高纯镍靶材编制说明.docx

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1、高纯银靶材国家标准编制说明（预审稿）高纯模靶材标准起草小组2023年12月高纯银靶材编制说明1.任务来源根据全国有色金属标准化技术委员会关于下达2022年第二批推荐性国家标准计划及相关标准外文版计划的通知(国标委发202222号)的要求，由宁波江丰电子材料股份有限公司负责起草高纯银靶材国家标准。项目计划编号：20220333-T-610,计划完成年限为2024年6月C2.工作简况2.1立项的目的和意义镇(Ni)是一种比较典型的金属靶材，由于锲的抗腐蚀性能好，电磁屏蔽性能好，高纯镇在我国先进装备、新一代信息技术、船舶及海洋工程、航空航天、国防科技等领域业实现了稳定供货和应用，特别在集成电路制造领

2、域，在集成电路制作中一般用纯金作表面导电层，但金与硅晶圆容易生成AUSi低熔点化合物，导致金与硅界面粘结不牢固，人们提出了在金和硅晶圆的表面增加粘结层，常用纯镶作粘结层，因此高纯锲靶材用物理气相沉积PVD工艺用于制备高纯银薄膜材料。例如：镁可以用在其他金属表面作为装饰和保护镀层使用，在锲氢电池中使用的最重要的原材料海绵锲，也可以通过对银靶材进行真空溅射的方式产生，在电磁屏蔽材料中使用的柔性导电布表面也使用镜靶作为溅射源，此外，在塑料镀金属膜、建筑玻璃镀金属膜等领域也都大量地使用了银靶材。集成电路行业在国家政策扶持以及市场应用带动下，我国集成电路产业保持快速增长，保持增速全球领先的势头。根据国家

3、统计局统计，2010-2020年，我国集成电路产量逐年增加，2020年全国集成电路产量达到2612.6亿块，同比增长29.5%,产量创下新高。根据中国半导体行业协会统计，我国集成电路设计业销售收入从2009年的260亿元增长到2019年的3063.5亿元。2020年1-9月中国集成电路设计业销售收入为2634.2亿元，同比增长24.l%o根据中国半导体行业协会集成电路设计分会公布的数据显示，预计2020年全年销售额将达到3879.4亿元。随着集成电路行业的不断发展壮大，高纯镇靶材市场规模将不断扩大，预计到2025将达到50亿元。但是高纯锲靶材产品标准在国内尚处于空白，为了解决高纯锲靶材产品的标

4、准技术要求匹配实际生产水平的现实问题，更好的服务于我国高纯模靶材产业化的发展新形势，进一步规范和提升高纯模靶材的技术水平，同时国内高纯模靶材的生产仍处于初级阶段，还没有相应的国家标准，很大程度上制约了国内银靶材的研发、制作及工业化生产。因此，本项目标准的制定，以促进现有产品质量的提高，确保高纯银靶材靶材的检测规范统一，符合统一标准。2.2起草单位情况及主要工作过程2.2.1主要起草单位情况宁波江丰电子材料股份有限公司(以下简称“江丰电子”)成立于2005年，专业从事超高纯溅射靶材研发、生产和销售及相关服务，主导产品应用于集成电路、平板显示器和太阳能用电池等多个领域。公司是余姚市政府引进、由国家

5、“千人计划”专家姚力军博士领导的海外高层次归国留学人员组成的创业团队所创立，受国家科技部、发改委及工信部重点扶植的高新技术企业。公司注册资本21876万元，2017年6月公司在深圳证券交易所创业板上市(股票代码：300666)0江丰电子现有总资产达29亿元，现有员工1300余人，其中专职从事技术研发的人员共有188人，占公司职工总数的22.3%。公司位于浙江省宁波市余姚市经济开发区，总占地面积40000平方米，拥有从原材料熔铸、热塑性设计制造、机械加工到表面抛光、清洗包装等完整的工艺生产线，是国内产能最大的超高纯度金属材料及溅射靶材的生产基地之一。江丰电子研发生产的超高纯金属溅射靶材填补了中国

6、在这一领域的空白，结束了产品依赖进口的历史，满足国内企业不断扩大的市场需求，成功获得了国际一流芯片制造厂商的认证，并在全球最领先的5nmFinFET(FF+)技术超大规模集成电路制造领域批量应用，成为电子材料领域成功参与国际市场竞争的中国力量。目前，江丰电子的产品70%以上销往海外，其中半导体制造用靶材产品市场占有率位居全球第二，国内第一。江丰电子拥有国家企业技术中心、国家博士后科研工作站、院士专家工作站、浙江省企业技术中心、浙江省重点企业研究院、浙江省高新技术企业研究开发中心等研发平台，拥有强大的研发实力。公司建成了国际一流的分析检测平台，引进了辉光放电质谱仪(GDMS).气体分析仪(LEC

