2023存储行业深度报告：周期弹性将现“算力+”拓展边际空间.docx

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1、存储行业深度报告周期弹性将现,“算力储拓展边际空间目录供需平衡带动价格止跌，存储周期反转在即7存储是最能反映半导体景气度的细分品种7多维度论证存储周期底部已至9供应链瓶颈仍在，存储国产化是关键一环14从三大产品看国内存储产业链布局现状15新应用催生新需求，Al驱动存力重要性提升17Al服务器存储用量倍增，新平台引DDR5加速渗透17AI推动存算一体技术创新加速，HBM技术推动AI算力突破存力瓶颈20数字中国建设加速，存储增量空间打开25政策推动打造算力产业新格局25韶关数据中心建设带动相关市场空间达800亿元26投资速议28风险提示29兆易创新30东芯股份37北京君正46普冉股份53澜起科技6

2、0恒烁股份68图表目录图表1.2022年全球半导体市场结构7图表2.2021年全球半导体存储器市场结构7图表3.存储市场规模2021-2027年CAGR约为8%8图表4.2021-2023年集成电路各细分领域销售额8图表5.20102024F年半导体细分市场增速8图表6.从价格、库存、供给、需求多维度论证存储周期底部已至9图表7.主流DRAM颗粒现货平均价9图表8.主流NANDWafer现货平均价10图表9.2Q23-3Q23各类DRAM、NANDFlash产品价格涨跌幅预测10图表10.海力士存货及周转天数11图表IL美光存货及周转天数11图表12.全球存储原厂减产计划11图表13.NAND

3、Flash2023E下游需求结构12图表14.DRAM2021年下游需求结构12图表15.中国智能手机出货量12图表16.全球PC出货量13图表17.全球服务器出货量13图表18.存储产业链14图表19.部分国内存储产业链公司14图表20.1Q23DRAM市占情况15图表21.2020-2023NANDFIaSh市占情况变化15图表22.2021NORFlash市场份额16图表23.国内NORFlash企业相关产品介绍16图表24,全球Al服务器出货量预测17图表25,全球服务器存储市场规模预测17图表26.2015-2026DRAM制程渗透率占比18图表27.DDR技术规格升级趋势18图表2

4、8,2020年全球内存接口芯片行业市场竞争格局19图表29.内存接口芯片的发展演变19图表30,全球SerVer和PCDDR5渗透率快速提升19图表3LDDR5内存接口芯片方案19图表32.HBM结构20图表33.存算一体技术升级趋势21图表34.国内存算一体公司相关产品介绍21图表35.HBM发展历程22图表36.HBM市占率预测22图表37.主流算力GPU采用HBM内存技术不断升级23图表38.英伟达GH200Superchip构造23图表39.DGX系列显存成倍增加23图表40.2022-2026EHBM市场规模预测23图表41.SK海力士高性能计算存储解决方案24图表42.中国数据产量

5、迅猱提升25图表43.人工智能大模型参数呈指数级增长25图表44.近一年来主要算力相关政策26图表45.韶关数据中心产业链发展目标27图表46.东数西算布局图27图表47.报告中提及上市公司估值表（截止2023年7月25日收盘价）28图表48.兆易创新发展历程31图表49.兆易创新股权结构（截至2023Ql）31图表50.兆易创新营收情况32图表51兆易创新各产品营收情况32图表52兆易创新盈利能力情况32图表53,兆易创新各产品毛利率情况32图表54.兆易创新期间费用率情况33图表55,兆易创新归母净利润情况33图表56兆易创新主要芯片产品33图表57.兆易创新盈利预测34图表58.兆易创新

6、可比公司估值35图表59.东芯股份主要产品及下游应用38图表60.东芯股份股权结构（截至2023年一季报）39图表61.东芯股份营收情况39图表62.东芯股份主营产品营收占比情况39图表63.东芯股份盈利能力情况40图表64.东芯股份分产品毛利率情况40图表65.东芯股份期间费用率情况40图表66.东芯股份归母净利润40图表67.东芯股份主要产品性能指标41图表68.东芯股份下游客户广泛分布41图表69.东芯股份主要产品制程持续升级42图表70.东芯股份盈利预测43图表71.东芯股份可比公司估值43图表72.北京君正发展历程47图表73.北京君正产业布局情况47图表74.北京君正股权结构（截至

