干扰信号。电路中包括共模电感、电容 C1、C2为Y电容,选取3300Pf/1Kv的瓷片电容,C3、C4选取安规电容0.33u/275v。泄放电阻 R1、R2用于防止断电后C3电容放电至电源接口。L共模电感是在一个磁环上,绕着匝数一样、方向相反的两个绕组,当共模信号电流流过时,线圈上的磁场增强,对共模信号产生了很大的感抗,起到了很大的抑制作用。共模电感选型UU10.5-10mH min-1.0A。3.1.3 整流电路设计整流桥电路如如下图所示:经整流桥输出后电压为310v直流电,当输入电源的正半周,D1、D3 导通,D2、D4
8、截止,在输出的电压上形成上面正电压下面负电压的半波整流电压,当输入电源为负半周时导通和截止状态相反,即 D2、D4 导通 D1、D3 截止,同理得到另一半波整流电压,于是得到一个与全波整流一样的电压波形。整流桥选型为GBJ2508。功率因数校正采用飞兆半导体公司推出的高集成度电源芯片FAN7527B,该芯片工作时电流小,最大不超过8mA,VCC启动门限为12V,关闭电压最大值是9V,启动电流典型值为60A最大不超过100A。采用8引脚的DIP和SOP封装,其引脚排列如下列图,引脚功能介绍如表所示。序号引脚功能1INV2EA_OUT放大器的输出端,与INV端口连接电容形成补偿网络3MULT乘法器
9、的输入端,与整流输出的分压电压连接4CSPWM比拟器输入脚。采样MOS管的电压值,连接于比拟器,内置的滤波器减小高频噪声5IDET零电流检测端6GND地7OUT驱动输出。推挽式输出可以驱动开关管的最高电流为500mA8VCC芯片电源端1启动过程在接通电源瞬间,电容C6通过电阻R1实现充电。当电容的电压值升高到芯片的启动电压后,芯片导通,并驱动开关管。在芯片导通后,随着电流的增加电容开始放电。在电容C上的电压降低过程中,电感器上的感应电压通过二极管D的整流作用,连接到Vcc脚,使Vcc升高到所需要的电平。2过电压保护和误差放大器PFC输出电压Vo经电阻进展采样,送入电压误差放大器的反相输入端,误
10、差放大器同相输入端有2.5V的基准电压。放大器输出与乘法器相连,控制器的外部有电容电阻等零极点补偿元件。误差放大器的输出有1.8V的参考电压实现过电压保护,当负载出现异常,误差放大器输出端电压幅值低于1.8V,过电压比拟器被触发,驱动器将被关闭。3乘法器乘法器是整个功率因数校正器的核心,它为内部的电流回路提供参考电流,用来控制转换器的输入电流经整流后,使电路产生所期望的幅值和波形,并得到高的功率因数。设乘法器的增益为 K,输出电压如下所示:其中 Vm1为 3 脚的采样电压,用分压电阻获得,Vm2为误差放大器的输出,Vref为基准电压。由于输入电压的波形是正弦电压,Boost 电感的峰值电流保证
11、在每时刻都跟踪输入正弦电压的波形轨迹,促使输入的电流相位和波形与输入的正弦电压一样。(4)电流感测比拟器流过开关管的电流在电流采样电阻上转换为电压值加到芯片的 4 脚上,如果 4 脚上的电压大于电流感测比拟器的门限,如此停止驱动开关管的 PWM 信号。5零电流检测器FAN7527B 采用峰值电流模式进展控制,零电流检测使得开关管导通,采用Boost 电感的峰值电流达到门限值而将开关管关断。电感电流降至零时,通过FAN7527B 的 5 脚 Idet的电感器副绕组电压极性的反转进展检测,进展 PWM 控制,使 MOSFET 再次导通。当电感电流沿向上的斜坡从零增加到峰值之后,MOSFET关断,直
12、到电感电流下降为零。(6) 驱动输出FAN7527B 包含一个图腾柱带高电平钳位的输出级,专门针对功率 MOSFET的直接驱动而设计的。输出能力高达 500mA 峰值电流,典型的上升和下降时间分别为 130ns、50ns。3.1.6 BOOST PFC主要元器件参数设计(1) 功率因数校正电路的主要指标额定输出功率:在考虑效率的前提下,电路额定输出功率设为 Pout=100W宽电压输入:Vin=85Vac265Vac;电网频率:50Hz;输出电压 Vo:Vomax=400V;效率 :90%;功率因数:0.98;输出最小电压:Voutmin=150V;开关频率的最小值:fswmin=34kHz;
13、PFC 输出电流有效值为:输入最大功率输入平均电流升压电感峰值电流电感L最大电流有效值BOOST升压电感设计方案采用 Boost 电感在电流连续模式下,其电感值与输出功率、最小开关频率有关系,其具体公式如下:开关周期 Ts为:当 sinwt=0 时,开关周期最大,由上式得电感 L 表示式为:代入数据L=660uh升压电感器 L 的线圈匝数为:流过mos管最大电流:实际取值60匝,辅助绕组计算计算得Naux=4.2,实际取值5匝。输出滤波电容的选择需要考虑 PFC 电路直流输出电压、保持时间、输出电压纹波。通常输出滤波电容可以选用铝电解电容,铝电解电容工作X围宽、耐较大纹波电流、低漏阻、寿命长。
14、输出电容的数值由下式决定:实际取值为220uH电压误差放大器正向输入电阻的选择,PFC 的输出电压,经过取样电阻的采样,送到 FAN7527B 的 1 脚 INV,与基准电压 2.5V 进展比拟。计算公式如下:计算得R3=1.2M,R6=10K电源输入的交流电压经全波整流,经过 R5、R13进展采样,采样后的电压值连接于 3 脚MULT。通过全波整流后的最顶峰值电压为374v,因此可得:取R5=1.5M,如此R13=15K零电流检测电阻的选择,零电流需要小于 3mA,因此其计算如下:实际取值为22K电流采样电阻把 MOSFET 电流转换成电压形式,连接于电压误差放大器的正向输入端,反向输入为乘
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