7、O).扫描电子显微镜(SEM-EBSD),直读光谱仪(ICP-0ES)、溶体颗粒分析仪(LPe)等系列精密金属材料分析检测设备，可以实现对包括痕量杂质、气体含量、组织结构、晶粒尺寸、表面形貌等在内的各种金属材料性能的全面、精确分析，助力公司的研发水平再上新台阶。江丰电子坚持以科技为创新动力，注重自主研发，拥有完整的自主知识产权。截至2022年12月，公司共授权专利602项，其中授权发明专利371项，已制定国家/行业技术标准25项，位列中国企业专利500强第74位。公司先后承担了国家02重大专项、863计划、稀土专项、彩电专项、工信部电子发展基金工业强基等国家级科研及产业化项目，连续参加了“十一

8、五”、“十二五”、“十三五”国家科技创新成就展。产品及技术荣获“国家战略性创新产品”、“国家技术发明二等奖”、“中国半导体创新产品和技术奖”、“浙江省科学技术重大贡献奖”、“浙江省科技发明一等奖”、“浙江出口名牌产品”、“中国电子学会电子信息科学技术奖三等奖”、“中国有色金属工业科学技术一等奖”、“宁波市科学技术奖一等奖”等奖项。公司荣获“国家单项冠军示范企业”、“国家技术创新示范企业”、“中国半导体材料十强企业”、“国家知识产权优势企业”、“国家院士专家工作站示范企业”、“浙江省电子信息50家成长性特色企业”、“宁波市工业行业骨干企业”等称号。参与单位上海同创普润新材料有限公司是一家专业从事

9、靶材关键原材料高纯（5N、6N）金属材料生产企业，拥有集成电路用超高纯铝、铜、锂制备技术和量产交付能力。产品线涵盖高纯和超高纯铝、铜、铝、银、钻及先进合金材料，服务于半导体、航空航天、医疗、新能源、汽车、国防等领域的高性能材料需求，攻克“卡脖子”技术，实现国产替代。参与单位有研亿金新材料有限公司（以下简称“有研亿金”）成立于2000年，现为有研新材料股份有限公司全资子公司。公司已经成为国家技术创新示范企业、国家火炬计划重点高新技术企业、集成电路关键材料国家工程中心、北京市高纯金属溅射靶材工程技术研究中心等示范单位。有研亿金主要研发、生产、销售微电子光电子用薄膜新材料、贵金属材料及制品，并开展稀

10、有及贵金属材料信息咨询、技术服务和套期保值等业务。公司是国内规模宏大、门类齐全、技术能力一流的高纯金属溅射靶材制造企业，也是国内屈指可数具备从超高纯原材料到溅射靶材、蒸发膜材垂直一体化研发和生产的产业化平台，产品涵盖电子信息用的全系列高纯金属材料、溅射靶材和蒸发膜材。公司在国家科技重大专项、国家重点研发计划、北京市科技项目等项目支持下，经过10余年不懈努力、探索创新，自主攻克了超高纯金属深度净化、高品质熔铸、微观组织调控及高可靠焊接等多项超高纯金属及其合金靶材制备中的核心关键技术，产品性能达到国际先进水平，填补了国内空白。公司先后申请专利319项，获得授权专利212项；制定国家及行业标准98项

11、；2019年荣获国家“国家知识产权示范企业”称号。公司连续多年获得“中国半导体材料十强企业”，2014年、2016年和2021年先后三次获得“中国有色金属工业科学技术奖一等奖；“集成电路用12英寸超高纯铜靶材成套制备技术”荣获集成电路材料创新联盟“首届集成电路材料技术攻关奖”；“30Onlm高纯铜靶材”荣获第二届集成电路材料“五星产品”奖；23款靶材类产品荣获北京市新技术新产品奖励；12英寸超高纯铜靶材、超高纯钻靶材、超高纯银粕靶材被国家博物馆永久收藏。参与单位金川集团股份有限公司是特大型采、选、冶、化、深加工联合企业，主要生产银、铜、钻、粕族贵金属及有色金属压延加工产品、化工产品、有色金属化