7、2023一季报）48图表75.北京君正营收情况48图表76.北京君正各产品营收占比情况48图表77.北京君正盈利能力情况49图表78.北京君正各产品毛利率情况49图表79.北京君正期间费用率情况49图表80.北京君正归母净利润情况49图表81.北京君正核心技术50图表82.北京君正盈利预测50图表83.北京君正可比公司估值51图表84.普冉股份发展历程54图表85.普冉股份产品布局情况54图表86.普冉股份股权结构（截至公司23年一季报）55图表87.普冉股份营收情况55图表88.普冉股份各产品营收占比情况55图表89.普冉股份盈利能力情况56图表90.普冉股份各产品毛利率情况（）56图表91

8、.普冉股份期间费用率情况56图表92,普冉股份归母净利泗情况56图表93,普冉股份盈利预测57图表94.普冉股份可比公司估值58图表95.澜起科技发展历程61图表96.澜起科技股权结构（截至2023年7月4日）62图表97.澜起科技营收情况62图表98.澜起科技各产品营收占比情况62图表99.澜起科技盈利能力情况62图表100.澜起科技各产品毛利率情况（）62图表IOL澜起科技期间费用率情况63图表102.澜起科技归母净利泗情况63图表103.澜起科技DDR564图表104.澜起科技津建CPU64图表105.澜起科技盈利预测65图表106.澜起科技可比公司估值65图表107.恒烁股份发展历程6

9、9图表108.恒烁股份产业布局情况69图表109.恒烁股份股权结构（截至2023年第一季度）70图表110.恒烁股份营收情况70图表IlL恒烁股份各产品营收占比情况70图表112,恒烁股份盈利能力情况71图表113.恒烁股份各产品毛利率情况（）71图表114.恒烁股份期间费用率情况71图表115.恒烁股份归母净利泗情况71图表116.恒烁股份NoRFlaSh主要产品系列型号及应用领域72图表117.恒烁股份盈利预测73图表118.恒烁股份可比公司估值73供需平衡带动价格止跌，存储周期反转在即存储是最能反映半导体景气度的细分品种存储芯片隶属于半导体大集中集成电路的范畴。半导体可分为分离器件、光电

10、子、传感器和集成电路四大类。其中，集成电路是半导体中占比最高的产品类型，2022年其市场规模达4799.88亿美元，约占整个半导体市场规模的82.74%,集成电路包括模拟芯片、微处理器芯片、逻辑芯片和存储芯片等四种类型芯片。存储芯片（MemoryChip）是一种用于数据存储和读取的电子器件，其由一系列存储单元组成，每个存储单元可以存储一个或多个比晴的数据。存储芯片包括一旦断电储存的数据就会丢失的易失性存储（RAM）,以及断电后不影响保存数据的非易失性存储（ROM）o其中，RAM按照是否需要刷新分为SRAM和DRAM（需要刷新），DRAM按应用场景的不同分为DDR以及LPDDR;ROM芯片中最为

11、常见的是FlaSh其按照不同的存储结构分为基于页的NANDFlash以及基于字节的NORFlash,NANDFIaSh按应用场景不同又分为嵌入式存储、固态硬盘SSD以及移动存储等。DRAM、NAND是目前全球最主要的存储器，根据ICInSightS的数据显示，2021年全球DRAMNANDNOR营收占比分别为56%41%2%o目前存储芯片被广泛应用于各种包子设备和系统中，例如个人电脑、智能手机、数码相机、游戏机、汽车电子、物联网设备等。存储芯片在集成电路中占比校高.根据WSTS数据，2021、2022年，存储芯片在集成电路销售额中占比33.23%、28.00%,同时预测2023年全年集成电路销

12、售额将达到4530.41亿美元，其中存储产品销售额达1116.24亿美元，占比24.64%,在半导体市场遇冷的大环境下，仍旧占比较高。据YoIe预测数据，存储21-27年CAGR达到8%,至2027年，存储市场规模有望达到2630亿美元。图表3.存储市场规模20212027年CAGR约为8%图表4.20212023年集成电路各细分领域销售颔资料来源:Yolef中银证券资料来源:WSTS,中银证券存储芯片市场弹性较疆，将有望引来上行周期。存储芯片大宗商品属性较强，标准化程度高，故其可替代性较强、价格对下游市场需求较为敏感，因此存储芯片的周期波动往往高于半导体行业的整体周期波动，在整体行业处于下行

