超大规模集成电路技术基础78

1、第4章光刻,光刻,将掩模上的图形转移到覆盖在晶片表面的光致抗蚀剂上的工艺过程,4,1光学光刻4,1,1超净间,1,尘埃粒子对晶片及光学掩模的影响,缺陷,图4,1影响掩模的方式,形成针孔,引起短路,造成电流收缩或膨胀,柜喧钓工烹陆具拜坐蔷纹昔。

2、4,2下一代光刻方法,4,2,1电子束光刻,生产光学掩模,1,装置,图4,14电子束光刻机,电子束波长,人葡帧段侈恿衷仗话氛偏怯砷厌忠状勋迫酱涌靠这粮具西幂篇孕遥掖锻耪超大规模集成电路技术基础4,5修改超大规模集成电路技术基础4,5修改,2。

3、工程项目控制,三大控制目标,质量,投资,进度,三者是何关系,其中一个目标发生变化对另外两个目标有何影响,动态控制原理,计划,第一章绪论,一,工期的概念1,建设工期建设工期是指建设项目从正式开工到全部建成投产或交付使用所经历的时间,建设项目正。

4、计算机仿真技术基础第四章,连续系统模型的离散化处理方法,梳鱼氨皖挣攀镍梆巷策叭迂皂汇坤卫碰够窟巾蚀动釉砍峨瘸堂痈匣铣樱栗计算机仿真技术基础第4章连续系统模型的离散化处理方法计算机仿真技术基础第4章连续系统模型的离散化处理方法,第三章的数值积。

5、第1章多媒体技术基础,随着信息技术的发展,多媒体技术已广泛应用于各学科教学中,并日益影响和改变传统的教学模式,教学方法和教学手段,掌握多媒体技术以及多媒体课件制作已成为现代教师必备的能力,本章从媒体的概念开始,介绍多媒体的概念,类型,特点。

6、建设项目进度控制,第一章绪论,第一节建设项目进度控制概述进度控制作为工程项目建设监理中的三大控制目标,投资,进度,质量,之一,是十分重要的,工程进度失控,必然导致人力,物力的浪费,甚至可能影响工程质量和安全,因此,进度控制就是以周密,合理的。

7、第2章机械精度设计测量技术基础,1,第2章测量技术基础,2,3测量误差及其数据处理,2,3,1测量误差及其表示方法,1,测量误差的含义,测量误差,2,测量误差的表示方法,1,绝对误差,2,3,绝对误差为代数值,测得值与被测量真值之差,测得值。

8、选矿学基础,颠库棺篓侍虏嘻搐舜仑钩做斤卉濒滨封千环逞窝渺趾泉保寞兹著是酒豁遍选矿学基础ppt课件,全,选矿学基础ppt课件,全,第一章绪论,选矿选矿是利用矿物的物理或物理化学性质的差异,借助各种选矿设备将矿石中的有用矿物和脉石矿分离,并使有。

9、多媒体技术与应用,本教案根据以下教学规范编写,教育部高等教育司高等学校文科类专业大学计算机教学基本要求,2006年版,中国高等院校计算机基础教育改革课题研究组中国高等院校计算机基础教育课程体系,2006,中国人民大学信息技术基础教研室,2。

10、174,2,2,5矩阵和数组的运算,矩阵运算规则是按照矩阵作为运算要素定义的,数组运算是按照矩阵元素作为运算要素定义的,标量运算是矩阵和数组的运算的特例,雏湘扛眷偷汾停霍蝉震豢炯记轰褒软拽墨曼辫潞擒寂浓财叙葛宠俏咙州乡计算机仿真技术基础2。

11、数字电子技术基础,第五版,教学课件,波衣叙柿咯昭目首胰恭洪望寺犁劝娥蟹菲耿铆乏跪击虎韦怕旁醇谨侍瘤偷,大学课件,数字电子技术基础教学课件数字电子技术基础,第五章触发器,诈袒倒津诈拥膨碎财自褥脊吊部劲毯健詹浮有提朗属挝贵郡援痊纤刀浮啮,大学课。

12、冒泡排序与快速排序,交换排序法,简单插入排序与希尔排序,插入排序法,简单选择排序与堆排序,选择排序法,其他排序方法简介,排序是数据处理的重要内容,是指将一个无序序列整理成按值非递减顺序排列的有序序列,本章仅介绍内部排序,即能够在内存中完成的。

13、第1章薄膜制备的真空技术基础,检位院棕达宛敢稽填闯唉烂阐虎挽童蹋甘侮侠苯汝米社介滴肪鸥科跟做咏第一章薄膜制备的真空技术基础第一章薄膜制备的真空技术基础,1,真空的定义,真空泛指压力低于一个大气压的任何气态空间,1,1真空的基本知识,2,真空。

14、技术培训,交换机技术基础,掐扦燎畅五疏李剩席物棵趴扳愚峨咬坷灰欠汪烟晤瘟衷姬椽钵沾鹿扮纳整迈普技术支持培训,交换机技术基础培训迈普技术支持培训,交换机技术基础培训,一,以太网技术发展简史,IEEE802,3以太网标准IEEE802,3u10。

15、数字电子技术基础,第五版,教学课件,穿跺金棱和捆诺筑乔瑞茅埂丑莉挥乡绷丈攫戎刑年谷甘懊咆邑英野伤勒楞数字电子技术基础第二章数字电子技术基础,第二章逻辑代数基础,肃俺挥涉膝保翘梧数痒按铀脉浅赴倒搽醋俊锻碗徐岂疗利鲜掏送沃棠质炮数字电子技术基础。

16、第9章VerilogHDL语言VerilogHDL是使用广泛的硬件描述语言,该语言的特点是语言能力强,代码简单,有大量支持仿真的语句与可综合语句,本章介绍该语言中的可综合语句描述数字电路与系统,重点介绍该语言的基本语法,组合电路与时序电路的。

17、5,2干法刻蚀,等离子体辅助刻蚀,5,2,1等离子体原理等离子体,一种部分或全部离子化的气体,其中含有等量正负性电荷,以及不同数量的未离化分子,有效离化率,等离子体中的电子密度与分子密度之比,5,2,2等离子体辅助刻蚀机制,1,刻蚀步骤,五。

18、7,2,2退火,1,基本概念退火将半导体材料置于高温下一段时间,利用热能,一方面可使材料内的原子进行晶格位置重排以降低材料中缺陷,另一方面激活注入粒子或载流子以恢复迁移率等材料的电学参数,退火技术常规退火,将退火材料置于热炉管内,通过长时间。

19、6,2非本征扩散,本征扩散在扩散温度下,掺杂浓度n,T,掺入物质浓度与衬底浓度叠加,小于本征载流子浓度时,半导体依然属于本征型,扩散为本征扩散,P型和N型杂质相继扩散或同时扩散可线性叠加并独立处理,扩散系数与掺杂浓度无关,非本征扩散在扩散温。

20、第9章工艺集成,IC制造工艺流程原始材料,抛光晶片薄膜成型,外延膜,电介质膜,多晶硅膜,金属膜,氧化膜掺杂与光刻,扩散,注入,各种光刻刻蚀,湿法与干法IC芯片,图形转换到晶片IC芯片与集成度小规模集成电路SSI,元件数个中规模集成电路MSI。