12、学品、有色金属新材料等。拥有世界第三大硫化铜银矿床，是中国最大、世界领先的银钻生产基地和柏族金属提炼中心，在全球同行业中具有较强影响力。经过六十年的建设与发展，公司在全球30多个国家和地区开展有色金属矿产资源开发合作，已具备钱20万吨、铜100万吨、钻1万吨、粕族金属6000公斤、金30吨、银600吨、硒200吨和化工产品560万吨的生产能力。镇产量居世界第三位，钻产量居世界第四位，铜产量居国内第四位，柏族金属产量居国内第一位。拥有世界第五座、亚洲第一座镇闪速熔炼炉，世界首座铜合成熔炼炉，世界首座富氧顶吹镇熔炼炉，世界上连续回采面积最大的机械化下向充填采矿法等国际领先的装备和工艺技术。2019

13、年入围“世界500强”,位居榜单369位；位列“中国企业500强”第96位，“中国制造业企业500强”第32位，“中国跨国公司Ioo大”第51位。与国内同行业相比，金川集团股份有限公司进入高纯铜、锲、钻产业较早，通过湿法冶金和真空熔炼技术的结合，成功研制出拥有自主知识产权的4N(99.99%)6N(99.9999%)高纯银产品，并经有色协会专家认定金川高纯银钻铜制备技术均达到国际领先水平。拥有一种制备高纯银的制造方法等9件授权专利和通过鉴定的技术成果5项，制订高纯铜GB26017-2010、高纯镇GB26018-2010、高纯银GB26016-2010三项国家标准。参与南京达迈科技实业股份有限

14、公司位于江宁经济开发区殷巷九竹路铺岗街379号,是专业从事各种银合金材料、铜合金材料、锡合金焊料、贵金属材料及多种金属靶材等产品有色金属加工企业，产品广泛应用于汽车、电子、玻璃、石油化工、钢铁冶金、机电一体化及特种装备制造等行业。公司占地面积12000平米，建筑面积5000多平米，固定资产1500多万元。公司由原江苏省冶金研究所人员创立，经过多年的经验积累和技术创新，公司形成了一支创新型技术骨干队伍，并与东南大学、江苏科技大学、河海大学等多所高等院校紧密合作，共同开发新产品、新技术，确保了研发和创新力度，是国内多家大型汽车和石化机械企业的定点供应商。公司于2005年通过了IS09001:200

15、8质量管理体系认证，2009年评为江苏省民营先进科技企业，2012年成为江苏省高新技术企业。2. 2.2主要工作过程标准主编单位宁波江丰电子材料股份有限公司在标准的编制过程中，能积极主动收集国内外相关标准，负责项目的总体实施和策划，能够带领编制组成员单位认真细致修改标准文本，征求多家企业的修改意见，编制实测数据统计表，公司能够带领编制组成员单位认真细致修改标准文本，征求多家企业的修改意见，最终带领编制组完成标准的编制工作。宁波江丰电子材料股份有限公司、上海同创普润新材料有限公司、有研亿金新材料有限公司、金川集团有限公司等单位积极参加标准调研工作，针对标准的讨论稿和征求意见稿提出修改意见，主要负

16、责标准中文本的编写和把关。自宁波江丰电子材料股份有限公司接到标准制定任务后，便组织相关技术人员，成立了标准编制修订小组，查阅和检索国内外有关技术标准和资料，并征求相关生产和使用企业的意见，作为建立本技术标准的技术依据。同时也考虑了国内生产、加工能力和分析水平等实际情况，形成了本标准的讨论稿。主要工作过程经过以下几个阶段：2022年1月成立标准编制组，并明确了工作的职责和任务。2022年2月一2022年3月，讨论技术标准的具体要求，主编单位整理并形成标准讨论稿。2022年3月2022年4月，牵头单位联合参标单位对此项标准的国内外生产和使用状况进行了相关资料的收集和总结，对技术资料进行了对比分析。

17、2022年4月一2022年12月，牵头单位向标委会提交标准建议书、标准草案及标准立项说明等材料，确定标准立项工作。2022年5月一2022年12月，现场测试跟踪第三方试验，进行验证性试验，根据试验结果，继续修改标准中的相关内容。2023年1月一2023年12月，标准征询意见阶段，通过召开讨论会，发函征询意见形成标准讨论稿及编制说明。2024年卜2024年6月，审查阶段，通过召开标准审定会，形成标准送审稿，完成编制标准报批稿。本标准主要起草人及工作职责见表U表1主要起草人及工作职责序号起草人姓名职责及分工1杨慧珍、廖培君负责高纯银靶标准方案制定、产品情况调研、资料搜集、数据采集与汇总、主持标准条