13、周期时，存储市场往往会受到更高的冲击，而相应地若处于从低谷持续回暖的上行周期，存储芯片市场也将会相对受益更多；同时，根据过去的历史规律，存储芯片下趺周期往往不超3年，而目前存储市场景%度下行已持续近两年半，我们预计其有望很快迎来上行周期，根据WSTS的预测，存储2023-2024年市场规模为840.4亿美元和1203.3亿美元，分别同比-35%,+43% I3316 MHz IIIR4-DDR44Gb512Mx82B3GraphicsDRAM、ConsumerDRAM的23Q3均价均预计环比下跌05%;NANDFIaSh方面，同样受惠于原厂减产幅度持续犷大，与季节性旺季需求支撑，预估23Q3整

14、体NANDFlash均价下跌收敛至38%,其中NANDFlashWafer均价预估将率先上涨，环比增长05%;eMMC、UFS,其合约均价预计跌幅仍有约813%;EnterPriSeSSD均价跌幅将收敛至510%：ClientSSD均价将环比下跌813%,图表9.2Q23-3Q23各类DRAM、NANDFIaSh产品价格涨跌幡预测DRAM2Q23E3Q23FDDR4:down1520%DDR5DDR4:down3-8%DDR5PCDRAM:down13-18%Blended:down0-5%BlendedASP:down1520%ASP:down0-5%DDR4:down1823%DDR5DD

15、R4：down3-8%DDR5ServerDRAM:down1318%Blended:down05%BlendedASP:down15-20%ASP:down05%MobileDRAMdown13-18%LPDDR4X:down05%1.PDDR5XwithHKMG:up0-5%GraphicsDRAMdown10-15%down0-5%ConsumerDRAMdown10-15%down0-5%TotalDRAMdown13-18%down0-5%NANDFlash2Q23E3Q23FeMMC/UFSConsumer:down813%Consumer:mostlyflatMoblie:dow

16、n1520%Moblie:down813%EnterpriseSSDdown13-18%down5-10%ClientSSDdown15-20%down8-13%3DNANDWafers(TLC&QLC)down813%up0-5%TotalNANDFlashdown1015%down3-8%资料来源:TrendForce中银证券整理库存对比海外存储大厂海力士与美光的库存，自22年初水位一直增长，反应过去存储一直处于下行周期，目前海力土库存水位增速放缓，其周转天数已达峰，23Q2有望看到好转：美光FY23Q2存货、存货周转天数水平较FY22Q4均有所下行，公司在FY23Q3法说会也公开表明其客

17、户库存正在改善：除数据中心外，美光的其他终端市场的库存接近正常水平，数据中心的客户库存预计在今年年底或往后不久也会有所改善。美光FY23Q3指的是公司2023年2月-5月的经营季度，对应了三星、海力士一部分的FY23Q2的财务情况，因此从美光的指引来看三星、海力士FY23Q2的库存水位很有可能看到好转的迹象。同时，近日三星突然在非常规的人事季节更换DRAM部门负责人，与其上半年存储半导体表现低迷亦有关联。我们判断，海外存储大厂的库存水位与库存周转天数的变化是目前存储行业已触底的积极信号。图表10.海力士存货及周转天数图表11.美光存货及周楮天数4W用2Q.资料来源：海力士,中银证券资料来源:美

18、光,中银证券供给供给方面，低迷的市场表现和严重的亏损影响着各大存储芯片厂商，为及时调整库存和减少供应过利带来的负面影响如降价等，三星、SK海力士、美光、铠侠、西部数据等大厂纷纷于半年内宣布大幅减产、缩减资本支出。根据美光FY23Q3法说会信息，其近期将DRAM和NAND晶圆开工率进一步减少至接近30%,预计减产将持续到2024年，这或也将对应三星、海力士等存储大厂FY23Q2的晶圆开工率情况。在大厂纷纷减产影响下,存储市场的供给将会持续减少以应对当前客户足量的库和下游芟摩的需求，最终驱动供求关系稳定地趋于平衡，存储芯片价格将会止跌。图表12.全球存储原厂减产计划公司名称减产计划三星SK海力士美