18、款编写、标准技术内容的理论指导和审核等。2孙慧芳、干科军、汤婷协助高纯锦靶标准方案资料搜集、数据收集、标准编写等。3姚力军、王学泽、周友平、曹欢欢、廖培君参与方案制定、组织协调产品的调研、技术参数的确定、为项目提供保障等“4吴东青、袁倩靖协助收集本标准中产品情况调研、客户使用情况等资料收集。5慕二龙协助本标准方案中技术资料讨论，数据收集。主要工作过程2221预研阶段2022年初，宁波江丰电子材料股份有限公司作为主编单位对国内做高纯锲靶市场情况、生产情况及使用情况进行了详细的调研，主要工作有：了解国内电子薄膜用高纯银靶生产的技术水平、检测及应用情况，与企业技术人员深入讨论技术标准的具体技术要求，

19、参观企业现场生产情况。通过与相关产品制造企业技术交流，同时也考虑了国内生产、加工能力和分析水平等实际情况，由主编单位整理并编制形成了高纯银靶标准项目建议书、标准草案及标准立项说明等材料。根据此次调研情况，由主编单位整理并完善形成标准草案稿。2.222立项阶段2021年4月，宁波江丰电子材料股份有限公司向全体委员会议提交了高纯银靶标准项目建议书、标准草案及标准立项说明等材料，全体委员会议论证结论为同意行业标准立项。2022年7月19日，国家标准化管理委员会关于下达2022年第二批推荐性国家标准计划及相关标准外文版计划的通知(国标委发202222号)的要求，由宁波江丰电子材料股份有限公司负责起草高

20、纯银靶材国家标准。项目计划编号：20220333-T-610,计划完成年限为2024年5月，技术归口单位为全国有色金属标准化技术委员会。2223起草阶段本标准为新制定标准，宁波江丰电子材料股份有限公司在起草阶段进行了大量的数据收集，同时结合全国内高纯模靶材的生产厂家的生产现状及技术水平。1) 2022年7月，成立标准编制组，初步制定了工作计划和进度安排，明确了各参与单位的工作职能和任务。2) 2022年7月2022年12月，编制小组对高纯银靶材使用状况进行了相关资料的收集和总结，并对相关的技术资料进行了对比分析。3) 2023年1月2023年2月，根据编制小组对高纯镇靶材的相关资料进行分析和总

21、结,并对相关牌号的国外标准进行调研，对产品牌号、化学成分等一系列相关问题逐一进行了重新核实，经修改，形成了高纯模靶材的讨论稿。并进行了广泛的征求意见工作。2023年3月80-9日，由全国有色金属标准化技术委员会主持在浙江湖州召开了本标准工作会议。有研亿金新材料有限公司、金川科技集团有限公司、上海同创普润新材料有限公司、南京达迈科技实业股份有限公司等单位对标准的草案稿进行了认真、激励的讨论，对产品规格范围、产品化学牌号等提出了宝贵意见和建议。2023年7月8月，编制小组根据辽浙江湖州工作会议要求，起草单位在此基础上对标准进行了认真修改，并对标准涉及的各相关企业进行广泛调研和数据统计，结合企业的生

22、产实际技术指标和检验数据形成了本标准的征求意见稿。2 224征求意见阶段2023年12月18日一20日，由全国有色金属标准化技术委员会主持在四川成都召开了本标准工作会议。本标准编制组将征求意见稿发送至有研亿金新材料有限公司、金川科技集团有限公司、上海同创普润新材料有限公司、南京达迈科技实业股份有限公司等XX家单位XX位专家代表参加了会议。与会代表对本标准预审稿进行了认真、细致的讨论，并提出修改意见，标准编制组采纳了相关意见，并对标准进行修改完善，形成标准送审稿及编制说明，并提交标委会对标准进行审查。同时全国有色金属标准化技术委员会通过工作群、邮件向委员单位征求意见，并将征求意见资料在网站上挂网

23、。征求意见的单位主要包括生产、经销、使用、科研、检验等单位以及科研院校，征求意见单位广泛且具有代表性，征求意见时间大于2个月。2024年X月标准制定工作组对收集到的意见进行整理，共收到了XX条意见，形成了标准征求意见稿意见汇总处理表。标准制定工作组对征求意见稿进行修改，形成标准送审稿。3 .标准编制原则和确定标准主要内容的论据3.1 标准编制原则本标准起草单位自接受起草任务后，收集了国内外客户要求、国内厂家实际生产水平等信息，初步确定了高纯银靶材标准起草所遵循的基本原则和编制依据：D查阅相关标准和国内外客户的相关技术要求；2）根据国内外高纯银靶材使用企业具体情况，力求做到标准的合理性与实用性；

24、3）广泛适用，操作可行的原则；4）有利于创新发展与国际接轨的原则。3.2 确定标准主要内容的论据3.2.1主要内容与适用范围本标准规定了高纯模靶材的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单（或合同）内容。本标准适用于高纯模靶材。3.2.2规范性引用文件本标准针对客户对高纯模靶材的要求编写。要求包括：分类、化学成分、微观晶粒度、内部质量、焊接质量、外形尺寸及允许偏差、表面粗糙度、外观质量等方面。引用了推荐性国家标准3项，推荐性行业标准2项。3.2.3分类3.2,3.1靶材按照外形分为圆形和方形，或由需方提供图纸。3.2.3.2靶材按照纯度不同，分为4N、4N5

25、、5N三个牌号。靶坯a）单体靶材b）复合体靶材图1靶材结构示意图3.2.3.3靶材按照结构形式分为单体与复合体两种，如图1所示。3.2.4技术要求3.2.4.1化学成分本标准根据合金特性与最终靶材溅射镀膜用途不同，可以由供需双方协商对合金中某些特殊元素进行控制。参照国内外标准和客户要求，对一些已知的存在危害的杂质元素含量给出了明确控制要求，这些元素主要包括Na、Fe以及C和。等。碱金属离子（3+、K+）易在绝缘层中成为可移动性离子，降低元器件性能；铀（U）和t（Th）元素会释放射线，造成元器件产生软击穿；Fe离子会产生界面漏电及氧元素增加等问题，C和。含量过高易导致放电异常。因此须对靶材原材料

26、中该类元素进行控制。目前市场上常见的纯度要求如下：高纯银溅射靶材纯度应不小于99.99%,产品的化学成分要求应符合表2的规定。元素要求来源于目前现有客户的要求，取其综合版本。表2化学成分要求牌号4N4N55N银靶材质量分数a%,不小于99.9999.99599.999杂质含量（质量分数1（4%）,不大于Al2052AS2051Au521Ag521Bi521Ca1051Cd521Co50203Cr50153Cu40202Fe502010Mg1011Mn1011Na511K511Li511P511Pb511Sb311Si1051Sn1051Ti20103V20101Zn1052杂质总含量（不包含C

27、、H、0、N、S）%,不大于oa005aOOi气体杂质含量（质量分数Xl（TH）,不大于C100函30N1010503020HWS硒4注：需方对元素有特殊要求的，E由供需双方协商，并在订货单（或合同）中注明。a模靶材的质量分数为100%减去金属杂质实测总和的余量（不含C、H、0、N、S等气体）。高纯锲溅射靶材纯度应不小于99.99%,产品的化学成分检测结果见表3、表4、表5所示。表34NNi靶化学成分牌号4NNi含量%,不小于99.9999.99499.99399.99399.99299.99399.99499.9939999399.993杂质含量（质量分数104%）,不大于Al201.922

28、312212471.992521.971.89253AS200.0050.0050.0050.0050.0050.0050.0050.0050.005Au50.05a050.050.050.050.050.05/().()C0.05Ag50.0050.0050.0050.0050.0050.005aoo5aoo5aoo5Bi50.0050.0050.0050.0050.0050.0050.0050.0050.005Ca100.050.050.050.050.050.050.05ao50.05Cd50.050.050.050.050.050.050.050.050.15a440.410.33K5

29、0.010.()10.010.010.010.010.01().(10.01Li50.001aoo10.001aoo10.0010.0010.001aoo10.001P50.76a88a76a7ia83Q55a640.610.52Pb50.0050.0050.005aoo50.0050.0050.005aoo50.005Sb30.050.050.050.050.050.05ao50.050.05Si107.98a129.971421S76a697.887.999.54Sn100.050.05ao50.050.050.050.050.050.05Ti202.25aioa412L98265277a

30、oia333k62V200.03Q05a03a04Q03Q05a040.040.03Zn101.242011.981.751.88L241.351.441.99杂质总含量o0.0060.0070.007a008a007Q0060.007a0070.007气体杂质含量（质C100555555555N10555555555量分数O3329203127303035331(4%),H111111111不大于S0.68a77Ol52Ol88Q47Q590.23Q440.58表44N5Ni靶化学成分kh=牌节4N5Ni含量%,不小于99.99599.99799.99799.99899.99699.9979