19、光西部数据三星FY23Q1财报电话会议上表示将开始削减存储芯片产量资本支出方面，SK海力士尽量减少不必要的投资，2023整体资本支出将同比减少超50%;减产方面，SK海力士已经在Q4减少部分低利泄及高库存产品的晶圆产能美光在FY23Q3财报电话会议上表示DRAM与NAND将减产三成，预计减产持续到2024年:资本支出上，2023年全年同比下降40%以上，其中WFE同比下降50%以上西部数据在FY23Q2财报电话会议上表示将首次减产：缩减设备投资和生产，NAND晶圆产量减少至目前水平的30%:在FY23Q3财报业话会议上表示将进一步下调2023财年资本支出预算贵料来源：各公司法说会,中银证券整理

20、需求根据ICInsights数据，2021年NANDflash和DRAM占存储芯片市场份额近97%,因此NANDFlaSh和DRAM的下游需求结构能够反映存储芯片主要下游应用。根据Trendforce与华经产业研究院的相关数据，智能手机分别占到NANDFlaSh和DRAM下游应用的40%左右，服务器分别占23%和34%,笔电分别占21%和13%。图表13. NAND Flash2023E下游需求结构图表14. DRAM 2021年下游需求结构资料来源:Trendforce,中银证券资料来源:华经产业研究院,中银证券 u Ir）机由 t*f智能手机服务器PC其他游戏控制以下将从智能手机、笔电、服

21、务器三类下游应用的市场规模及趋势进行需求端的分析。自2017年开始，全球智能手机开始呈现下降趋势，经济疲软和通货膨胀等后疫情宏现因素使得消费复苏不如预期，IDC预测2023年全球智能手机出货量将下降3.2%但同时IDC也释放出积极信号，全球智能手机市场将有望于2024年实现良好复苏，预计出货量将增长6%,未来4年市场也将呈持续增长趋势。图表15.中国智能手机出货量资料耒源:工信部,中银证券笔电市场在经过几季度的低迷后有望立即反弹。根据数据，全球笔电市场将于23Q2现快速复苏并持续增长，23Q2全球笔电出货量将达40.5百万台，同比增长15.7%,到23Q4出货量将增长到44.7百万台。我们认为

22、，笔电市场的复苏或将带动其余品类的消费电子产品景气度上行，从而多重需求驱动存储芯片市场的增长。同时，省电代工厂广达受惠于省电需求转好的季底拉货效应展现强大动能，6月营收破900亿元新台币大关，纬创、英业达业绩6月营收也同比走高。图表16.全球PC出货量出货量QoQ资料来破:TrendForce,中银证券全球服务器出货量过去十年一直呈现增长趋势，由于宏观经济因素，IDC预计2023出货量增速将下滑，2024年有望重回稳健增长轨道。同时，行业整体呈现出Al服务器等高算力型号渗透率增长超过传统型号的趋势，预计2023-2026年Al服务器渗透率CAGR将达到26.05%,且由于Al服务器对软硬件要求

23、高，对上游部件价值量起到的增长作用将远超传统服务器。图表17.全球服务器出货量资料来源：IDC,中银证券供应链瓶颈仍在，存储国产化是关键一环目前我国的半导体产业正蓬勃发展，但仍有一些卡脖子的环节，如产业链上游的半导体设备（如光刻机）与原材料（如湿化学品）、晶圆制造以及芯片设计环节，在芯片设计中存储芯片产业链便是目前国家布局半导体行业中需要着重攻克的领域。半导体产业链存储芯片行业产业链上游参与者为原材料供应商和设备供应商；行业中游为存储芯片制造商，主要负责存储芯片的设计、制造和销售。芯片具有较高技术壁垒，当前全球存储芯片市场被韩国、日本、美国企业所占据：行业产业链下游参与者为消费电子、信息通信、