31、a99799.99799.99799.997杂质含量(质量分数1(4%).不大于Al50.19ana15Q35a28a19a200.25a24AS50.0050.(X)5a0050.0050.0050.005a005a0050.005Au20.05a050.050.05a050.050.05aosa05Ag20.005a005a005a0050.0050.005a005a0050.005Bi20.005aoo5a005a005a0050.005a005a0050.005Ca50.050.050.050.050.050.050.050.050.05Cd20.().50.05O.050.05Q()

32、.50.()5O.050.050.05Co205.08124aos7.745l62&50498Gol624Cr151.03201246S313.012551.962.31287Cu204.7S5633641634.664697.3Fe20&910.115l41267.7a925.997.616l66Mg10.005aoo5a005a0050.0050.005a005a0050.005Mn10.005aoo5a005a0050.0050.005Q005a0050.005Na1ana15a21a23a200.18a15a13a20K10.()10.01QOl0.010.010.010.010.01

33、0.01Li10.001aooaooaoo0.0010.001Q001aoo0.001P10.21a21a240.25a19a180.22a22a22Pb10.005a005a005a0050.0050.005a005a0050.005Sb10.050.050.050.050.050.050.050.050.05Si51.841.76a922351.771.561.661.701.85Sn50.050.050.050.050.050.050.050.050.05Ti101.581.111.351.981.131.46L321.331.40V100.010.01a01a01QOl0.01aOl0

34、.010.01Zn50.63a58a60Q74a66a51a480.52a51杂质总含量0.0050.003a003a0020.0040.003a0030.003a003aoo3气体杂质含量(质量分数l(l%),不大于C.I(X)555555555N105555555550.7)101515171826252019H111111111S200.43a35a40a40a220.45a330.310.32表55NNi靶化学成分牌号5NNi含量%,不小于99.99999.99949ft999399.999399.999699999599.999499.99949ft999399.9996杂质含量(质

35、量分数1(4%),不大于Al2Q04a03a02a02a09a03a06a09a03AS10.005a0050.0050.005a0050.0050.0050.005a005Au105ao50.050.05ao5ao50.050.05ao5Ag10.005a0050.0050.005aoo50.005aoo50.005aooBi10.005aoo50.0050.0050.0050.0050.0050.0050.005Ca10.050.050.050.050.05a050.050.050.05Cd10.050.050.050.050.05a050.050.050.05Co31.131.781.0

36、31.01L391.91.471.38a99Cr3a1a080.18a08a07a09a06a07a08Cu2a47a35a330.4a36a46a42Q69a39Fe102551.541.691.991.631.431.661.39L76Mg10.005a0050.0050.005a0050.0050.0050.005a005Mn10.005a0050.0050.005aoo50.0050.0050.005a005Na10.16a07a04a02a13a04aosaosaK1aoao0.010.01aoQ010.010.01aoLi10.001aoo0.0010.001aoo0.0010.0

37、01aoo0.001P1ao0.010.010.01ao0.010.010.010.01Pb10.005aoo50.0050.005a0050.0050.0050.0050.005Sb10.050.050.050.050.05ao50.050.050.05Si1a04aoi0.005aoiaoia02a02aoiaoiSn1a05ao50.050.05ao50.050.050.05ao5Ti3a08a060.05a02a03a021.74Q09a17V10.001aooaoo0.001aoo0.001aoo0.001aooZn20.050.050.050.050.05ao50.050.050.

38、05杂质总含量0.0010.0006aooo7a0007a00040.0005a00060.0006a00070.0004气体杂质含量(质量分数1(4%),不大于C30555555555N5555555550201055786587H当111111111S4a03a03aoia03a07aoia05a02a083.2.4.2晶粒平均值靶材微观晶粒大小对溅射薄膜的制备和性能有很大影响。多项实验研究表明，随着靶材晶粒尺寸的增加，靶材的溅射速率呈下降趋势，薄膜的均匀性变差。当晶粒尺寸大小变化在合适的范围内时，靶材使用时等离子体阻抗较低，薄膜的沉积速率高，并且均匀性较好。因此，为了提高靶材的性能，靶材的晶粒尺寸必须严格控制。高纯镇靶材晶粒控制要求通过分析世界范围行业内的普遍控制标准并结合客户的使用要求制定，产品晶粒平均值应不大于100Un1,最大值不大于150Hm,