24、高新科技技术和汽车电子等应用领域内的企业。图表18.存储产业链舄利帔资料来源:前除产业研究院,中银证券存储芯片行业属于技术密集型产业，中国存储芯片行业起步晚，块乏技术经脸累积。虽然中国本土长江存储、合肥长鑫等存储芯片企业已逐步完善NAND和DRAM产业布局，技术已经追赶上国际巨头并进行规模量产，但也有部分等细分领域仍处于投产初期，尚未实现产品的规模量产。与国外存储芯片制造商相比，中国存储芯片技术基础薄弱为制约行业发展的主要因素。图表19.部分国内存储产业链公司分类企业主要产品兆易创新主要产品为NORFlash和NANDFlash设计紫光国芯主要产品有DRAM芯片、DRAM模组芯邦科技主营用于U

25、盘、SD/eMMC等产品的存储器控制芯片等华澜微电拥有全系列存储控制器芯片技术代工中芯国际有Nc)RFIash、NAND产线华虹半导体在嵌入式非易失性存储器领域具备优势华天科技负责长江存储芯片的封测封测深科技存储封测龙头，长鑫主力封测供应商通富微电负责东芝的封测IDM长盆存储DRAM产品达到国际领先水平长江存储NANDFlash产品达到国际领先水平资料来源:中商产业研究院,中银证券从三大产品看国内存储产业链布局现状DRAMDRAM三巨头具备先发优势。据TrendForce数据统计，DRAM头部效应明显且集中度呈现越来越高的趋势，23Ql市场CR3达955%,较20Q1提升L3pcts产品上，目

26、前产品最新标准迭代至DDR5,IOnm以下制程待突破。传统异步DRAM已被淘汰，读/写时钟与CPU同步的SDRAM作为DRAM的升级成为主流，主要包括DDRGDDRLPDDR等，其中DDR已迭代至第五代(DDR5):制程上.Ionm20nm系列制程至少包括六代：IXnm(16-19nm)/IYnm(14-16nm)/IZnm(12-14nm)/1/1lY,IOnm以下待突破。长鑫2018年成功研发出中国首个国产8GbDDR4内存，2021年开始进入I7nm工艺环节，2022年完成了17nmDDR5内存试产。目前长窸存储主要产品有DDR4内存芯片、LPDDR4X内存芯片以及DDR4模组，但整体来

27、看，与DRAM三巨头仍存在一定差距图表20.1Q23DRAM市占情况p三三三三=三三三三三三三三三B三三资料来源:TrendForce,闪存市场,中银证券NANDFlash相比于DRAM,NAND集中度更低，但目前依然呈现越来越高的趋势。据TrendForCe数据显示，近两年NANDFlaSh市场龙头占领的市场份额进一步加大，CR5从20年Ql的89.0%增长到现在的96.6%o产品上，长江存储于2022年发布基于晶栈(Xtacking)3.()技术的第四代TLC三维闪存X3-9070,相比长江存储上一代产品，X3-9070拥有更高的存储密度，更快的I/O速度，并采用6-plane设计，性能提

28、升的同时功耗更低，同时是长江存储历史上密度最高的闪存颗粒产品，能够在更小的单颗芯片中实现ITb的存储容量，与国际巨头达到相近的技术水平，这同时也是NAND价格一路下趺的重要原因之一。图表21.2020-2023NANDFIaSh市占情况变化资料来源:TrendForce,闪存市场，中银证券NORFlashNORFlash市场由华邦电、旺宏、兆易创新3家厂商主导。据ICInsights统计，2021年NORFlaSh市场CR3份额达91%,从制程布局上看，华邦也相对领先，自2021年大多数产品已转进40nm制程；旺宏的所有NOR器件都于2022Q2开始向45nm工艺生产过渡；兆易创新作为国产NO

29、RFIaSh龙头，其55nmNORFlash全系列产品均已量产，同时正在着力推进45nm制程工艺研发。23.20%9.30%32.70%华邨 旺宏 光易创新 其他资料来源:ICitisighls,中银证券作为国产化率最商的一类存储芯片，国内有许多企业在NORFlash芯片进行产品布局。兆易创新5作为全球NoRFklSh产品的龙头，其相关产品涵盖了市场绝大部分的容量类型从512Kb至2Gb,电压涉及1.8V、2.5V、3.3V以及宽电压产品；北京君正：公司分别通过控股北京矽成、上海芯楷进行NORFIaSh存储芯片的研发与生产，具有串口型和井口型两种设计结构，涉及到消费电子、汽车电子等下游领域；普

30、冉股份：公司相关产品包含L系列（高电压、2.3-3.6V）、H系列（低电压、1.65-2V）、U系列（宽范围：1.65-3.6V）三类，广泛应用于智能手机、TWS耳机等领域；东芯股份：公司产品应用于通讯设备、可穿戴设备以及安防监控设备，覆盖容量从64Mb到IGb的产品规格：恒烁股份：公司NoRFlaSh存储芯片产品具有可靠性高，功耗低以及先进的安全特性等优势，应用范围涵盖了显示驱动，PC、平板等消费包子设备，以及WLAN等通讯设备。图表23.国内NORFlash企业相关产品介绍相关产品性能参数兆易创新SPlNORFIaSh可提供覆盖512Kb到2Gb的16种容量选择，拥有四种不同电压范兆易创新

31、围，提供多达20种不同的封装选项，可满足客户不同应用领域对容量、电压以及封装形式的需求：同时，产品在低功耗、高可拿性、小封装等特性上表现出色北京君正控股北京矽成半导体，北京矽成控股ISSC,ISSC在存储芯片上布局全面，其中NORFlash包含SerialNORFlash（QSPI,SPI）、SerialNORFlashwithECC、TwinQuadSerialNOR北京君正Flash（x8SPI）.Parallel（ISA）NORFlash北京君正控股上海芯糟，上海芯楷布局消费级NORFlash,提供高品质、高性能的SPINORFlaSh产品.lt.普冉股份SPlNoRFIaSh包括L系列

32、、H系列、U系列相关产品，容量覆盖从512KB到256MB口用股份，提供超小型产品封装（USON8、WLCSP）、以及用SIP方式封装的KGD芯片东芯股份SPlNORHaSh可提供通用SPI接口，覆盖容量从64Mb到IGb的规格，电压为东芯股份L8V,支持SingIe/Dual/QUadSPl和QPl四种指令模式、DTR传输模式和多种封装方式：产品专注在中小容量，可广泛应用于各种应用场景恒烁半导体SPlNORFlaSh主要包括1.8V工作电压的ZB25LD/ZB25LQ系列，3.0V工作电1.Y次八压的ZB25VQ/ZB25D系列，以及1.8/3.3V宽工作电压的ZB25WD/ZB25WQ系列

33、，容量大小怛痹及份为1到256MB;产品可支持高达到266MHZ和532MHZ的数据交换速度；产品数据保持时间20年，擦写次数可达10万次，静态电流低至IuA资料来源:公司官网,中银证券新应用催生新需求，Al驱动存力重要性提升Al服务器存储用量倍增，新平台引DDR5加速渗透AI大模型伴随自身参数的爆发增长持续迭代升级,AI服务器深度受益于Al大模型的参数增长2023年3月150,OpenAI发布了ChatGPT的最新版本GPT4模型，揭开了第四次科技革命“智能时代”序幕，人类进入Al大模型时代。而目前大模型升级的趋势之一即是参数量的飙升。大模型的参数规模越大，恚味春算力负担越重，而AIJlI务

34、器则是算力的核心.TrendForce不断上修AI服务器出货量，预计2023年AI服务器（包含搭载GPU、FPGA.ASIC等）出货量近120万台，年增38.4%,占整体服务器出货量近9%,至2026年将占15%,同步上修2（）222（）26年Al服务器出货量年复合成长率至22%o我们认为Al创新引发的算力“军备竞赛”将推动Al服务器趣颈期渗透。图表24.全球Al服务器出货量预测资料来源:TrendForce,中银证券大模型参数及训练数据量的增长对显存容量有更商的要求。更多的参数量不仅可以提高模型的表现能力，也意味着需要大容量、高速的存储支持。存储芯片巨头美光于FY24Q2法说会表示，一台人工

35、智能服务器DRAM使用量是普通服务器的6-8倍，NAND是普通服务器的3倍。根据我们的预测，2026年服务器DRAM（不含HBM）市场规模有望达321亿美元，NAND市场规模有望达425亿美元。图表25.全球服务器存储市场规模预测时间2020202120222023E2024E2025E2026E全球噩务器出货量（万台）1,2201,3501,5201,5501,6801.7901.890通用服务器1,2101,3371,4351,4321,5301,6011,653AI服务器101386118150190237DRAM规格渗透率（%）DDR4渗透率100.097.090.075.050.03

36、0.015.0DDR5渗透率0.03.010.025.050.070.085.0单台服务器DRAM价值量（美元/台）通用服务器1,5002.0481.6051,1251,4381,4251,356AI服务器4,5006,1444.8153,3754,3134,2754.069单台腰务器NAND价值量（美元/台）通用服务器2,1501.9971.8431,5361,6901.8431,997AI服务器4,3013,9943,6863,0723.3793.6863,994全球服务器存储市场规模（亿美元）DRAM（不含HBM）186282271201285309321NAND264272296256

37、309365425资料来源：1DC,TrendForce,dramexcahnge,英伟达,中银证券测算ODRDDR2DDRJDDR4DDRS资料来源:Yole,中银证券针对M服务器的高性能要求，更强大的内盾DDR5需求也随之提升O与DDR4相比，DDR5具备更高速度、更大容量与更低能耗等特点。DDR5内存的最高传输速率达6.4Gbps,比DDR4内存提升了一倍。与根据SemiCOndUCtOI资料显示，DDR产品总体呈现电源电压值越来越小、数据传输速率急速增长、芯片密度越来越大的趋势。图表27.DDR技术规格升级趋势VddDDR2.5VDDR21.8VDDR31.5V(1.35DDR3L)D

38、DR41.2VDDR51.lVVpp内部内部内部2.5V内部时钟频率(MHZ)100-200100-266(C)133-3OO(C)133-300(OC)133-200-.I/O时钟频率(MHZ)100-200200-533533-1.2001,066-2.4002,133-3,200-.预取缓冲区大小2n4n8n8n16n最大传输率(MT200-400400-1,0661,066-2,4002,13348004,266-6,400-.每DlMM最大传输率(GBZs)1.6-3.23.2-8.56.4-19.219.2-38.434.151.2-.存储器库数量48816in4groups32i

39、nxgroups芯片密度256MB-1GB512MB-4GB1GB-8GB4GB-32GB16GB-32GB-.典型模粗密度IGB4GB8GB16GB32GBDIMM引脚数184240240288288CMD/住址总线24BitSDR(具备2x7bilDDRODT架构)(不具ODT架构)通道频宽646464642x32资料来源:Semiconductor,中4艮证券内存接口芯片需求有望随DDR5份额提升而增加内存接口芯片是服务器内存模组的核心逻辑器件，作为服务器CPU存取内存数据的必由通路，其主要作用是提升内存数据访问的速度及稳定性，满足服务器CPU对内存模组日益增长的高性能及大容量需求；内存

40、接口芯片认证、技术壁垒高，行业格局高度集中，有研发周期长，更新迭代快的特点。自DDR4开始，行业主要参与者仅轲澜起、璃萨(IDT)XRambUS三家，2020年三家全球市占率分别为44%、36%、20%。随着DDR内存技术向DDR5世代切换，内存接口芯片的用量也在增加。以国内龙头澜起科技为例,其在业界率先试产DDR5第二子代RCD芯片，发布业界首款DDR5第三子代RCD芯片工程样片及DDR5第一子代CKD芯片工程样片。目前，澜起DDR4及DDR5内存接口芯片已成功进入国际主流内存、服务器和云计算领域，并占据全球市场的重要份额。图表年全球内存接口芯片行业市场竞争格局I # IUmbu 璃/（】D

41、T）资料来源:华经产业研究院,中银证券图表29.内存接口芯片的发展演变世代内存接口芯片技术特点主要厂商研发时间跨度DDR2最低可支持1.5V工作电压l热尔西尸1叩卜2（）04年_2008年澜起科技、IDT等DDR3最低可支持1.25V工作电压，最高可支持InPhi、IDT、澜起科技、2（X）8年-2014年1866MTs的运行速率Rambus.Tl等DDR4最低可支”LjV十作电压，最高可支持澜起科技、IDt、RambUS2013年-2017年32OOMTs的运行速率DDR5最低可支持LlV工作电压，可实现4800MT&闻寿日及y技由彳（的的运行速率，并在此产品基础上,继续研发谓科学、萨电子（原2017年至今56（X）MTs,6400MTs等产品间）、Rambus资料来源：澜起科技年报,中银证券电源管理芯片（PMIC）是在DDR